Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como un conductor

o como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: El campo

el�ctrico o magn�tico, la presi�n, la radiaci�n que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.1? Los elementos qu�micos semiconductores de la
tabla peri�dica se indican en la tabla adjunta.

Silicio purificado
Elemento Grupos Electrones en
la �ltima capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
El elemento semiconductor m�s usado es el silicio2?, seguido del germanio, aunque
presentan un id�ntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos
12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te
Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambi�n el azufre. La
caracter�stica com�n a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuraci�n electr�nica s�p�.

�ndice
1 Tipos de semiconductores
1.1 Semiconductores intr�nsecos
1.2 Semiconductores extr�nsecos
1.2.1 Semiconductor tipo N
1.2.2 Semiconductor tipo P
2 Referencias
3 V�ase tambi�n
4 Enlaces externos
5 Semiconductores y electr�nica
Tipos de semiconductores

Semiconductor intr�nseco
En 1727 Stephen Gray descubri� la diferencia entre conductores y aislantes.
Despu�s, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que
describen la proporcionalidad entre el corriente y el voltaje a un conductor y
tambi�n es posible determinar la conductividad el�ctrica de cualquier objeto.

Semiconductores intr�nsecos
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetra�drica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus �tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden

absorber la energ�a necesaria para saltar a la banda de conducci�n dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.3? Las energ�as requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

El proceso inverso tambi�n se produce, de modo que los electrones pueden caer desde
el estado energ�tico correspondiente en la banda de conducci�n a un hueco en la
banda de valencia, liberando as� energ�a. Este fen�meno se conoce como
"recombinaci�n". A una determinada temperatura, las velocidades de creaci�n de
pares e-h, y de recombinaci�n se igualan, de modo que la concentraci�n global de
electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentraci�n de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentraci�n de huecos (cargas positivas), se cumple
entonces que:3?
ni = n = p
donde ni es la concentraci�n intr�nseca del semiconductor, funci�n exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuesti�n. La densidad o concentraci�n intr�nseca de
portadores es muy baja. 3?

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 �C):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
el�ctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes el�ctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conducci�n, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tender�n a saltar a los huecos pr�ximos ,
originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direcci�n contraria
al campo el�ctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducci�n.

Semiconductores extr�nsecos
Si a un semiconductor intr�nseco, como el anterior, se le a�ade un peque�o
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extr�nseco, y se dice que est� dopado. Las impurezas
deber�n formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
�tomo de silicio.3?

Semiconductor tipo N

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N. Los c�rculos negros representan

los electrones en la banda de conducci�n (naranja), mientras que los blancos ser�an
los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que los electrones son
los portadores de carga mayoritarios.
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado a�adiendo
un cierto tipo de �tomos al semiconductor para poder aumentar el n�mero de
portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).4?

Cuando se a�ade el material dopante, aporta sus electrones m�s d�bilmente

vinculados a los �tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambi�n
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

El prop�sito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones

portadores en el material. Para ayudar a entender c�mo se produce el dopaje tipo n
consid�rese el caso del silicio (Si). Los �tomos del silicio tienen una valencia
at�mica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
�tomos de silicio adyacentes. Si un �tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peri�dica �p. ej., f�sforo (P), ars�nico (As) o
antimonio (Sb)�, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un �tomo de
silicio, entonces ese �tomo tendr� cuatro enlaces covalentes y un electr�n no
enlazado. Este electr�n extra da como resultado la formaci�n de "electrones
libres", el n�mero de electrones en el material supera ampliamente el n�mero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
los portadores minoritarios. A causa de que los �tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electr�n extra que "dar", son llamados �tomos donadores. N�tese
que cada electr�n libre en el semiconductor nunca est� lejos de un ion dopante
positivo inm�vil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
el�ctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Estructura de bandas de un semiconductor de tipo P. Los c�rculos negros representan
los electrones en la banda de conducci�n (naranja), mientras que los blancos ser�an
los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que los huecos son los
portadores de carga mayoritarios.
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, a�adiendo
un cierto tipo de �tomos al semiconductor para poder aumentar el n�mero de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).4?

Cuando se a�ade el material dopante libera los electrones m�s d�bilmente vinculados
de los �tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambi�n conocido como
material aceptor y los �tomos del semiconductor que han perdido un electr�n son
conocidos como huecos.

El prop�sito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del

silicio, un �tomo tetravalente (t�picamente del grupo 14 de la tabla peri�dica) se
le une un �tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peri�dica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un �tomo de silicio, entonces ese �tomo tendr� tres enlaces covalentes y un
hueco producido que se encontrar� en condici�n de aceptar un electr�n libre.

As� los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un prot�n del �tomo situado en la posici�n del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
n�mero suficiente de aceptores son a�adidos, los huecos superan ampliamente la
excitaci�n t�rmica de los electrones. As�, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro
(B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.