1

MEMORIAS
Condor H.
Hwcndors@espe.edu.ec

Electromecánica, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

Extensión Latacunga, Márquez de Maenza Latacunga, Ecuador
Fecha de presentación: 27/05/2019

sin necesidad de tener alimentación eléctrica durante ese lapso.

Resumen. El siguiente trabajo detalla las definiciones, ventajas,
desventajas, aplicaciones a la electrónica y a su vez a la vida real
de las memorias Para el mejor entendimiento del tema se usará
ejemplos didácticos lo más detallado posible, este trabajo
pertenece a la asignatura de sistemas digitales y
microcontroladores de la carrera de ingeniería electromecánica.
Este trabajo tiene como fin dar al estudiante mejor facilidad de
compresión sobre los códigos a tratar y ayudar a entender cómo
aplicarlos.
Al no tener partes en movimiento (salvo los dispositivos
MicroDrive), tienen una baja generación de calor, poco
desgaste pero una alta velocidad de transmisión de datos,
además tienen la característica de ser memorias portátiles que
se pueden utilizar en una gran cantidad de dispositivos
como: teléfonos celulares modernos, cámaras digitales de
video, cámaras fotográficas digitales, reproductores MP3,etc.

Abstract-- The following work details the definitions,
advantages, disadvantages, applications to the electronics and in
turn to the real life of the memories. For a better understanding
of the subject we will use as detailed as possible didactic examples,
this work belongs to the subject of digital systems and
microcontrollers of the career of electromechanical engineering.
The purpose of this work is to give the student a better
understanding of the codes to be treated and to help understand
how to apply them.
I. INTRODUCCIÓN
III. CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS.
1. Memoria RAM: Random Access Memory, o memoria de
acceso aleatorio sus velocidades de lectura y escritura son muy
similares, son utilizadas en proceso de alta velocidad donde los
datos pueden perderse al momento de cortar la energía
2. Memoria ROM: Read Only Memory, Memoria de solo
lectura. Esta memoria viene ya grabada de fábrica y no puedes
modificar su programación .

L as memorias son una de las partes mas importantes de una

computadora ya que la velocidad con que se pueden
transferir datos, de su capacidad y estructura interna, depende
3. Memoria PROM: rogramable ROM, memoria programable.
Conocida igual como OTP( one time programable) o memoria
de una sola programación. Una vez grabada ya no se puede
en gran medida del desempeño del microprocesador, pero, que modificar.
es, como funciona, cuales son los tipos de memorias existentes.
En este artículo se tratará de abordar el tema de las memorias, 4. Memoria EPROM: Erasable PROM, memoria borrable. Solo
también brindar detalles que permitirán obtener respuestas a pueden programarse si se les borra antes exponiéndolas
futuras preguntas. durante cierto tiempo a la luz ultravioleta. Esto introduce
voltaje a las celdas para que después puedan ser grabadas.
II. DEFINICIÓN.
5. Memoria EEPROM: lectrical EPROM, memoria borrable
electrónicamente. Esta memoria puede ser borrada por medios
Se define como la tecnología de almacenamiento electrónico
electrónicos a través de una terminal conocida como Vpp. Los
aleatorio, conformada por chips de memoria integrados en
voltajes de borrado son de aprox 13v .
tarjetas y/o unidades plásticas de diversas medidas, los cuáles
les permiten leer, regrabar y almacenar bits mediante diversas
6. Memoria FLASH: Es igual que una EEPROM su diferencia
tecnologías electrónicas. Externamente cuentan con terminales
radica en la velocidad de grabado de los datos, además que el
que les permiten intercambiar información con diversos
voltaje usado para borrar es de 5v o 3.3v dependiendo de la
dispositivos como cámaras fotográficas digitales, smartphone,
memoria. Es la más usada actualmente y existe un sin número
motherboard, etc.
de variantes
trata de pequeñas tarjetas de memoria 100% electrónicas,
basadas en el uso de celdas de almacenamiento tipo NAND, las
cuáles permiten guardar datos por largos periodos de tiempo
 2

IV. MEMORIAS MAS USADAS. una lectura o escritura, si estas señales están en “alto” no se
puede tener acceso a la memoria.
TERMINALES DE DIRECCIÓN.

Sirven para acceder a la localidad seleccionada (lectura o

escritura). Su tamaño varía desde 1KBytehasta 512Mbyte, es
decir, el número de líneas va desde 10 hasta 29 líneas. Si se
decodifica un dispositivo de memoria para empezar en la
dirección 2000H y es un dispositivo de 2K Byte, su última
localidad de memoria se encontrará en la dirección 27FFH

Fig. 03 terminal de selección.

TERMINALES DE CONTROL.

Todas las memorias tienen señales de control. Una memoria

ROM generalmente tiene una sola entrada, mientras que las
memorias RAM suelen tener una o dos entradas de control. La
entrada de control en una ROM generalmente es OE’ ó G’, la
Fig. 01 terminal de dirección.
cual permite la salida de los datos de la memoria hacia el bus
de datos.
TERMINALES DE DATOS.

Estas terminales son los puntos en los cuales se da entrada a

los datos para almacenarlos ó se extraen para su lectura.
Generalmente se clasifican a las memorias por su capacidad
total en bits, es decir, si una memoria de 64K localidades y 8
bits en cada una, el fabricante la señala como 64Kx8 ó bien
como 512Kbits.

Fig. 04 terminal de control.

TERMINALES DE CONTROL.

Esta señal habilita o deshabilita dispositivos de 3er estado

Fig. 02 terminal de datos.
dentro de la memoria, los cuales deben estar activos para leer
la memoria. Las memorias RAM tienen dos entradas de
control, WR’ y OE’. En este caso WR’ habilita la escritura a
memoria. Si ambas entradas están en “1” no se tiene acceso a
la memoria y el bus de datos está en alta impedancia.

TERMINALES DE SELECCIÓN.

Cada dispositivo de memoria tiene al menos una entrada que

selecciona o habilita la memoria. Esta terminal puede ser CS’,
CE’ o S’ y sirve para que el dispositivo de memoria efectué
 3

Fig. 05 terminal de control.

VI. REFERENCIAS.
[1]. https://es.scribd.com/doc/142279984/ANALISIS-TRANSITORIO-DE-
UN-CIRCUITO-DE-SEGUNDO-ORDEN
[2]. LabVolt.(13 de 11 de 2014).Obtenido de LabVolt:
https://www.labvolt.com/downloads/dse8821.pdf
[3]. www.esi2.us.es/GIE/teoria%20de%20circuitos/docs/tema%20transitorios
.pp

[4]. Nicole, “Title of paper with only first word capitalized,” J. Name Stand.
Abbrev., en impresión.
[5]. Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, “Electron spectroscopy
studies
REFERENCIA DE TABLAS.
[1]. http://wwwprof.uniandes.edu.co/~ant-
sala/cursos/FDC/Contenidos/09_Circuitos_de_Segundo_Orden_RLC.pdf
[2].http://www.fceia.unr.edu.ar/tci/utiles/Apuntes/CAP%207%202013%20TR
ANS.pdf