Resumen.- En el presente documento, se plasma el rectificador trifásico de media onda controlado con
IGBT, se presenta el circuito esquemático y su respectiva simulación para distintos ángulos de disparo
realizado en el software Simulink de Matlab.
Palabras Clave.- Rectificador Trifásico, control con IGBT, Simulink,Matlab.
Abstract.- In this document, the three-phase half-wave rectifier controlled by IGBT is shown, the schematic circuit
and its respective simulation are presented for different firing angles performed in the Matlab Simulink software.
Keywords.- Rectifier, Three-phase, control with IGBT, Simulink, Matlab
I. INTRODUCCIÓN
Figura 1
II. APLICACIÓNES TÍPICA DEL IGBT
III. ESQUEMA DEL RECTIFICADOR
TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA
El IGBT es un dispositivo electrónico que
CONTROLADO
generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en
En la figura 2, se observa en la entrada una
sistemas de alta tensión. Se usan en los
conexión en estrella de tres fuentes trifásicas
Variadores de frecuencia así como en las
desfasadas 120 ° una con respecto a otra;
aplicaciones en máquinas eléctricas y
también se aprecia 3 IGBT y la carga
convertidores de potencia que nos acompañan
resistiva e inductiva en la salida.
cada día y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión,
Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión,
Domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
1
3𝑉𝑀 2𝜋
𝑣0𝐷𝐶 = (cos 𝛼 − cos(𝛼 + )) . . (2)
2𝜋 3
𝜋
Cuando ≤ 𝛼 ≤ 𝜋 hay una conducción
3
discontinua.
𝑤𝑡=𝛼+𝜋
1
𝑣0 =
̅̅̅ ∫ 𝑉𝑀 sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
2𝜋⁄
3 𝑤𝑡=𝛼
3𝑉𝑀
𝑣0 = 𝑣0𝐷𝐶 =
̅̅̅ (cos 𝛼 + 1) … . . (3)
2𝜋
𝜋
1) Para 𝛼 =
6
𝜋
𝛼 𝛼
𝑇= = = 6
𝑤 120𝜋 120𝜋
∴ 𝑇 ≅ 1.388𝑚𝑠
Figura 3
2
𝜋 ∴ 𝑇 ≅ 8.333𝑚𝑠
𝛼 𝛼
𝑇= = = 3
𝑤 120𝜋 120𝜋
α 𝒗𝑶𝑫𝑪 𝒗𝑶𝑫𝑪
Hallamos la tensión continua en la 0 1.65𝑉𝑚 722.7𝑣
salida reemplazando el ángulo de 𝜋⁄ 1.43𝑉𝑚 626.34𝑣
6
disparo α en la ecuación (2). 𝜋⁄ 0.82𝑉𝑚 359.16𝑣
3
𝜋⁄ 0 0𝑣
𝑣0𝐷𝐶 = 0.47𝑉𝑀 2
2𝜋⁄ −0.82𝑉𝑚 −359.16𝑣
3
2𝜋 𝜋 −1.65𝑉𝑚 −722.7𝑣
4) Para 𝛼 =
3
2𝜋
𝛼 𝛼
𝑇= = = 3
𝑤 120𝜋 120𝜋
∴ 𝑇 ≅ 5.556𝑚𝑠
𝑣0𝐷𝐶 = 0.23𝑉𝑀
VI. RESULTADOS DE LA SIMULACIÓN
5) Para 𝛼 = 𝜋
𝛼 𝛼 𝜋
𝑇= = =
𝑤 120𝜋 120𝜋
3
Con un periodo de pulso igual 60 hz de
la señal de fase y duración de pulso del
50%
Figura 4
4
VII. OBSERVACIONES
- Para una impedancia pura inductiva [1] Para realizar la simulación hay que
de 100mH agregar varios bloques en simulink,
para el correcto funcionamiento del
esquema [2] El bloque Powergui es
importante para poder correr el esquema
y compilar [3] hay que configurar los
- Para una impedancia inductiva de IGBTs con un correcto ángulo de
50 Ω y 50 mH disparo y su voltaje de gate-katodo
[4] El software tiene que tener las
librerías completas, por eso se debe
descargarlas.
VIII. CONCLUSIONES
Distorsión de armónicos de la señal
trifásica [1] se concluye que tanto la duración del
pulso y el ángulo de disparo son
parámetros que se regulan para obtener
una rectificación adecuada.
[2] los IGBTs son dispositivos muy
efectivos para electrónica de potencia.
[3] para ángulos de disparo de π no hay
rectificación y que la distorsión de
armónicos depende del ángulo de
disparo y duración de pulso.
[4] al variar la inductancia varia el valor
medio.
REFERENCIAS