RESUMO
ABSTRACT
In the synthesis of carbon films type diamond (DLC) it is necessary to make a efficient control of
temperature so that the characteristics of the film are trustworthy. This work aims at the development
of a automatized system of control of temperature for a reactor of processing of materials. It was used
a universal controller of processes and one solid state relay to set in motion an electric resistance
connected to the substrate support. For make setup of the controller is possible connects it to a
microcomputer using an interface RS-485 through protocol MODBUS (RTU) that it can be
implemented by the existing programs of supervision in the market. With this system of temperature
control we got a significant reduction in the fluctuation of the temperature of the substrate in relation
to the typical methods previously used.
1. INTRODUÇÃO
As tecnologias atuais vêm se desenvolvendo nas mais diversas áreas, e cada vez mais
pesquisadores se dedicam à pesquisa na área de novos materiais. Para cada área, desde a
microeletrônica até a medicina1,3, são desenvolvidos materiais de características interessantes para as
suas aplicações. Um dos materiais que mais vêm sendo estudados é o filme de DLC3 (diamond-like-
carbon) também chamado de carbono amorfo.
Existem diferentes técnicas de síntese do filme de DLC. Neste trabalho foi utilizado a técnica de
sputtering com catodo de magnetron. Nesta técnica os íons de plasma gerados de uma descarga
elétrica são acelerados contra um alvo de grafite liberando átomos para a formação do filme de DLC
sobre um substrato, cuja temperatura deve ser controlada2,3.
No trabalho de síntese do filme, muitos parâmetros podem ser variados como potência
elétrica, vazão e pureza dos gases, pressão de trabalho, distância do alvo ao substrato e temperatura do
substrato etc. Estes parâmetros determinam as características do filme formado e por isto devem
possuir um controle confiável para não gerar flutuações.
Este trabalho teve por objetivo pesquisar alternativas para um sistema controle de temperatura
mais eficiente e automatizado do substrato em um reator de processamento de materiais.
2. MATERIAIS E MÉTODOS
Para uma eficiente medição de temperatura, o termopar foi fixado diretamente no porta-
substrato junto com um pedaço do substrato, como mostrado na figura 1. Desta maneira temos que o
substrato ficará livre de impurezas e o termopar terá a mesma variação de temperatura do substrato,
garantindo a eficácia da medição.
O controlador utilizado possui outras funções interessantes para trabalhos em diversas áreas
como: acionamentos de outros dispositivos simultaneamente, atrasos em disparos, controle manual e
programação em rampas e patamares de temperatura. A programação do controlador pode ser feita
através de seu teclado ou também através de um microcomputador que deve ser conectado ao
controlador por meio de uma interface serial RS-485. Pelo microcomputador é possível acessar todos
os comandos do controlador de maneira mais rápida e eficiente. Um esquema do sistema montado com
o microcomputador é mostrado na figura 3.
Figura 3- Diagrama de Blocos do sistema montado com o microcomputador Pentium 100MHz e uma
interface padrão RS-485
Os controladores que operam pelo protocolo MODBUS podem trabalhar em dois modos de
transmissão: ASCII e RTU. O controlador utilizado nesta pesquisa opera pelo modo RTU (Remote
Transmition Unit) o que determina o modo pelo qual as mensagens são transferidas, seu formato e
interpretação. O modo RTU é hexadecimal de oito bits, ou seja, cada campo de oito bits contém dois
caracteres hexadecimais e no campo de checagem de erro são enviados dois bytes calculados no
formato CRC (Cyclical Redundancy Check) de acordo com os dados enviados4.
3. RESULTADOS
Devido às limitações da resistência utilizada não foi possível alcançar a temperatura de 350°C.
Figura 5 – Gráficos do comportamento da temperatura durante o processo da deposição de
filmes de DLC utilizando o sistema automático de controle de temperatura
O sistema de controle montado se mostrou eficiente, permitindo otimizar o processo ao qual foi
designado, mantendo uma temperatura estável em média de 0,78% de flutuação em graus Celsius na
temperatura desejada, o que representa cerca de ±2°C, muito mais eficiente que os processos utilizados
anteriormente, os quais apresentavam diferenças de temperatura da ordem de 10°C a 20°C.
4. CONCLUSÕES
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
1
Chen, F. F. Industrial Applications of Low Temperature Plasma Physics, Phys. Plasma,
1995, 2(6), p2164.
2
Keister F. Z. An Evaluation of materials and processes for integrated microwave circuits,
IEEE. Trans. Microwave Theory Tech., 1968, vol MTT-16, p469.
3
Massi M., et al, Thin solid films, 1999, p343-344, p378.
4
Modicon, Inc. Industrial Automation Systems, Modicon Modbus Protocol Reference Guide,
1996, PI-MBUS-300 Rev.J.