Práctica 5: Polarización en dc del transistor BJT

José L. Medina

Abstract — En la presente práctica se busca polarizar un de trabajo.

transistor Bjt, lo cual como se conoce se puede lograr con Identificar, conectar y comprobar correctamente el
varias configuraciones estudiadas en la materia, para ello se funcionamiento de un transistor.
impondrá previamente el punto de trabajo del transistor, y
basado en ello se obtendrá teóricamente los valores de las
resistencias necesarias del circuito, además se pondrá en III. MATERIALES
evidencia la sensibilidad del transistor a cambios de
Laboratorio:
temperatura, en base a información de las hojas de
especificaciones, lo cual se verá si modifica o no las medidas
Fuente Corriente Continua
del punto de carga planteados en condiciones estables.

Index Terms — bjt, transistor, carga.

Estudiante:

Multímetro, 4 Transistores 2N3904, Protoboard, Cables de

I. INTRODUCTION
Los transistores en si están compuestos internamente por
diodos en determinada configuración lo cual les da sus
características propias de funcionamiento.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas
que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo
p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El
primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la
amplificación, oscilación, conmutación y la conversión de
frecuencias.
En el transistor se cumple una serie de condiciones
relacionadas con las corrientes y voltajes en los diferentes
terminales. Posee diferentes usos, de los cuales se ha destacado
su capacidad de conmutar circuitos.
Los transistores BJT poseen la capacidad de amplificar la
corriente que pasa entre los terminales emisor y colector, las
cuales dependerán de la corriente aplicada a la base
del transistor.
II. OBJETIVOS
A. Objetivos Generales
Analizar y comparar los diversos tipos de circuitos de
polarización para un transistor BJT.
Conexión, Resistencias varias (de acuerdo a cálculos realizados
previamente), Cautín. Datasheet Transistor 2N3904.
IV. MARCO TEÓRICO
A. Polarización en corriente continua
Una vez que se han definido los niveles de corriente cd y
voltaje deseados de salida de un transistor BJT se debe construir
una red que establezca el punto de operación deseado. Cada
diseño también determinará la estabilidad del sistema, es decir,
cuán sensible es a las variaciones de la temperatura. Hay una
similitud subyacente en el análisis de cada configuración,
debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas
importantes de un transistor:
I C  I E  (   1) I B
VBE  0.7V
IC   I B
B. Configuración de polarización fija
La configuración se muestra en la siguiente figura:

B. Objetivos Específicos
Definir el concepto y utilidad de un circuito de polarización
para un transistor BJT. Conocer los diversos tipos de
polarización.
Analizar y calcular un circuito de polarización.
Determinar mediante cálculos y mediciones, el punto de
operación de un transistor BJT.
Analizar y comparar la dependencia del factor beta, en un En la cual se puede obtener una malla entrada y salida,
circuito de polarización. tomando los terminales, base emisor para la malla de entrada y
Comparar y analizar el comportamiento de los distintos colector base para la malla de salida, aplicancion LTK en las
circuitos de polarización, en función de la estabilidad del punto mallas correspondientes se llega a las ecuaciones que definen
esta polarización:
 Luego de reeemplzar por el equivalente se procede a sacar
una malla de entrada y salida, y aplicando LTK, se obtiene:

C. Configruacion de polarización emisor.

La red de polarización de cd contiene un resistor emisor para
mejorar la estabilidad del nivel en relación con la de la
configuración de polarización fija.
E. Configruacion de retroalimentación de colector.

También se puede obtener un mejor nivel de estabilidad

introduciendo una trayectoria de realimentación desde el
colector a la base.

Siguiendo el procedimiento anterior, se divide en malla de

entrada y salida, la diferencia con la polarización anterior es
únicamente la resistencia presente en el emisor, lo que hará que
el voltaje en el emisor no sea cero. De esto se obtiene las
siguientes ecuaciones:

Dividiendo en malla de entrada y salida, se obtendrán las

siguientes ecuaciones:

D. Polarización por medio de divisor de voltaje.

Para realizar el análisis de esta polarización se recurre
equivalente de thevenin, de un circuito, es decir reemplazar el
V. DESARROLLO
circuito visto desde los terminales de R2 por un voltaje te
Thevenin y su respectiva resistencia:
1. Completar la siguiente tabla, en relación a los
circuitos de polarización.
 10 = 𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑏 + 0.7
9.3 𝛽 ∗ 9.3
𝑅𝑏 = = = 𝛽 ∗ 930 = 233.4𝑘
𝐼𝑏 𝐼𝑐

2. Regular Vcc=10v, en la fuente de alimentación

variable, disponible en el laboratorio. Defina un
valor para la intensidad de colector de
Fig. 1. Circuito de polarización fija.
saturación ICSAT, a emplearse en los cálculos,
tome en cuenta que la máxima intensidad de TABLA II: Medición del punto de trabajo circuito de polarización fija
colector para el transistor 2N3904 es 200mA.
% de variación
(Sugerencia: emplee un valor de hasta 20mA).
Parámetro Valores medidos (respecto a
*Los valores de ICSAT y Vcc, definidos, se
valores medidos)
emplearán para todos los circuitos de
polarización. ICQ 9.38 mA 4.2%
Para la presente práctica se tomará: VCEQ 5.07 V 1.4%
Isat= 20mA y Vcc=10V

3. Circuito de polarización fija. (b) Realizar un gráfico de la recta de

carga del transistor, acotar los
(1) Empleando la opción hFE, del multímetro, puntos: Saturación, Corte y Trabajo
(Medido y Calculado).
determine la ganancia del transistor
2N3904. Complete la Tabla I.

TABLA I: Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hfe (beta)

Q1 251

(2) Para el circuito de polarización fija de la

figura 1. Defina el punto de trabajo del
𝑉 𝐼
transistor en Q ( 𝐶𝐶 ; 𝐶𝑠𝑎𝑡). De acuerdo a los
2 2
valores fijados en el punto 2.
Con los valores establecidos se tiene Q(5𝑉; 10𝑚𝐴)

(a) Realice los cálculos necesarios y

determine los valores de las
resistencias para establecer el punto
de trabajo requerido. Armar el (c) Conectar y acercar el cautín al
circuito de polarización, medir ICQ; transistor. Medir Q (ICQ; VCEQ.); de
VCEQ. (Incluir los cálculos realizados acuerdo al incremento de
en el informe). Completar la Tabla II. temperatura. Acotar la nueva
ubicación del punto de trabajo, en el
gráfico del punto anterior. Completar
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 200 𝑚𝐴 la tabla III.
𝐼𝐶 = = = 10𝑚𝐴
2 2
−10 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
10 − 5
𝑅𝐶 = = 500
10−3
 TABLA III: Variación del punto de trabajo debido al incremento de 10  IcRc  Vce  Ic Re
temperatura
% de variación 10  Ic( Rc  Re)  Vce
Valores medidos (respecto a 10  5
Parámetro con incremento valores medidos a  Rc  Re
de temperatura temperatura 10 *103
ambiente) Re Rc  500
ICQ 15mA 50%
Rb
VCEQ 2.27 V 54.6% Re  Rc  570
T=66°, t=525 
(d) A partir de los resultados obtenidos,
10  IbRb  0.7  IeRb
en las tablas II y III. Realice un
análisis del comportamiento de un
10  IbRc  0.7   IbIe
circuito de polarización fija. 10  Ib( Rb   Re)  0.7
Se puede evidenciar que los valores del punto de carga varían
con la temperatura, es así que la corriente aumenta Rb   Re  430 
considerablemente, mientras el voltaje disminuye, esta  Ie Re 0.7  IbRb  IcRc  0
variación es alrededor del 50%, considerable cambio.
Rb
 Rc   Rc  5.7
4. Circuito de polarización estabilizado en emisor. 
TABLA V: Medición del punto de trabajo circuito de polarización
(1) Empleando la opción hFE, del multímetro, estabilizado en emisor
determine la ganancia del transistor % de variación
2N3904. Complete la Tabla IV. (respecto a
Parámetro Valores medidos
TABLA IV: Medición de hFE, transistor 2N3904 valores
calculados)
Transistor hFE (beta) ICQ 9.36 mA 6.4%
VCEQ 5.2 V 4%
Q1 251

(b) Realizar un gráfico de la recta de

carga del transistor, acotar los
(2) Para el circuito de polarización estabilizado puntos: Saturación, Corte y Trabajo
en emisor de la figura 2. Defina el punto de (Medido y Calculado).
trabajo del transistor con los mismos valores
que el circuito de polarización fija.
𝑉 𝐼
𝑄 ( 𝐶𝐶 ; 𝐶𝑠𝑎𝑡).
2 2
Con los valores establecidos se tiene Q(5𝑉; 10𝑚𝐴)

(a) Realice los cálculos necesarios y

determine los valores de las
resistencias para establecer el punto
de trabajo requerido. Armar el
circuito de polarización, medir ICQ;
VCEQ. (Incluir los cálculos realizados
en el informe). Completar la Tabla V.

(c) Conectar y acercar el cautín al

transistor. Medir Q (ICQ; VCEQ.); de
acuerdo al incremento de
temperatura. Acotar la nueva
ubicación del punto de trabajo, en el
gráfico del punto anterior. Completar
Fig. 2. Circuito de polarización estabilizado en emisor la tabla VI.
 TABLA VI: Variación del punto de trabajo debido al
incremento de temperatura.
% de variación
Valores (respecto a
medidos con valores
Parámetro
incremento de medidos a
temperatura temperatura
ambiente)
ICQ 19 90%
VCEQ 2.82 43.6%

(d) A partir de los resultados obtenidos,

en las tablas V y VI. Realice un
análisis del comportamiento de un
circuito de polarización estabilizado
en emisor. Fig. 3. Circuito de polarización DC por retroalimentación de voltaje
Se puede evidenciar que los valores del punto de carga varían
Vcc  Vbe
con la temperatura, es así que la corriente aumenta Ib 
considerablemente alrededor de 90%, lo cual es un cambio Rb   ( Rc  Re)
brusco, mientras que el voltaje a pesar que varía, no lo hace en
Ic 10  0.7
la misma medida que la corriente, lo que indica que se mantiene 
un tanto estable, en relación claro está con la variación de  Rb   ( Rc  Re)
corriente.
 *9.3
Ic 
Rb   ( Rc  Re)
5. Circuito de polarización dc por retroalimentación de
voltaje.
Rb   (Re Rc)   *930  127.3K 
5  10  Ic( Rc  Re)
(1) Empleando la opción hFE, del multímetro,
determine la ganancia del transistor Rc  400
2N3904. Complete la Tabla VII.
Vcc
Ve   1V
TABLA VII: Medición de hFE, transistor 2N3904
10
Transistor hFE (beta)
Ve  Ie Re
1
Q1 251 Re   100
10*103

(2) Para el circuito de polarización dc por

TABLA VIII: Medición del punto de trabajo C.P.
retroalimentación de voltaje, de la figura 3. retroalimentación de voltaje.
Defina el punto de trabajo del transistor con
los mismos valores que el circuito de % de variación
𝑉 𝐼
polarización fija. 𝑄 ( 𝐶𝐶 ; 𝐶𝑠𝑎𝑡). (respecto a
2 2
Parámetro Valores medidos
Con los valores establecidos se tiene Q(5𝑉; 10𝑚𝐴) valores
calculados)
ICQ 9.7 mA 3%
(a) Realice los cálculos necesarios y
determine los valores de las VCEQ 5.01 V 0.2%
resistencias para establecer el punto
de trabajo requerido. Armar el
circuito de polarización, medir ICQ;
VCEQ. (Incluir los cálculos realizados (b) Realizar un gráfico de la recta de
en el informe). Completar la Tabla carga del transistor, acotar los
VIII. puntos: Saturación, Corte y Trabajo
(Medido y Calculado).
 (2) Para el circuito de polarización por divisor
de voltaje, de la figura 4. Defina el punto de
trabajo del transistor con los mismos valores
que el circuito de polarización fija.
𝑉 𝐼
𝑄 ( 𝐶𝐶 ; 𝐶𝑠𝑎𝑡).
2 2
Con los valores establecidos se tiene Q(5𝑉; 10𝑚𝐴)

(a) Realice los cálculos necesarios y

determine los valores de las
resistencias para establecer el punto
de trabajo requerido. Armar el
circuito de polarización, medir ICQ;
VCEQ. (Incluir los cálculos realizados
en el informe). Completar la Tabla XI.

(c) Conectar y acercar el cautín al

transistor. Medir Q (ICQ; VCEQ.); de
acuerdo al incremento de
temperatura. Acotar la nueva
ubicación del punto de trabajo, en el
gráfico del punto anterior. Completar
la tabla IX.

TABLA IX: Variación del punto de trabajo debido al incremento de

temperatura.
% de variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos
de temperatura a temperatura
ambiente)
ICQ 10.5 mA 5%
VCEQ 4.65 V 7%
Fig. 4. Circuito de polarización por división de voltaje
T=65°, t=435
Vcc
(d) A partir de los resultados obtenidos,
en las tablas VIII y IX. Realice un
Ve  1V
análisis del comportamiento de un 10
circuito de polarización dc por Ve 1
retroalimentación de voltaje. Re    100
Se puede evidenciar que los valores del punto de carga varían Ie 10*103
con la temperatura, es así que la corriente aumenta pero muy Vc Vcc  Vce  Ve 10  5  1
Rc     400
poco alrededor del 5%, lo cual comparado con las mediciones Ic Ic 10*103
a temperatura de las configuraciones pasadas, es bastante bajo,
 *100
del mismo modo, la variación de voltaje está en 7%, lo cual R2 
indica que varía poco, cercano a la variación del voltaje, en si 10
podemos ver que esta configuración es más estable frente a la R 2  2500
temperatura.
R2 7

6. Circuito de polarización por división de voltaje R1  R 2 10
(1) Empleando la opción hFE, del multímetro, R1  R 2  5.68R 2
determine la ganancia del transistor R 2  12.21k 
2N3904. Complete la Tabla X.
TABLA X: Medición de hFE, transistor 2N3904 TABLA XI: Medición del punto de trabajo circuito de voltaje.
% de variación
Transistor hFE (beta)
Valores (respecto a
Parámetro
Q1 251 medidos valores
calculados)
ICQ 9.56 mA 4.4%
VCEQ 5.244 V 4.38%

(b) Realizar un gráfico de la recta de
carga del transistor, acotar los
puntos: Saturación, Corte y Trabajo
(Medido y Calculado).
bajo. Con esto se puede evidenciar el funcionamiento del
transistor en corriente continua.
Un parámetro fundamental y característico de cada transistor
es el hfe, o factor de ganancia, ya que es único para cada
transistor a pesar que sean estos del mismo fabricante, el hfe es
único para cada transistor.
La estabilidad que alcanzan en todas las polarizaciones es
bastante acertada, con lo cual, cualquiera de ellas se podría
utilizar con el fin de polarizar el transistor.
Es importante tomar en cuenta la información dada por el
datasheet en relación a la temperatura de funcionamiento del
transistor, ya que al alterar este factor, el transistor deja de
funcionar normalmente

REFERENCES
[1] A. Malvino y D. Bates, “Semiconductores,” en Principios de Electrónica,
C. Sánchez, Mcgraw-hill/Interamericana:España, 2007, pp. 26-53.
[2] R. Boylestad y L. Nashelsky, “Diodos semiconductores,” en Electronica:
Teoría de circuitos y electronica, Pearson Educación:Mexico, 2009, pp.
1-49.
BIOGRAPHIES
(c) Conectar y acercar el cautín al
transistor. Medir Q (ICQ; VCEQ.); de José L. Medina. Bachiller en Ciencias de la Educacion,
acuerdo al incremento de graduado en en Instituto tecnológico “Daniel Alvarez
temperatura. Acotar la nueva Burneo” Loja. Estudiante de la Universidad de Cuenca,
ubicación del punto de trabajo, en el facultad de Ingeniería, carrera Ingeniería Eléctrica,
gráfico del punto anterior. Completar actualmente curso 5to ciclo.
la tabla XII.

TABLA XII: Variación del punto de trabajo debido al incremento

de temperatura.
% de variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos
de temperatura a temperatura
ambiente)
ICQ 10.9 mA 9%
VCEQ 4.46 V 10%
T=50°, t=1min

(d) A partir de los resultados obtenidos,

en las tablas XI y XII. Realice un
análisis del comportamiento de un
circuito de polarización por divisor de
voltaje
Se puede evidenciar que los valores del punto de carga varían
con la temperatura, es así que la corriente aumenta pero muy
poco alrededor del 9% lo cual no es muy alto, en tanto que la
voltaje varia e 10%, es decir tanto voltaje y corriente varían en
misma magnitud, se sigue manteniendo la tendencia, de
aumentar la corriente y disminuir, pero en las primeras
polarizaciones el punto de carga se movía considerablemente,
es decir era poco estable, lo contrario que las ultimas
configuraciones que mantiene el punto de carga a pesar de la
temperatura.

VI. CONCLUSION
Se puede polarizar un transistor mediante diversas
configuraciones, las cuales generan prácticamente el mismo
punto de carga o trabajo, el cual varia en un porcentaje muy