Laboratorio Nº 08 PREVIO: EL

TRANSISTOR UNIPOLAR - FET

Alumno: Marco Richard Rafael Parraga
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
marcorrp24@gmail.com

INTRODUCCIÓN

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe
un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

I. OBJETIVO
El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como
finalidad:

 Estudiar las características de la polarización de

los transistores unipolares de efecto de
campo(FET).
 Determinar la operación del FET en señal alterna.
 Identificar los terminales, sistema de polarización,
impedancia de entrada.
 Identificar los niveles de señal del FET sin
distorción.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que
conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de
identificación de los terminales. También tendremos
II. TEORÍA que conocer una serie de valores máximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para
no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia
A. Combinación de portadores: disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo
surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta
(o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay refrigeradora. Todos estos valores críticos los
que notar que también fluye una corriente despreciable entre proporcionan los fabricantes en las hojas de
el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado
características de los distintos dispositivos.
por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso,

donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal
B. Explicación de sus elementos o terminales:
negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen
hacia el terminal positivo de la misma.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está
formado por una barrita de material p ó n, llamada canal,
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor
rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una
región con empobrecimiento de cargas libres material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones
óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y
fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate)
en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N.

 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es

donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS

Símbolos para un FET de canal N

III. PROCEDIMIENTO:

1. Con ayuda del manual o data sheet

reconocer los terminales del FET. Dibujar
su esquema de pines y colocar sus datos.

Símbolos para un FET de canal P

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están

polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra
corriente que la inversa de saturación de la unión PN.

La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la

zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La
longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión
inversa (tensión de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de

campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el

transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un
parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
 2. Armar el circuito 1.

7. Retirar el C3 y evaluar la ganancia, asi como la

señal máxima obtenible sin distorción.

Av = 600mV Vo(max) = 251.7mV

3. Polarizar y medir las terminales del FET con rspecto a

tierra, evaluando el punto de operación:

VD = 11.4V VGS = -290mV

VDS = 11.1V VG = 2.88mV

VS = 0.29v ID = 293uA

8. Armar el circuito 2 dando el punto Q y la ganancia

4. Repetir el paso anterior para los valores de RD y RS de tensión.
indicados.

RS = 1K RS = 3.3K
RD = 3.3K RD = 5.6K RD = 2K RD = 5.6K RD = 1K

VD 11V 10.4V 11.6V 10.9V 11.8V

VS 0.293V 0.293V 0.628V 0.628V 0.628V

5. Aplicar una señal V1 de 50mV, 1Khz senoidal y medir

la señal Vo a fin de determinar la ganancia.

Vo = 28.42mV Av = 0.568

6. Aumentar la amplitud de Vi hasta que la deformación

de Vo y determinar la máxima amplitud de la salida que
se puede obtener sin distorción.

La señal se empieza a distorcionar alrededor de los

800mV

Vo (max) sin distorción = 227.6mV Vi(max) = 400mV

 IV. EQUIPOS Y MATERIALES
Los materiales a utilizar en el laboratorio son: Circuito 2

 02 FET canal N, NTE 312

 Resistores de 1,2,10,5.6,3.3K y 1M Q1


C1 NJFET C2
01 generador de funciones
0.1uF 10uF

 Capacitores 2x10uF, 47uF R2

C1(2)


10k

01 osciloscopio

R1
01 panel de conexiones 3.3k
33k
R3

 Conductores de conexión B1


10V

01 potenciometro de 10K
 01 multímetro
 02 fuentes de alimentación

V. RESPUESTA A LAS PREGUNTAS

3) Determine el estado de corte y saturación para
ambos circuitos.
1) Realice los cálculos empleando un simulador.
Ajuste la tensión y frecuencia del generador a los Las zonas de operación están determinadas en el
valores de la experiencia. procedimiento.

Los calculos fueron realizados en el

procedimiento del experimento, paginas arriba.

2) Simule el circuito y anote las tensiones y

corrientes que se piden en el experimento para
ambos circuitos considerando todos los valores
resistivos dados.

Circuito 1