Electronic A Analog A Labs

Curso Práctico de
Electrónica RF
Laboratorio de Electricidad y
Electrónica
Julio Cesar Garcia Alvarez

Applied Electromagnetic Propagation Group
Student 1:
Student 2:
Student 3:
Student 4:
Index
Amplificador Derivador, 70–74 Calculo de elementos, 216

Amplificador Diferencial, 79–80 Circuito Sumador, 92
Amplificador de instrumentación, 80– Propuesta, 240–241
83 Prueba en BJTs, 20–22
Red generalizada con Amplificadores Resultados, 75–77, 83–84, 97–100, 110–
Operacionales, 81–83 112, 116–118, 122–125, 128–130,
Conclusiones, 87–88 137–140, 144–147, 151–154, 166–
Consideraciones para el Marco Experi- 169, 184–186, 195–198, 206–208,
mental y Resultados, 226, 231– 216–218
232, 237, 247 Circuito Sumador, 84
Consideraciones para el informe final, Montaje, 217–218
241–242, 244 Simulación, 216–217
Diseño, 229–231, 235–237, 246 Simulación circuito BJT, 184
Cálculo de Resistencias, 229–231 Simulación circuito FET, 185, 197,
Cálculo de Transistores, 229 207
Diseño de la Etapa de Control, 236– Simulación, 241, 243
237 Slew Rate, 64–65
Diseño de Resistencias de Potencia,
Amplificador con Red Reactiva, 67–69
236
Resultados de Simulación, 68–69
Diseño de Transistores, 235–236
Amplificador Conmutador, 26–27
Tensiones y Corrientes de Carga, 235
Amplificador Integrador, 74–75
Experimentación y Resultados, 156–160,
Amplificador Inversor, 27
170–175
Amplificador NO inversor, 28–29
Experimental Setup and Results, 62–
Análisis de Circuitos, 67, 69–70
64
Diseño, 67
Introducción, 163, 170 Ganancia de Tensión, 67, 69
MATERIALES, 88 Respuesta en Frecuencia, 69–70
Marco Experimental, 108–109, 115–116, Respuesta paramétrica, 69
121–122, 136–137, 143–144, 150– Resultados de Simulación, 67
151, 164–165, 182–183, 193–195, Análisis de Frecuencia, 30–31
204–205 Análisis del Diodo en pequeña señal,
Marco Teórico, 89–91 103–104
Red generalizada con Amplificadores
Operacionales, 89–90 Circuito Diodo en Serie, 16
Marco experimental, 92–97, 212–216 Circuitos Reguladores, 128
Análisis de pequeña señal, 215–216 Clamper, 107–108
Análisis de polarización, 213–215 Conclusion, 225–226
3 | 256
Index
Conclusiones, 15–16, 31–32, 56–58, 65– Slew Rate, 60–61

67, 77–79, 100–102, 112–114, 119– Tensión Offset, 58–59
120, 125–127, 133–135, 140–142, Medición de variables en un circuito
147–149, 154–156, 160–163, 169– eléctrico, 10–12
170, 177–179, 188–190, 198–201, Medición en un sistema de dos puertos.,
209–212, 218–219, 226–228, 232– 30
234, 238–240, 242–245, 247 Metodología, 223–225
Consideraciones sobre los casos de estu-
dio, 8–10 Parámetros de Impedancia, 46–48
Control de Velocidad de un Motor de Parámetros de Ganancia, 48
12 Volts, 163–164 Parámetros híbridos para el diseño de
amplificadores, 180–181, 191–193,
Diodo Varactor (A), 104–105 202–204
Diodo Varactor (B), 105–107 Configuración BJT en Base Común,
Diseño y puesta a prueba de red Π, 48– 202–203
51 Configuración BJT en Colector Común,
Diseño y puesta aprueba de una red T, 191–192
51–55 Configuración BJT en Emisor Común,
180–181
Efecto de no-linealidad de los disposi- Configuración FET en Compuerta
tivos electrónicos, 17–19 Común, 203–204
El paso de las prácticas al reporte, 6–7 Configuración FET en Drenaje Común,
Electronic Device Modeling, 41–43 192–193
Conclusion, 43 Configuración FET en Fuente Común,
Mathematical Analysis, 41–42 181
Simulation Results, 43 Procedimiento para diseño del proyecto,
Evolución tecnológica del amplificador 37
operacional, 25–26 Procedimiento para impresión del dis-
eño, 37–41
Frequency Analysis, 43–46
Proyecto 1, 56
Conclusion, 45–46
Proyecto: Mediciones sobre circuitos eléc-
Mathematical Analysis, 44
tricos, 12–13
Simulation Results, 44
Proyecto: Sistema de transmisión de en-
Introducción, 46, 88 ergía, 13–15
Introduction, 70, 107, 114–115, 120–121,
Rectificadores, 102–103
135, 142, 149–150
Resultados, 85–86
Marco Experimental, 83
Simulación y montaje en Protoboard, 36
Marco Teórico, 222–223
Materiales y Puntos de Prueba, 7–8
Mediciones sobre parámetros reales del
Amplificador Operacional, 58–
61
Relación de Rechazo en Modo Común,
59–60
4 | 256
Contents
Contents
Index 3
Introducción 6
1 El paso de las prácticas al reporte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2 Materiales y Puntos de Prueba . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3 Consideraciones sobre los casos de estudio . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Ley de Ohm - Mediciones en un circuito eléctrico 10

1 Medición de variables en un circuito eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . 10
2 Proyecto: Mediciones sobre circuitos eléctricos . . . . . . . . . . . . . . . 12
3 Proyecto: Sistema de transmisión de energía . . . . . . . . . . . . . . . . 13
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Efecto No-Lineal de los Diodos Semiconductores 16

1 Circuito Diodo en Serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2 Efecto de no-linealidad de los dispositivos electrónicos . . . . . . . . . . 17
Análisis del Transistor de Juntura Bipolar 19

1 Prueba en BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
El Transistor de Efecto de Campo 22

0.1 Prueba en FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Modos de operación del Amplificador Operacional 25

1 Evolución tecnológica del amplificador operacional . . . . . . . . . . . . 25
2 Amplificador Conmutador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3 Amplificador Inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4 Amplificador NO inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Medición de Parámetros en Redes de Dos Puertos (2) 29

1 Medición en un sistema de dos puertos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2 Análisis de Frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Diseño, implementación y puesta a prueba de una Fuente de Tensión Dual. 32

1 Simulación y montaje en Protoboard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2 Procedimiento para diseño del proyecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3 Procedimiento para impresión del diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 | 256
Contents
Medición de Parámetros en Redes de Dos Puertos (2) 41

1 Electronic Device Modeling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.1 Mathematical Analysis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.2 Simulation Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2 Frequency Analysis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.1 Mathematical Analysis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.2 Simulation Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Medición de Parámtros en Redes de Dos Puertos (Análisis de Cuadripolos) 46

1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2 Parámetros de Impedancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.1 Parámetros de Ganancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3 Diseño y puesta a prueba de red Π . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4 Diseño y puesta aprueba de una red T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1 Impedancias de entrada, salida y transferencia . . . . . . . . . . 54
4.2 Ganancia directa e inversa de transmisión . . . . . . . . . . . . 55
5 Proyecto 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Amplificador Operacional: Parámetros reales 58

1 Mediciones sobre parámetros reales del Amplificador Operacional . . . 58
1.1 Tensión Offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
1.2 Relación de Rechazo en Modo Común . . . . . . . . . . . . . . . 59
1.3 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2 Experimental Setup and Results . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.1 Imperfecciones DC: Tensión offset interna . . . . . . . . . . . . 62
2.2 Rechazo en Modo Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
Amplificadores 67
1 Análisis de Circuitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
1.1 Ganancia de Tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
1.2 Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
1.3 Resultados de Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2 Amplificador con Red Reactiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.1 Resultados de Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
Amplificador Diferencial 69
1 Análisis de Circuitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.1 Ganancia de Tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.2 Respuesta paramétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.3 Respuesta en Frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
6 | 256
Contents
Amplificador Operacional en modo Derivador 70

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2 Amplificador Derivador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
Amplificador Operacional Integral 74

1 Amplificador Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
1.1 Amplificador Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Amplificador Sumador, Diferencial y de Instrumentación 79

1 Amplificador Diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2 Amplificador de instrumentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
2.1 Red generalizada con Amplificadores Operacionales . . . . . . . 81
3 Marco Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.1 Amplificador NO inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.2 Circuito Sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
Sumador-Restador y Sistemas Lineales 88

1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2 MATERIALES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3 Marco Teórico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.1 Red generalizada con Amplificadores Operacionales . . . . . . . 89
3.2 Sistema de Ecuaciones Lineales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4 Marco experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.1 Circuito Sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.2 Sistema de ecuaciones lineales ejemplo . . . . . . . . . . . . . . 93
4.3 Sistema de ecuaciones lineales propuesto . . . . . . . . . . . . . 95
5 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
5.1 Circuito Sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
5.2 Simulación del sistema de ecuaciones lineales ejemplo . . . . . 98
5.3 Sistema de ecuaciones lineales propuesto . . . . . . . . . . . . . 99
6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Aplicaciones con Diodos 102

1 Rectificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
Aplicaciones con Diodos (B) 103

1 Análisis del Diodo en pequeña señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Aplicaciones con Diodos (C) 104

1 Diodo Varactor (A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7 | 256
Contents
Aplicaciones con Diodos (D) 105

1 Diodo Varactor (B) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Clamper circuit 107

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
2 Clamper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
3.2 Circuito levantador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
5 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Clipper Circuit 114

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
Voltage Doubler 120

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
2.2 Circuito doblador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
Circuitos rectificadores mediante el uso de diodos 127

1 Circuitos Reguladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
1.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
1.2 Parámetros del Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
2 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
2.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
2.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
Compuerta OR con Diodos 135

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
8 | 256
Contents

2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
2.2 Compuerta Lógica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
Compuerta AND usando Diodos 142

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
2.2 Compuerta Lógica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
Limiter Circuit using Zener Diode 149

1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
3.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
3.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
Circuitos reguladores mediante el uso de diodos 156

1 Experimentación y Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
1.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
1.2 Variación Capacitor CF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
1.3 Variación Resistencia R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
2 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
Motor-speed Control by Opto-couplers 163

1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
2 Control de Velocidad de un Motor de 12 Volts . . . . . . . . . . . . . . . 163
3.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
3.2 Control de Velocidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
4 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
4.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
4.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
5 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
9 | 256
Contents
Circuitos reguladores mediante el uso de diodos y transistores 170

1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
2 Experimentación y Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
2.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
2.2 Variación Capacitor CF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
2.3 Variación Resistencia R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
Amplificadores con Transistores: Emisor/Fuente Común 179

1 Parámetros híbridos para el diseño de amplificadores . . . . . . . . . . . 180
1.1 Configuración BJT en Emisor Común . . . . . . . . . . . . . . . . 180
1.2 Configuración FET en Fuente Común . . . . . . . . . . . . . . . . 181
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
2.2 Emisor Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
2.3 Fuente Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
3.1 Simulación circuito BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
3.2 Montaje circuito BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
3.3 Simulación circuito FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
3.4 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
Amplificadores con Transistores: Colector/Drenaje Común 190

1.1 Configuración BJT en Colector Común . . . . . . . . . . . . . . . 191
1.2 Configuración FET en Drenaje Común . . . . . . . . . . . . . . . 192
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
2.2 Colector Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
2.3 Drenaje Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
3.4 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
Amplificadores con Transistores: Base/Compuerta Común 201

1.1 Configuración BJT en Base Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . 202
1.2 Configuración FET en Compuerta Común . . . . . . . . . . . . . 203
2.1 Materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
2.2 Base Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
10 | 256
Contents
2.3 Compuerta Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205

3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
3.4 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
Amplificador de dos etapas usando BJT 212

1 Marco experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
1.1 Análisis de polarización . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213
1.2 Análisis de pequeña señal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
1.3 Calculo de elementos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
2 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
2.1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
2.2 Montaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
Silicon-Controller-Rectifier 219
Ruido 222
1 Marco Teórico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
2 Metodología . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
Caso de Estudio: Efecto Wah 226

1 Consideraciones para el Marco Experimental y Resultados . . . . . . . 226
2 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
Caso de Estudio: Control de Motor para ventilador 228

1 Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
1.1 Cálculo de Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
1.2 Cálculo de Resistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
Caso de Estudio: Cargador de Baterías 234

1 Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
1.1 Tensiones y Corrientes de Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
1.2 Diseño de Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
1.3 Diseño de Resistencias de Potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
1.4 Diseño de la Etapa de Control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
11 | 256
Contents
Medidor de proximidad utilizando Sensor Infrarojo 240

1 Propuesta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
2 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
3 Consideraciones para el informe final . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
4 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242
Sensor de Sonido 243

1 Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
2 Consideraciones para el informe final . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
Caso de Estudio: Amplificador FET de dos etapas 245

1 Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
3 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247
12 | 256
Introducción
Introducción
Este cuaderno es una recopilación de prácticas realizadas en las instala-

ciones del Laboratorio de Electricidad y Electrónica. Cada reporte es elab-
orado de tal forma que el estudiante formule un informe de laboratorio,
solo dedicándose a llenar los conceptos, resultados y conclusiones. Esto
le permite al estudiante enfocarse en el análisis de los resultados experi-
mentales en el momento de elaboración de un informe. Así, le enseña al
estudiante a formular un reporte técnico. En cada experimento se da un
análisis completo de un dispositivo electrónico basado en los conociemien-
tos de clase. Adicional, el estudiante incrementa su capacidad de cálculo
en el diseño de circuitos.
1 El paso de las prácticas al reporte
Es importante aclarar que el reporte técnico no es un simple formulario,

donde los estudiantes solo deben llenar los datos. Por el contrario, el estudi-
ante puede guiarse a través de estas prácticas libro para poder elaborar de
forma coherente un reporte técnico o documento de investigación. Existen
dos tipos de reporte técnico: (i) el reporte corto y (2) el reporte completo.
La estructura general del reporte corto se elabora de la siguiente manera:
• Responder secuencialmente cada actividad propuesta, es decir, es-

cribir los enunciados de cada actividad y a continuación explicar la
solución. Esta solución cuenta con la descripción de los datos reg-
istrados durante la realización de la actividad. Además, debe existir
una descripción del procedimiento matemático y/o metodológico: la
forma como se realizó, el procedimiento de cálculo y la respectiva
descripción de los resultados obtenidos.
• Analizar los datos. Cada actividad incluye tablas, figuras y cualquier

otro tipo de representación de los datos numéricos recolectados. La
inclusión de este análisis ayuda a una comprensión del significado de
los datos, y facilitan interpretación de los datos ofrecidos. Así, cada
figura, algoritmo y tabla que se presente en cada actividad debe ser
claramente explicada y ser coherente con la solución de la actividad.
• Existe una sección de conclusiones, aparte de la sección de activi-

dades. En esta sección se evalúan y discuten los resultados obtenidos.
La conclusión debe quedar integrada en un solo párrafo (en prosa), a
13 | 256
Introducción
pesar que existen actividades detalladas en esta sección. En detalle, el

estudiante explica aquí si el diseño original ha sido cambiado o ajus-
tado de acuerdo con los datos recogidos durante el experimento. Al
final de esta sección, el estudiante explica en que podría modificarse
el experimento y qué podría hacerse para ampliar tal experimento en
el futuro.
Para desarrollar un reporte completo, se debe insertar la respuesta a cada
una de las actividades dentro de la siguiente estructura:
• Introducción. Define el problema a ser resuelto en la actividad.
Además, ilustra los experimentos a desarrollar.
• Marco Teórico. En este caso es el estudiante que, a través de una

preparación previa del tema, determina un estado del arte alrededor
del problema.
• Metodología Propuesta. En este caso, basado en lo entregado del ex-

perimento, propone el método para resolver/evidenciar el problema.
• Experimento. Cada experimento cuenta con su merco experimen-

tal y resultados. El estudiante debe describir el procedimiento en
detalle, explicando lo realizado durante el experimento. Incluye de-
talles extensos para que los lectores puedan replicar el experimento
en el futuro. Debe exponerse el procedimiento de forma suficiente-
mente explícita con un paso para que otros puedan realizar el mismo
experimento y comprobar la validez de los resultados.
• Conclusiones. Evalúa y discute los resultados obtenidos, contrastán-

dolo con la introducción.
2 Materiales y Puntos de Prueba
Es importante aclarar, que este cuaderno de laboratorios es específico

para el área de Telecomunicaciones, razón por la cual también requiere
de equipo especializado. Algunos elementos que son necesarios para el
adecuado desempeño de las actividades se ilustran a continuación:
• MATLAB u otro software de simulación,
• Generador de Señales,
• Osciloscopio de dos canales,
• Sistema de Tranmisión en Banda Base, con sus respectivos elementos

de tranmisión, por ejemplo, Cable Coaxial o Par Trenzado. El En-
trenador de Comunicaciones analógicas PROMAX EC-696 es usado
para este experimento, pero puede usarse otro entrenador estándar.
14 | 256
Introducción
Se debe entregar un informe escrito en LaTex y un video sobre el desar-

rollo del montaje y la solución planteada para ajustarse a los parámetros
de diseño. La simulación debe hacerse con los valores reales obtenidos
en el mercado. La implementación se debe hacer sobre circuito impreso
PCB, incluyendo puntos de acceso a la medición (Jacks en lo posible). No
se aceptan placas universales o prefabricados. El protoboard solo se us-
ará para efectos de ensayo. El protoboard solo se usará para efectos de
ensayo. La simulación se realiza en Proteus ISIS y el PCB en Proteus
ARES. Sin embargo, el diseño puede realizarse con algún otro programa de
simulación y diseño. La Tabla 1 ilustra los puntos de prueba dispuestos en
el circuito y la variable medida.
Punto de Prueba Variable

TP1
TP2
TP3
TP4
Table 1: Ejmeplo de Puntos de Prueba
3 Consideraciones sobre los casos de estudio
Los Casos de Estudio contemplan trabajos adicionales a la completación del

reporte técnico. Para ello, el estudiante debe generar, además del reporte
técnico, los siguientes informes:
1. Cotización de los equipos utilizados en el reporte técnico, con pre-

cios y desde una empresa consituída, incluyendo cotización de mano
de obra y costo de ingeniero(s), además de alquileres de equipos y
espacios;
2. Propuesta de licitación sobre la implementación de la red a considerar,

en una región real. Adicional, esto debe ser propuesto bajo una
empresa de nombre propuesta por el grupo o ya constituída, si existe.
Lo particular sobre los Casos de Estudio, es que abordan los problemas

en Telecomunicación desde un punto de vista sistémico. Este trabajo con-
tiene las siguientes secciones: Introducción Planteamiento del Problema/
Marco Teórico Marco Experimental Así, cada trabajo complementa al an-
terior, así que se ilustra a continuación los pasos desde el principio. La
introducción debe ser escrita de forma corrida, es decir, sin interrupción o
viñetas. Esta sección consiste de: 1. Busqueda de información a través de
15 | 256
Introducción
palabras clave. 2. Relación de al menos tres trabajos publicados en los últi-

mos 5 años. Estos trabajos deben estar publicados en bases de datos como
IEEEXplore, SCOPUS o ScienceDirect. 3. El planteamiento del problema,
que se compone de alguno de los dos siguientes aspectos: 3.1. Lo que los
tres trabajos publicados no han podido resolver. 3.2. Una mejora o cambio
de aplicación de lo realixzado por estos tres trabajos.Esto permite elaborar
la propuesta (objetivo del trabajo), que es la parte final de la introducción.
El planteamiento del problema se reparte en el documento de la siguiente
forma: 1. El problema explicado de forma general y resumida, en la
sección de introducción. 2. El problema y la propuesta, expandidas en el
Background (Marco Teórico) y la propuesta (Proposed method). Para la
parte 1. Cuando se escribe el problema en la introducción, ésta debe ser
escrita de forma corrida, es decir, sin interrupción o viñetas. Esta sección
debe relacionarse con los tres trabajos publicados en los últimos 5 años.
Como antes, estos trabajos deben estar publicados en bases de datos como
IEEEXplore, SCOPUS o ScienceDirect. Así, se permite elaborar la propuesta
(objetivo del trabajo), que es la parte final de la introducción.
Para la parte 2. El planteamiento del problema se compone de alguno de
los dos siguientes aspectos: 2.1. Lo que los tres trabajos publicados no han
podido resolver. 2.2. Una mejora o cambio de aplicación de lo realizado por
estos tres trabajos. Como el problema tiene que ver con sistemas de comuni-
cación, los siguientes aspectos se van a considerar en este trabajo: a. Las car-
acterísticas de la fuente: Ancho de Banda en Banda Base; Frecuencia de op-
eración (modulación) en sus aplicaciones más comúnes; Análoga/Digital?
Aleatoria/Determinística? b. Las características del canal: Ancho de banda
del Canal(Si la modulación es análoga) Capacidad del Canal (Si la modu-
lación es digital). Esquema de modulación a utlizar. Problemas debido al
canal. c. Modelo del ruido: Gaussiano/Weibull/Uniforme? Qué tipo de
interferencias se presentan? cómo afectan éstas el esquema de modulación?
d. Problemas que se esperan: Caída de la señal, pérdida de SNR, baja
fidelidad, errores de transmisión.
Hasta este punto, resultan tres secciones: Introduction, Background y
Proposal. A continuación, se añade el Marco Experimental. En Sistemas
de Comunicaciones, esta sección identifica tres grupos: 1. Variación de
la Señal por Ruido. Evidenciado por Distorsión de la Señal, Aliasing y
dsiparidades estadísticas. 2. Disparidad en los datos. Evidenciado por
la Interferencia Inter-Símbolos, la Tasa de Error de Bits y la medición de
Paquetes Perdidos. 3. Los "Cuellos de Botella" en el Canal. Evidenciado
por el crecimiento en el consumo del ancho de banda y las limitaciones
dados por la relación BER contra Eb/No. Con lo anterior, se describe un
párrafo breve de cada uno de estos problemas, y se amplía en el caso que
corresponda al caso de estudio, justificando su relación.
16 | 256
Ley de Ohm - Mediciones en un circuito eléctrico
Ley de Ohm - Mediciones en un

circuito eléctrico
La corriente que pasa por un circuito eléctrico es dependiente de la config-

uración de los elementos conectados a él. En este trabajo se ilustra el com-
portamiento lineal de los resistores y solución de circuitos serie-paralelo.
Además, se ilustra cómo el cambio de los elementos involucrados en el
circuito afectan la corriente que pasa a través de ellos. Se usa el análisis de
circuitos mediante la Ley de Ohm.
1 Medición de variables en un circuito eléctrico
El análisis básico de un circuito empieza con la descripción del circuito a

partir de sus Mallas y Nodos. Para demostrar la linealidad del dispositivo
resistivo, se realiza una serie de circuitos con cargas resistivas y una sola
fuente.
Actividad 1.1 Defina las características de una malla y un nodo en un circuito
eléctrico. Determine el número de mallas y nodos del circuito de la Fig. 1(c).
Actividad 1.2 Para el circuito de la Fig. 1(a), con los valores R = 330, 470, 680, 1k
y 2.2kΩ, y Vs = 9 Volts, calcule el valor de la corriente I, mediante los siguientes
métodos:
1. Realizando el montaje del circuito en laboratorio (corriente I (1)), usando un
amperímetro. Describir el procedimiento de medición.
2. Utilizando una herramienta computacional (corriente I (2)). Describa el

algoritmo de cálculo.
3. Utilizando un programa de simulación de circuitos (corriente I (3)). Ilustre

el diagrama esquemático con el valor resultante.
Actividad 1.3 Calcule el valor promedio de corriente para cada uno de los valores
de resistencia definidos, utilizando la Ec. (1). Calcule la potencia entregada a la
resistencia utilizando P1 = Vs · Ī.
1 3
Ī = ∑ ( I (n)) (1)
3 n =1
Actividad 1.4 Llenar la Tabla 1 con los resultados de este experimento.
Actividad 1.5 Para el circuito de la Fig. 1(b), con Rs = 150Ω, R L = 330, 470, 860, 1k
y 2.2kΩ, y Vs = 9 Volts, calcule el valor de la corriente Is , mediante los siguientes
métodos:
17 | 256
Is-
+ Rs -
I-
+ +
+ + Vs
RL
V R - -
- -
(a) Circuito simple con una (b) Circuito en serie
única carga
Is-
+ Rs -
+ + +
Vs IA RA IB RB
- ?
- ? -
(c) Circuito en paralelo
Figure 1: Circuitos de prueba. Los materiales usados para estos montajes son
cable estándar, protoboard, resistencias con los valores diseñados,
fuente estándar de laboratorio y Multímetro
R (Ω) I (1) I (2) I (3) Ī P1

330
470
680
1k
2.2k
Table 1: Resultados para el circuito de la Fig. 1(a), con V = 9 Volts. Las
medidas de corriente I están en mAmperes, el cálculo de la potencia
total P1 del circuito está en mWatts.
1. Realizando el montaje del circuito en laboratorio (corriente Is (1)), usando

un amperímetro. Describir el procedimiento de medición.
2. Utilizando una herramienta computacional (corriente Is (2)). Describa el

3. Utilizando un programa de simulación de circuitos (corriente Is (3)). Ilustre

de resitencia definidos, utilizando la Ec. (2). Calcule la potencia suministrada por
la fuente utilizando P2 = Vs · Īs
1 3
Īs = ∑ ( Is (n)) (2)
3 n =1
18 | 256
R L (Ω) Is (1) Is (2) Is (3) Īs P2

330
470
680
1k
2.2k
Table 2: Resultados para el circuito de la Fig. 1(b), con Rs = 150Ω, y Vs = 9
Volts. Las medidas de corriente Is están en mAmperes, el cálculo de
la potencia total P2 del circuito está en mWatts.
Actividad 1.8 Para el circuito de la Fig. 1(c), con Rs = 150Ω, R A = 2.2kΩ,

R B = 330, 470, 860, 1k y 2.2kΩ, y Vs = 9 Volts, calcule el valor de la corriente Is ,
mediante los siguientes métodos:
1. Realizando el montaje del circuito en laboratorio (corriente Is (1)), usando

un amperímetro. Describir el procedimiento de medición.
2. Utilizando una herramienta computacional (corriente Is (2)). Describa el

3. Utilizando un programa de simulación de circuitos (corriente Is (3)). Ilustre

de resitencia definidos, utilizando la Ec. (2). Calcule la potencia suministrada por
la fuente utilizando P3 = Vs · Īs
R B (Ω) Is (1) Is (2) Is (3) Īs P3

330
470
680
1k
2.2k
Table 3: Resultados para el circuito de la Fig. 1(c), con Rs = 150Ω,
R A = 2.2kΩ, y Vs = 9 Volts. Las medidas de corriente Is están
en mAmperes, el cálculo de la potencia total P3 del circuito está en
mWatts.
2 Proyecto: Mediciones sobre circuitos eléctricos
La Fig. 2 muestra un circuito eléctrico, del que solo se tienen las mediciones
de la Tabla 4.
19 | 256
Iπ-
+Vπ −
+V12 − +V21 −
- -
I12 I21
+ + +
I11 I3 V3 I22 V22
V11 ?− ?−
?−
Figure 2: Circuito
Table 4: Diseño del circuito de prueba
Elemento Medición ¿X =(Fuente/Carga)? Valor de X

X11 V11 = 6.31Volt, I11 = 7.33mAmpére
X22 V22 = 5.31Volt, I22 = 24.2mAmpére
Xπ Vπ = 1 Volt, Iπ = 9.92mAmpére
X12 V12 = −5.69Volt, I12 = −17.3mAmpére
X21 V21 = 6.69Volt, I21 = 14.2mAmpére
X3 V3 = 12Volt, I3 = −31.5mAmpéres
Actividad 2.1 1. Elabore un algoritmo que detecte si los elementos del circuito
son fuentes o cargas y que calcule el valor de la resistencia en caso que el
elemento sea una carga, utilizando como datos de entrada los que aparecen
en la Tabla 4. Con estos datos llene la columna correspondiente en la Tabla
4.
2. Realice el montaje del circuito, con los valores de las fuentes y las resistencias
calculadas. Realice las mediciones de tensión y corriente y compruebe que
coincide con los valores de la Tabla 4, llenando los espacios correspondientes
en la Tabla 5.
3. Utilizando un programa de simulación de circuitos eléctricos, realice la simu-

lación del circuito con los valores de las fuentes y las resistencias calculadas.
Ilustre el diagrama esquemático del circuito, con los valores resultantes, y
llene los valores correspondientes en la Tabla 5.
3 Proyecto: Sistema de transmisión de energía
Un sistema de propulsión usa un circuito de dos elementos, como se ilustra

en la Fig. 3(a). El elemento X1 es una fuente que provee una energía de w =
40m Joules desde el estado t > 0. El elemento X2 es un elemento no lineal,
debido a que la corriente medida es: i (t) = D exp(−t/60) mAmpéres y
la tensión aplicada a ella es v2 (t) = B exp(−t/60) Volts. De acuerdo con
20 | 256
Table 5: Medición del circuito de pureba
Elemento Medición (Montaje) Medición (Simulación)

V (Volt) I (mAmpére) V (Volt) I (mAmpére)
X11
X22
Xπ
X12
X21
X3
especificaciones de seguridad, la máxima magnitud de la corriente se limita

a max( D ) = 1mAmpére.
(a) Modelo (b) Circuito
Figure 3: Sistema de transmisión de energía
Actividad 3.1 Calcule el valor de energía, utlizando:

Z ∞
w= i (t)v2 (t)dt
0
Actividad 3.2 Calcule el valor D y B y realice el algoritmo que ilustre la gráfica

de corriente y tensión de acuerdo con estos valores, utilizando una herramienta
computacional. Describa el comportamiento del circuito utilizando la gráfica rela-
cionada.
En la Fig. 3(b) se describen los elementos X1 y X2 de la Fig. 3(a) de
forma explícita, donde X1 es una fuente de valor B, con una resistencia
Rs y condensador electrolítico de valor C conectados en serie. Además, el
elemento X2 es una resistencia de valor R L . En el tiempo t < 0, el interruptor
se encuentra cerrado, cargando así el condensador.
Actividad 3.3 Para el circuito de la Fig. 3(b), con Rs = 470Ω, calcule el valor
de la resistencia R L y del condensador C mediante la ecuación:

t
i (t) = D exp −
RL C
Quedando R L C = 60. Asigne arbitrariamente un valor de capacitancia comer-
cial, entre 1000µ y 4700µ Farads, para hallar el valor de la resitencia R L
21 | 256
Actividad 3.4 Realice las gráficas para i (t) y v2 (t), comprobando así que el
diseño realizado fué correcto, utilizando los siguientes métodos:
1. Realizando el montaje del circuito en laboratorio, utilizando el siguiente

procedimiento de medición:
• Colocar el amperímetro para la medición de la corriente que pasa por la
resistencia R L (i R L ) y las sondas del osciloscopio para la graficación de
la tensión en el condensador C (VC ).
• Cerrar el interruptor hasta que i R L = D y VC = B.
• Acto seguido, abrir el interruptor y medir con el amperímetro el valor
i R L durante el lapso de 60 segundos y registre estos resultados en una
gráfica. De igual forma, registre la gráfica que resulta del osciloscopio.
2. Utilizando una herramienta computacional. Describa el algoritmo de cálculo

y grafique las curvas de tensión y corriente resultantes.
3. Utilizando un programa de simulación de circuitos. Ilustre el diagrama

esquemático con los valores resultantes.
4 Conclusiones
Al finalizar este laboratorio, realice una sección de conclusiones, comple-

tando las siguiente actividades:
Actividad 4.1 Defina la relación entre Voltaje y Energía, entre Corriente y Carga,
y entre Potencia y Resistencia.
Actividad 4.2 Explique la razón física por la cual la corriente I cambió con
respecto al valor de la resistencia R en el circuito de la Fig. 1(a).
Actividad 4.3 Explique el efecto de las resistencias en serie sobre la corriente Is
en el circuito de la Fig. 1(b).
Actividad 4.4 Con respecto al circuito de la Fig. 1(b), compruebe que la tensión
Vs se distribuye por cada uno de los elementos del circuito.
Actividad 4.5 Con respecto al circuito de la Fig. 1(c), compruebe que la corriente
Is se distribuye por cada uno de los elementos del circuito.
Actividad 4.6 Para cada uno de los circuitos de la Fig. 23, explique cómo la
potencia se distribuye por cada uno de los elementos del circuito.
Actividad 4.7 Para el circuito de la Fig. 2, explique cómo la potencia se distribuye
por cada uno de los elementos del circuito.
Actividad 4.8 Para el circuito de la Fig. 3(b), explique la función del condensador
en el sistema de propulsión.
22 | 256
Efecto No-Lineal de los Diodos Semiconductores
Efecto No-Lineal de los Diodos

Semiconductores
La corriente que pasa por un circuito eléctrico es dependiente de la config-

uración de los elementos conectados a él. En este trabajo, se ilustra cómo el
cambio de los elementos involucrados en el circuito afectan la corriente que
pasa a través de ellos. En este trabajo se ilustra el comportamiento no-lineal
del diodo en un circuito serie. Se usa el análisis de circuitos mediante la
Leyes de Ohm y de Kirchoff.
1 Circuito Diodo en Serie
La Fig. 4 ilustra un circuito en serie, donde R es el valor de la resistencia

variable, VD es el valor de tensión del diodo, Vs es el valor de tensión en
la fuente e I es el valor de la corriente del circuito. Así, la ecuación (3)
define una relación entre la tensión de la fuente y la tensión en los demás
elementos.
Vs = VR + VD (3)
Figure 4: Circuito con Diodo en Serie
Actividad 1.1 Completar la Tabla 1 con los valores VR , I y VD medidos en el

montaje, usando Vs = 9Volts, variando el valor de la resistencia R.
Actividad 1.2 Determine el comportamiento no lineal de la corriente I de acuerdo
con la variación de la tensión VD .
23 | 256
R (kΩ) VR I (mA) VD VD0

0.33
0.47
0.51
0.68
0.81
1.00
1.50
2.20
3.30
Table 1: Resultados de la medición del circuito de la Fig. 4. Las medidas de
tensión V están en Volts.
2 Efecto de no-linealidad de los dispositivos

electrónicos
Para hallar el valor estimado de tensión del diodo VD0 , se elabora un algo-
ritmo que sirve como aproximación de las medidas de tensión y corriente
en el circuito de la Fig. 4. Según el análisis por ley de Kirchoff, se tiene que
la corriente en el circuito es igual a:
Vs
I= (4)
R + rd
Donde rd se denomina la Resistencia Dinámica del diodo. Esta resistencia es
dependiente de la tensión VD , por lo que también tiene un comportamiento
no-lineal. La resistencia dinámica del diodo está dado por la ecuación de
corriente:
VD
ID = Is (exp( ) − 1)
ηVT
Donde Is es la corriente de saturación inversa, η es el coeficiente de fab-
ricación del diodo de acuerdo al material y VT es el voltaje térmico del
diodo. De forma iterativa, podemos encontrar el valor de la corriente en la
Ecuación (5), para el circuito de la Fig. 4, donde k = 1 . . . K es el valor de
iteración.
Vs − VD0 (k )

0
VD (k + 1) = ηVT ln (5)
RIs
Así, el valor estimado de la tensión VD0 se calcula mediante el siguiente
algoritmo.
Paso 1. Como parámetros de entrada se encuentran ya definidos el valor de
la tensión en la fuente Vs y la resistencia R (Los usados en la Tabla
1). Asigne los valores de η, Is y VT , de acuerdo con lo establecido en
la hoja de datos del diodo. Aunque comúnmente se asigna η = 1,
VT = 23mVolts e Is = 10−14 Amperes, se recomienda revisar la hoja
de datos.
24 | 256
Paso 2. Hacer k = 0. Asigne al valor VD0 (0), el valor de diferencia de potencial

que aparece en la hoja de datos del diodo utilizado. Aunque se suele
utilizar VD0 (0) = 0.7 Volts, se recomienda revisar la hoja de datos.
Paso 3. Asigne a la Ecuación (5) el valor VD0 (k) y calcule VD0 (k + 1). A contin-
uación realice k + 1 → k.
Paso 4. Repita el Paso 3, hasta que el diferencial ∆VD = |VD0 (k + 1) − VD0 (k )|

sea muy pequeño. Normalmente esto se encuentra cuando K = 3.
Actividad 2.1 Completar la Tabla 1 con el valor estimado VD0 .

Actividad 2.2 Dibuje la gráfica de la curva de corriente I contra tensión del diodo
VD y superpuesta, otra gráfica de la curva de corriente I contra tensión del diodo
estimada VD0 . Calcule el valor de error acumulado, de acuerdo con la siguiente
ecuación
I
e = ∑ VD (i ) − V 0 (i )

D
i =1
donde i corresponde al índice de la fila de la Tabla 1.

Actividad 2.3 • Hallar la tensión y corriente en el diodo en la Fig. 5, con-
siderando el modelo ideal.
• Hallar la tensión y corriente en el diodo en la Fig. 5, utilizando análisis por

iteración.
Figure 5: Circuito
25 | 256
Análisis del Transistor de Juntura Bipolar
Análisis del Transistor de Juntura

Bipolar
Existen dos tipos de transistores de juntura bipolar (BJT), NPN y PNP. La

convención se refiere a las capas de material semiconductor usado para la
fabricación del transistor. La mayoría de los transistores son NPN debido
a su facilidad de fabricación. Los símbolos se ilustan en la Fig. 91. El
Figure 6: Configuraciones BJT.
BJT puede ser polarizado mediante tres configuraciones básicas: Emisor

Común (CE), Colector Común (CC) y Base Común (CB). La Fig. 97 ilustra
estas configuraciones.
(a) Emisor común (b) Colector común (c) Base común
Figure 7: Configuraciones BJT.
De acuerdo con la cantidad de corriente de base aplicada al transistor, se

observan tres regiones de operación: la primera se denomina corte, donde
VCE = VCC ; la segunda se denomina saturación, donde la corriente IC
llega a su punto máximo y permanece constante, sin importar el cambio de
la corriente de base IB ; la tercera zona se denomina activa y se encuentra
entre las zonas de corte y de saturación. Utilizando la configuración de
Emisor Común (Fig. 134(a)), la Tabla 1 ilustra la forma de determinar las
regiones de operación del transistor.
26 | 256
Parámetro Region de Operación

corte activa saturación
VCE VCC [0, VCC ] ≈0
IC ≈0 βIB max( IC )
IB ≈0 >0 max( IB )
Comportamiento Circuito Abierto Lineal Corto-circuito
Table 1: Resultados de la prueba del transistor.
1 Prueba en BJTs
Existen varios métodos para probar el BJT y medir sus parámetros. Se

ilustran los siguientes: Mediante un multímetro, mediante un circuito y
mediante un equipo probador.
1. Prueba con Multímetro Aunque existen multímetros avanzados que
prueban los transistores directamente, con un multímetro que mida
resistencia o diodos es suficiente. En caso de utilizar la opción de
medir resitencias, se utiliza el menor rango posible.
Actividad 1.1 Medir con el multímetro dos de los tres terminales del tran-
sistor tanto directa como inversamente (en total deben ser 6 mediciones),
escriba en la Tabla 2 los resultados de las mediciones de impedancia.
Juntura Resultado
BE
EB
BC
CB
CE
EC
Actividad 1.2 De acuerdo con los resultados de la Actividad 1.1, determine

la junturas que se comportan como diodos y las junturas que siempre están
como circuito abierto. Explique la razón de este comportamiento
2. Prueba con circuito En el montaje del dispositivo BJT en el circuito

mostrado en la Figura 8, se tiene que Vcc = 12 Volts, VI = 5 Volts,
R B es una resitencia variable entre 0 y 50kΩ, y RC = 100Ω.
Actividad 1.3 Complete la Tabla 3 con los resultados obtenidos al variar

el valor de resistencia R B . En la columna Región, determine en cuál de las
tres regiones (corte, activa, saturación) se encuentra en operación el
transistor según el valor de resistencia R B .
27 | 256
Figure 8: Circuito probador BJT.
R B (kΩ) IC VCE
0.01
0.1
0.5
1.0
2.5
5.0
10.0
50.0
Table 3: Valores medidos para el circuito de la Fig. 8.
Actividad 1.4 Al medir la tensión VI , determine el valor de tensión VI (cuto f f )

que hace que se presente una zona de corte y el valor VI (sat) para la de sat-
uración.
Actividad 1.5 Determine el procedimiento para calcular la ganancia de

coriente Colector/Base en la zona activa β.
Actividad 1.6 Dibuje la curva paramétrica VI vs. IC que se genera a partir

de los resultados de la Tabla 3, indicando las zonas de corte y saturación.
Actividad 1.7 En la zona activa se observa un valor de β casi constante.

Realizando una aproximación, determine el valor de β = en esa zona.
3. Prueba con dispositivo de medición de parámetros. Complete la

Tabla 4 con los valores medidos sobre el BJT utilizando un dispositivo
de medición de parámetros.
28 | 256
El Transistor de Efecto de Campo
Parámetro Valor
hFE
VBE0
IC0
El Transistor de Efecto de Campo (FET) funciona mediante un campo

eléctrico aplicado que controla la conductividad de un canal portador de
carga de un material semicondutor. Estos dispositivos son frecuentemente
llamados transistores unipolares para diferenciar su operación de tipo uni-
portadora con la operación bi–portadora del BJT. Los símbolos se ilustran
en la Figura 36. El FET puede ser polarizado mediante tres configuraciones
Figure 9: Configuraciones FET
básicas: Drenaje común (CD), Fuente Común (CS) y Compuerta Común

(CG). La Figura 37 ilustra estas configuraciones.
0.1 Prueba en FETs
El procedimiento para probar el FET es el siguiente.
1. Usando un Multímetro Aunque existen multímetros avanzados que

prueban los transistores directamente, con un multímetro que mida
resistencia o diodos es suficiente. En caso de utilizar la opción de
medir resitencias, utilize el menor rango posible. Así, mida con el
multímetro dos de los tres terminales del transistor tanto directa
como inversamente. En total deben ser 6 mediciones. La Tabla 1
ilustra los resultados que se obtienen.
29 | 256
(a) Common Source (b) Common Drain
(c) Common Gate
Figure 10: Configuraciones FET
Juntura Resultado
GS
SG
GD
DG
DS
SD
Table 1: Resultados de la prueba FET.
De este modo, la junturas y se comportan como dio-

dos y la juntura siempre está como circuito abierto, porque
30 | 256
2. Prueba con un circuito Instale el FET en el circuito mostrado en la

Figura ??, donde VDD = 12 Volts, VI = [0, 5] Volts, R D = 1kΩ. El
Figure 11: Circuito.
siguiente es el procedimiento para calcular la ganancia de transcon-

ductancia Drain/Gate en la zona activa gm
Coloque el procedimiento aquí
Así, el valor medido
es gm = Ampéres/Volt.
3. Prueba con un dispositivo de medición de parámetros. La Tabla 2

ilustra los valores medidos sobre el FET utilizando un dispositivo de
medición de parámetros.
Parámetro Valor
gm
VGSo f f
ID0
31 | 256
Modos de operación del Amplificador Operacional
Modos de operación del

Amplificador Operacional
El amplificador operacional es un dispositivo versátil en electrónica análoga,

ya que permite realizar diversas operaciones matemáticas, usando los el-
ementos que están dispuestos alrededor de éste (Resistores, Capacitores,
inductores, etc.). Los circuitos conectados alrededor del amplificador de-
finen la operación para la cual el amplificador es diseñado. Por lo tanto, es
importante definir los parámetros de diseño que establezcan los valores de
dichos elementos, de tal manera que el amplificador opere adecuadamente
a los rangos pre–determinados. En este trabajo se hace el análisis de un
amplificador lineal, en sus modos inversor y no inversor, utilizando un
circuito integrado.
Este laboratorio requiere de los siguientes materiales:
• Fuente DC,
• Multímetro,
• Protoboard,
• Amplificadores Operacionales TL084 ó LM324,
• 2 resistores de 1k Ohms, 1/4 Watt,
• Capacitor de 100n Farads,
• Resistores de diversos valores entre 1 y 150 kOhms. En su lugar

puede usarse un potenciómetro de valor 150 kOhms mínimo.
1 Evolución tecnológica del amplificador

operacional
En 1965, la compañía Fairchild Semiconductor introdujo en el mercado el

uA709, el primer amplificador operacional monolítico ampliamente usado.
Sin embargo, esta primera generación de amplificadores operacionales
tenía un gran número de desventajas. Este hecho condujo a fabricar un
amplificador operacional mejorado, el uA741. Debido a su bajo costo y
sencillez, éste amplificador mejoró a su predecesor. Otros diseños del
uA741 han aparecido a partir de entonces en el mercado. Por ejemplo,
Motorola produce el MC1741, National Semiconductor el LM741 y Texas
32 | 256
Figure 12: Circuito del Amplificador Operacional LM–741 [2]
Instruments el SN72741, teniendo las mismas especificaciones en sus hojas

de características. Para simplificar el nombre, la mayoría de la gente ha
evitado los prefijos y a este amplificador operacional de gran uso se le
llama simplemente 741 (Fig. 12). Conforme las innovaciones tecnológicas
fueron implementándose, otras familias como la LM324 y la TL084 fueron
desplazando al 741.
Actividad 1.1 Defina Tensión Offset en un amplificador operacional. Explique
la razón por la cual debe compensarse la tensión offset en un Amplificador Opera-
cional LM741, siendo una desventaja ante los circuitos LM324 o TL084.
2 Amplificador Conmutador
Un amplificador Conmutador es un sistema que entrega en su salida un

nivel de tensión de saturación, dependiendo de la polaridad del nivel de
tensión a la entrada. El circuito de la Fig. 13 ilustra el uso del amplificador
operacional en modo conmutador.
Figure 13: Configuración conmutación
33 | 256
Actividad 2.1 En el circuito de la Fig. 13, con R1 = 10kOhms y VCC = 12

Volts, coloque Vin a tierra (0 Volts) y mida la tensión a la salida del amplificador.
Realice la misma medición al ingresar una tensión de 2 Volts a la terminal Vin .
Compare los resultados de estas mediciones tanto en simulación como en montaje,
y explique si existe alguna diferencia. Para explicar este fenómeno, básese en la
medición de la diferencia de potencial entre los terminales inversor y no inversor a
la entrada del amplificador.
Actividad 2.2 Realice nuevamente la actividad 2.1, conectando una resistencia
R3 = 22k Ohm entre el terminal de entrada no inversora (+) y tierra (Fig.
14). Comparando estos resultados con los de la actividad 2.1, explique porqué
la resistencia R3 conectada entre el terminal no inversor y tierra reduce (o no)
significativamente el error introducido por la corriente de polarización.
Figure 14: Configuración conmutación
3 Amplificador Inversor
Un amplificador Inversor es un sistema que entrega en su salida un nivel de

tensión proporcional al inverso del nivel de tensión a la entrada. El circuito
de la Fig. 15 ilustra la configuración inversora de un amplificador.
Actividad 3.1 Simule y realice el montaje del circuito de la Fig. 15, con R f =
1kOhms, R1 = 1kOhms, VCC = 12 Volts, y Vin = 1 Volt. En ambos casos, mida
la tensión de salida vout del amplificador. Explique si se cumple la relación de
ganancia del amplificador inversor, cambiando el valor de R f a 100k Ohms.
Actividad 3.2 Usando un potenciómetro en R f , complete la Tabla 1 con los datos
medidos sobre el circuito de la Fig. 15. En este caso, vin es una fuente de tensión
alterna, con frecuencia de 1k Hertz y amplitud 100m Volts pico-pico, por lo que
las medidas de tensión v0 están en Volts pico-pico.
Actividad 3.3 Usando los datos de la Tabla 1, realice una gráfica de R f vs. v0 .
Explique en qué valores de R f la ganancia no es lineal.
34 | 256
Figure 15: Configuración inversora
R f (kΩ) v0 20 log10 (v0 /vi )

0.47
0.68
1
4.7
6.8
10
47
68
100
470
Table 1: Variación de tensión de salida en el amplificador inversor. R1 = 1k
Ohm.
4 Amplificador NO inversor
Un amplificador No Inversor es un sistema que entrega en su salida un nivel

de tensión proporcional al nivel de tensión a la entrada. El circuito de la
Fig. 16 ilustra la configuración no inversora del amplificador.
Actividad 4.1 Simule y realice el montaje del circuito de la Fig. 16, con R f =
1kOhms, R1 = 1kOhms, VCC = 12 Volts, y Vin = 1 Volt. En ambos casos, mida
la tensión de salida vout del amplificador. Explique si se cumple la relación de
ganancia del amplificador no inversor, cambiando el valor de R f a 100k Ohms.
Actividad 4.2 Usando un potenciómetro en R f , complete la Tabla 2 con los datos
medidos sobre el circuito de la Fig. 16. En este caso, vin es una fuente de tensión
alterna, con frecuencia de 1k Hertz y amplitud 100m Volts pico-pico, por lo que
las medidas de tensión v0 están en Volts pico-pico.
Actividad 4.3 Usando los datos de la Tabla 2, realice una gráfica de R f vs. v0 .
Explique en qué valores de R f la ganancia no es lineal.
35 | 256
Medición de Parámetros en Redes de Dos Puertos (2)
Figure 16: Configuración NO inversora
R f (kΩ) v0 20 log10 (v0 /vi )

0.47
0.68
1
4.7
6.8
10
47
68
100
470
Table 2: Variación de tensión de salida en el amplificador no inversor. R1 = 1k
Ohm.
Medición de Parámetros en Redes

de Dos Puertos (2)
Los parámetros de dos puertos nos brinda una herrameinta para determi-
nar el comportamiento de un sistema electrónico, a partir de un estímulo.
Esto tiene como ventaja el que no es necesario conocer el modelo exacto
del sistema. La Fig. 29 shows the equivalent circuit of a Bipolar Junction
Transistor (BJT): A continuación se ilustran los pasos matemáticos requeri-
dos para demostrar que la impedancia de entrada del amplificador de la
Figura 29 es:
Rin = rπ + ( β + 1) Re .
36 | 256
Figure 17: Circuito
1 Medición en un sistema de dos puertos.
Mediante simulación, se realiza una gráfica paramétrica Rin /Re para el

circuito de la Figura 29, usando rπ = 300Ω, β = 100 y R L = 470Ω. Figure
18 shows the variation of Rin with respect to resistance Re , while varying
between and Ohms.
Figure 18 shows the variation of Rin with respect to frecuency w, while
varying between and Hertz.
2 Análisis de Frecuencia
Actividad 2.1 Determine las variables requeridas para el análisis de frecuencia

en un equipo electrónico.
37 | 256
Figure 18: Rin vs. Re parametric graph
Actividad 2.2 La Fig. 20 muestra el circuito equivalente de un Transistor de

Juntura Bipolar (BJT):
1. Realice los pasos matemáticos requeridos para encontrar la impedancia de

entrada del amplificador de la Figura 20.
2. Mediante simulación, realice la gráfica de respuesta en frecuencia de | Rin (ω )|

y 6 Rin (ω ) para el circuito de la Figura 97. Use Ce = 1µFarad, rπ = 300Ω,
β = 100 y R L = 470Ω.
3 Conclusiones
Actividad 3.1 Con respecto al análisis de los circuitos propuestos, determine sus
propiedades.
38 | 256
Diseño, implementación y puesta a prueba de una Fuente de Tensión Dual.
Figure 20: Circuito
Diseño, implementación y puesta a

prueba de una Fuente de Tensión
Dual.
En esta práctica se da un acercamiento práctico a la fabricación de un cir-

cuito impreso y al montaje de un dispositivo electrónico. Se trabajará con el
una fuente dual de ±12 Volts, una fuente simple de +5 Volts y una fuente
variable regulada, realizando el diseño respectivo de los componentes ade-
cuados en cada caso.
Palabras clave: Montaje electrónico, Printed Circuit Board, Fuente de Ten-
sión.
Para este laboratorio, utilizaremos el montaje de una fuente de tensión,

el cual abarca un conjunto de etapas que cumplen una función diferente
pero que para este fin están ligadas unas a las otras (Fig. 21). Las etapas
que componen la fuente de tensión se describen a continuación.
1. La Etapa de Reducción sirve para reducir la tensión alimentada por la

red de 110/220 Volts de corriente alterna a una tensión cercana a 12
o 15 Volts a través de un transformador, ya que la tensión de la red
es demasiado elevada para la mayor parte de los artefactos usados
en circuitos eléctrónicos. El transformador se basa en el principio de
inducción y la relación entre las espiras de ambos devanados para
reducir la tensión de la red.
2. En la Etapa de Rectificación, para rectificar la onda completa, se utiliza

un arreglo de 4 diodos en una configuración denominada puente
completo o puente de Graetz. Recibe el nombre de puente rectificador,
por estar formado por cuatro diodos conectados en puente. En esta
39 | 256
Figure 21: Etapas de la Fuente de Tensión
etapa se transforma la corriente alterna a una componente continua,

es decir, convierte una señal AC en una señal DC que puede tener
una componente AC menor denominado Rizado. Este rectificador
debe ser capaz de suministrar la corriente de carga del condensador
de la etapa de filtrado. Un rectificador de onda completa transfiere
energía de la entrada a la salida todo el ciclo y proporciona mayor
corriente promedio por cada ciclo en relación con la que se obtiene
utilizando un rectificador de media onda. Por lo general, al construir
un rectificador de onda completa se utiliza un transformador con el
fin de obtener polaridades positivas y negativas. (Fig. 22(b))
Cuando la tensión del secundario Vs es mayor a cero, los diodos D1
y D2 están polarizados en forma directa. Por lo tanto éstos diodos
conducen, en tanto que D3 y D4 están polarizados en inverso. Des-
preciando las caídas en los diodos por ser éstos ideales, resulta que el
voltaje en la carga Vl es positiva y aproximadamente igual a Vs y es
mayor que cero. Cuando la fase de la entrada se invierte, la tensión
del secundario Vs pasa a ser menor a cero. Luego D3 y D4 están en
condiciones de conducir mientras que D1 y D2 quedan polarizados
inversamente. La fuente se encuentra ahora aplicada a la carga en
forma opuesta, de manera que la tensión en la carga Vl es opuesta
a la tensión del secundario (−Vs), volviendo a ser mayor a cero. De
esta manera, se verifica que se aprovecha la totalidad de la onda de
entrada, y además, la corriente por la fuente ya no es unidireccional
como la que circula por la carga, evitando la magnetización del nú-
cleo del transformador. En la Fig. 22(b) se puede observar la señal
después de pasar por el puente de diodos
3. La naturaleza pulsante del rizado producido al voltaje de salida pro-

ducida por lo circuitos rectificadores los hace inapropiados como
fuentes DC para circuitos electrónicos. Una forma directa de reducir
la variación del voltaje de salida es poner un capacitor en paralelo con
40 | 256
(a) Puente de Diodos (b) Rectificación
(c) Rizado
Figure 22: Proceso de Regulación de la Fuente de Tensión
la carga. El condensador se carga al valor pico de la señal de entrada.

En el momento pico de la señal de entrada el capacitor estará cargado
y comenzara a descargarse lentamente mientras la señal desciende,
este proceso es periódico. Bajo estas condiciones la frecuencia de rizo
será el doble con respecto a la señal de entrada, el cual se puede
expresar así:
Vp
Vripple = .
2 f CR
En la Fig. 22(c) se representa esta tensión de rizo, la constante de
tiempo T = RC determina que tan lenta es la caída durante el inter-
valo de corte del diodo.
4. Finalmente, la Etapa de Regulación disminuye la componente alterna,

evidenciada en cierto rizado que varía su magnitud de acuerdo al
valor de la carga. Cuando aumentamos la carga, se disminuye la
constante de tiempo RC del filtro y por lo tanto la descarga del capac-
itor es más rápida de lo deseado dando lugar a fluctuaciones en la
fuente. Para evitar estos problemas se utilizan reguladores de voltaje
41 | 256
que entregan un voltaje de salida fijo aunque el voltaje de entrada al

regulador varíe. El regulador limita internamente la corriente y la po-
tencia disipada mediante circuitos internos, por lo que si por alguna
razón se produce un cortocircuito, el regulador limita internamente
la corriente, y si la temperatura de la unión llega a su límite máximo,
el regulador automáticamente se apaga hasta que se enfríe la unión.
En este experimento, se busca alcanzar lo siguiente:
• Construir una fuente de tensión mediante el uso de circuitos impre-

sos.
• Implementar los dispositivos electrónicos relacionados con una fuente

de tensión en una tarjeta impresa.
• Conocer los elementos y métodos requeridos para la fabricación de

cicuitos impresos.
Para la construcción de un dispositivo electrónico, se debe realizar el sigu-

iente procedimiento: (i) Simulación y montaje sobre Protoboard del cir-
cuito propuesto; (ii) Elaboración del esquema circuital en un simulador
electrónico; (iii) Impresión del circuito impreso sobre la baquelita; (iv) In-
stalación y puesta a prueba del dispositivo.
Dos circuitos son propuestos para ser implementados. La Figura 23 ilustra
ambos, dentro de los cuales se encuentra un regulador dual de intensidad
variable, etiquetada como Fuente Variable (El circuito alrededor del LM317
para la positiva y del LM337 para la negativa), y un regulador de tensión fija,
etiquetada como Fuente Fija de 5 Volts (el circuito alrededor del LM7805).
Para todo el proceso de ensayo, diseño, fabricación y puesta a prueba del
dispositivo, los siguientes materiales son requeridos:
• Multímetro
• Protoboard para el montaje del dispositivo en su etapa previa.
• 1 - Transformador 110 V AC primario/12V-0-12V AC secundario. Aunque

la corriente nominal recomendada para el secundario es de 1 Ampére,
puede usarse un transformador de 600m Ampéres.
• 1 - Conector o bornera de atornillar de 3 terminales para soldar.
• 4 - Conector o bornera de atornillar de 2 terminales para soldar.
• 1 - Rectificador W06M de 1 Ampere circular, o 4 Diodos 1N4001 o

1N4004.
• 1 - Regulador LM7805 (para la Fuente Fija)
• 1 - Regulador LM317 (para la Fuente Variable positiva)
42 | 256
• 1 - Regulador LM337 (para la Fuente Variable negativa)

• 2 - Capacitores electroliticos de 2200µFarad a 25 Volts o superior.
Pueden ser de menor capcidad, pero no menos de 1000µ Farad.
• 5 - Capacitores cerámicos o de tantalio de 1µFarad
• 2 - Capacitores electrolíticos de 10µFarad a 25 Volts (para la Fuente
Variable)
• 2 - Potenciómetros de 2kΩ.
• 2 - Resistencias de 120Ω.
• 1 - hoja tamaño carta de papel propalcote de 75 gramos.
• 1 - Baquelita virgen de 10 × 10cm o mayor de acuerdo al diseño.
• 1 - Bolsa pequeña de percoluro ferrico o ácido para quemar baquelitas
• Esponja de cocina (Tipo Scotch Brite)
• Algodon
• Plancha electrica seca
• Una vasija de fondo plano o batea donde quepa la baquelita.
1 Simulación y montaje en Protoboard
Se utiliza un programa de simulación de circuitos, e.g., el propuesto en [2],

para la creación del diseño. En la Figura 24 se ilustra el esquemático del
diseño para la Fuente seleccionada.
La simulación arrojó que al aplicar una señal de 120 Volts AC a 60
Hz a la Fuente seleccionada, los valores de tensión en los terminales de
salida de la Fuente son iguales a Volts, Volts y Volts
respectivamente. Si se cambian los capacitores de 2200µ Farads por ca-
pacitores de 100nFarads, se obtiene lo siguiente a la salida de la fuente:
.
Al montar el circuito sobre el Protoboard, los valores de tensión en los
terminales de salida de la Fuente son iguales a Volts, Volts y
Volts respectivamente. La Fig. 25 ilustra el dispositivo montado en
Protoboard.
43 | 256
Figure 23: Circuito Regulador
2 Procedimiento para diseño del proyecto
Paso seguido, las Figs. 26 y 27 ilustran el diseño creado para la fuente selec-
cionada, después de haber trazado todas las rutas de conexión y alineado
todos los elementos sobre la PCB para la impresión. Las Figura 26 muestra
el positivo de pistas y la Figura 27 ilustra el positivo de la cara impresa
de los elementos a ubicar. Para la impresión, se recomienda utilizar papel
propalcote de 75 gramos.
3 Procedimiento para impresión del diseño
Para la impresión del diseño en la baquelita, se procura hacer la siguiente

secuencia de pasos:
1. Imprima su diseño sobre la hoja de propalcote ussando impresora

laser, de tal manera que corresponda con el sentido Espejo en que
van a quedar definitivamente las pistas sobre la baquela. En caso
que quede el diseño en el sentido directo, utilice el comando Flip
Horizontal en cualquier editor de imagen. Después de impreso, esté
seguro que las pistas quedaron bien dibujadas y con suficiente tinta.
2. Coloque la hoja sobre la baquelita. Corte las partes sobrantes de

la hoja de tal forma que quede ajustado sobre las dimensiones de la
44 | 256
Coloque la figura correspondiente aquí
Figure 24: Esquemático del circuito elegido.
baquelita (Normalmente las dimensiones de la baquelita son menores

a los de la hoja, e.g., 8.5 x 11 pulgadas). Sin embargo, deje un espacio
en cada lado de la hoja impresa para poder asegurar la hoja por
debajo. No toque la cara de cobre de la baquelita con sus dedos, pues
distorsiona el proceso.
3. Asegure la baquelita sobre la mesa, de tal manera que quede la cara

de cobre arriba. No coloque cinta adhesiva ni a lo largo de los bordes
de la baquela ni por debajo. No use cinta adhesiva transparente, pues
el pegamento puede dañar el proceso.
4. Limpie la cara de cobre de la baquelita usando esponjilla no–abrasiva,

e.g., un Scotch BriteTM , y luego enjuague con alcohol. Si la baquela
continúa sucia, use un limpiador abrasivo, como el que se usa para
limpiar la estufa. NO USE ESPONJILLA DE BRILLO. No toque la
cara de cobre después de haberse limpiado. Las huellas de los dedos
entorpecen el proceso. Seque la baquelita con una toalla o trapo
limpio. No use algodon o papel de cocina para secar.
5. Encienda la plancha. En caso que la plancha sea automática, selec-

cione la opción de planchado en Algodon-Whool. Ásegurese de no
usar una opción que implique que la plancha expulse vapor o agua
caliente.
6. Doble los lados sobrantes de la hoja por debajo de la baquelita, para

asegurar que la impresión no se distorsionará durante el proceso.
45 | 256
Figure 25: Foto del dispositivo montado en Protoboard.
7. Coloque una hoja en blanco sobre la baquelita y caliente la superficie

usando la plancha alrededor de 3 minutos. Retire el papel y coloque
la hoja impresa, de tal manera que el lado impreso quede sobre la
aún caliente cara de cobre de la baquelita. Asegure la hoja con cinta
alrededor de los lados sobrantes y cúbrala con otra hoja en blanco.
Planche el diseño por la superficie. Asegúrese que la plancha pasa
por toda la superficie y que el planchado es uniforme, mediante un
movimiento redondeado. Un valor aproximado de planchado es de
30 segundos. Un tiempo más prolongado se vuelve tedioso, pero se
puede hacer.
8. Espere 2 minutos después de retirada la plancha. Con sumo cuidado

y muy despacio, reitre los respectivos papeles (la hoja en blanco y
la hoja impresa) de la baquelita. Cuidado, las hojas deben estar aún
muy calientes. Si el impreso no resultó el óptimo esperado, puede
llenar las pistas incompletas con marcador ideleble, e.g., SharpieTM .
Si el trabajo quedó muy mal, no hay problema. Limpie la baquelita
con acetona y empiece de nuevo.
9. Corroya la baquelita usando el Percloruro Férrico, Persulfato de Amo-

nio u otro corrosivo para eliminar el sobrante de cobre que no pertenece
al diseño. Use un recipiente plástico en forma de bandeja (batea),
pues el corrosivo debe quedar apenas con suficiente nivel para cubrir
justamente la superficie de la baquela. El proceso de corrosión es
suave. No agite muy fuerte el recipiente durante el proceso, solo lo
suficiente para que el cobre se disuelva fluídamente. Realicelo en un
46 | 256
Figure 26: Positivo del PCB, lado de pistas.
lugar aireado y fresco.
10. Para realizar la perforación de la baquelita, normalmente se requiere

una broca de 1/32 de pulgada. Se recomienda usar un Moto–Tool
como taladro. Una broca de 1/16 de pulgada es demasiado para al-
gunos terminales, como los circuitos integrados. Un orificio pequeño
ayuda en el proceso de soldaura para fijar los dispositivos.
11. Después de la perforación, limpie la baquela con acetona para elimi-

nar la tinta.
12. Si desea proteger las pistas de cobre, use laca siliconada. Es probable
que el cobre se vuelva de color verde si no se hace alguna protección.
En la Figura 28 se ilustra el dispositivo terminado.

Actividad 3.1 Con respecto al montaje del circuito sobre Protoboard, describa los
ajustes adicionales que debió hacer para el correcto funcionamiento del dispositivo.
Actividad 3.2 Con respecto a la creación del diseño, describa los ajustes adi-
cionales que debió hacer para el correcto procedimiento de auto-ruta y de trazado
de los circuitos.
Actividad 3.3 Con respecto a la impresión de la hoja de diseño y la baquelita,
describa los ajustes adicionales que debió hacer para la correcta impresión del
diseño sobre la baquelita y el quemado de la pista de cobre.
Actividad 3.4 Con respecto a la instalación de los elementos y la soldadura,
describa los ajustes adicionales que debió hacer para el correcto montaje y fun-
cionamiento de la fuente.
47 | 256
Figure 27: Positivo del PCB, lado de elementos.
Medición de Parámetros en Redes

de Dos Puertos (2)
1 Electronic Device Modeling
(Insert Introduction here)
1.1 Mathematical Analysis
La Figura ?? muestra el circuito equivalente de un amplificador de Transcon-

ductancia: Los siguientes son los pasos matemáticos requeridos para hallar
la impedancia de entrada del amplificador de la Figura 29 y de la Ganancia
48 | 256
Figure 28: Foto del dispositivo terminado.
Figure 29: Circuito
de Transconductancia en Lazo Cerrado Gv0 .
49 | 256
1.2 Simulation Results
Mediante simulación, se realiza una gráfica paramétrica Gm 0 /R para el

2
circuito de la Figura ??, para una Ganancia de Transconductancia en Lazo
Abierto de Gm = 100ampére/Volt, Impedancia de Entrada de Zin = 1kΩ,
Impedancia de Salida de Zo = 100Ω., y Ganancia de Trasconductancia
en Lazo Cerrado de Gm 0 = 2Ampére/Volt. Figure 30 shows the variation
of Gm0 with respect to resistance R , while varying between and

2
Ohms.
1.3 Conclusion
As conclusion, we probe the following:
2 Frequency Analysis
(Insert Introduction here)
50 | 256
2.1 Mathematical Analysis
La Figura 31 muestra el modelo de un amplificador de tensión:
Figure 31: Circuito
Las siguientes son los pasos matemáticos requeridos para hallar la impedan-
cia de entrada del amplificador de la Figura 31 y de la Ganancia de
0 .
Transconductancia en Lazo Cerrado Gm
2.2 Simulation Results

0
Mediante simulación, se realiza una gráfica de respuesta en frecuencia Gm
para el circuito de la Figura ??, para una Ganancia de Transconductan-
cia en Lazo Abierto de Gm = 100ampére/Volt, Impedancia de Salida de
Zo = 100Ωs → 0, y Frecuencia de corte s0 = 3kHz. Figure ?? muestra la
respuesta en frecuencia Gm0 en un rango entre y Hertz.
51 | 256
2.3 Conclusion
As conclusion, we probe the following:
52 | 256
Medición de Parámtros en Redes de Dos Puertos (Análisis de Cuadripolos)
Medición de Parámtros en Redes de

Dos Puertos (Análisis de
Cuadripolos)
En esta práctica se muestran diferentes métodos para obtener los paramet-

ros de un circuito cuadripolo sin necesidad de realizar profundos análisis
circuitales. Se trabajan con circuitos Π y T, midiendo tensiones y corrientes
en cada puerto y obteniendo las impedancias y ganancias del circuito.
Keywords: Impedance, Gain, Π configuration, T configuration.
1 Introducción
Los circuitos Π y T son esquemas particulares con impedancias que se

pueden describir como redes de dos puertos. Una red de dos puertos o
un cuadripolo, es un circuito activo o pasivo que tiene cuatro terminales
(polos) accesibles o de conexión, y cada par de terminales forma un puerto,
que puede ser de entrada o salida de una señal. El objetivo de este trabajo
es calcular y medir parámetros en circuitos de los cuales no se conoce su
funcionamiento interno, pero si se puede deducir mediante valores medi-
dos en puntos medibles denominados terminales. Se usarán los circuitos
de las Figuras 33 y 34 como tipologías circuitales a ser evaluadas.
Figure 33: Circuito Π.
2 Parámetros de Impedancia
De acuerdo al cuadripolo mostrado en la Figura 35, se pueden definir los

valores de tensión V1 , V2 en función de los valores de corriente I1 , I2 .
53 | 256
Figure 34: Circuito T.
De acuerdo al teorema de superposición, tenemos el siguiente sistema de

ecuaciones:
V1 =z11 I1 + z12 I2
V2 =z21 I1 + z22 I2 (6)
Donde los siguientes parámetros se pueden definir cuando alguno de los
Figure 35: Red de dos puertos o cuadripolo general.
valores I1 , I2 es cero:

V1 V1
z11 = , z12 =
I1 I2 =0 I2 I1 =0

V2 V2
z21 = , z22 =
I1 I2 =0 I2 I1 =0
Así, z11 es la impedancia de entrada sin estímulo a la salida, z21 es la
impedancia de transferencia sin estímulo a la salida, z12 es la impedancia
de transferencia inversa sin estímulo a la entrada y z22 es la impedancia
de salida sin estímulo a la entrada. Nótese que la expresión sin estímulo
implica que I1 = 0 o I2 = 0, tal que se puedan analizar todos los parámet-
ros con estímulos independientes. En este caso, nótese que la anulación
de los estímulos significa que los puertos correspondientes se encuentran
en circuito abierto. La Ecuación (7) queda entonces como la Matriz de
Impedancias:
V = ZI (8)
54 | 256
2.1 Parámetros de Ganancia
Del mismo modo, La ganancia del cuadripolo descrito en la figura 35 se

puede determinar mediante parámetros ABCD (Transmisión) o parámetros
de circuito general. Éste relaciona la tensión y la corriente de un puerto con
la tensión y la corriente del otro. De acuerdo al teorema de superposición,
tenemos el siguiente sistema de ecuaciones para expresar los parámetros
de entrada V1 , I1 en función de los valores de salida V2 , I2 :
V1 = AV2 − BI2
I1 =CV2 − DI2 (9)
Estos parámetros se denominan de Transmisión. El signo negativo en las

ecuaciones es por convención de I2 , ya que estos parámetros se valen
de la transferencia de energía, haciendo I2 en sentido inverso. Luego,
los siguientes parámetros se pueden definir cuando alguno de los valores
V2 , I2 es cero:
1 V2 1 I2
= , − =
A V1 I2 =0 B V1 V2 =0

1 V2 1 I2
= , − =
C I1 I2 =0 D I1 V2 =0
Donde 1/A es la ganancia de tensión en circuito abierto, −1/B es la ad-
mitancia de transferencia en corto circuito, 1/C es la impedancia de trans-
ferencia en circuito abierto y −1/D es la ganancia de corriente en corto
circuito. La Equación (9) queda entonces como la matriz de transmisión:

V1 A −B V2
= (11)
I1 C −D I2
Por último, la conversión de los parámetros de Impedancia a los de Trans-

misión se muestran a continuación:
z11 ∆z
A= , B=
z21 z21
1 z22
C= , D=
z21 z21
donde ∆z es el determinante de la matriz Z.
3 Diseño y puesta a prueba de red Π
De acuerdo con lo descrito anteriormente, se tienen los siguientes circuitos

a ser diseñados de acuerdo con ciertas especificaciones. En el circuito de la
Figura 33, los elementos son completamente resistivos: Zi = Ri . Además,
debe cumplir con las siguientes características:
55 | 256
• Ganancia de tensión 1/A de −2dB,
• Impedancia de entrada z11 de 50 Ohms,
• Impedancia de salida z22 de 300 Ohms.
Actividad 3.1 Calcule la impedancia de entrada y de salida y la ganancia directa

de una red de dos puertos.
Actividad 3.2 Calcule los valores de los elementos del circuito Z1 , Z2 y Z3 a
partir de los parámetros de diseño.
El circuito de la Figura 34 tiene ahora un capacitor en Z1 . Esto quiere
decir que Z1 = XC1 = 1/jωC1 . Sin embargo, los demás componentes del
circuito son resitivos y sus valores son iguales a los calculados para el
Prototipo 1. Además, este prototipo debe tener una repuesta en frecuencia
tal que su frecuencia de Corte sea de 50 kHz. De esta manera, los cálculos
para hallar los valores de los componentes son descritos a continuación:
Por lo tanto, los valores calculados de Z2 , C1 y Z3 , son respectivamente

Ohms, Farads y Ohms.
Al utilizar un programa de simulación para determinar la ganancia
V2 /V1 (usando la opción DC sweep)y la impedancia de salida z22 en el
Prototipo 1, se obtuvieron los resultados de las Figuras 36 y 37. Al realizar
el montaje del Prototipo 1, con una aproximación de los valores calculados
a aquellos que se puedan obtener en el mercado, se conecta a la entrada del
circuito (V1 ) una fuente sinusoidal de A Volts peak-peak, a una frecuencia
de 1kHertz. Así, con el Multímetro se mide la tensión V2 y la corriente I1
en RMS. La tensión y la corriente medidas se ilustran en la Tabla 3.
Al comparar los valores diseñados, los simulados y los medidos, se
puede concluir que:
56 | 256
Figure 36: Grafica V2 /V1 para el Prototipo 1
Figure 37: Gráfica del circuito simulado, con el valor de z22
A (Volts) V2 (Volts) I2 (mAmpéres)

1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
Table 1: Valores para el cálculo de ganancia del Prototipo 1
57 | 256
4 Diseño y puesta aprueba de una red T
Al utilizar un programa de simulación para determinar la ganancia V2 /V1

y la impedancia de salida z22 en función de la frecuencia (usando la función
AC sweep) para el Prototipo 2, se obtuvieron los resultados de la Figuras
117, 118 y 40. Se comprobó entonces lo siguiente: Primero, la Ganancia de
Figure 38: Gráfica en frecuencia de V2 para el Prototipo 2
Figure 39: Gráfica en frecuencia de z22 para el Prototipo 2
tensión en el Prototipo 2 SI/NO es la misma que la del Prototipo

1, debido a que:
Luego, la Ganancia de tensión en el Prototipo 2 en alta frecuencia es igual
58 | 256
Figure 40: Gráfica del circuito simulado para el Prototipo 2
a . Segundo, la impedancia de entrada z11 SI/NO es la

misma que la del Prototipo 1, debido a que:
Luego, la impedancia de entrada en el Prototipo 2 en alta frecuencia es

igual a Ohms, y la frecuencia en donde la impedancia de entrada
en el Prototipo 2 es igual que en el Prototipo 1 es de Hertz. Por
último, la impedancia de salida z22 SI/NO es la misma que la del
Prototipo 1, debido a que:
Luego, la impedancia de salida en el Prototipo 2 en alta frecuencia es igual

a Ohms, y la frecuencia en donde la impedancia de salida en el
Prototipo 2 es igual que en el Prototipo 1 es de Hertz.
Al realizar el montaje del Prototipo 2, con una aproximación de los valores
calculados a aquellos que se puedan obtener en el mercado, se conecta a la
entrada del circuito (V1 ) una fuente sinusoidal de 10 Volts peak-peak.
Así, variando la frecuencia de la señal V1 , con el Osciloscopio se mide la
tensión V2 peak-peak. La tensión medida se ilustra en la Tabla 4.
Al comparar los valores diseñados, los simulados y los medidos, se
puede concluir que:
59 | 256
V1 (Hertz) V2 (Volts)
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
Table 2: Valores para el cálculo de ganancia del Prototipo 2
Acto seguido se realiza la simulación y el montaje del circuito de la Figura

34 con Z1 como un resistor de 2.2kOhms, Z2 como un resistor de 1kOhms,
Z3 como un capacitor de 1µFarad y V1 una fuente sinusoidal. Al utilizar
un programa de simulación (como aparece en la Figura y 43) para determi-
nar V2 en función de la frecuencia (usando la función AC sweep) para este
circuito, se obtuvieron los resultados de la Figura 61(a) y 61(b).
Figure 41: Respuesta en frecuencia de V2 para el circuito T
En el montaje, la fuente V1 es de 10 Volts peak-peak de amplitud, y con

frecuencia inicial de 10 Hertz. Al medir con el Multímetro la tensión V2 y
la corriente I1 , la tensión medida se ilustra en la Tabla 5.
Al comparar los valores medidos y los simulados, se puede concluir que:
60 | 256
Figure 42: Respuesta en frecuencia de z22 para el circuito T
Figure 43: Gráfica del circuito simulado para el circuito T
f (V1 ) (Hertz) V2 (Volts)

10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
Table 3: Valores para el cálculo de ganancia del Circuito T
4.1 Impedancias de entrada, salida y transferencia
61 | 256
Impedancias de entrada, salida y transferenciağ
Los valores de las impedancias de entrada, salida y transferencia para los

circuitos montados, con ayuda de los valores medidos, se registran en las
siguientes tablas:
Parámetro Prototipo 1 Prototipo 2

Valor (Ohms) Valor (Ohms)
Zin
Zout
ZT
Table 4: Impedancias de los circuitos Π diseñados
Parámetro Valor (Ohms)

Zin
Zout
ZT inversa
Table 5: Impedancias del circuito T
Impedancias de entrada, salida y transferenciağ
4.2 Ganancia directa e inversa de transmisión

Ganancia directa e inversa de transmisiónğ
Para los circuitos montados con los valores diseñados, la ganancia directa
V2 /V1 se calcula midiendo la tensión peak-peak en el terminal V2 , colo-
cando el generador de señales en el terminal V1 del circuito correspondi-
ente. Del mismo modo, la ganancia inversa V1 /V2 se calcula midiendo la
tensión peak-peak en el terminal V1 , colocando el generador de señales en
el terminal V2 del circuito correspondiente. La Tabla 3 ilustra los resulta-
dos obtenidos, utilizando para el generador una señal senoidal de 1 Volt
peak-peak, a 45 kHz, en todos los casos.
Circuito Π
Circuito T
Prototipo 1 Prototipo 2
Ganancia directa
Ganancia inversa
Table 6: Ganancias de los circuitos diseñados
Actividad 4.1 Explique por qué las ganancias encontradas son menores o iguales
a 1.
Ganancia directa e inversa de transmisiónğ
62 | 256
5 Proyecto 1
La Fig. 44 muestra una red de resistencias con dos puertos de prueba.
Figure 44: Circuito de prueba.
Actividad 5.1 Realice los pasos matemáticos requeridos para hallar los parámetros
de admitancia de dos puertos, para el circuito de la Fig. 44.
Actividad 5.2 Halle el valor de la resistencia R1 , tal que la admitancia de salida
y22 sea igual a 10mSiemens.
Actividad 5.3 Realice una grafica de la variación de y22 con respecto a la resisten-
cia R1 , hasta 10k Ohms.
6 Conclusiones
Existen parámetros de admitancia que pueden ser calculados de la misma

forma que la impedancia y la ganancia, porque:
El dispositivo que consideramos que puede alterar los parámetros en mayor

proporción es el , porque:
El prototipo 2 se denomina una red de acople resonante porque:
La utilidad que tiene este método en la práctica es el siguiente:
63 | 256
64 | 256
Amplificador Operacional: Parámetros reales
Amplificador Operacional:
Parámetros reales
Un amplificador operacional (AO) real difiere del modelo ideal en dos

aspectos: La corriente de entrada NO es despreciable, y la tensión de salida
no es exactamente proporcional a la tensión diferencial de entrada. La
Figura 112 ilustra un amplificador operacional real, en donde los terminales
OFFSET NULL dejan ver otra diferencia sobre el modelo ideal, i.e., la fuente
de polarización debe ser compensada, a modo de evitar valores de corriente
continua que alteren el valor de tensión de salida. Por último, hay que
tener en cuenta que, según se ilustra en la Figura 112, el circuito está
compuesto por elementos semiconductores, los cuales tienen una limitación
en frecuencia, por ejemplo, el AO requiere de una cantidad de tiempo para
que la señal pueda propagarse de la entrada a la salida. El objetivo de este
reporte es el de determinar los valores de estos fenómenos que provocan
que el Amplificador operacional difiere de su modelo ideal, comparándolos
con los suministrados por la hoja de datos en la Tabla 1. Además, se ilustra
la estrategia para compensar la fuente de polarización interna o tensión
offset.
Parámetro Valor Unidades

Tensión offset interna 6.0 mVolts
Resistencia de entrada 2.0 MOhms
Ganancia en lazo abierto 200 Volt/mVolt
CMRR 90 dB
Slew Rate 0.5 Volts/µs
Table 1: Valores para el LM741.
1 Mediciones sobre parámetros reales del

Amplificador Operacional
1.1 Tensión Offset
Es el valor de tensión que se requiere para que la tensión de salida en el

amplificador sea nula. Este valor es cero en un amplificador ideal, pero no
es igual para en un amplificador real. Esta tensión entonces debe ajustarse
a cero por medio del uso de las entradas de offset (Offset Null) en caso de
65 | 256
Figure 45: Montaje para compensación de la tensión offset [2]
Figure 46: Modelo para el circuito de la figura 167
querer precisión. Para medir y controlar este parámetro, se tiene el circuito

de la Figura 167, con R1 = R2 = kOhms. El valor de R3 requerido
para balancear la corriente de polarización del Amplificador Operacional
se calcula con:
R1 R2
R3 =
R1 + R2
De acuerdo con lo anterior, R3 = kOhms. Esta tensión es producida
por la tensión offset interna que puede modelarse como una fuente de ten-
sión DC conectada a la entrada de un amplificador ideal en configuración
no inversora. Así, Observando el circuito de la Figura 103 la ganancia del
amplificador es igual a dos, porque
1.2 Relación de Rechazo en Modo Común
Si una señal es aplicada por igual a las dos entradas del amplificador opera-
cional, tal que la tensión de entrada diferencial no varíe, la salida no debería
66 | 256
ser afectada. La Relación de Rechazo en Modo Común (CMRR) mide la

tendencia de rechazar señales de entrada comúnes para dos entradas de
un amplificador diferencial. Un CMRR alto es importante en aplicaciones
donde la señal de entrada posee fluctuaciones pequeñas sobrepuestas sobre
un alto nivel constante de tensión, o cuando la infomación relevante está
contenida en la diferencia entre dos señales. Los valores típicos de CMR
(CMRR en dB) pueden estar entre los 70dB y 120dB. El circuito de la Figura
159 mide el Rechazo en Modo Común. Al montar el circuito realizando el
ajuste de la tensión Offset de entrada de la sección anterior, los valores de
resistencias, tal que R1 ≤ 1MΩ y

R2
1+ = 10 ,
R1
son:
Figure 47: Montaje para el cálculo de CMRR [4]
1.3 Slew Rate
Este parámtero representa la máxima tasa de cambio de una señal en

cualquier punto del circuito. Las limitaciones en la capacidad de cambio
en un dispositivo aumentan debido a los efectos no–lineales del mismo.
Así, el slew rate de un amplificador se define como el rango máximo de
cambio de la tensión de salida para todas las señales de entrada posibles,
por lo que se produce una limitación a la velocidad de funcionamiento, es
decir, la frecuencia máxima a la que puede funcionar el amplificador para
un nivel dado de señal de salida. Esta medida está dada por la siguiente
67 | 256
ecuación:

dV0
SR =
dt max
El Slew Rate se expresa típicamente en unidades de Volt/µs. Por ejemplo,

si el SR es de 0.3V/µs, luego el voltaje de salida cambiará a una razón
máxima de 0.3 Volts en 1µs. Como para una onda senoidal estos efectos
no son claramente interpretables, se usa una señal de pulsos cuadrados. El
circuito de la Figura 160 mide el slew rate. Al montar el circuito realizando
el ajuste de la tensión Offset de entrada de la sección anterior, los valores de
resistencias, tal que R L = 2k Ohms, ACL = 1.5 Volt/Volt y CL = 50pFarad,
y

RF
ACL = 1 + ,
RI
son:
.
En este caso, vin es una onda de tren de pulsos cuadrados, con relación de
Figure 48: Montaje para medición del slew rate [4]
trabajo del 50%, cuya frecuencia se usará como parámetro. Un ejemplo de

esta medida se ilutra en la Figura 133, donde la señal de salida se invierte
para que las señales queden a la misma escala.
Figure 49: Resultado para la medición del slew rate
68 | 256
2 Experimental Setup and Results
2.1 Imperfecciones DC: Tensión offset interna

Imperfecciones DC: Tensión offset internağ
En este caso, solo se toman los resultados sobre el montaje del circuito de
la Figura 167. Al conectar la entrada Vin a tierra en el circuito de la Figura
167, sin instalar aún el potenciómetro de 10 kΩ ,la tensión de salida es de
mVolts. De este modo, al comparar la tensión offset medida con
el valor encontrado en la hoja de datos del LM741 (ver Tabla 1), se puede
apreciar que
,
porque
.
Al instalar el potenciómetro de 10 kΩ sobre las terminales offset-null,
se hace el ajuste del potenciómetro para que la tensión de salida tenga un
valor cero. Así/Sin embargo ( ), la margen de tensión offset de salida
SI/NO( ) se puede obtener ajustando el potenciómetro por dentro de
su margen total. Luego, el valor medido en el pin 5 del amplificador
LM741 es de Volts. La Tabla ilustra los valores medidos Vout al aplicar
diferentes valores de Vin . En caso que no se tenga disponible una fuente
DC para Vin , puede usarse un generador de señal cuadrada, en donde la
amplitud pico (no pico-pico) de la señal es igual a Vin , a una frecuencia de
5 kHz. Para este caso, se mide con un osciloscopio el valor pico de Vout .
Vin (Volts) Vout

0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Table 2: Valores medidos del Offset.
69 | 256
Imperfecciones DC: Tensión offset internağ
2.2 Rechazo en Modo Común

Rechazo en Modo Comúnğ
La Figura 50 ilustra los resultados obtenidos en simulación al conectar

la entrada Vin a una fuente DC del circuito de la Figura 159. Esto es la
gráfica paramétrica Vout vs. Vin , donde Vin es el parámetro variable (sweep
variable), el cual varía entre 0.0 y 3.0 Volts DC.
Figure 50: Gráfica paramétrica para el cálculo del CMRR.
La Tabla 3 ilustra los resultados obtenidos en el montaje al conectar la

entrada Vin a una fuente DC del circuito de la Figura 159. En caso que
no se tenga disponible esta fuente, puede usarse un generador de señal
cuadrada, en donde la amplitud pico (no pico-pico) de la señal es igual a
Vin , a una frecuencia de 5 kHz. Para este caso, se mide con un osciloscopio
el valor pico de Vout .
Vin (Volts) Vout

0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Table 3: Valores para el cálculo del CMRR en el montaje.
Por interpolación, se obtiene ∆Vout = , y ∆Vin = . Usando la
70 | 256
siguiente ecuación:
∆Vin

R2
∆Vout = 1+ ,
CMRR R1
la relación de rechazo en modo común (CMRR) es igual a . Compara-

ndo los valores en simulación, medidos en el montaje, y el que aparece en la
hoja de datos del LM741 (ver Tabla 1), se nota que:
.
porque
Rechazo en Modo Comúnğ
3 Slew Rate
Al conectar la entrada Vin a una fuente de tren de pulsos positivos, con

10 Volts pico-pico, se obtiene la gráfica en el eje de tiempo de la señal en
Vout que se ilustra en la Figura 51, que es parecido al ejemplo ilustrado en
la Figura 133. Se recomienda usar un osciloscopio digital, para mejorar la
precisión en la medida.
Figure 51: Gráfica de comparación para slew rate [4]
Usando la siguiente ecuación:
∆V
SR = .
∆t
La Tabla 4 ilustra los resultados obtenidos para el slew rate en simu-
lación del circuito de la Figura 160. Del mismo modo, La Tabla 5 ilustra los
resultados obtenidos para el slew rate, al realizar el montaje del circuito
de la Figura 160. Comparando los valores en simulación, medidos en el
montaje, y el que aparece en la hoja de datos del LM741 (ver Tabla 1), se
nota que:
71 | 256
Frecuencia (kHertz) SW (Volts/µs)

0.010
0.050
0.100
0.500
1.000
5.000
10.00
500.0
Table 4: Valores para el cálculo del slew rate en simulación.
Frecuencia (kHertz) SW (Volts/µs)

0.010
0.050
0.100
0.500
1.000
5.000
10.00
500.0
Table 5: Valores para el cálculo del slew rate en el montaje.
.
porque
4 Conclusiones
Con respecto a la tensión offset, se pudo comprobar que
.
Con respecto a la CMRR, se pudo comprobar que
72 | 256
.
Con respecto al slew rate, se pudo comprobar que
.
Como consideraciones especiales, se pudo comprobar que
73 | 256
Amplificadores
Amplificadores
1 Análisis de Circuitos
1.1 Ganancia de Tensión
Realizar los pasos matemáticos requeridos para demostrar que

la ganancia

v0 R4 R4
de tensión del amplificador de la Figura 52 es: vi = − RR12 1 + R2 + R3
1.2 Diseño
Calcular los valores R1 , R2 , R3 y R4 del circuito de la Figura 36 para obtener

una ganancia de 2 dB, impedancia de entrada de 150 Ohms e impedancia
de salida de 470 Ohms. Para que se tenga una solución, R2 = R4 .
Figure 52: Circuito
1.3 Resultados de Simulación
Mediante simulación, realizar la gráfica paramétrica v0 /vi para el circuito

de la Figura 36, usando los valores calculados en el ejercicio anterior.
2 Amplificador con Red Reactiva
A continuación se ilustran los pasos matemáticos requeridos para hallar la

ganancia de tensión del amplificador de la Figura 53
74 | 256
Amplificadores
Figure 53: Circuito
2.1 Resultados de Simulación
Mediante simulación, la Figura 54 ilustra la respuesta en frecuencia de

v0
vi ( ω ). Se utiliza R1 = 1kOhm, R2 = R4 = 10kOhms, C3 = 1µFarad.
75 | 256
Amplificador Diferencial
Amplificador Diferencial
1 Análisis de Circuitos
1.1 Ganancia de Tensión
Realizar los pasos matemáticos requeridos para demostrar que la tensión a

la salida del amplificador de la Figura 117 es:

R1 R4 R2
v0 = 1 + vi2 − vi1
R2 R3 + R4 R1
Figure 55: Circuito
1.2 Respuesta paramétrica
Realizar la simulación del circuito, exhibiendo la gráfica paramétrica v0 vs.

vi2 − vi1 . Para ello, fije la tensión vi2 en 500mVolts, y varíe vi1 entre el inter-
valo [−1, 1] Volts. Use valores de resistencia de tal manera que, haciendo
v0 = Avi1 + Bvi2 , se tengan las respectivas ganancias de 20 log10 | A| = 3dB
y 20 log10 | B| = 6dB.
1.3 Respuesta en Frecuencia
Realizar los pasos matemáticos para calcular el valor de tensión a la salida

del amplificador de la Figura 118, el cual puede ser representado como:
v0 = A( jω )vi2 + B( jω )vi1
Calcular las frecuencias de corte en función de las resistencias y capacitan-

cias del circuito.
76 | 256
Amplificador Operacional en modo Derivador
Figure 56: Circuito
Amplificador Operacional en modo

Derivador
En esta guía se presentan algunas configuraciones del amplificador op-

eracional, que serán útiles para que el estudiante se familiarice con el
importante uso que tiene este dispositivo en la electrónica.
keywords: Amplificador Derivador, Amplificador Integrador, Integrador de
Miller.
1 Introduction
El diseño de circuitos electrónicos por medio de Amplificadores Opera-

cionales (AO) permite resolver problemas involucrados con operaciones
lineales tales como suma, multiplicación, diferenciación e integración. En-
tendiendo la importancia de este elemento lineal dentro la la Electrónica,
es importente reconocer el funcionamiento del amplificador operacional
como operador derivador e integrador en electrónica analógica. El pre-
sente trabajo ilustra dos ejemplos simples de integradores y derivadores
existentes.
Los materiales requeridos son los siguientes:
• Protoboard.
• Resistores y capacitores según los diseños.
• Amplificador TL084 ó LM324
2 Amplificador Derivador
La Figura 167 ilustra un Amplificador Operacional configurado como

derivador. La ganancia de tensión v0 /vi se calcula de la siguiente man-
77 | 256
Figure 57: AO conectado como diferenciador.
era:
Escriba el procedimiento en este espacio
Por lo tanto, la frecuencia de corte se encuentra en rad/seg. De

este modo, para un derivador con ganancia en alta frecuencia (ω → ∞)
igual a 10dB, y frecuencia de corte de 1 kHz, los valores de los compo-
nentes electrónicos se ilustran en la Tabla 1, teniendo en cuenta valores
comerciales.
Componente Valor Unidades

R1 kOhms
Rf kOhms
C nFarads
Table 1: Valores de los componentes electrónicos para el circuito de la Figura
167.
Actividad 2.1 Al simular el dispositivo, la Fig. 117 ilustra la respuesta en fre-

cuencia del circuito de la Figura 167, sea usando el diagrama de Bode o la opción
AC sweep del simulador. Acto seguido se procede con el montaje del dispositivo.
La Figura 118 ilustra el comportamiento de la señal de salida, al aplicar una señal
de entrada sinusoidal de 10Voltspeak − peak, 20kHz al circuito de la Figura 167.
Actividad 2.2 Describa las características de la magnitud y la fase de la señal de
salida en comparación con la entrada.
Actividad 2.3 La Tabla 3 ilustra el valor de la ganancia ante diferentes valores de
frecuencia en el montaje, donde las medidas de tensión v0 están en Volts peak-peak
78 | 256
(a) Respuesta en la frecuencia (b) Respuesta en el tiempo
Figure 58: Respuesta en el tiempo y la frecuencia del circuito de la Figura 167
y las medidas de frecuencia están en kHertz. La amplitud de la señal de entrada vi

es constante e igual a 10 Volts peak-peak.
f v0 20 log10 (v0 /vi )

0.010
0.050
0.100
0.500
1.000
5.000
10.00
50.00
500.0
Table 2: Resultados del montaje.
Actividad 2.4 Compruebe con los datos obtenidos del circuito de la Fig. 167, que
el amplificador operacional se comporta como derivador.
El valor DC que se presenta a la salida del circuito de la Figura 112
(SI/NO) representa un problema, porque
.
Así, la solución a este problema puede ser conectando un potenciómetro
de 500kOhms en paralelo con el condensador. Esto se puede comprobar
para una frecuencia de 100 Hz, variando el valor del potenciómetro hasta
que la tensión DC presenta el siguiente comportamiento:
79 | 256
.
Otra solución a este problema puede ser
80 | 256
Amplificador Operacional Integral
En esta guía se presentan algunas configuraciones del amplificador op-

eracional, que serán útiles para que el estudiante se familiarice con el
importante uso que tiene este dispositivo en la electrónica.
El diseño de circuitos electrónicos por medio de Amplificadores Opera-
cionales (AO) permite resolver problemas involucrados con operaciones
lineales tales como suma, multiplicación, diferenciación e integración. En-
tendiendo la importancia de este elemento lineal dentro la la Electrónica,
es importente reconocer el funcionamiento del amplificador operacional
como operador derivador e integrador en electrónica analógica. El presente
trabajo ilustra un ejemplo simples de integrador. keywords: Amplificador
Derivador, Amplificador Integrador, Integrador de Miller.
1 Amplificador Integrador
Actividad 1.1 Simule el circuito de la Figura 167, con R f = 10kOhms, R1 =

10kOhms y C = 100nFarad, utilizando el modo de simulación de Respuesta en
Frecuencia (AC-sweep). Mantenga el valor de tensión Vin a 10 Volts, y mida la
tensión de salida vout del amplificador. ¿Cuál es la frecuencia de corte?
Figure 59: Integrador Miller.
Actividad 1.2 Construya el circuito de la Figura , con R f = 10kOhms, R1 =

10kOhms, C = 100nFarad, y una tensión de polarización del Amplificador Opera-
cional de ±12V.
Actividad 1.3 Aplique en la terminal Vin una señal de entrada senoidal de 20
Volts pico-pico. Con ayuda del osciloscopio compare la señal de entrada vin contra la
de salida vout , variando la frecuencia de la señal senoidal en 1, 10, 100, 103 , 104 , 105 , 106
Hertz.
Actividad 1.4 Aplique en la terminal Vin una señal de entrada cuadrada de 20
Volts pico-pico. Con ayuda del osciloscopio compare la señal de entrada vin contra la
de salida vout , variando la frecuencia de la señal senoidal en 1, 10, 100, 103 , 104 , 105 , 106
Hertz.
NOTA: El amplificador está trabajando en modo inversor, por lo que la
salida resulta negativa en comparación con la entrada
Se requieren de los siguientes materiales:
• Protoboard.
81 | 256
• Resistores y capacitores según los diseños.
• Amplificador TL084 ó LM324
1.1 Amplificador Integrador

Amplificador Integradorğ
La Figura 112 ilustra un Amplificador Operacional configurado como inte-

grador. Este circuito se denomina Integrador de Miller.
Figure 60: Amplificador Integrador.
Actividad 1.5 Calcule la función de ganancia de tensión v0 /vi

Por lo tanto, la frecuencia de corte se encuentra en rad/seg. De
este modo, para un integrador con ganancia DC igual a 10 dB, frecuencia
de corte de 10 kHz, e impedancia de entrada Z11 de 10kΩ los valores de
los componentes electrónicos se ilustran en la Tabla 1, teniendo en cuenta
valores comerciales.
Componente Valor Unidades

R1 kOhms
Rf kOhms
C nFarads
Table 1: Valores de los componentes electrónicos para el circuito de la Figura
112.
Amplificador Integradorğ
2 Resultados
Primero se realiza la simulación del dispositivo. La Figura 61(a) ilustra

la respuesta en frecuencia del circuito de la Figura 112, sea usando el di-
agrama de Bode o la opción AC sweep del simulador. Acto seguido se
procede con el montaje del dispositivo. La Figura 61(b) ilustra el compor-
tamiento de la señal de salida, al aplicar una señal de entrada sinusoidal
de 10Voltspeak − peak, 5kHz al circuito de la Figura 112.
82 | 256
(a) Respuesta en la frecuencia (b) Respuesta en el tiempo
Figure 61: Respuestas del circuito de la Figura 112
Actividad 2.1 Describa las características de magnitud y la fase de la señal de

salida en comparación con la entrada.
Sin embargo, en la Figura 61(b) se nota que existe una tensión DC en la
señal de salida. Esto ocurre porque
.
La Tabla 6 ilustra el valor de la ganancia ante diferentes valores de frecuen-
cia en el montaje, donde las medidas de tensión v0 están en Volts peak-peak
y las medidas de frecuencia f están en kHertz. La amplitud de la señal de
entrada vi es constante e igual a 10 Volts peak-peak.
f v0 20 log10 (v0 /vi )

0.010
0.050
0.100
0.500
1.000
5.000
10.00
50.00
500.0
La Figura 62 ilustra la respuesta de la señal de salida cuando al inte-

grador Miller se le aplica a Vin una señal de pulsos cuadrados cuyo valor
de tensión es igual a 10 Volts pico-pico. El periodo de la señal T es el
inverso de la frecuencia, por ejemplo, si la señal de pulsos cuadrados tiene
una frecuencia de 106 Hertz, el periodo es igual a T = 1/106 = 10−6 segun-
83 | 256
dos. Luego, la frecuencia (desde/en/hasta) donde el integrador

Tension (Volts)
+10 vin (t/T )

vout (t/T ) → 10 Hertz
0
−10
T/2 T
tiempo
Figure 62: Diagrama de ventana.
Miller se comporta como un integrador óptimo es de Hertz, porque
3 Conclusiones
Con respecto al circuito de la Figura 167, se pudo comprobar que el ampli-

ficador operacional se comporta como derivador, porque
.
Con respecto al circuito de la Figura 112, se pudo comprobar que el ampli-
ficador operacional se comporta como integrador, porque
.
El valor DC que se presenta a la salida del circuito de la Figura 112 (SI/NO)
representa un problema, porque
.
Así, la solución a este problema puede ser conectando un potenciómetro
de 500kOhms en paralelo con el condensador. Esto se puede comprobar
para una frecuencia de 100 Hz, variando el valor del potenciómetro hasta
que la tensión DC presenta el siguiente comportamiento:
84 | 256
.
Otra solución a este problema puede ser
85 | 256
Amplificador Sumador, Diferencial y de Instrumentación
Amplificador Sumador, Diferencial y

de Instrumentación
En esta práctica se da un acercamiento a los amplificadores operacionales,

con la finalidad de comprobar sus propiedades vistas en la clase. Se tra-
bajará con el amplificador diferencial y sumador-restador, realizando los
cálculos de los resistores adecuados en cada diseño. En esta guía se pre-
senta dos de las configuraciones más importantes del amplificador opera-
cional a la hora de trabajar en el tratamiento de señales, con el fin de que
el estudiante se familiaricen con el uso que tiene este dispositivo a la hora
de amplificar señales diferenciales y rechazar el ruido electrónico de las
señales a tratar.
keywords:Amplificador Operacional, Sumador, Amplificador de Instrumentación,
Restador, Sumador, Amplificador Diferencial, Fuente DC, Rechazo en modo
común, Resistencias, Seguidor de voltaje, TL084.
1 Amplificador Diferencial
El amplificador diferencial es utilizado para amplificar una señal diferencial

en la que ninguno de los terminales es la referencia (tierra). En la Figura
1., se observa esta configuración.
Figure 63: Amplificador diferencial.
86 | 256
La ecuación para esta configuración es:
V0 R2
= (13)
Vb − Va R1
1. Realizar el montaje mostrado en la Figura 2.
Figure 64: Circuito 1.
2. Por qué se hace necesario utilizar el seguidor de tensión, qué ocurre

en este circuito si no se utiliza?
3. Observar con el multímetro la señal de salida y compararla con el

valor de la fórmula y la simulación, qué ocurre?
4. Demostrar la Ec. (1).
2 Amplificador de instrumentación
El amplificador de instrumentación es utilizado para amplificar una señal

diferencial en la que ninguno de los terminales es la referencia (tierra),
a diferencia con la configuración anterior, éste tiene un rechazo al ruido
electrónico mayor (RRMC). En la Figura 3., se observa esta configuración.
Figure 65: Amplificador de instrumentación.
87 | 256
La ecuación para esta configuración es:
V0 R 2R2
= ( 4 )( + 1) (14)
Vb − Va R3 R1
1. Realizar el montaje mostrado en la Figura 4.
Figure 66: Circuito 2.
2. Por qué en este circuito no hay necesidad de utilizar el seguidor de

tensión?
3. Observar con el multímetro la señal de salida y compararla con el

valor de la fórmula y la simulación, qué ocurre?
4. Demostrar la Ec. (2).
2.1 Red generalizada con Amplificadores

Operacionales
El circuito de la Figura 167 está descrito por la ecuación sumadora general-

izante [3]:

Rf
m n v̄ j
vi
v0 = 1+ R∑ − Rf ∑ R̄ j , (15)
R̄ i =1
Ri j =1
donde:
• R es la resistencia equivalente de la suma en paralelo de los resistores
conectados al terminal no inversor.
1 1 1 1 1
= + + +...+
R R0 R1 R2 Rm
• R̄ es la resistencia equivalente de la suma en paralelo de los resistores

conectados al terminal inversor.
1 1 1 1 1
= + + + ... +
R̄ R̄0 R̄1 R̄2 R̄n
88 | 256
Figure 67: Red sumadora generalizada.
• Ri es el resistor por el que fluye la corriente creada por la variable vi .

• R̄ j es el resistor por el que fluye la corriente creada por la variable v̄ j .
• R f es el resistor de realimentación.
La resistencia equivalente Req es igual a:
Rf

Req = 1 + R = Rf
R̄
Quedando la Ecuación (21) como:
m n v̄ j
vi
v0 = R f ∑ Ri
− Rf ∑ R̄ j , (16)
i =1 j =1
Se tienen los siguientes parámetros [3]:
Rf Rf
ai = ;b j =
Ri R̄ j
m
A= ∑ ai (17a)
i =1
n
B= ∑ bj (17b)
j =1
Para que las impedancias en ambas entradas se consideren iguales, se

tiene la ecuación de balance [3]:
1 1 1 1
+ + +...+ =
R0 R1 R2 Rm
89 | 256
1 1 1 1 1
+ + + ... + + (18)
R̄0 R̄1 R̄2 R̄n Rf
Factorizando las Ecuaciones (23a) y (23b) en la Ecuación (24) se obtiene:
AT A−B−1 1 1
= = − (19)
Rf Rf R̄0 R0
A partir de la Ecuación (25), es claro que se puede obtener R0 o R̄0

a partir del valor de la ganancia total del sumador A T . La Tabla 1 es-
tablece los valores de R0 y R̄0 que pueden obtenerse a partir de ciertos
puntos críticos, donde Zi es el valor de impedancia de entrada de dis-
eño, que se asume igual para ambas entradas, i.e., Zi+ = Zi− = Zi , y
κ = sup { A, ( B + 1), | A T |}.
AT Valores a calcular
R0 R0 Ri R̄ j Rf
Rf
>0 ∞ AT
R Rf Rf
<0 − ATf ∞ ai bj ≥ κZi
=0 ∞ ∞
Table 1: Valores para el cálculo de R0 y R̄0 [3]
3 Marco Experimental
3.1 Materiales
Materialesğ
• Fuente DC
• Multímetro
• Amplificador Operacional TL084
• Resistores de diversos valores de acuerdo a los diseños.
Materialesğ
4 Resultados
4.1 Amplificador NO inversor

Amplificador NO inversorğ
Para que la ganancia del amplificador en el circuito de la Figura 103

sea de 5 Volt/Volt, los valores de R1 y R2 son respectivamente y
90 | 256
Vin (Volts) Vout

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Table 2: Valores para el cálculo de ganancia del Amplificador no–inversor.
Figure 68: Configuración NO inversora
Ohms. Se puede comprobar la linealidad de la ganancia mediante

los resultados mostrados en la Tabla 5.
Amplificador NO inversorğ
4.2 Circuito Sumador
En la Figura 157, se muestra la configuración de un sumador inversor, tal

que
vo = −(2v̄1 + 3v̄2 ) , (20)
el cual es una aplicación del circuito de la Figura 167, donde los elementos
conectados a la entrada inversora del Amplificador poseen una barra en la
parte superior ( R̄ j , v̄ j ) [2].
Asumiendo Zi = 20 kOhms, el cual es un valor adecuado para el fun-
cionamiento del dispositivo, se realiza la comparación de la Ecuación (29)
con la Ecuación (22) y la Tabla 1, obteniendo así los parámetros de diseño
mostrados en la Tabla 2.
91 | 256
Figure 69: Sumador

A 0 Adimensional
B 5 Adimensional
AT -6 Adimensional
κ 6 Adimensional
Zi 20 kOhms
Rf kOhms
R̄1 kOhms
R̄2 kOhms
R0 kOhms
Table 3: Valores para el cálculo de elementos del circuito de la Figura 157
5 Resultados
En la Figura 157. se muestra la configuración de un sumador invertido.

los valores de resistencia calculados R1 , R2 y R3 son respectivamente
, y , de forma que Vout = −(2Vin,1 + 3Vin,2 ). El
valor de resistencia R4 es para minimizar los efectos de la corri-
ente de polarización de entrada. Se puede comprobar la linealidad de la
ganancia mediante los resultados mostrados en la Tabla 5.
Para evaluar el desempeño del sumador, se simula el circuito de la Figura
157 con los parámetros calculados de la Tabla 2. Luego, aplicando una ten-
sión de polarización de ±12 Volts y v̄1 = 1Volt, v̄2 = 2Volts, el valor
resultante v0 es igual a Volts. Al implementar el circuito, se aplica
una tensión de polarización de ±12 Volts, con v̄1 = 1Volts y v̄2 = 2 Volts
al circuito de la Figura 157. El resultado es el valor de v0 medido de
Volts. Paso seguido, al aplicar una onda sinusoidal con una ampli-
tud de 1 Volt peak-peak y una frecuencia de 1kHertz a la entrada v̄1 , con
92 | 256
Vin,2 (Volts) Vout

0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Table 4: Valores para el cálculo de ganancia del Amplificador sumador. Vin,1
se fija en 1 Volt.
Figure 70: Sumador
una fuente de 2 Volts a la entrada v̄2 , y una tensión de polarización al AO

de ±12 Volts, la forma de onda de la señal v0 medida se ilustra en la Figura
132, indicando la escala de tensión y frecuencia. Esto se debe a que
.
Existen algunas variaciones entre el valor v0 calculado, simulado y medido,
debido a que
93 | 256
Figure 71: Forma de onda Vout .
6 Conclusiones
Con respecto al amplificador inversor se pudo comprobar que
.
Con respecto al amplificador no inversor se pudo comprobar que
.
Con respecto al amplificador sumador se pudo comprobar que
94 | 256
Sumador-Restador y Sistemas Lineales
Sumador-Restador y Sistemas
Lineales
En esta guía se presenta algunas configuraciones del amplificador opera-

cional, que serán útiles para que el estudiante se familiarice con el impor-
tante uso que tiene este dispositivo en electrónica.
keywords: Amplificador Operacional(AO), Amplificador Sumador inversor,
Amplificador Restador, Fuente DC, Generador de señales, LM324, Oscilo-
scopio, Resistencias.
1 Introducción
Todo sistema o planta observable puede ser representado por un sistema

lineal o no–lineal de ecuaciones. Los amplificadores operacionales son
dispositivos de gran desempeño para elaborar modelos que representen
dichas ecuaciones. En este trabajo se ilustra un ejemplo práctico de diseño
de un modelo de un sistema que es representado por un sistema lineal de
ecuaciones.
2 MATERIALES
• Protoboard
• Amplificador Operacional LM324 o TL084
• Resistencias según los diseños
• Fuente DC
• Multímetro
• Osciloscopio ó scopemeter
• Generador de señales
95 | 256
3 Marco Teórico
3.1 Red generalizada con Amplificadores

Operacionales
El circuito de la Figura 167 está descrito por la ecuación sumadora general-

izante [3]:
Figure 72: Red sumadora generalizada usando Amplificador Operacional.

Rf
m n v̄ j
vi
v0 = 1+ R∑ − Rf ∑ R̄ j , (21)
R̄ i =1
Ri j =1
donde:
• R es la resistencia equivalente de la suma en paralelo de los resistores

conectados al terminal no inversor.
1 1 1 1 1
= + + +...+
R R0 R1 R2 Rm
• R̄ es la resistencia equivalente de la suma en paralelo de los resistores

conectados al terminal inversor.
1 1 1 1 1
= + + + ... +
R̄ R̄0 R̄1 R̄2 R̄n
• Ri es el resistor por el que fluye la corriente creada por la variable vi .
• R̄ j es el resistor por el que fluye la corriente creada por la variable v̄ j .
96 | 256
• R f es el resistor de realimentación.
La resistencia equivalente Req es igual a:
Rf

Req = 1 + R = Rf
R̄
Quedando la Ecuación (21) como:

m n v̄ j
vi
v0 = R f ∑ Ri
− Rf ∑ R̄ j , (22)
i =1 j =1
Se tienen los siguientes parámetros [3]:
Rf Rf
ai = ;b j =
Ri R̄ j
m
A= ∑ ai (23a)
i =1
n
B= ∑ bj (23b)
j =1
Para que las impedancias en ambas entradas se consideren iguales, se

tiene la ecuación de balance [3]:
1 1 1 1
+ + +...+ =
R0 R1 R2 Rm
1 1 1 1 1
+ + + ... + + (24)
R̄0 R̄1 R̄2 R̄n Rf
Factorizando las Ecuaciones (23a) y (23b) en la Ecuación (24) se obtiene:
AT A−B−1 1 1
= = − (25)
Rf Rf R̄0 R0
A partir de la Ecuación (25), es claro que se puede obtener R0 o R̄0

a partir del valor de la ganancia total del sumador A T . La Tabla 1 es-
tablece los valores de R0 y R̄0 que pueden obtenerse a partir de ciertos
puntos críticos, donde Zi es el valor de impedancia de entrada de dis-
eño, que se asume igual para ambas entradas, i.e., Zi+ = Zi− = Zi , y
κ = sup { A, ( B + 1), | A T |}.
3.2 Sistema de Ecuaciones Lineales

Sistema de Ecuaciones Linealesğ
Basado en el método propuesto en [3], se puede extender la aplicación

sumadora de la Ecuación (22) para el caso de un sistema de n ecuaciones
97 | 256
AT Valores a calcular
R0 R0 Ri R̄ j Rf
Rf
>0 ∞ AT
R Rf Rf
<0 − ATf ∞ ai bj ≥ κZi
=0 ∞ ∞
Table 1: Valores para el cálculo de R0 y R̄0 [3]
lineales con n incognitas de la forma
· · · a1n
    
a11 a12 x1 b1
 a21 a22 · · · a2n   x2   b2 
= (26)
    
 .. .. .. ..   .. .. 
 . . . .  .   . 
an1 an2 · · · ann xn bn
Para aplicar el método, se despeja cada una de las incógnitas de la

ecuación (26), obteniendose n ecuaciones linealmente independientes, es
decir,
b1 a a a
x1 = − 12 x2 − 13 x3 − · · · − 1n xn
a11 a11 a11 a11
b2 a a23 a2n
x2 = − 21 x1 − x3 − · · · − xn
a22 a22 a22 a11
.. ..
.=. (27)
bn a an2 a n ( n −1)
xn = − n1 x2 − x3 − · · · − x n −1
ann ann ann ann
Se normalizan los términos independientes a fin de utilizar el numero
minimo de fuentes DC. Para ello se multiplica y divide por el factor de
normalización |v|, quedando la Ecuación (27) como:
b1 a12 a13 a1n

x1 = x0 − x2 − x3 − · · · − xn
|v| a11 a11 a11 a11
b2 a21 a23 a2n
x2 = x0 − x1 − x3 − · · · − xn
|v| a22 a22 a22 a11
.. ..
.=. (28)
bn an1 an2 a n ( n −1)
xn = x0 − x2 − x3 − · · · − x n −1
|v| ann ann ann ann
Donde x0 es la tensión de referencia y x0 /|v| = 1. Así, cada variable xi

puede resolverse usando la Ecuación (22), usando xi = vi con las respecti-
vas variables de salida.
Sistema de Ecuaciones Linealesğ
98 | 256
4 Marco experimental
En la Figura 157, se muestra la configuración de un sumador inversor, tal

que
vo = −(2v̄1 + 3v̄2 ) , (29)
el cual es una aplicación del circuito de la Figura 167, donde los elementos
conectados a la entrada inversora del Amplificador poseen una barra en la
parte superior ( R̄ j , v̄ j ) [2].
Figure 73: Sumador
Asumiendo Zi = 20 kOhms, el cual es un valor adecuado para el fun-

cionamiento del dispositivo, se realiza la comparación de la Ecuación (29)
con la Ecuación (22) y la Tabla 1, obteniendo así los parámetros de diseño
mostrados en la Tabla 2.

A 0 Adimensional
B 5 Adimensional
AT -6 Adimensional
κ 6 Adimensional
Zi 20 kOhms
Rf kOhms
R̄1 kOhms
R̄2 kOhms
R0 kOhms
Table 2: Valores para el cálculo de elementos del circuito de la Figura 157
99 | 256
4.2 Sistema de ecuaciones lineales ejemplo

Sistema de ecuaciones lineales ejemploğ
Se tiene un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas (sistema (2 × 2))

dado por
6x + 5y = 2
7x + 8y = 11 (30)
Usando la Ecuación (28), tenemos que:
2 − 5y 1 5
x= = − y
6 3 6
11 − 7x 11 7
y= = − x (31)
8 8 8
Resolviendo para la variable y:

11 7 1 5
y= − − y
8 8 3 6
11 7 35
y= − + y
8 24 48
y=4
Resolviendo para la variable x:
1 5
x= − ( y = 4)
3 6
9
x=− = −3
3
Usando la ecuación (31), con |v| = v0 = 5, v x = x y vy = y:
1 5
vx = v0 − vy (32a)
15 6
11 7
vy = v0 − vx (32b)
40 8
Asumiendo en el diseño que la impedancia de entrada es de Zi =
20kOhms, y tomando la Ecuación (22) y la Tabla 1, se obtienen los sigu-
ientes parámetros de diseño para la Ecuación (32a), mostrados en la Tabla
3.
Para la Ecuación (32b) se obtiene los parámetros de la Tabla 4
El montaje de la Figura 158 es el circuito solución al sistema de ecua-
ciones ejemplo.
Sistema de ecuaciones lineales ejemploğ
100 | 256

A 1/15 Adimensional
B 5/6 Adimensional
1 5
AT 15 − 6 − 1 = −53/30 Adimensional
5
κ 6 + 1 = 11/6 Adimensional
Zi 20 kOhms
Rf ≥ 116 × 20 = 36.667 ≈ 39 kOhms
39×103
R0
−( −3053 )
= 22.0755 ≈ 22 kOhms
39×10 3
R1 = 585 ≈ 560 kOhms
( 151 )
39×103
R̄1 = 46.8 ≈ 47 kOhms
( 65 )
Table 3: Parámetros del la Ecuación (32a) para el cálculo de elementos del
circuito de la Figura 158

A 11/40 Adimensional
B 7/8 Adimensional
11 7
AT 40 − 8 − 1 = −8/5 Adimensional
7
κ 8 + 1 = 15/8 Adimensional
Zi 20 kOhms
Rf ≥ 15 8 × 20 = 37.5 ≈ 39 kOhms
39×103
R0
−( −58 )
= 24.375 ≈ 24 kOhms
39×10 3
R1 = 141.818 ≈ 150 kOhms
( 11
40 )
39×103
R̄1 = 44.57 ≈ 43 kOhms
( 78 )
Table 4: Parámetros del la Ecuación (32b) para el cálculo de elementos del
101 | 256
Figure 74: Diseño sistema lineal de ecuaciones ejemplo.
4.3 Sistema de ecuaciones lineales propuesto

Sistema de ecuaciones lineales propuestoğ
Así, para construir el circuito que modele el sistema de dos ecuaciones con
dos incógnitas (sistema (2 × 2)) dado por:
a11 x + a12 y = b1
a21 x + a22 y = b2 (33)
, donde la Tabla 5 ilustra los coeficientes del sistema a ser modelado por
medio de amplificadores operacionales.
Grupo a11 a12 a21 a22 b1 b2
Table 5: Coeficientes del sistema de ecuaciones propuesto.
Usando la Ecuación (28), tenemos que:
x= + y
y= + x (34)
Resolviendo, se tiene y = y x = . Usando la ecuación

(34), con |v| = v0 = 5, v x = x y vy = y:
vx = v0 + vy (35a)
vy = v0 + vx (35b)
102 | 256
A=
B=
AT =
κ = sup { A, B + 1, | At|}
κ=
Rf =
R0 =
R1 =
R̄1 =
Table 6: Parámetros de la Ecuación (35a) para el cálculo de elementos del

A=
B=
AT =
κ = sup { A, B + 1, | At|}
κ=
Rf =
R0 =
R1 =
R̄1 =
Table 7: Parámetros de la Ecuación (35b) para el cálculo de elementos del

103 | 256
Asumiendo en el diseño que la impedancia de entrada es de Zi =

20kOhms, para la Ecuación (35a) se obtienen los parámetros de la Tabla 6.
Para la Ecuación (35b) se obtienen los parámetros de la Tabla 7.
El montaje de la Figura 159 es el circuito solución al sistema de ecua-
ciones propuesto.
Figure 75: Diseño sistema lineal de ecuaciones propuesto.
5 Resultados

Circuito Sumadorğ
Para evaluar el desempeño del sumador, se simula el circuito de la Figura

157 con los parámetros calculados de la Tabla 2. Luego, aplicando una
tensión de polarización de ±12 Volts y v̄1 = 1Volt, v̄2 = 2Volts, el valor
resultante v0 es igual a Volts. Al implementar el circuito, se aplica
una tensión de polarización de ±12 Volts, con v̄1 = 1Volts y v̄2 = 2 Volts
al circuito de la Figura 157. El resultado es el valor de v0 medido de
Volts. Paso seguido, al aplicar una onda sinusoidal con una ampli-
tud de 1 Volt peak-peak y una frecuencia de 1kHertz a la entrada v̄1 , con
una fuente de 2 Volts a la entrada v̄2 , y una tensión de polarización al AO
de ±12 Volts, la forma de onda de la señal v0 medida se ilustra en la Figura
132. Esto se debe a que
.
Existen algunas variaciones entre el valor v0 calculado, simulado y medido,
debido a que
104 | 256
Figure 76: Forma de onda Vout indicando la escala de tensión y frecuencia.
Circuito Sumadorğ
5.2 Simulación del sistema de ecuaciones lineales

ejemplo
Simulación del sistema de ecuaciones lineales ejemploğ
Para evaluar el desempeño del sistema de ecuaciones lineales ejemplo,

se simula el circuito de la Figura 158 con los parámetros calculados de
las Tablas 3 y 4. Luego, aplicando una tensión de polarización de ±12
Volts y vin = 5Volt, el valor resultante es igual a x = Volts y
y = Volts. Al implementar el circuito, se aplica una tensión de
polarización de ±12 Volts, con vin = 5 Volts al circuito de la Figura
159. Como resultado se tienen los valores medidos x = Volts y
y = Volts. Paso seguido, al aplicar una onda sinusoidal con una
amplitud de 10 Volt peak-peak y una frecuencia de 1kHertz a la entrada de
referencia vin y una tensión de polarización al AO de ±12 Volts, la formas
de onda medidos en x y y se ilustran en la Figura 133. Esto se debe a que
.
Existen algunas variaciones entre los valores x, y calculados, simulados y
medidos, debido a que
105 | 256
Figure 77: Formas de onda x, y indicando las respectivas escalas de tensión y

tiempo.
Simulación del sistema de ecuaciones lineales ejemploğ
5.3 Sistema de ecuaciones lineales propuesto

Para evaluar el desempeño del sistema de ecuaciones lineales ejemplo,

se simula el circuito de la Figura 159 con los parámetros calculados de
la Tablas 6 y 7. Luego, aplicando una tensión de polarización de ±12
Volts y vin = 5Volts, el valor resultante es igual a x = Volts y
y= Volts. Al implementar el circuito, se aplica una tensión de polar-
ización de ±12 Volts, con vin = 5Volts al circuito de la Figura 159. Como re-
sultado se tienen los valores medidos x = Volts y y = Volts.
Paso seguido, al aplicar una onda sinusoidal con una amplitud de 10 Volt
peak-peak y una frecuencia de 1kHertz a la entrada de referencia vin , y una
tensión de polarización al AO de ±12 Volts, la formas de onda medidos en
x y y se ilustran en la Figura 83. Esto se debe a que
.
Existen algunas variaciones entre los valores x, y calculados, simulados y
medidos, debido a que
106 | 256
Figure 78: Formas de onda x, y indicando las respectivas escalas de tensión y

tiempo.
6 Conclusiones
Con respecto al sumador, se pudo comprobar que
.
Con respecto al sistema lineal, se pudo comprobar que
.
Se necesitaron realizar los siguientes ajustes
.
Lo anterior comprueba las siguientes debilidades de los circuitos imple-
mentados
107 | 256
Así, las siguientes mejoras se realizaron:
.
(Evaluador) Los valores de tensión máximos a la entrada antes de presentar
una saturación en alguna de las etapas en el circuito de la Figura 167 fueron
de volts. Luego, comparando con los parámetros exigidos, se pudo
comprobar que (SI/NO) se cumplió con los valores de ganancia,
porque
.
108 | 256
Aplicaciones con Diodos
Aplicaciones con Diodos
1 Rectificadores
1. Realizar los pasos matemáticos requeridos para calcular la ganancia

de tensión del rectificador de la Figura 157.
2. Utilizando el resultado del ejercicio anterior, dibuje la curva paramétrica

v0 /vi .
Figure 79: Circuito
109 | 256
Aplicaciones con Diodos (B)
Aplicaciones con Diodos (B)
1 Análisis del Diodo en pequeña señal
Para el circuito en la Figura 80, con I = 5 + 0.001 cos 2πt mAmpéres, Rs =

1k Ohm, R1 = 1k Ohm, R L = 3.3k Ohms, C → ∞, Va = sin 2πt mVolts y
Vb = 10 Volts, y teniendo en cuenta la curva característica de la corriente
i D en la Figura 81:
i D C
+ - - + D +
m Vb Va
m
6I Rs R1 RL vL
-
Eq. Thèvenin
Figure 80: Circuito
iD
6
iD = 0 i D = 2 × 10−2 v2D
-
0 vD
Figure 81: Curva característica
1. Calcule la magnitud de la tensión medida sobre el diodo, de su

corriente i D y la tensión medida sobre la carga v L en el punto de
trabajo (Q).
2. Deducir la expresión para la resistencia dinámica rd y calcular su

valor para η = 1.5 a una temperatura de 300◦ Kelvin.
3. Trazar las rectas de carga para el análisis en corriente contínua y en

corriente alterna, especificando el valor de la pendiente en cada curva.
Calcule la tensión medida sobre la carga v L .
110 | 256
Aplicaciones con Diodos (C)
Aplicaciones con Diodos (C)
1 Diodo Varactor (A)
El circuito de la Figura 82 ilustra la implementación de un sintonizador

variable. Para la Figura 132, la impedancia de entrada Z11 está dado por:
vi (1/Cs)( R + Ls) R (1 + ( L/R)s)

Z11 = = = 2
ii R + Ls + (1/Cs) LC s + ( R/L)s + (1/LC )
Siendo el denominador de la forma s2 + (ω0 /Q)s + ω02 , donde ω0 es la

frecuencia de corte del polo y Q el Factor de Calidad, tenemos que:
r
1
ω0 =
LC
r
1 L
Q= .
R C
(36)
• En el circuito en la Figura 132, con R = 50 Ohm, calcule los valores de

inductancia L y capacitancia C para que el factor de calidad Q(vi /ii )
sea de 30 y la frecuencia de resonancia sea de 20 kHz.
• Con los valores de Capacitancia e Inductancia calculados en el ejer-

cicio, determine cuánto cambia el factor de calidad al aplicar el
diodo varactor, como se ilustra en la Figura 133, teniendo en cuenta
el modelo equivalente mostrado en la Figura 83, con CD = 35 ×
−γ
10−12 1 + Vv0i + 0.1 × 10−12 Farads, vi = 4 + 0.001 sin ωt Volts,
Rs = ηVT /IDQ , η = 1.5, VT = 23mVolts, V0 = 0.6 Volts y γ = 0.5.
111 | 256
Aplicaciones con Diodos (D)
(a) Circuito Pasivo (b) Circuito Compensado
Figure 82: Compensación de un circuito resonante
Figure 83: Modelo del diodo varactor
1 Diodo Varactor (B)
El circuito de la Figura 84 ilustra la implementación de un sintonizador

variable. Se pretende modificar el circuito de la Figura 84(a), el cual tiene
como parámetros C1 = C2 = C3 = C4 = 10µ Farads, R1 = 47kOhms,
L = 1mHenrz, utilizando el circuito de la Figura 84(b), de tal manera que
tenga un alto factor de calidad ( Q) entre 0.679 y 1.22 MHertz.
• Calcule la ganancia de tensión V0 (ω )/Vi (ω ) y la impedancia de en-

trada Z11 (ω ) en función de la frecuencia ω para el circuito de la
Figura 84(a). Calcule (analíticamente y bajo simulación) el factor de
calidad Q.
• Dado que la capacitancia del Diodo Varactor varía entre 17 y 55

pFarads para valores correspondientes de tensión entre 2.9 y 29 Volts,
calcule el valor R4 para que el circuito de la Figura 84(b) funcione bajo
los parámetros de diseño expuestos anteriormente, usando VBI AS =
60 Volts, R2 = 2.2MOhms. Esto significa que los valores extremos del
potenciómetro en R4 deben corresponder a los valores extremos de
112 | 256
capacitancia del varactor (17 y 55 pFarads).
• Calcule para el circuito de la Figura 84(b) la ganancia de tensión

V0 (ω )/Vi (ω ) y la impedancia de entrada Z11 (ω ) en función de la
frecuencia ω para los dos valores extremos de R4 . Calcule (analítica-
mente y bajo simulación) el factor de calidad Q.
(a) Pasivo
(b) Con Diodo Varactor
Figure 84: Circuito Resonante
113 | 256
Clamper circuit
Clamper circuit
En esta práctica se da un acercamiento práctico a los diodos, con la fi-

nalidad de comprobar sus propiedades vistas en la clase. Se trabajará
realizando los cálculos en pequeña señal y saturación de los resistores ade-
Keywords: Diodo, rectificador, recortador, limitador, zener, compuerta lóg-
ica.
1 Introduction
Un diodo es un dispositivo de dos terminales que permite el paso de la

corriente en una sola dirección. Este término generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad. Los
diodos proveen una amplia gama de aplicaciones en electrónica, debido a
que es el componente de conmutación básico, y la combinación de varios de
ellos con otros dispositivos provee una función determinada. El presente
trabajo ilustra el diseño y funcionamiento de tres dispositivos basados en
diodos, y los aspectos a tener en cuenta para el óptimo desempeño del
mismo.
2 Clamper
El circuito de la Figura 91 es un circuito levantador (Clamper). Considerando

C
- +
Vb +
vi D R vo
-
que vi es una fuente senoidal simétrica, cuyo valor de amplitud peak–peak

es mayor que la tensión de polarización del diodo, la salida v0 se comporta
de la siguiente manera:
114 | 256
Clamper circuit
.
La Figura 97 ilustra este comportamiento. La tensión a la cual queda
cargado el condensador es igual a Vb = Volts.
v0
vin
Figure 86: Gráfica paramétrica v0 /vi .
Se ha obtenido los siguientes diodos con las características que se ilustran

en la Tabla 1.
3.1 Materiales
Materialesğ
Se requieren entonces los siguientes materiales para la implementación de

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard
• Diodos de acuerdo con la aplicación: Conmutación, Zener, Fotodio-

dos.
• Amp. Op. TL084 donde se requiera.
115 | 256
Clamper circuit
Circuito Parámetro Valor Unidades

Corriente de Operación (a 20◦ C) Amperes
Figura 91 Tensión de Polarización Volts
Corriente Máxima Permitida Amperes
Resistencia interna rd Ohms
Tensión de Polarización Volts
Figura 117 Tensión inversa Zéner Volts
Table 1: Parámetros Diodos
• Resistores y capacitores de diversos valores de acuerdo a los diseños.
Materialesğ
3.2 Circuito levantador

Circuito levantadorğ
El siguiente es el análisis para calcular el valor del Capacitor C y de la

Resistencia R, para que el circuito de la Figura 91 funcione adecuadamente
desde una frecuencia de 1 kHertz.
Circuito levantadorğ
116 | 256
Clamper circuit
4 Resultados
4.1 Simulación
Simulaciónğ
Para los circuitos correspondientes a las Figuras 91 y 117, la Figura 157

ilustra, mediante simulación, el comportamiento en el tiempo de la señal de
salida V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud
pico–pico de 10 Volts. La Figura 158 ilustra la respuesta en frecuencia del
Figure 87: Simulacion de las formas de onda vi , v0 para los circuitos de las
Figuras 91 y 117, indicando las respectivas escalas de tension y
tiempo.
circuito de la Figura 91, aplicando una señal senoidal de amplitud 10 Volts

peak–peak y frecuencia entre 100 y 106 Hertz. La Figura 159 ilustra la
gráfica paramétrica i D /v1 del diodo conectado a la fuente v1 para cuando,
en el circuito de la Figura 112, se tiene V1 = [0, 5] Volts y V2 = 5 Volts.
Simulaciónğ
4.2 Montaje
Montajeğ
Al realizar el montaje de los circuitos correspondientes a las Figuras 91

y 117, la Figura 160 ilustra el comportamiento en el tiempo de la señal
de salida V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de am-
plitud pico–pico de 10 Volts. El valor medido al cual se carga el con-
densador del circuito de la Figura 91 es de Vb = Volts. Si, en el
117 | 256
Clamper circuit
Figure 88: Simulacion de la respuesta en frecuencia para el circuito de las

Figura 91, indicando las respectivas escalas de tension y frecuencia.
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
Figure 89: Simulacion de la curva paramétrica i D1 , v1 para el circuito de la

Figura 112, indicando las respectivas escalas de corriente y tension.
circuito de la Figura 91, se cambia la resistencia del valor R a 0.5R, se nota

que la corriente que pasa a través de la resistencia cambia de a
Ampéres. Esto se debe a que:
118 | 256
Clamper circuit
Figure 90: Medición mediante osciloscopio de las formas de onda vi , v0 para los
circuitos de las Figuras 91 y 117, indicando las respectivas escalas
de tension y tiempo.
.
Si, en el circuito de la Figura 112, se cambia la resistencia del valor R a
0.5R, se nota que la corriente que pasa a través de la resistencia cambia de
a Ampéres RMS. Esto se debe a que:
.
Montajeğ
5 Conclusiones
Con respecto al diodo en el circuito de la Figura 91, se pudo comprobar

que
119 | 256
Clamper circuit
.
120 | 256
Clipper Circuit
Clipper Circuit

Keywords: Diodo, rectificador, recortador, limitador, zener, compuerta lóg-
ica.
1 Introduction

referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad. Los dio-
dos proveen una amplia gama de aplicaciones en electrónica, debido a que
es el componente de conmutación básico, y la combinación de varios de
trabajo ilustra el diseño y funcionamiento de tres dispositivos basados
en diodos, y los aspectos a tener en cuenta para el óptimo desempeño
del mismo. El circuito de la Figura 91 es un circuito sujetador (Clipper).
Considerando que vi es una fuente senoidal simétrica, cuyo valor de ampli-
R
+
D
+
vi Vb vo
-
R
-
tud peak–peak es mayor que la tensión de polarización del diodo, la salida

v0 se comporta de la siguiente manera:
121 | 256
Clipper Circuit
.
La Figura 97 ilustra este comportamiento.
v0
vin
Figure 92: Gráfica paramétrica v0 /vi . Vb = 3 Volts.
Se han obtenido los siguientes diodos con las características que se ilustran
en la Tabla 1.

122 | 256
Clipper Circuit
2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard

dos.

El siguiente es el análisis para calcular el valor de la resistencia R, para
que la corriente que pasa por el diodo en el circuito de la Figura 91 sea de
I = 100mAmpéres cuando vi > Vd + Vb + 2IR.
Materialesğ
3 Resultados
3.1 Simulación
Simulaciónğ

pico–pico de 10 Volts. La Figura 159 ilustra la gráfica paramétrica i D /v1
del diodo conectado a la fuente v1 para cuando, en el circuito de la Figura
112, se tiene V1 = [0, 5] Volts y V2 = 5 Volts.
Simulaciónğ
123 | 256
Clipper Circuit
tiempo.
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
Figure 94: Simulacion de la curva paramétrica i D1 , v1 para el circuito de la

Figura 112, indicando las respectivas escalas de corriente y tension.
3.2 Montaje
Montajeğ
Al realizar el montaje de los circuitos correspondientes a las Figuras 91 y

117, la Figura 160 ilustra el comportamiento en el tiempo de la señal de
124 | 256
Clipper Circuit

pico–pico de 10 Volts. El valor medido al cual se carga el condensador del
Figure 95: Medición mediante osciloscopio de las formas de onda vi , v0 para los
circuitos de las Figuras 91 y 117, indicando las respectivas escalas
circuito de la Figura 91 es de Vb = Volts.

a Ampéres. Esto se debe a que:
.
Montajeğ
125 | 256
Clipper Circuit
4 Conclusiones

que
.
que
.
que
.
(Evaluador) La corriente máxima que se pudo tranferir al Motor en el
circuito de la Figura 126fue de Ampéres. Luego, dado que la corri-
ente máxima que se le puede entregar al Motor es de Ampéres , se
pudo comprobar que (SI/NO) se cumplió con el diseño, porque
.
126 | 256
Voltage Doubler
Voltage Doubler

cuados en cada caso. keywords: Diodo, rectificador, recortador, limitador,
zener, compuerta lógica.
1 Introduction

referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad. Los dio-
dos proveen una amplia gama de aplicaciones en electrónica, debido a que
es el componente de conmutación básico, y la combinación de varios de
mismo.
El circuito de la Figura 96 es un circuito doblador de tensión (Doubler).
Considerando que vi es una fuente senoidal simétrica, cuyo valor de ampli-
tud peak–peak es mayor que la tensión de polarización del diodo, la salida

v0 se comporta de la siguiente manera:
127 | 256
Voltage Doubler
.
La Figura 97 ilustra este comportamiento. La tensión a la cual queda
cargado el condensador a la salida es igual a Vb = Volts.
v0
vin
Se han obtenido los siguientes diodos con las características que se ilustran
en la Tabla 1.
128 | 256
Voltage Doubler
2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard
dos.
Materialesğ
2.2 Circuito doblador

Circuito dobladorğ
Debido a que no hay elementos resistivos en el doblador de la Figura 96, se

asume que las resistencia dinámica de cada Diodo rd será la parte resitiva
en el cicuito de carga-descarga RC. El siguiente es el análisis para calcular
el valor de los Capacitores, para que el circuito de la Figura 96 funcione
adecuadamente desde una frecuencia de 60 Hertz.
Circuito dobladorğ
3 Resultados
3.1 Simulación
Simulaciónğ

129 | 256
Voltage Doubler

tiempo.

Simulaciónğ
3.2 Montaje
Montajeğ

pico–pico de 10 Volts. El valor medido al cual se carga el condensador
del circuito de la Figura 91 es de Vb = Volts. Si, en el circuito
de la Figura 112, se cambia la resistencia del valor R a 0.5R, se nota
que la corriente que pasa a través de la resistencia cambia de a
Ampéres. Esto se debe a que:
130 | 256
Voltage Doubler
Figure 99: Simulacion de la respuesta en frecuencia para el circuito de las

Figura 91, indicando las respectivas escalas de tension y frecuencia.
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
Figure 100: Simulacion de la curva paramétrica i D1 , v1 para el circuito de

la Figura 112, indicando las respectivas escalas de corriente y
tension.

131 | 256
Voltage Doubler
Figure 101: Medición mediante osciloscopio de las formas de onda vi , v0 para

los circuitos de las Figuras 91 y 117, indicando las respectivas
escalas de tension y tiempo.
Montajeğ
4 Conclusiones

que
.
que
.
que
132 | 256
Voltage Doubler
.
.
133 | 256
Circuitos rectificadores mediante el uso de diodos
Circuitos rectificadores mediante el

uso de diodos
En esta práctica se da un acercamiento práctico a los diodos, utilizándolos

dentro de circuitos rectificadores.
keywords: Diodo, Media Onda, Onda Completa, Rectificador.
En electrónica, un rectificador es el elemento o circuito que permite con-
vertir la corriente alterna en corriente continua. Los rectificadores tienen
varios usos, los cuales incluyen componentes de suministros de potencia
y detectores de señales de radio. El proceso de rectificación se realiza uti-
lizando diodos de conmutación, ya sean semiconductores de estado sólido,
válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. El
primer aspecto importante en la rectificación es la pérdida entre la tensión
pico de entrada y la tensión pico de salida, debida a la tensión de polar-
ización de los diodos (alrededor de 0.7 Volts para diodos P-N de silicio y 0.3
Volts para diodos Schottky). Los circuitos de rectificación de media onda
y de onda completa, al usar dos puntos del secundario del transformador
separados, obtienen una pérdida de tensión de un diodo. Por otro lado, un
circuito rectificador de puente de diodos obtiene una pérdida de tensión
de dos diodos, representando una pérdida de potencia significativa para
funtes de tensión bajas. Debido a que los diodos no conducen por debajo
de la tensión de activación, el circuito solo entregará energía en una por-
ción de cada medio ciclo, lo que se define como un recorte en el ciclo de
trabajo. El segundo aspecto importante en la rectificación es la estabilidad
de la tensión DC a la salida, debido a que el circuito rectificador por si
solo no entrega un valor constante. Para producir una tensión DC desde
una fuente AC, se requiere un circuito suavizador. Este circuito requiere
simplemente un capacitor denominado de suavizado o de reserva, colocado
en paralelo a la salida del rectificador. Sin embargo, aún persiste una can-
tidad de oscilación AC denominado rizado (ripple), que hace que la señal
de salida aún no esté constante. Así, el diseño del capacitor representa un
problema. Para una carga determinada, por ejemplo, un capacitor de valor
alto reducirá el rizado pero será más costoso y crearía altas corrientes pico
en el transromador secundario y en la carga. En casos extremos donde
muchos rectiicadores son cargados sobre un sistema de distribución de en-
ergía, al operario del sistema le queda dificil mantener una curva senoidal
correcta en magnitud y fase. Este trabajo ilustra el comportamiento de los
diodos para varios circuitos rectificadores y determina lineamientos para
el diseño adecuedo de un circuito rectificador utilizando diodos. En este
134 | 256
trabajo además se realizará una simulación de Corto-Circuito, el cual consiste

en poner en corto circuito la salida del rectificador, y así comprobar si el
rectificacor fué diseñado de acuerdo a las especificaciones, específicamente,
si los diodos pueden soportar un valor extremo de corriente.
1 Circuitos Reguladores
Las Figuras 112, 103 y 157 correspoden a los respectivos circuitos rectifi-
cadores de media–onda, de onda completa y de puente de diodos. Para la
simulación de Corto-Circuito, cambie el valor de la resistencia de carga por
R L = 0.5 Ohm y mida el valor de la corriente en alguno de los diodos en
cada circuito.
1.1 Materiales
Materialesğ
• Transformador 120/12 Volts AC/AC

• Por lo menos 4 diodos 1N4001. Como alternativas se tienen los dio-
dos 1N4004 o 1N4003. Abstenerse de traer el puente de diodos
integrado.
• Resistores de 100 Ohms a 5 Watts
• Resistores de 1000 Ohms a 5 Watts (mínimo de 1 Watt)
• Resistores de 10 kOhms.
• Capacitores de 470, 1000 y 1470µ Farads.
Materialesğ
1.2 Parámetros del Diodo

Parámetros del Diodoğ
Se han obtenido diodos con características semejantes a los que se ilustran

en la Tabla 1.
Parámetros del Diodoğ
2 Resultados
2.1 Simulación
Simulaciónğ
La Figura 133 muestra las formas de onda de entrada y salida superpuestas

para los circuitos de las Figuras 112, 103 y 157, utilizando herramientas de
135 | 256

Table 1: Parámetros Diodo(s) usado para los circuitos descritos en la Figuras
112, 103 y 157
Figure 102: Rectificador de media onda.
Figure 103: Rectificador de onda completa.
simulación, con un capacitor de 1000µ Farads y una resistencia de carga de

1 kOhm. Los resultados sobre la simulación de Corto-Circuito se ilustran en
la Tabla 6.
De este modo, se comprobó que los diodos obtenidos fueron los adecua-
dos, porque
136 | 256
Figure 104: Rectificador con diodos configurados en puente.
Figure 105: Formas de onda vsec , vout para los tres circuitos considerados, in-
dicando las respectivas escalas de tensión y tiempo.
Simulaciónğ
2.2 Montaje
Montajeğ
Al realizar los montajes de las Figuras 112, 103 y 157, se obtuvieron los
resultados de las Tablas 3, 4 y 5.
La Figura 133 muestra las formas de onda de entrada y salida super-
puestas para los tres circuitos montados, sin el capacitor, y una resistencia
de carga de 10 kOhm. De este resultado se puede concluir que la tensión
de polarización requerida para activar los diodos en los circuitos rectifi-
cadores es de Volts para el de media onda, Volts para el de
onda completa y de Volts para el de puente de diodos.
Montajeğ
137 | 256
Circuito CF ID−sc
(Farads) (Amp.
RMS)
Fig. 470
112 1000
1470
Fig. 470
103 1000
1470
Fig. 470
157 1000
1470
Table 2: Valores de corriente del diodo en circuitos rectificadores en estado de
Corto Circuito.
Circuito CF Isec VDC Vripple

(Farads) (Amp. (Volts) (mVolts
RMS) p–p)
No
Fig. 470
112 1000
1470
No
Fig. 470
103 1000
1470
No
Fig. 470
157 1000
1470
Table 3: Valores de rizado y tensión DC en circuitos rectificadores, para una
carga de R L = 0.1 kOhms.
138 | 256

RMS) p–p)
No
Fig. 470
112 1000
1470
No
Fig. 470
103 1000
1470
No
Fig. 470
157 1000
1470
carga de R L = 1 kOhms.

RMS) p–p)
No
Fig. 470
112 1000
1470
No
Fig. 470
103 1000
1470
No
Fig. 470
157 1000
1470
carga de R L = 10 kOhms.
139 | 256
Figure 106: Formas de onda vsec , vout para los tres circuitos considerados, in-
3 Conclusiones
La tensión secundaria del transformador necesaria para que la salida del

circuito rectificador de onda completa sea igual a la salida de los circuitos
rectificadores de puente o de media onda es de Volts, porque
.
El rectificador es el que mejor desempeño ubtuvo en compara-
ción con los demás circuitos considerados, porque
.
Además, los valores óptimos de capacitancia y carga obtenidos fueron de
,
porque
.
Se recomienda utilizar diodos de potencia en lugar de diodos de con-
mutación porque
140 | 256
.
Como consideraciones especiales se tiene que
141 | 256
Compuerta OR con Diodos

keywords: Diodo, rectificador, recortador, limitador, zener, compuerta lóg-
ica.
1 Introduction

mismo.
El circuito de la Figura ?? es una compuerta lógica para el control de un
motor. Considerando que v1 , v2 son fuentes conmutadas que entregan
Figure 107: Compuerta lógica utilizando diodos [2]
solo dos valores (0 y 5 Volts) de amplitud, los valores posibles de salida

v0 se ilustran en la Tabla 3, de lo que se concluye que el circuito es una
compuerta tipo .
142 | 256
V1 (Volts) V2 V0 (Volts)
(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0
Table 1: Salidas posibles para el circuito de la Figura 112.

en la Tabla 2.

2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard

dos.
143 | 256
Materialesğ
2.2 Compuerta Lógica

Compuerta Lógicağ
El procedimiento para calcular el valor de la resistencia, de tal manera

que la corriente en el momento que los dos diodos conmuten sea de 10
mAmpéres en el circuito de la Figura 112, es entonces el siguiente:
3 Resultados
3.1 Simulación
Simulaciónğ

Simulaciónğ
3.2 Montaje
144 | 256
tiempo.
Figure 109: Simulacion de la respuesta en frecuencia para el circuito de

las Figura 91, indicando las respectivas escalas de tension y
frecuencia.
Montajeğ

145 | 256
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

tension.


circuito de la Figura 91 es de Vb = Volts. Realizado el montaje del

circuito de la Figura 112, la Tabla 4 ilustra los resultados obtenidos para
146 | 256
los distintos casos de V1 y V2 . Si, en el circuito de la Figura 91, se cambia la
(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0
resistencia del valor R a 0.5R, se nota que la corriente que pasa a través de
la resistencia cambia de a Ampéres. Esto se debe a que:
.
.
Montajeğ
4 Conclusiones

que
.
que
147 | 256
.
que
.
.
148 | 256
Compuerta AND usando Diodos
En este laboratorio se da un acercamiento práctico a los diodos, con la

finalidad de comprobar sus propiedades vistas en la clase. Se trabajará
ica.
1 Introduction

mismo.
El circuito de la Figura 112 es una compuerta lógica. Considerando que
Figure 112: Compuerta lógica utilizando diodos [2]
v1 , v2 son fuentes conmutadas que entregan solo dos valores (0 y 5 Volts)

de amplitud, los valores posibles de salida v0 se ilustran en la Tabla 3, de
lo que se concluye que el circuito es una compuerta tipo .
149 | 256
(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0

en la Tabla 2.

2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard

dos.
150 | 256
Materialesğ
2.2 Compuerta Lógica


que la corriente en el momento que los dos diodos conmuten sea de 10
mAmpéres en el circuito de la Figura 112, es entonces el siguiente:
3 Resultados
3.1 Simulación
Simulaciónğ

Simulaciónğ
3.2 Montaje
151 | 256
tiempo.

frecuencia.
Montajeğ

152 | 256
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

tension.



circuito de la Figura 112, la Tabla 4 ilustra los resultados obtenidos para los
153 | 256
distintos casos de V1 y V2 . Si, en el circuito de la Figura 112, se cambia la
(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0
.
Montajeğ
4 Conclusiones

que
.
que
.
que
154 | 256
.
.
155 | 256
Limiter Circuit using Zener Diode

ica.
1 Introduction

mismo.
El circuito de la Figura 117 es un circuito limitador (Limiter). Considerando
que vi es una fuente senoidal simétrica, cuyo valor de amplitud peak–peak

es mayor que la tensión de polarización del diodo, la salida v0 se comporta
de la siguiente manera:
156 | 256
.
La Figura 118 ilustra este comportamiento.
v0
vin

en la Tabla 1.

157 | 256
2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard

dos.

que la corriente inversa que pasa por el diodo sea de 150 mAmpéres para
cada ciclo en el circuito de la Figura 117, es entonces el siguiente:
Materialesğ
3 Resultados
3.1 Simulación
Simulaciónğ

158 | 256
tiempo.

frecuencia.

Simulaciónğ
159 | 256
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

tension.
3.2 Montaje
Montajeğ

(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0
160 | 256


.
Montajeğ
4 Conclusiones

que
161 | 256
.
que
.
que
.
.
162 | 256
Circuitos reguladores mediante el uso de diodos
Circuitos reguladores mediante el

uso de diodos
En esta práctica se da un acercamiento práctico a los diodos y transistores,

utilizándolos dentro de circuitos reguladores. keywords: Diodo Zener, Tran-
sistores, Rectificador, Regulador. En electrónica, un regulador de tensión
es un dispositivo diseñado con el objetivo de proteger aparatos eléctricos y
electrónicos sensibles a variaciones de diferencia de potencial y ruido exis-
tente en la corriente alterna de la distribución eléctrica. Los reguladores se
diferencian de los supresores de picos en que los últimos únicamente evitan
las sobre–tensiones repentinas (picos). Los reguladores de tensión están
presentes en las fuentes de alimentación de corriente continua reguladas,
cuya misión es la de proporcionar una tensión constante a su salida. Para
ello, un elemento activo eleva o disminuye la corriente para que la tensión
que se entrega a la salida no presente irregularidades [3]. Sin embargo,
si se eleva demasiado la corriente, dicho elemento activo puede llegar a
sus valores máximos de tolerancia de potencia, conllevando a su destruc-
ción o malfuncionamiento. Este trabajo ilustra el comportamiento de los
dos elementos activos (Diodo Zener y Transistor de media potencia) uti-
lizados como reguladores y se determinan los lineamientos para el diseño
adecuado de un circuito regulador de tensión.
1 Experimentación y Resultados
La Figura 158 correspoden al circuitos regulador con diodo Zener. El
Figure 123: Rectificador con diodos configurados en puente y regulador Zener
163 | 256
parámetro de diseño es el valor de resistencia R = Rmin + Rdrive , donde

Rmin es calculado de tal forma que el diodo Zener no se destruya por
sobrecarga, y R es calculado tal que se presente la corriente de inflexión
Zener Izk . Ambos valores de resistencia son calculados para cada circuito
con el siguiente procedimiento:
Escriba el procedimiento para el circuito de la
Figura 158 en este espacio
Para el circuito de la Figura 158, dado que el diodo Zener seleccionado

tiene las características ilustradas en la Tabla 1, y asumiendo que el rizado
de tensión que se presenta sobre el capacitor CF oscila sobre un valor de
tensión ligeramente mayor a la tensión de operación Zener Vz , se tienen los
siguientes valores calculados para R = Rmin + Rdrive = en la Tabla 2.

Tensión Zener Vz Volts → Izk
Corriente codo o de inflexión Izk mAmpéres
Impedancia Zener rz Ohms
Corriente máxima tolerada Ampéres
Table 1: Parámetros Diodo Zener.
Circuito
RL Fig. 158 Fig. 159
Rmin Rdrive Rmin Rdrive
100 Ohms
1 kOhm
10 kOhm
Table 2: Valores calculados de R = Rmin + Rdrive
164 | 256
1.1 Simulación
Simulaciónğ

para los dos circuitos, utilizando herramientas de simulación, sin capacitor
CF , con resistencia de carga de 1 kOhm y R = Rmin + 0.5Rdrive .
Figure 124: Formas de onda vsec , vout para los dos circuitos considerados, in-
Simulaciónğ
1.2 Variación Capacitor CF

Variación Capacitor CF ğ
Al realizar los montajes de las Figuras 158 y 159, con R = Rmin + 0.5Rdrive ,
se obtuvieron los resultados de las Tablas 3, 4 y 5.
La Figura 133 muestra las formas de onda de entrada y salida superpues-
tas para los dos circuitos montados, sin el capacitor CF , con una resistencia
de carga de 100 Ohms, y R = Rmin + 0.5Rdrive .
1.3 Variación Resistencia R

Variación Resistencia Rğ
Para la prueba de tolerancia del circuito, las Tablas 6, 7 y 8 muestran los

resultados medidos de corriente de salida al variar el valor de R para los
dos circuitos montados, con CF = 1470µ Farads. Para el circuito de la figura
158, el diodo Zener es destruido cuando el valor de R es de Ohms
y RL = Ohms. Esto ocurre porque
165 | 256
Circuito CF Iz IRL Vout

(µFarads) (mAmp. (mAmp. (Volts)
RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
Table 3: Valores medidos para los circuitos reguladores, para una carga de
R L = 0.1 kOhms.

RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
R L = 1 kOhms.

RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
R L = 10 kOhms.
166 | 256
dicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
.
Para el circuito de la figura 159, el transistor es destruido cuando el valor
de R es de Ohms y R L = Ohms. Esto ocurre porque
2 Conclusiones
Cuando el condensador CF no se encuentra conectado al circuito, sucede

lo siguiente:
.
El transistor cumple la función de manejador de corriente de salida, porque
167 | 256
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 6: Resultados para R L = 0.1 kOhms. Las medidas de tensión V están
en Volts, las medidas de corriente I están en mAmperes.
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 7: Resultados para R L = 1 kOhm. Las medidas de tensión V están en
Volts, las medidas de corriente I están en mAmperes.
168 | 256
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 8: Resultados para R L = 10 kOhms. Las medidas de tensión V están en
.
El circuito que puede manejar mayor capacidad de corriente es
,
porque
.
Se recomienda utilizar discipadores de calor sobre los transistores porque
.
169 | 256
Motor-speed Control by Opto-couplers
Motor-speed Control by
Opto-couplers

ica.
1 Introducción

mismo.
2 Control de Velocidad de un Motor de 12 Volts
El circuito de la figura 126 se propone como un eficiente controlador de la

velocidad de un motor ventilador DC de 12 Volts. El circuito funciona de la
Figure 126: Circuito controlador de velocidad
170 | 256
siguiente manera:
.
Se propone diseñar el circuito, de tal manera que para cuando el motor se
encuentre a 12 Volts, se tenga una corriente de 250 mAmpéres, tratando
en lo posible que esta corriente sea al menos 3/4 de la corriente máxima
de colector que puede soportar Q1 . En ese caso, es probable que Q1 se
convierta en dos transistores en configuración Darlington. Se busca que
la velocidad del motor se controle mediante la variación de la resistencia
R3 . Por ejemplo, si el motor tiene una región de funcionamiento entre 7.0
y 12 Volts, deben aparecer 7.0 Volts entre los terminales del motor para un
valor extremo de R3 y 12.0 volts para el otro (para ello hay que medir el
valor del potenciómetro en ambos puntos y calcular R4 ). El diodo D1 debe
soportar la corriente inversa inducida por el motor, de tal manera que no
debe verse pico de tensión alguna cuando se presente un cambio brusco
del valor de R3 . Los condensadores se usan en caso que el motor tenga un
terminal de nodo común.

en la Tabla 1.
3.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard

dos.
171 | 256

Materialesğ
3.2 Control de Velocidad

Control de Velocidadğ
El procedimiento para calcular el valor de la corriente de entrada al diodo

opto-acoplador, de tal manera que cundo la resitencia R3 esté en el mínimo
no exista funcionamiento del Motor y cuando esté en el máximo se presenta
l máxima transferencia de corriente al Motor en el circuito de la Figura 126,
es entonces el siguiente:
Control de Velocidadğ
172 | 256
4 Resultados
4.1 Simulación
Simulaciónğ

tiempo.

Simulaciónğ
4.2 Montaje
Montajeğ

173 | 256

frecuencia.
i D (mAmperes)
v1 (Volts)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

tension.

174 | 256

(Volts)
0.0 0.0
0.0 5.0
5.0 0.0
5.0 5.0
.
.
175 | 256
Montajeğ
5 Conclusiones

que
.
que
.
que
.
.
176 | 256
Circuitos reguladores mediante el uso de diodos y transistores
Circuitos reguladores mediante el

uso de diodos y transistores
En esta práctica se da un acercamiento práctico a los diodos y transistores,

utilizándolos dentro de circuitos reguladores.
Palabras Clave: Diodo Zener, Transistores, Rectificador, Regulador.
1 Introducción
En electrónica, un regulador de tensión es un dispositivo diseñado con

el objetivo de proteger aparatos eléctricos y electrónicos sensibles a varia-
ciones de diferencia de potencial y ruido existente en la corriente alterna
de la distribución eléctrica. Los reguladores se diferencian de los supresores
de picos en que los últimos únicamente evitan las sobre–tensiones repenti-
nas (picos). Los reguladores de tensión están presentes en las fuentes de
alimentación de corriente continua reguladas, cuya misión es la de pro-
porcionar una tensión constante a su salida. Para ello, un elemento activo
eleva o disminuye la corriente para que la tensión que se entrega a la sal-
ida no presente irregularidades [3]. Sin embargo, si se eleva demasiado
la corriente, dicho elemento activo puede llegar a sus valores máximos de
tolerancia de potencia, conllevando a su destrucción o malfuncionamiento.
Este trabajo ilustra el comportamiento de los dos elementos activos (Diodo
Zener y Transistor de media potencia) utilizados como reguladores y se de-
terminan los lineamientos para el diseño adecuado de un circuito regulador
de tensión.
2 Experimentación y Resultados
Las Figuras 158 y 159 correspoden a los respectivos circuitos reguladores

con diodo Zener y con Transistor de media potencia. El parámetro de
diseño es el valor de resistencia R = Rmin + Rdrive , donde Rmin es calculado
de tal forma que el diodo Zener no se destruya por sobrecarga, y R es
calculado tal que se presente la corriente de inflexión Zener Izk . Ambos
valores de resistencia son calculados para cada circuito con el siguiente
procedimiento:
177 | 256
Figure 131: Rectificador con diodos configurados en puente y regulador Zener

con Transistor
Escriba el procedimiento para el circuito de la

Figura 159 en este espacio
Para el circuito de la Figura 159, dado que el diodo Zener y el transistor

seleccionados tienen las características ilustradas en la Tabla 1, con R4 =
200 Ohms, C4 = 10µFarad, y asumiendo que el rizado de tensión que se
presenta sobre el capacitor CF oscila sobre un valor de tensión ligeramente
mayor a la tensión de operación Zener Vz , se tienen los siguientes valores
calculados para R = Rmin + Rdrive en la Tabla 2.
2.1 Simulación
Simulaciónğ

para los dos circuitos, utilizando herramientas de simulación, sin capacitor
178 | 256
Diodo Zener
Tensión Zener Vz Volts → Izk
Corriente codo o de inflexión mAmpéres
Izk
Impedancia Zener rz Ohms
Corriente máxima tolerada Ampéres
Izb
Transistor
Tensión de polarización jun- mVolts → Ib0
tura base–emisor
Corriente minima de polar- mAmpéres
ización Ib0
Ganancia de corriente en Ampére/Ampére
emisor común h f e
Corriente máxima de colector Ampéres
tolerada Icb
Table 1: Parámetros elementos circuito en Figura 159.
Circuito
RL Fig. 158 Fig. 159
Rmin Rdrive Rmin Rdrive
100 Ohms
1 kOhm
10 kOhm
Table 2: Valores calculados de R = Rmin + Rdrive
179 | 256
CF , con resistencia de carga de 1 kOhm y R = Rmin + 0.5Rdrive .
Simulaciónğ
2.2 Variación Capacitor CF

Al realizar los montajes de las Figuras 158 y 159, con R = Rmin + 0.5Rdrive ,
se obtuvieron los resultados de las Tablas 3, 4 y 5.

RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
R L = 0.1 kOhms.
La Figura 133 muestra las formas de onda de entrada y salida superpues-

tas para los dos circuitos montados, sin el capacitor CF , con una resistencia
de carga de 100 Ohms, y R = Rmin + 0.5Rdrive .
180 | 256

RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
R L = 1 kOhms.

RMS) RMS)
No
Fig. 470
158 1000
1470
No NA
Fig. 470 NA
159 1000 NA
1470 NA
R L = 10 kOhms.
181 | 256
dicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
2.3 Variación Resistencia R

Para la prueba de tolerancia del circuito, las Tablas 6, 7 y 8 muestran los

resultados medidos de corriente de salida al variar el valor de R para los
dos circuitos montados, con CF = 1470µ Farads. Para el circuito de la figura
158, el diodo Zener es destruido cuando el valor de R es de Ohms
y RL = Ohms. Esto ocurre porque
.
Para el circuito de la figura 159, el transistor es destruido cuando el valor
de R es de Ohms y R L = Ohms. Esto ocurre porque
182 | 256
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 6: Resultados para R L = 0.1 kOhms. Las medidas de tensión V están
en Volts, las medidas de corriente I están en mAmperes.
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 7: Resultados para R L = 1 kOhm. Las medidas de tensión V están en
183 | 256
Circuito
R Fig. 158 Fig. 159
IRL Vout IRL Vout
Rmin + Rdrive
Rmin + 0.9Rdrive
Rmin + 0.8Rdrive
Rmin + 0.7Rdrive
Rmin + 0.6Rdrive
Rmin + 0.5Rdrive
Rmin + 0.4Rdrive
Rmin + 0.3Rdrive
Rmin + 0.2Rdrive
Rmin + 0.1Rdrive
Rmin
Table 8: Resultados para R L = 10 kOhms. Las medidas de tensión V están en
3 Conclusiones
Cuando el condensador CF no se encuentra conectado al circuito, sucede

lo siguiente:
.
El transistor cumple la función de manejador de corriente de salida, porque
.
El circuito que puede manejar mayor capacidad de corriente es
,
porque
.
Se recomienda utilizar discipadores de calor sobre los transistores porque
184 | 256
.
185 | 256
Amplificadores con Transistores: Emisor/Fuente Común
Amplificadores con Transistores:

Emisor/Fuente Común
En esta práctica se da un acercamiento práctico a los transistores, con la

Un transistor puede considerarse un amplificador de corriente (caso BJT)
o un amlificador de transresistencia (caso FET). Por ejemplo, pueden ser
usados para amplificar una débil corriente (o tensión) de salida de un cir-
cuito integrado, de tal manera que puede operar un dispositivo de media
o alta potencia. En muchos circuitos se usa una resistenca para convertir la
corriente variable en tensión variable. De este modo, el transistor puede us-
arse como amplificador de transconductancia (caso BJT) o de voltaje (caso
FET). El transistor también puede ser usado como interruptor, en lo que se
denominan estados de corte y saturación. El estado intermedio se denom-
ina estado activo, en donde el transistor se considera un amplificador de
pequeña señal. La cantidad de amplificación se denomina ganancia, sea
de corriente (hFE o β), tensión Av , transconductancia gm o transresistencia
rm . En este experimento, se evaluarán dos configuraciones básicas: Emisor
Común (CE) y Fuente Común (CS). La Figura 134 ilustra estas configura-
ciones.
(a) Emisor común (b) Common Source
Figure 134: Configuraciones BJT y FET.
Palabras clave: Transistor, Amplificador.
186 | 256
1 Parámetros híbridos para el diseño de

amplificadores
El diseño utilizado para el cálculo de los componenetes se basa en el mod-

elo de parámetros híbridos para un cuadripolo, como el que se ilustra en
la Figura 153. Éstos parámetros se calculan mediante la matriz:
Figure 135: Modelo híbrido

v1 h11 h12 i1
= (37)
i2 h21 h22 v2
Luego, los parámetros híbridos se hallan mediante:

v1
h11 = ; (38)
i 1 v2 =0

v1
h12 = ; (39)
v 2 i1 =0

i2
h21 = ; (40)
i 1 v2 =0

i2
h22 = ; (41)
v 2 i1 =0
1.1 Configuración BJT en Emisor Común
La configuración de Emisor Común en pequeña señal se ilustra en la Figura

136, y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi
h11 = = Rb + rπ = hie ; (42)
i i v o =0

vi R + rπ
h12 = =− b ; (43)
v o i i =0 β ( R c k r0 )

io ic
h21 = = = β = h f e; (44)
i i v o =0 ib

io ic 1
h22 = = = ; (45)
v o i i =0 v o i b =0 ro k Rc
donde Rb = R1 k R2 , y rπ y ro son las respectivas resistencias de la juntura

BE y CE del Transistor.
187 | 256
Figure 136: Modelo híbrido Emisor Común
Los parámetros de diseño elegidos son la ganancia de tensión Av y la

ganancia de corriente Ai . Éstos se calculan, a partir de los parámetros
híbridos, de la siguiente manera:
1 β ( R c k r0 )
Av = =− ; (46)
h12 Rb + rπ
Ai = − h21 = − β (47)
1.2 Configuración FET en Fuente Común
Este circuito posee una baja impedancia de entrada, impedancia de salida

similar a la de fuente común y una ganancia no invertida con la misma
magnitud que la de fuente común, como se ilustrará a continuación. La
configuración de Fuente Común en pequeña señal se ilustra en la Figura
134(b), y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi
h11 = = Ri ; (48)
i i v o =0

vi 1
h12 = =− ; (49)
v o i i =0
gm (r o k R D )

io gm r o R i
h21 = =− ; (50)
i i v o =0
ro + R D

io 1
h22 = =− ; (51)
v o i i =0
ro k R D
donde Ri = R1 k R2 .
ganancia de corriente Ai . Éstos se calculan de la siguiente manera:

vo Ri
A v = = − gm (r o k R D ) ; (52)
vi Ri + Rsi
io gm r o R i
Ai = = (53)
ii ro + R D
188 | 256
Figure 137: Modelo híbrido Fuente Común
Se han obtenido los siguientes transistores con las características que se

ilustran en la Tabla 1.
Transistor Parámetro Valor Unidades

Corriente de colector nominal (a 20◦ C) Amperes
BJT Tensión de Polarización juntura BE Volts
Corriente Máxima de colector permitida Amperes
Resistencia interna rπ Ohms
Corriente de drenaje nominal (a 20◦ C) Amperes
FET Tensión de Polarización juntura GS Volts
Corriente Máxima de drenaje Permitida Amperes
Resistencia de salida ro Ohms
Table 1: Parámetros Transistores
2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard
• Equipo de medición de parámetros FET, BJT.
• Transistores de acuerdo con la aplicación: FET 2N5457, BJT 2N2222.

Materialesğ
189 | 256
2.2 Emisor Común

Emisor Comúnğ
Un amplificador en Emisor Común (CE) se usa como un amplificador de

tensión. En el circuito de la figura 134(a), la terminal base del transistor es
usado como entrada, el colector como salida, y el emisor es común entre am-
bos. Para obtener una ganancia de Av = 10 dB, el cálculo de resistencias y
capacitancias es el siguiente:
Emisor Comúnğ
2.3 Fuente Común

Fuente Comúnğ
Un amplificador en Fuente Común (CS) se usa como un amplificador de

transconductancia. En el circuito de la figura 134(b), la terminal compuerta
del transistor es usado como entrada, el drenaje como salida, y la fuente
es común entre ambos. Para obtener una ganancia de transconductancia
de Gm = i D /vGS = 10 dB, el cálculo de resistencias y capacitancias es el
siguiente:
Fuente Comúnğ
190 | 256
3 Resultados
3.1 Simulación circuito BJT
Para el circuito correspondiente a la Figura 134(a), la Figura 157 ilustra,

mediante simulación, el comportamiento en el tiempo de la señal de salida
V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud pico–
pico de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización obtenidos
Figure 138: Simulacion de las formas de onda vi , v0 para los circuitos de

las Figura 134(a), indicando las respectivas escalas de tension
y tiempo.
para el circuito de la Figura 134(a).

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres
Table 2: Resultados de la simulación.
3.2 Montaje circuito BJT

Montaje circuito BJTğ
Para el circuito correspondiente a la Figura 134(a), la Figura 157 ilustra la

medición en el osciloscopio del comportamiento en el tiempo de la señal de
191 | 256

pico–pico de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización
Figure 139: Medición de las formas de onda vi , v0 para el circuito de las Figura
134(a), indicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
medidos para el circuito de la Figura 134(a). Los valores definitivos de

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres
los componentes electrónicos (Resistencias, condensadores, Transistor) se

ilustran en la Tabla 6:
3.3 Simulación circuito FET
Para el circuito correspondiente a la Figura 134(b), la Figura 158 ilustra,

mediante simulación, el comportamiento en el tiempo de la señal de salida
V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud pico–
pico de 150 mVolts.
La Figura 159 ilustra la gráfica paramétrica i D /vi del circuito de la Figura
134(b), se tiene V1 = [0.5 − 2] Volts, en pasos de 200 mVolts.
192 | 256
Elemento Valor Unidades
Figure 140: Simulacion de la respuesta en frecuencia para el circuito de la

Figura 134(b), indicando las respectivas escalas de tension y
frecuencia.
3.4 Montaje
Montajeğ
Al realizar el montaje del circuito correspondiente a la Figura 134(b), la

Figura 160 ilustra el comportamiento en el tiempo de la señal de salida V0 ,
dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud pico–pico
de 2 Volts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización medidos para el
circuito de la Figura 134(b). Los valores definitivos de los componentes
electrónicos (Resistencias, condensadores, Transistor) se ilustran en la Tabla
6:
Montajeğ
193 | 256
Figure 141: Simulacion de la curva paramétrica i D , vin para el circuito de la

Figura 134(b), indicando las respectivas escalas de corriente y
tension.

los circuitos de la Figura 134(b), indicando las respectivas escalas
194 | 256

VGS Volts
VDS Volts
IDQ mAmpéres
4 Conclusiones
Con respecto a las configuraciones BJT en el circuito de la Figura 134(a), se

pudo comprobar que
.
Los valores obtenidos variaron con respecto a lo diseñado, por las sigu-
ientes razones:
.
(Evaluador) El dispositivo (SI/NO) presentó saturación, debido a:
.
Con respecto a las configuraciones FET en el circuito de la Figura 134(b),
se pudo comprobar que
195 | 256
.
196 | 256
Amplificadores con Transistores: Colector/Drenaje Común

Colector/Drenaje Común

pequeña señal. La cantidad de amplificación se denomina ganancia, sea de
corriente (hFE o β), tensión Av , transconductancia gm o transresistencia rm .
En este experimento, se evaluarán dos configuraciones básicas: Colector
Común (CC) y Drenaje común (CD). La Figura 143 ilustra estas configura-
ciones.
(a) Colector común (b) Common Drain
keywords:Transistor, Amplificador.
197 | 256

amplificadores


v1 h11 h12 i1
= (54)
i2 h21 h22 v2

v1
h11 = ; (55)
i 1 v2 =0

v1
h12 = ; (56)
v 2 i1 =0

i2
h21 = ; (57)
i 1 v2 =0

i2
h22 = ; (58)
v 2 i1 =0
1.1 Configuración BJT en Colector Común
La configuración de Colector Común en pequeña señal se ilustra en la

Figura 145, y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi
h11 = = Rb + rπ + ( β + 1)(ro k Re ) ≈ Rb + rπ ; (59)
i i v o =0

vi Rb + rπ
h12 = = + 1 ≈ 1; (60)
v o i i =0 ( β + 1)(ro k Re )

io ro
h21 = = ( β + 1) ; (61)
i i v o =0 ro + Re

io ro
h22 = = = hoc ; (62)
v o i i =0 (ro + Re )(ro k Re )
donde Rb = R1 k R2 , y rπ y ro son las respectivas resistencias de la juntura

BE y CE del Transistor.
198 | 256
Figure 145: Modelo híbrido Colector Común

1
Av = ≈ 1; (63)
h12
ro
Ai =h21 = ( β + 1) (64)
ro + Re
En este caso, si R E ro , se tiene que Ai ≈ β + 1. Sin embargo, se re-
comienda utilizar la ecuación (64) para efectos de diseño.
1.2 Configuración FET en Drenaje Común
Una configuración del FET es el circuito de Drenaje común llamado tam-

bién Fuente seguidor, el cual proporciona una ganancia de voltaje menor
que 1 sin inversión de polaridad. Además el circuito proporciona una
impedancia muy alta y una baja impedancia de salida, como se ilustrará
a continuación. La configuración de Drenaje Común en pequeña señal se
ilustra en la Figura 146, y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi
h11 = = Ri ; (65)
i i v o =0

vi 1
h12 = =− ; (66)
v o i i =0 gm (r o k R S )

io gm r o R i
h21 = =− ;; (67)
i i v o =0 ro + RS

io 1
h22 = =− ; (68)
v o i i =0 ro k RS
donde Ri = R1 k R2 .
ganancia de corriente Ai . Éstos se calculan, de la siguiente manera:
gm ( R S k r o )

vo Ri
Av = = ; (69)
vi 1 + gm ( R S k r o ) Ri + RSi
io gm r o R i
Ai = = (70)
ii ro + RS
199 | 256
Figure 146: Modelo híbrido Drenaje Común
Las condiciones para que Av ≈ 1 son: y .


2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard
200 | 256
Materialesğ
2.2 Colector Común

Colector Comúnğ
Un amplificador en Colector Común (CC) se usa como un amplificador

de tensión o de corriente. Como amplificador de tensión, la ganancia se
aproxima a 1 Volt/Volt, por lo que se denomina como Seguidor Emisor. En
el circuito de la figura ??, la terminal base del transistor es usado como
entrada, el emisor como salida, y el colector es común entre ambos. Para
obtener una ganacia de corriente de Ai = 10 dB, el cálculo de resistencias
es el siguiente:
Colector Comúnğ
2.3 Drenaje Común

Drenaje Comúnğ
Un amplificador en Drenaje Común (CD) se usa como un amplificador

de tensión. Como amplificador de tensión, la ganancia se aproxima a 1
Volt/Volt, por lo que se denomina como Seguidor Fuente. En el circuito de
la figura ??, la terminal compuerta del transistor es usado como entrada, la
fuente como salida, y el drenaje es común entre ambos. Para obtener una
ganancia de transconductancia de Gm = iS /vGS = 10 dB, el cálculo de re-
201 | 256
sistencias y capacitancias es el siguiente:
Drenaje Comúnğ
3 Resultados

Simulación circuito BJTğ
Para el circuito correspondiente a la Figura ??, la Figura 157 ilustra, medi-

ante simulación, el comportamiento en el tiempo de la señal de salida V0 ,
de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización obtenidos para
Figura ??, indicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
el circuito de la Figura ??. Simulación circuito BJTğ
202 | 256

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres

Para el circuito correspondiente a la Figura ??, la Figura 157 ilustra la medi-

ción en el osciloscopio del comportamiento en el tiempo de la señal de
salida V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de ampli-
tud pico–pico de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización
??, indicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
medidos para el circuito de la Figura ??. Los valores definitivos de los com-

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres
ponentes electrónicos (Resistencias, condensadores, Transistor) se ilustran

en la Tabla 6:
203 | 256

de 150 mVolts.

la Figura ??, indicando las respectivas escalas de tension y
frecuencia.

??, se tiene V1 = [0.5 − 2] Volts, en pasos de 200 mVolts.
204 | 256

Figura ??, indicando las respectivas escalas de corriente y tension.
3.4 Montaje
Montajeğ
Al realizar el montaje del circuito correspondiente a la Figura ??, la Figura

160 ilustra el comportamiento en el tiempo de la señal de salida V0 , dado
que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud pico–pico de 2
Volts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización medidos para el circuito
de la Figura ??. Los valores definitivos de los componentes electrónicos

VGS Volts
VDS Volts
IDQ mAmpéres
(Resistencias, condensadores, Transistor) se ilustran en la Tabla 6:

Montajeğ
4 Conclusiones
Con respecto a las configuraciones BJT en el circuito de la Figura ??, se

pudo comprobar que
205 | 256

los circuitos de la Figura ??, indicando las respectivas escalas de
tension y tiempo.
.
ientes razones:
.
206 | 256
.
Con respecto a las configuraciones FET en el circuito de la Figura ??, se
pudo comprobar que
.
.
207 | 256
Amplificadores con Transistores: Base/Compuerta Común

Base/Compuerta Común

pequeña señal. La cantidad de amplificación se denomina ganancia, sea
de corriente (hFE o β), tensión Av , transconductancia gm o transresisten-
cia rm . En este experimento, se evaluarán dos configuraciones básicas:
Base Común (CB) y Compuerta Común (CG). La Figura 152 ilustra estas
configuraciones.
(a) Base común (b) Common Gate
keywords: Transistor, Amplificador.
208 | 256

amplificadores


v1 h11 h12 i1
= (71)
i2 h21 h22 v2

v1
h11 = ; (72)
i 1 v2 =0

v1
h12 = ; (73)
v 2 i1 =0

i2
h21 = ; (74)
i 1 v2 =0

i2
h22 = ; (75)
v 2 i1 =0
1.1 Configuración BJT en Base Común
La configuración de Base Común en pequeña señal se ilustra en la Figura

154, y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi
h11 = = Re k rπ ; (76)
i i v0 =0

vi Re k rπ
h12 = = ; (77)
v 0 i i =0 αRc

i0
h21 = = α = h f b; (78)
i i v0 =0

i0 1
h22 = = ; (79)
v 0 i i =0 Rc
Donde α = β/( β + 1), Rb = R1 k R2 , y rπ y ro son las respectivas resisten-

cias de la juntura BE y CE del Transistor.
209 | 256
Figure 154: Modelo híbrido Base Común

1 αRc
Av = = ; (80)
h12 Re k rπ
Ai =h21 = α (81)
1.2 Configuración FET en Compuerta Común
Este circuito posee una baja impedancia de entrada, impedancia de salida

similar a la de fuente común y una ganancia no invertida con la misma
magnitud que la de fuente común, como se ilustrará a continuación. La
configuración de Compuerta Común en pequeña señal se ilustra en la
Figura 155, y tiene los siguientes parámetros híbridos:

vi RS
h11 = = ; (82)
i i v o =0 gm R S + 1

vi R + RL
h12 = =− D ; (83)
v o i i =0 gm R D R L

io gm R S
h21 = =− ; (84)
i i v o =0 gm R S + 1

io 1
h22 = = ; (85)
v o i i =0 RL
Figure 155: Modelo híbrido Compuerta Común
210 | 256

ganancia de corriente Ai . Éstos se calculan, de la siguiente manera:
vo
Av = = − gm ( R D k R L ); (86)
vi

io RD RS
A i = = − gm (87)
ii RD + RL gm R S + 1


2.1 Materiales
Materialesğ

los dispositivos:
• Fuente DC
• Multímetro
• Protoboard
Materialesğ
211 | 256
2.2 Base Común

Base Comúnğ
Un amplificador en Base Común (CB) se usa como un amplificador de

tensión. En el circuito de la figura ??, la terminal emisor del transistor
es usado como entrada, el colector como salida, y la base es común entre
ambos. Para obtener una ganacia de tensión Ai = 10 dB, el cálculo de
resistencias es el siguiente:
Base Comúnğ
2.3 Compuerta Común

Compuerta Comúnğ
Un amplificador en Compuerta Común (CG) se usa como un amplificador

de tensión. En el circuito de la figura ??, la terminal fuente del transistor
es usado como entrada, el drenaje como salida, y la compuerta es común
entre ambos. Para obtener una ganancia de transconductancia de Gm =
i D /vGS = 10 dB, el cálculo de resistencias y capacitancias es el siguiente:
Compuerta Comúnğ
212 | 256
3 Resultados

Simulación circuito BJTğ

de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización obtenidos para
Figure 156: Simulacion de las formas de onda vi , v0 para el circuito de la

Figura ??, indicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
el circuito de la Figura ??. Simulación circuito BJTğ

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres

Para el circuito correspondiente a la Figura ??, la Figura 157 ilustra la medi-

ción en el osciloscopio del comportamiento en el tiempo de la señal de
213 | 256
salida V0 , dado que la señal de entrada es senoidal a un valor de ampli-

tud pico–pico de 10 mVolts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización
??, indicando las respectivas escalas de tension y tiempo.
medidos para el circuito de la Figura ??. Los valores definitivos de los com-

Vb Volts
VCE Volts
ICQ mAmpéres
ponentes electrónicos (Resistencias, condensadores, Transistor) se ilustran

en la Tabla 6:

de 150 mVolts.
??, se tiene V1 = [0.5 − 2] Volts, en pasos de 200 mVolts.
214 | 256

la Figura ??, indicando las respectivas escalas de tension y
frecuencia.
3.4 Montaje
Montajeğ
Al realizar el montaje del circuito correspondiente a la Figura ??, la Figura

160 ilustra el comportamiento en el tiempo de la señal de salida V0 , dado
que la señal de entrada es senoidal a un valor de amplitud pico–pico de 2
Volts. La Tabla 5 ilustra los valores de polarización medidos para el circuito
de la Figura ??. Los valores definitivos de los componentes electrónicos
(Resistencias, condensadores, Transistor) se ilustran en la Tabla 6:
Montajeğ
215 | 256

Figura ??, indicando las respectivas escalas de corriente y tension.

los circuitos de la Figura ??, indicando las respectivas escalas de
tension y tiempo.
4 Conclusiones
Con respecto a las configuraciones BJT en el circuito de la Figura ??, se

pudo comprobar que
216 | 256

VGS Volts
VDS Volts
IDQ mAmpéres
.
ientes razones:
.
.
Con respecto a las configuraciones FET en el circuito de la Figura ??, se
pudo comprobar que
.
217 | 256
.
218 | 256
Amplificador de dos etapas usando BJT
Amplificador de dos etapas usando

BJT
El problema con los amplificadores que utilizan transistores es la estabili-

dad de la corriente de colector. En este informe se presenta el diseño de un
amplificador de dos etapas en cascads en configuración de Emisor Común
con realimentación de Emisor. Los resultados indican la estabilidad de
la corriente de colector en cada etapa, y la concordancia entre los datos
calculados y medidos.
El problema fundamental en el diseño de amplificadores con transistores es
establecer uno que provea un punto estable de polarización. Además, si se
requiere que el amplificador funcione para una gama limitada de frecuen-
cias, el cálculo de los filtros es escencial. Para ello se ilustra en la Figura
161(a) un amplificador de dos etapas en cascada, utilizando una configu-
ración en Emisor Común (EC) para cada etapa. Así, para cada etapa, la
resistencia de emisor se comporta como un parámetro de realimentación.
Suponga que la corriente de colector IC varia más allá del valor diseñado
(sea por una variación de β, o de temperatura). Luego VRE = R E IE . Como
VBB y R B no cambian, en la malla de entrada se muestra que IB debería
disminuir, lo que reduce también el valor de IC a su valor original. Esto
se denomina Realimentación Negativa. En este informe se presenta el pro-
cedimiento de diseño, montaje y recomendaciones para cumplir con las
características anteriormente comentadas.
keywords:Fuente, Leyes de Kirchhoff, Malla, Multímetro, Nodo, Resis-
tores, Simulador.
1 Marco experimental
El diseño debe cumplir con las siguientes características:
• Tensión de polarización Vcc = 15 Volts.
• Ganancia de tensión en la segunda etapa Av (2): −500 Volt/Volt.
• Frecuencia de corte inferior ωc : 2π ∗ 5 k rad/seg.
• Resistencia de fuente Rs = 5 kOhms.
219 | 256
(a) Circuito de dos etapas
(b) Análisis en pequeña señal
Figure 161: Circuito 1
1.1 Análisis de polarización
Este análisis permite determinar el punto Q de polarización de los ampli-

ficadores [2]. Para ello se tiene que los capacitores separan cada una de
las etapas de amplificación, es decir, se considerarían como circuitos abier-
tos. Por lo tanto, para la correspondiente etapa n, se tienen las siguientes
ecuaciones de malla a la salida de cada amplificador para hallar IC (n):
vCE = VCC − iC (n) RC (n) − i E (n) R E (n)
Considerando iC (n) ≈ i E (n), se tiene que:
vCE = VCC − (iC (n))( RC (n) + R E (n))
Luego la recta de carga en función de vCE es igual a:

VCC − vCE
iC (n ) = (88)
RC (n ) + R E (n )
220 | 256
Luego, se puede considerar la curva de la pendiente de carga como −1/( RC (n) +

R E (n)). Para la malla de entrada se tiene el equivalente Thévenin desde la
base, donde:
R1 ( n ) R2 ( n )
R B (n) = R1 (n)|| R2 (n) = (89)
R1 ( n ) + R2 ( n )
R2 ( n )
VBB (n) = VCC ∗ (90)
R1 ( n ) + R2 ( n )
Luego, tomando la malla de entrada Base–Emisor:
VRE (n) = ( β + 1)i B (n) R E (n)

= VBB (n) − i B (n) R B (n) − VBE
VBB (n) − VBE

i B (n) =
R B ( n ) + ( β + 1) R E ( n )
Considerando que β 1 y R B (n) βR E (n), se tiene que:
VBB (n) − VBE

i B (n) ≈
βR E (n)
Como iC (n) = βi B (n):

VBB − VBE
iC (n ) ≈ (91)
R E (n)
Asumiendo que R B (n) ≈ 0.1β min R E (n). Por último, para evitar el punto
de saturación, cuando vCE → 0, se determina un valor tal que la tensión
complementaria v RE pueda sobrellevar las variaciones de v BE en casos
de variación de temperatura. Normalmente la variación del voltaje de
polarización en la juntura Base–Emisor es de ∆v BE = 0.1 Volts, con lo que
VRE min ∆v BE ≈ 0.1. Luego VRE min > 10 ∗ 0.1 = 1 Volt. Luego:
1 1
R E (n) > ≈ (92)
IE ( n ) IC (n)
La Tabla 1 ilustra los valores obtenidos de la hoja de datos para el Tran-

sistor .
De acuerdo con esto, se busca que el amplificador obtenga la mayor
Excursión Simétrica a la salida de cada etapa n, es decir, que la señal no
genere corte o saturación en alguno de sus ciclos sobre el amplificador.
Para ello se debe cumplir los siguiente:
1
VCE (2) = VCC
2
Se asume que, para el punto de polarización en cada etapa:
ICQ (n) = 0.01ICmax
221 | 256

Corriente máxima de mAmpéres
colector ICmax
Voltaje juntura Base– Volts
Emisor VBE
Transferencia prome- Ampére/Ampére
dio de corriente Base–
Colector en Emisor
Común β
Transferencia mínima Ampére/Ampére
de corriente Base–
Colector en Emisor
Común β min
Resistencia juntura kOhms
Base–Emisor rπ
Table 1: Parámetros de Transistor seleccionado.
Reemplazando en la Ecuación 88:

1 VCC
ICQ (n) =
2 RC (n ) + R E (n )
VCC
RC (n ) + R E (n ) =
2ICQ (n)
Para las resistencias de base, en cualquiera de las etapas, se toma la división
entre la Ecuación 89 y la Ecuación 90, resultando en:
VCC
R1 ( n ) = R B ( n )
VBB (n)
Y reformulando la Ecuación 90 con respecto a R2 (n), se obtiene:
VBB (n)
R2 ( n ) = R1 ( n )
VCC − VBB (n)
Los demás parámetros se calculan mediante el procedimiento a contin-
uación.
1.2 Análisis de pequeña señal
Suponiendo que el amplificador está debidamente polarizado, se procede

a realizar el análisis de pequeña señal, definiendo los capacitores como
corto–circuitos. Eso hace que se elimine la resistencia R E (n) para cada
etapa n, definiendo las respectivas etapas en la figura 161(b). De ahí se
tiene lo siguiente [3]:
vo (n) = −( Roeq (n)||ro ) βi B (n)
222 | 256
vi ( n ) = r π i B ( n )
vo (n) β β
Av (n) = = − ( Roeq (n)||ro ) ≈ − Roeq (n)
vi ( n ) rπ rπ
VT
rπ (n) = β
IC (n)
donde VT = 26 mVolts. Para la primera etapa se tiene que:
Roeq (1) = RC (1)|| R B (2)||rπ .
Para la segunda etapa:
Roeq (2) = RC (2)|| R L
Del cual el valor R L va a ser determinado. Por último, los acoples Capacitor–
Resistor en cada etapa se comportan como filtros pasa altos, cuyas frecuen-
cias de corte son respectivamente, para el acople del colector (coupling) y
el acople del emisor (bypass):
1
ωc (coupling) =
R i ( n + 1) C
1 β
ωc (bypass) = ≈
( R E (n)||rπ /β)C rπ C
Una aproximación para ubicar las frecuencias de corte cercanas una a la
otra es:
1 β
ωc = + ,
R i ( n + 1) C r π C
por lo que los capacitores se calculan para cada etapa como:
1 β
C (n) = +
R i ( n + 1) ω c rπ ωc
Para la etapa n = 2, Ri (n + 1) = R L .
1.3 Calculo de elementos
La Tabla 2 ilustran los cálculos correspondientes a cada etapa.
2 Resultados
2.1 Simulación
Al simular el circuito de la Figura 161(a), con los datos obtenidos en la

Tabla 2, se obtuvieron los resultados de la Tablas 3 y 4.
223 | 256
A continuación, con base en los resultados obtenidos, se obtiene la curva

IC − Vs .
Dibuje la curva en este espacio
Finalmente, se varía la frecuencia de la fuente vs , utilizando análisis AC

Sweep. Del análisis, la frecuencia de corte resulta ser igual a Hertz.
2.2 Montaje
Al realizar el montaje del circuito de la Figura 167, con los datos obtenidos
en la Tabla 1, se obtuvieron las mediciones de la Tablas 5 y 6.
A continuación, con base en los resultados obtenidos, se obtiene la curva
v L − vs .
Dibuje la curva en este espacio
Al variar la frecuencia de la fuente vs , se obtienen los resultados de la

Tabla 7. La frecuencia de corte resulta ser igual a Hertz.
Los valores medidos (SI/NO) variaron con respecto a la simu-
lación, porque
.
Los valores medidos (SI/NO) correspondieron con los parámetros
de diseño porque
224 | 256
.
Por último, la tabla 8 ilustra los resultados obtenidos al variar la resistencia
de carga R L
3 Conclusiones
La realimentación dada por el resistor R E determina estabilidad de corri-

ente, porque
.
Si se varía el valor de la carga R L , sucede lo siguiente:
.
Si vs > Vsmax , sucede lo siguiente:
.
Con respecto al análisis del circuito de la Figura 167, se pudo comprobar
que el valor β (SI/NO) es igual al diseñado, porque
.
225 | 256
Silicon-Controller-Rectifier
Keywords: Amplificador Operacional, Inversor, No Inversor, Restador,

Sumador.
En este experimento se realiza un análisis de un dispositivo electrónico,
aplicado a una función específica. Se propone el diseño de un controlador
de iluminación, y se verifica su desempeño. La carga a controlar su potencia
es una bombilla de 6 Watts, el cual se encuentra en serie con la entrada del
rectificador de onda completa. Esto significa que la corriente se suministra
a la bombilla depende de la acción de control. Esto es posible si la corriente
a la salida del controlador aumenta. Los siguientes son los parámetros
definidos para el diseño:
1. La potencia suministrada es de 6 Watts, a 12 Volts. Se estima entonces
500 mAmperes para el correcto funcionamiento. Se establecen 600
mAmperes como máxima corriente permitida para los diodos del
rectificador y el SCR.
2. Para la minimización del rizado, se debe usar un filtro pasa bajas con
frecuencia de corte en 60 Hertz. Se recomienda que la frecuencia de
corte sea menor, dado que es un filtro de primer orden.
Los parámetros críticos son la corriente máxima del puente de diodos, la
tensión de activación del SCR VG , la corriente máxima del SCR, la ganancia
de transferencia de corriente y la corriente máxima que pueden entregar los
transistores. Se busca en la hoja de datos de los componentes obtenibles
en el mercado y de ahí se establece el diseño para el montaje final. El
montaje estará realizado sobre circuito impreso, diseñado por PCB (No en
placas universales). En el informe final se incluyen los valores finales de los
dispositivos involucrados en el circuito y los valores medidos, comparán-
dolos con los obtenidos en la simulación, y conclusiones evaluables sobre
observaciones relevantes que permitan la mejora del dispositivo. Teniendo
en cuenta estos parámetros de diseño, el circuito de la Fig. 162(a) se pro-
pone como un eficiente controlador de iluminación. El circuito suministra
potencia a la carga mediante tres bloques principales: i) el Rectificador de
Onda Completa mediante el puente de cuatro diodos; ii) el Filtro, compuesto
por las resistencias y el condensador de compensación; iii) el componente
de control que regula la corriente del la compuerta del SCR mediante una
configuración darlington de transistores y resistencias.
• Rectificación de onda completa. Esta sección se compone de cuatro
diodos cuya señal de entrada es de corriente alterna. Los diodos D1
226 | 256
(a) Montaje propuesto
(b) Plano de circuito en simulación.
Figure 162: Circuito regulador de iluminación (Dimmer)
y D3 son polarizados en directo en el semiciclo positivo, los diodos

D2 y D4 son polarizados en sentido inverso. En ambos semi–ciclos, la
corriente atraviesa la resistencia de carga RL. Así, la señal de salida
tiene la forma de una onda rectificada completa. Esta salida presenta
un alto rizado.
• Filtro Para reducir el rizado, se pone un condensador (capacitor) C1

en paralelo con el rectificador. Este capacitor se carga a la tensión
máxima y se descargará por la carga mientras que la señal de salida
cumple un semi–ciclo.
• Controlador de la corriente del SCR. Esta sección se compone de un

tiristor SCR en paralelo con la salida del rectificador. Asumiendo
despreciable la corriente que pasa por la configuración Darlington
de transistores, cuando el SCR conduce, existe un paso de corriente
directo a la carga y la corriente en la carga aumenta, debido a que
el SCR queda en serie con la carga, para cualquier semiciclo. En el
caso contrario, cuando el SCR se encuentra en circuito abierto, para
ambos ciclos existe un diodo en el rectificador que impide el paso de
227 | 256
corriente hacia la carga. El SCR está controlado mediante una con-

figuración Darlington de transistores, el cual entrega la corriente de
activación del SCR mediente la malla de resitencias de base. Así, para
controlar dicha corriente, la resitencia R P es variable. El condensador
C2 reduce el rizado que presenta la señal a la salida del rectificador,
estabilizando la tensión de polarización de los transistores. Por úl-
timo, el resistor RG determina la tensión de activación del SCR. Para
que por el circuito Darlington pase el mínimo de corriente posible, la
impedancia de entrada debe ser alta. Nótese que cuando el transistor
Q1 se encuentra en saturación, la corriente que pasa por la compuerta
del SCR sería:
VC2 − VG V
iG = + i BE − G ,
RC RG
donde VC2 es la tensión medida sobre C2 . Para que la corriente de
activación de los transistores i BE sea baja, la malla Rb1 − Rb2 debe
proveer una resistencia equivalente alta, y Rb1 > Rb2
La simulación se ilustra en la Fig. 162(b). Los elementos que constituyen

el circuito son los siguientes:
• 4 diodos de capacidad de acuerdo con el diseño.
• SCR TIC226D.
• Resistencias de acuerdo con el diseño.
• Transistores de acuerdo con el diseño.
• Condensador de acuerdo con el diseño.
• Bombilla de 120 Volts/150 Watts.
Los resultados de la simulación, para ciertos valores de R P se encuentran

en la Tabla 1, de donde se concluye que el resistor R P en su máximo valor
no desactiva el SCR, por lo que la bombilla no se apagaría. Por lo tanto,
un diseño es necesario para determinar los valores adecuados tanto para la
máxima transferencia de potencia a la bombilla cuando R P → 0 como para
determinar el valor R P necesario para desactivar el SCR.
228 | 256
Ruido
Ruido
Se presenta la simulación y montaje de un circuito basado en una juntura

semiconductora y polarizada en forma inversa capaz de generar ruido
rosado. Se demuestra aquí la variabilidad de los dispositivos semiconduc-
tores ante la temperatura.
1 Marco Teórico
• Ruido:
• Ruido Blanco:
• Ruido Rosado:
• Ruido de Disparo (Flicker):
• Filtro:
• Ganancia:
• Barrera de potencial:
229 | 256
Ruido
• Ruido térmico:
2 Metodología
1. Construya el circuito generador de ruido rosado que aparece en la

figura, con las siguientes características:
• Generación de señal etapa (1): Ruido Blanco Gaussiano de muy
baja amplitud.
• Frecuencia de corte filtro R1 − C1 = 150 Hz.
• Frecuencia de corte filtro R2 − C2 − R3 (Incluye el Op Amp) =
104 Hz.
Figure 163: Gráfico Ruido
2. La ganancia de tensión del filtro R1-C1 está descrita por la función

de transferencia:
H (s) =
3. La ganancia de tensión del filtro R2-C2-R3 está descrita por la función

de transferencia:
H (s) =
4. Los valores de C1 y R1 para la frecuencia de corte son:
5. Los valores de R2, C2 y R3 para la frecuencia de corte son:
6. Conecte el circuito a la fuente y mida la densidad espectral del ruido

en el punto (2). Dibuje el resultado en la figura 164
230 | 256
Ruido
7. La causa de la fuente de ruido es debida a
8. Acercando una flama (mediante un encendedor o fósforo encendido)

al Transistor, se midió la densidad espectral del ruido en el punto (2).
El resultado se ilustra en la figura 165
9. La variación de la temperatura se determina al acercar una flama al

transistor. La causa de la variación en la amplitud de ruido debido a
la temperatura se debe a:
231 | 256
Ruido
10. Conectamos la salida del circuito a unos audífonos o amplificador de

audio. Cualitativamente el sonido escuchado se describe como
3 Conclusion
Una aplicación que puede darse al generador de ruido rosado es:
232 | 256
Caso de Estudio: Efecto Wah
La Figura 166 ilustra un dispositivo que produce efecto Wah sobre la señal
de audio insertado a la entrada. Además, es un dispositivo amplificador
general, controlado por el switch S2.
Figure 166: Circuito Π.
1 Consideraciones para el Marco Experimental y

Resultados
Se debe entregar, en respectivas tablas, los procedimientos de cálculo y

medición de los valores de las resistencias, capacitancias, amplificadores
y demás elementos, de tal manera que coincidan con los parámetros de
diseño. La simulación debe hacerse con los valores reales obtenidos en el
mercado. La implementación se debe hacer sobre circuito impreso PCB,
incluyendo puntos de acceso a la medición (Jacks en lo posible). No se
aceptan placas universales o prefabricados. El protoboard solo se usará
para efectos de ensayo. La simulación se realiza en Proteus ISIS y el PCB
en Proteus ARES. Sin embargo, el diseño puede realizarse con algún otro
programa de simulación y diseño. La Tabla 1 ilustra los puntos de prueba
dispuestos en el circuito y la variable medida.
2 Conclusiones
233 | 256
Lo anterior comprueba las siguientes debilidades del circuito
.
234 | 256
Caso de Estudio: Control de Motor para ventilador
Caso de Estudio: Control de Motor

para ventilador
En este proyecto se da un análisis completo de un dispositivo electrónico

basado en los conociemientos de clase. Se trabajará con dispositivos dis-
cretos, realizando los cálculos de sus valores en cada caso. El circuito de
la figura 167 se propone como un eficiente controlador de la velocidad de
un motor ventilador DC de 12 Volts. El circuito funciona de la siguiente
Figure 167: Montaje propuesto
manera:
.
Se propone diseñar el circuito de tal manera que se obtenga la corriente de
colector en el transistor Q2 al menos 3/4 de su corriente máxima soportable,
cuando la tensión del motor se encuentre a 12 Volts. La resistencia R5 hará
235 | 256
que el motor se apague solo cuando esté en el valor más bajo (para ello
hay que medir el valor del potenciómetro en ese punto), y la resistencia
R6 debe soportar toda la corriente del colector. El LED de color rojo se
enciende cuando la corriente de colector está completamente puesto sobre
el motor, es decir, en el valor máximo de R5 .
Keywords: Diseño electrónico, Circuitos, PCB, Electrónica.
1 Diseño
Para este proyecto, R5 es elegido como resistencia lumínica. Por lo tanto,

se deben revisar primero los valores máximos y mínimos de la resistencia
antes de realizar el diseño. El siguiente es el procedimiento para el cálculo
de los valores de las resistencias, capacitancias, amplificadores y demás
elementos del circuito:
1.1 Cálculo de Transistores
Dado que la corriente nominal del motor es de Ampéres, la cor-

riente máxima que debe soportar el transistor Q2 es de Ampéres.
El transistor Q1 es un manejador de corriente, por lo que puede darse una
relación de % con respecto a la corriente de colector en Q2 . Así, la
corriente máxima que debe soportar el transistor Q1 es de mAmpéres.
Con estos valores se escogen los Transistores, donde sus respectivas rela-
ciones de transferencia de corriente son de β 1 = y β2 = .
1.2 Cálculo de Resistencias
Primero, la fotoresistencia fué medida para diferentes valores de ilumi-

nación L, arrojando los valores de la Tabla 1. Una vez calculado R5 , la
malla en la que se encuentra R4 , R5 y el Motor M1 define las siguientes
ecuaciones:
236 | 256
Así, la máxima corriente que
pasa por R4 (Imax ( R4 )) se establece cuando la resistencia R5 es (Maxima/Minima) .

Bajo las condiciones exigidas para el circuito, se tiene que R4 es igual a
Ohms. Una aproximación para el cálculo de las resistencias junto
a la base del Transistor Q1 está dado por:
R1 R2
R4 ( β 1 + 1)
R1 + R2
R1 ≈ 10R2 (93)
Así, R2 se calcula de la siguiente manera:

Luego, R2 es igual a .
Las ecuaciones para R3 se definen por las ecuación de nodo como:
237 | 256
Por último, teniendo en cuenta
los parámetros del diodo, R6 se calcula como:

Luego, R3 = , R6 = .

Resultados
Se debe entregar el diseño del dispositivo propuesto, mediante el cálculo

de los parámetros del circuito.
Se debe entregar, en respectivas tablas, los procedimientos de cálculo de los
valores de las resistencias, capacitancias, amplificadores y demás elementos,
de tal manera que coincidan con los parámetros de diseño.
La simulación debe hacerse con los valores reales obtenidos en el mercado.
238 | 256
La implementación se debe hacer sobre circuito impreso PCB, incluyendo

puntos de acceso a la medición (Jacks en lo posible). No se aceptan placas
universales o prefabricados. El protoboard solo se usará para efectos de
ARES. Sin embargo, el diseño puede realizarse con algún otro programa
de simulación y diseño. Se debe implementar el dispositivo, y verificar su
desempeño.
La Tabla 2 ilustra los puntos de prueba dispuestos en el circuito y la variable
medida.
3 Conclusiones
.
.
.
circuito de la Figura 167 fue de Ampéres. Luego, dado que la cor-
riente máxima que se le puede entregar al Motor es de Ampéres ,
se pudo comprobar que (SI/NO) se cumplió con el diseño, porque
.
(Evaluador) Los valores de tensión con respecto a la iluminación máx-
ima y mínima aplicada sobre R5 en el circuito de la Figura 167 fueron de
volts. Luego, comparando con los parámetros exigidos, se pudo
comprobar que (SI/NO) se cumplió con el diseño, porque
.
239 | 256
240 | 256
Caso de Estudio: Cargador de Baterías
Caso de Estudio: Cargador de

Baterías
En este proyecto se da un análisis completo de un dispositivo electrónicos

basado en los conociemientos de clase. Se trabajará con dispositivos discre-
tos, realizando los cálculos de sus valores en cada caso.
Se presenta a continuación el diseño, implementación y evaluación de un
circuito cargador de baterías, utilizando Transistores. Los elementos son
calculados de acuerdo con el diseño. Una vez implementado el dispositivo,
se verifica su desempeño. El circuito de la figura 168 se propone como un
eficiente cargador de baterías. El circuito funciona de la siguiente manera:
.
Se propone diseñar el circuito, de tal manera que cargue una batería de
Vx Volts y capacidad de C mAmpéres/hora, es decir, el circuito entregaría
máximo C mAmpéres. Así, el circuito le entrega corriente a la batería a una
corriente de C/5 mAmpéres cuando la tensión de carga esté entre 0.1Vx
y 0.85Vx Volts, C/10 Ampéres cuando está entre 0.85Vx y 0.95Vx Volts,
241 | 256
C/20 Ampéres cuando está sobre 0.95Vx Volts y ≈ 0 cuando la batería

está cargada. Las resistencias de realimentación R2 , R3 deben consumir
máximo 1% de la corriente que se provee a la batería. El valor VREF es
seleccionado de acuerdo a los parámetros del amplificador U1 . Adicional,
se debe diseñar el circuito para extraer VREF .
Keywords: Diseño electrónico, Circuitos, PCB, Electrónica.
1 Diseño
El siguiente es el procedimiento para el cálculo de los valores de las resisten-

cias, capacitancias, amplificadores y demás elementos del circuito:
1.1 Tensiones y Corrientes de Carga
Partiendo del valor de carga nominal de la batería de mAmpéres/h,

se considera primero que se está en la condición de carga de C/5. Así,
la máxima corriente de emisor que debe soportar el Transistor Q4 es de
Ampéres. Esta corriente se distribuye entre la batería y las re-
sistencia equivalente R2 + R3 , asumiendo que la corriente que entra por el
amplificador operacional es cero. Para ello es conveniente que el Amplifi-
cador Operaciona U1 sea . El procedimiento para calcular R2 y R3
se ilustra a continuación:
1.2 Diseño de Transistores
Al sumar las corrientes de carga a la batería y de la red R2 → R3 , se es-

coge como Transistor Q4 el , el cual brinda una transferencia de
242 | 256
corriente de β 4 = . Con esto, la corriente de base requerida es de

mAmpéres. Para ello, el valor de la resistencia R6 debe ser de
Ohms, a modo de obtener Volts, suficiente para polarizar
la juntura BE de Q4 . Como la corriente de base Q4 es igual a la corriente
de emisor de Q3 , el Transistor escogido para Q3 es un , brindando
una relación de transferencia de corriente de β 3 = .
Para el diseño de Q2 , es necesario disponer de los dos estados: el es-
tado de carga completa (AC/5 ) y el estado de descarga (A0 ). Para el
primer caso, Q2 está en estado de corte, por lo que su tensión CE es de
VCE ( Q2 ) = Volts. Para el segundo caso, Q2 está en completa satu-
ración, por lo que la corriente que debe soportar es igual a la que se sumin-
istraría a la batería en plena carga, es decir IC ( Q2 ) = Ampéres. Con
estos dos datos, se determina que el Transistor Q2 a utilizar es el .
Con la selección de este transistor, la razón de transferencia de corriente es
de β = .
1.3 Diseño de Resistencias de Potencia
El procedimiento para calcular R5 y R4 es el siguiente:
Así, R4 = Ohms y R5 = Ohms.
1.4 Diseño de la Etapa de Control
Para esta etapa se debe tener en cuenta los parámetros de carga exigidos.
Específicamente, el Amplificador Operacional funciona bajo tres estados:
el estado de carga completa AC/5 , el estado de carga intermedia AG , y el
estado de no carga A0 . Los estados AC/5 y A0 fueron explicados anterior-
mente para el diseño del Transistor Q2 , y funciona de la misma manera
243 | 256
para el Amplificador Operacional U1 . Siendo V + y V0 (U1 ) las tensiones

medidas sobre la entrada positiva y la salida de U1 , respectivamente, y
VSAT la tensión de saturación del Amplificador Operacional, se tiene lo
siguiente:
• En la condición AC/5 , V + < VREF , por lo que V0 = −VSAT ;
• En la condición AG , V + ≥ VREF , por lo que V0 = G (V + − VREF );
• En la condición A0 , V + VREF , por lo que V0 = VSAT ;
Para que la condición AG se ajuste a los valores requeridos para la carga
variable del dispositivo, se tiene el siguiente procedimiento:
Se determina así que G = , RF = Ohms y R7 = Ohms.

Por último, para manejar la corriente de base necesaria para la saturación
del Transistor Q2 en el estado A0 , la Resistencia R1 es igual a Ohms.

Resultados
Se debe entregar, en respectivas tablas, los procedimientos de cálculo y

medición de los valores de las resistencias, capacitancias, amplificadores
y demás elementos, de tal manera que coincidan con los parámetros de
para efectos de ensayo. La simulación se realiza en Proteus ISIS y el PCB
en Proteus ARES. Sin embargo, el diseño puede realizarse con algún otro
programa de simulación y diseño. La Tabla 1 ilustra los puntos de prueba
dispuestos en el circuito y la variable medida.
244 | 256
3 Conclusiones
.
.
.
En el caso que se cambie la capacidad de la batería, los siguientes valores
de los elementos del circuito de la Figura 167 deben ser cambiados:
.
Luego, comparando con los parámetros exigidos, se pudo comprobar que
(SI/NO) hay una modificación importante en el diseño, porque
.
(Evaluador) Las pendientes máxima y mínima de corriente que se pudo
tranferir a la batería en el circuito de la Figura 167 fueron de y
de Ampéres/s, respectivamente. De igual manera, el punto de
inflexión de corriente se encontró para cuando la tensión de carga fué del
% de la tensión total de la batería, comprobando que (SI/NO) se
cumplió con el diseño, porque
.
245 | 256
246 | 256
Medidor de proximidad utilizando Sensor Infrarojo
Medidor de proximidad utilizando

Sensor Infrarojo

keywords Diseño electrónico, Circuitos, PCB, Electrónica.
1 Propuesta
El circuito de la figura 169 se propone como un eficiente medidor de prox-

imidad usando un sensor infrarrojo. Se sugiere el uso del SFH-5110-38 [6],
o del TSOP-4830 [7] para el fototransistor U3 , cuyo diseño se ilustra en la
Figura 170(a).
Figure 169: Montaje propuesto. Adaptado de [5]
El circuito funciona de la siguiente manera:
247 | 256
.
Se propone diseñar el circuito, de tal manera que el se mida un valor
de tensión proporcional a la distancia entre el dispositivo y un obstáculo
grande. Para evitar desbalances por paralaje, se usan dos LED infrarojos,
que se disponen como se sugiere en la figura 170(b).
(a) Sensor U3 (b) Disposición sugerida para los LEDs in-

frarojos
Figure 170: Sensor de proximidad. Tomado de [5]
2 Simulación
La simulación se realiza en Proteus ISIS y el PCB en Proteus ARES. Sin

embargo, el diseño puede realizarse con algún otro programa de simu-
lación y diseño .
3 Consideraciones para el informe final
Se debe entregar un informe escrito en LaTex y un video sobre el desarrollo

del montaje y la solución planteada para ajustarse a los parámetros de
para efectos de ensayo. No se aceptan placas universales o prefabricados. El
protoboard solo se usará para efectos de ensayo. La simulación se realiza en
Proteus ISIS y el PCB en Proteus ARES. Sin embargo, el diseño puede
248 | 256
realizarse con algún otro programa de simulación y diseño. La Tabla 1

ilustra los puntos de prueba dispuestos en el circuito y la variable medida.
4 Conclusiones
.
.
249 | 256
Sensor de Sonido
Sensor de Sonido

El circuito de la figura 171 se propone como un eficiente controlador de
iluminación usando un sensor de sonido. Se sugiere el uso del micrófono
ELECTRET. Este circuito debe controlar algún circuito de encendido medi-
ante una señal pulsada desde VOUT . El circuito funciona de la siguiente
Figure 171: Montaje propuesto. Adaptado de [6]
manera:
.
Se propone diseñar el circuito, de tal manera que existe un pulso en VOUT
cuando existe una actividad sonora (como una palmada). El montaje debe
quedar de tal forma que la caja se conecta directamente al tomacorriente.
1 Simulación
La simulación se realiza en Proteus ISIS y el PCB en Proteus ARES. Sin

embargo, el diseño puede realizarse con algún otro programa de simu-
lación y diseño.
250 | 256
Sensor de Sonido
2 Consideraciones para el informe final
Se debe entregar un informe escrito en LaTex y un video sobre el desarrollo

del montaje y la solución planteada para ajustarse a los parámetros de
para efectos de ensayo.No se aceptan placas universales o prefabricados. El
protoboard solo se usará para efectos de ensayo. La simulación se realiza en
Proteus ISIS y el PCB en Proteus ARES. Sin embargo, el diseño puede
realizarse con algún otro programa de simulación y diseño. La Tabla 1
ilustra los puntos de prueba dispuestos en el circuito y la variable medida.
3 Conclusiones
.
.
251 | 256
Caso de Estudio: Amplificador FET de dos etapas
Caso de Estudio: Amplificador FET

de dos etapas

El problema fundamental en el diseño de amplificadores con transistores es
establecer uno que provea un punto estable de polarización. Además, si se
requiere que el amplificador funcione para una gama limitada de frecuen-
cias, el cálculo de los filtros es escencial. Para ello se ilustra en la Figura 172
un amplificador de dos etapas en cascada, utilizando una configuración en
Fuente Común (CS) para cada etapa. Así, para cada etapa, la resistencia de
emisor se comporta como un parámetro de realimentación. En este informe
se presenta el procedimiento de diseño, montaje y recomendaciones para
cumplir con las características anteriormente comentadas. Los elementos
son calculados de acuerdo con el diseño. Una vez implementado el dispos-
itivo, se verifica su desempeño.
El circuito de la figura 172 se propone como un amplificador de dos etapas
basado en FET. El circuito funciona de la siguiente manera:
252 | 256
.
Se propone diseñar el circuito, de tal manera que cumpla con las siguientes
características:
• Tensión de polarización VDD = 15 Volts.
• Ganancia de tensión en la segunda etapa Av (2): 50 dB.
• Frecuencia de corte inferior ωc : 2π ∗ 5 k rad/seg.
• Resistencia de fuente Rs = 5 kOhms.
• Se asume que, para la segunda etapa:
1
VDS (2) = VDD
2
• Se asume que, para el punto de polarización en cada etapa:
ID (n) = 0.01IDmax
1 Diseño
El siguiente es el procedimiento para el cálculo de los valores de las re-

sistencias, capacitancias, amplificadores y demás elementos del circuito:
253 | 256

Resultados
Se debe entregar, en respectivas tablas, los procedimientos de cálculo de

los valores de las resistencias, capacitancias, amplificadores y demás ele-
mentos, de tal manera que coincidan con los parámetros de diseño. La
simulación debe hacerse con los valores reales obtenidos en el mercado.
La implementación se debe hacer sobre circuito impreso PCB, incluyendo
puntos de acceso a la medición (Jacks en lo posible). No se aceptan placas
universales o prefabricados. El protoboard solo se usará para efectos de
ARES. Sin embargo, el diseño puede realizarse con algún otro programa de
simulación y diseño. La Tabla 1 ilustra los puntos de prueba dispuestos en
el circuito y la variable medida.
3 Conclusiones
.
.
.
(Evaluador) La corriente en la segunda etapa en estado estable para el cir-
cuito de la Figura 167 fue de Ampéres. Luego, se pudo comprobar
que (SI/NO) se llegó al punto óptimo de Polarización de los transi-
stores, porque
.
(Evaluador) Los valores de tensión máximos a la entrada antes de presentar
una saturación en alguna de las etapas en el circuito de la Figura 167 fueron
de volts. Luego, comparando con los parámetros exigidos, se pudo
comprobar que (SI/NO) se cumplió con los valores de ganancia,
254 | 256
porque
.
255 | 256
Etapa n Parámetro Ecuación Resultado Unidades

Roeq (2) − Av (2) rβπ Ohms
R E (2) > I 1(2)
CQ
Ohms
VCC
R C (2) 2ICQ (1)
− R E (2) Ohms
RC (2) Roeq (2)
RL Ohms
| RC (2)− Roeq (2)|
1 β
C (2) R L ωc + r π ωc µFarads
ICQ (2)
n=2 IB (2) β µAmpéres
VBB (2) ICQ (2) R E (2) + VBE Volts
R B (2) 0.1β min R E (2) Ohms
R1 (2) R B (2) VVCC(2) Ohms
BB
V (2)
R2 (2) R1 (2) V −BBV (2) Ohms
CC BB
R i (2) R B (2)||rπ Ohms
Roeq (1) RC (1)|| R B (2)||rπ Ohms
1
C (1) R i (2) ω c
+ rπβωc µFarads
R E (1) > I 1(1)
CQ
Ohms
A v (1) − rβπ Roeq (n) Volt/Volt
VCC
R C (1) 2ICQ (1)
− R E (1) Ohms
ICQ (1)
n=1 IB (1) β µAmpéres
VBB (1) ICQ (1) R E (1) + VBE Volts
R B (1) 0.1β min R E (1) Ohms
R1 (1) R B (1) VVCC(1) Ohms
BB
V (1)
R2 (1) R1 (1) V −BBV (1) Ohms
CC BB
R i (1) R B (1)||rπ Ohms
1
C (0) Ri (
1) ω c
µFarads

Rs VCC
n=0 Vsmax R i (1)
+1 2Av (1) Av (2)
mVolts
Table 2: Calculos
256 | 256
Vs VBB (1) VCE (1) IC (1) VBB (2) VCE (2) IC (2)
0.1Vsmax
0.2Vsmax
0.3Vsmax
0.4Vsmax
0.5Vsmax
0.6Vsmax
0.7Vsmax
0.8Vsmax
0.9Vsmax
Vsmax
Table 3: Resultados simulados. Las medidas de tensión V están en Volts, las
medidas de corriente I están en mAmperes.
vs v BB (1) vCE (1) i C (1) v BB (2) vCE (2) i C (2) vL

max min max min max min max min max min max min max m
0.1Vsmax sin(ωt)
0.2Vsmax sin(ωt)
0.3Vsmax sin(ωt)
0.4Vsmax sin(ωt)
0.5Vsmax sin(ωt)
0.6Vsmax sin(ωt)
0.7Vsmax sin(ωt)
0.8Vsmax sin(ωt)
0.9Vsmax sin(ωt)
Vsmax sin(ωt)
Table 4: Resultados simulados. Las medidas de tensión V están en Volts, las
medidas de corriente I están en mAmperes. ω = 10 ∗ ωc .
Vs VBB (1) VCE (1) IC (1) VBB (2) VCE (2) IC (2)
0.1Vsmax
0.2Vsmax
0.3Vsmax
0.4Vsmax
0.5Vsmax
0.6Vsmax
0.7Vsmax
0.8Vsmax
0.9Vsmax
Vsmax
Table 5: Resultados medidos. Las medidas de tensión V están en Volts, las
medidas de corriente I están en mAmperes.
257 | 256
vs v BB (1) vCE (1) i C (1) v BB (2) vCE (2) i C (2) vL

max min max min max min max min min max
0.1Vsmax sin(ωt)
0.2Vsmax sin(ωt)
0.3Vsmax sin(ωt)
0.4Vsmax sin(ωt)
0.5Vsmax sin(ωt)
0.6Vsmax sin(ωt)
0.7Vsmax sin(ωt)
0.8Vsmax sin(ωt)
0.9Vsmax sin(ωt)
Vsmax sin(ωt)
Table 6: Resultados medidos. Las medidas de tensión V están en Volts, las
medidas de corriente I están en mAmperes RMS. ω = 10 ∗ ωc .
ω vi v o (1) v o (2) 20 log(vo (2)/vs )

0.1ωc
ωc
2ωc
5ωc
10ωc
50ωc
100ωc
200ωc
Table 7: Resultados medidos. Las medidas de tensión v están en Volts RMS.
Para este caso, vs = 0.5Vsmax sin(ωt)
RL 20 log(vo (2)/vs )
≈ 0.1R L0
≈ 0.5R L0
≈ 2R L0
≈ 5R L0
≈ 10R L0
≈ 20R L0
Table 8: Resultados medidos. Las medidas de tensión v están en Volts RMS.
Para este caso, vs = 0.5Vsmax sin(10ωc t), y R L0 es la resistencia de
carga diseñada.
258 | 256
RV (Ohms) VG (SCR) (Volts) VLOAD (Volts RMS) ILOAD (mAmps RMS)

10
50
100
200
500
1000
Table 1: Valores obtenidos en simulación.

TP1
TP2
TP3
TP4
Table 1: Puntos de Prueba
L R5
(Ohms)
Lmax
0.75Lmax
0.5Lmax
0.25Lmax
Lmin
Table 1: Valores medidos para la Resistencia R5

TP1
TP2
TP3
TP4
259 | 256

TP1
TP2
TP3
TP4

TP1
TP2
TP3
TP4

TP1
TP2
TP3
TP4

TP1
TP2
TP3
TP4
260 | 256
Bibliography
Bibliography
[1] Leslie Lamport, LATEX: A Document Preparation System. Addison Wesley, Mas-
sachusetts, 2nd Edition, 1994.
[2] Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática, Instituto Tecnológico De Mas-

sachusetts, Cambridge, Massachusetts 02139, 6.101 Práctica introductoria de elec-
trónica analógica Práctica 4
[3] Avendaño, L. E. (2007). Sistemas Electrónicos Analógicos: Un enfoque matricial.

En L. E. Avendaño, Sistemas Electrónicos Analógicos: Un enfoque matricial (págs.
1-32). Pereira, Risaralda, Colombia: Universidad Tecnológica de Pereira. 26, 36, 59,
84, 92, 135, 142, 213
[4] Jung, Walter G. Op Amp Applications Handbook, Elsevier/Newnes, 2005, ISBN

0-7506-7844-5. 81, 82, 83, 89, 90, 91, 156, 170, 215
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[6] Wikipedia. Precision Rectifier.

http://en.wikipedia.org/wiki/Precision_rectifier 240, 241
[7] Wikipedia. Logatrithm Amplifier.

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[8] Wikipedia. Cockcroft/Walton generator

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http://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_multiplier 240
[9] Zener Limiter

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/electronic/limiter.html
[10] Regulador de Tensión. Wikipedia

http://es.wikipedia.org/wiki/Regulador_de_tension
[11] Jung, Walter G. Op Amp Applications Handbook, Elsevier/Newnes, 2005, ISBN

0-7506-7844-5.
[12] http://www.epanorama.net/documents/lights/lightdimmer.html#120v
[13] http://www.bowdenshobbycircuits.info/page4.htm#acdimmer.gif
[14] http://www.g9toengineering.com/AllSaints/infraredproximity.htm
261 | 256
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[15] http://www.efymagonline.com/pdf/circuit-4.pdf
[16] http://home.cogeco.ca/ rpaisley4/IrProximity.html
[17] http://robotechno.us/sound-activation-schematic-diagram.html
[18] http://www.reflow-kit.com/download/rk/RK-10155-136.pdf
262 | 256

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Curso Práctico de

Julio Cesar Garcia Alvarez

Amplificador Derivador, 70–74 Calculo de elementos, 216

Conclusiones, 15–16, 31–32, 56–58, 65– Slew Rate, 60–61

Ley de Ohm - Mediciones en un circuito eléctrico 10

Efecto No-Lineal de los Diodos Semiconductores 16

Análisis del Transistor de Juntura Bipolar 19

El Transistor de Efecto de Campo 22

Modos de operación del Amplificador Operacional 25

Medición de Parámetros en Redes de Dos Puertos (2) 29

Diseño, implementación y puesta a prueba de una Fuente de Tensión Dual. 32

Medición de Parámetros en Redes de Dos Puertos (2) 41

Medición de Parámtros en Redes de Dos Puertos (Análisis de Cuadripolos) 46

Amplificador Operacional: Parámetros reales 58

Amplificador Operacional en modo Derivador 70

Amplificador Operacional Integral 74

Amplificador Sumador, Diferencial y de Instrumentación 79

Sumador-Restador y Sistemas Lineales 88

Aplicaciones con Diodos 102

Aplicaciones con Diodos (B) 103

Aplicaciones con Diodos (C) 104

Aplicaciones con Diodos (D) 105

Clamper circuit 107

Clipper Circuit 114

Voltage Doubler 120

Circuitos rectificadores mediante el uso de diodos 127

Compuerta OR con Diodos 135

2 Marco Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

Compuerta AND usando Diodos 142

Limiter Circuit using Zener Diode 149

Circuitos reguladores mediante el uso de diodos 156

Motor-speed Control by Opto-couplers 163

Circuitos reguladores mediante el uso de diodos y transistores 170

Amplificadores con Transistores: Emisor/Fuente Común 179

Amplificadores con Transistores: Colector/Drenaje Común 190

Amplificadores con Transistores: Base/Compuerta Común 201

2.3 Compuerta Común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205

Amplificador de dos etapas usando BJT 212

Caso de Estudio: Efecto Wah 226

Caso de Estudio: Control de Motor para ventilador 228

Caso de Estudio: Cargador de Baterías 234

Medidor de proximidad utilizando Sensor Infrarojo 240

Sensor de Sonido 243

Caso de Estudio: Amplificador FET de dos etapas 245

Este cuaderno es una recopilación de prácticas realizadas en las instala-

1 El paso de las prácticas al reporte

Es importante aclarar que el reporte técnico no es un simple formulario,

• Responder secuencialmente cada actividad propuesta, es decir, es-

• Analizar los datos. Cada actividad incluye tablas, figuras y cualquier

• Existe una sección de conclusiones, aparte de la sección de activi-

pesar que existen actividades detalladas en esta sección. En detalle, el

• Marco Teórico. En este caso es el estudiante que, a través de una

• Metodología Propuesta. En este caso, basado en lo entregado del ex-

• Experimento. Cada experimento cuenta con su merco experimen-

• Conclusiones. Evalúa y discute los resultados obtenidos, contrastán-

2 Materiales y Puntos de Prueba

Es importante aclarar, que este cuaderno de laboratorios es específico

• Osciloscopio de dos canales,

• Sistema de Tranmisión en Banda Base, con sus respectivos elementos

Se debe entregar un informe escrito en LaTex y un video sobre el desar-

Punto de Prueba Variable

Table 1: Ejmeplo de Puntos de Prueba

3 Consideraciones sobre los casos de estudio