DASAR TEORI

Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor (baik itu jenis silicon atau
germanium), yang membentuk sambungan PN. Bila dua buah diode di hubungkan back-to-
back, maka diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri dengan berbagai terminal P
atau N bersama. Gabungan dua diode menghasilkan tiga layer, dua sambungan, tiga terminal
yang disebut dengan bipolar junction transistor (BJT).
DASAR KERJA

Transistor memiliki dua fungsi, yaitu : sebagai scalar (switching) dan sebagai penguat
(amplification). Oleh karena itu BJT dapat bekerja sebagai amplifier

1. Actif, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic = β. IB)

2. Saturasi, transistor “on” sebagai saklar ( Ic = Isat)
3. Cut-off, transistor “off” sebagai saklar (Ic = 0)

KONFIGURASI BJT

Diketahui BJT memiliki tiga terminal, maka terdapat tiga metode dasar untuk
menghubungkannya dalam rangkaian elektronika dengan satu terminal menjadi input dan
output bersama. Tiap metode memiliki respon yang berbeda terhadap sinyal input dalam
rangkain sebagai fungsi dari karakteristik statis.

KONFIGURASI DASAR BJT

1. Konfigurasi Common Base – has voltage Gain but no Current Gain.

2. Konfigurasi Common Emitter – has both Current and Voltage Gain.
3. Konfigurasi Common Collector – has Current Gain but no Voltage Gain.

1. Konfigurasi Common Base

Berdasarkan namanya (konfigurasi base di ground) :
Base dihubungkan bersama dengan sinyal input diberikan antara terminal base dan
emitter. Sinyal output berada di terinal antara base dan collector.
Common Base voltage gain :

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝐼𝑐 𝑥 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖𝑛 𝐼E 𝑥 𝑅𝐼𝑁
2. Konfigurasi Common Emitter
Berdasarkan namanya ( konfigurasi emitter di ground):
Sinyal input diberikan antara terminal emiiter dan base, sementara sinyal output
dari terminal collector dan emitter.
Persamaan konfigurasi ini :
3. Konfigurasi Common Collector
Berdasarkan namanya (konfigurasi collector di ground):
Sinyal input diberikan di base, dan sinyal output pada beban emitter.
Persamaan konfigurasi ini :
 Characteristic Common Base Common Emitter Commen Collector

Input impedance Low Medium High

Output Impedance Very High High Low

Phase Angle 0 180 0

Voltage Gain High Medium Low

Current Gain Low Medium High

Power Gain Low Medium High

TRANSISTOR NPN

KONEKSI TRANSISTOR NPN

Tegangan VBE : positif pada base dan negative pada emitter.

Tegangan VCE : positif pada collector dan negative pada emitter.

 Collector dihubungkan dengan suplai Vcc melalui beban resistor RL, RL juga
berfungsi untuk membatasai arus maksimum yang melalui transistor. Suplai tegangan base
VB dihubungkan dengan resistor RB, yang juga berfungsi untuk membatasi arus maksimum
base.

DASAR OPERASI

Bias maju membuat lapisan deplesi BE

mengecil

Bias mundur membuat lapisa deplesi BC

membesar

Tingkat doping E > C > B

Karena B didoping sangat kecil (sedikit

hole) maka hanya sedikit electron bebas
yang bergabung dengan hole. Akibatnya,
hanya ada sedikit arus basis.
Kebanyakan electron yang tidak
berekombinasi akan menuju kolektor,
membentuk arus kolektor mengapa ?

Karena lapisan deplesi B sangat tipis dan

electron bebas memiliki masa hidup
yang lama di B. Elektron yang ada di
kolektor akan ditarik oleh (+) terminal.

Aliran arus pada transistor dapat dilihat dari diagram berikut :

 VCE = VCC – VRC

VRC = RC.IC

VCE = VCC – ICRC

VCB = VCE – VBE

Contoh

Sebuah transistor NPN memiliki gain arus DC β SEBESASR 200. Hitunglah arus
base IB yang dibutuhkan untuk men “switch” beban resistif dengan arus 4 mA.

Jawab:

𝐼𝐶 4 𝑥 10−3
IB = + = 20 𝜇𝐴
𝛽 200
KONDISI CUT OFF

Daerah kerja transistor bila IB = 0

Saat ini, ada sejumlah kecil arus leakage collector

ICEO dihasilkan pembawa thermal. Sehingga, VCE =
VCE .Lapisan base-emitter dan base Collector di
bias mundur.