2016 1
¿Qué es una memoria RAM?
• Es la memoria donde se almacenan los datos (programas) con los que
se están trabajando en ese momento.
• Es un dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e
instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de
tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez des
energizado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad
para realizar la transmisión de la información.
Memoria Estática (SRAM)
Es la forma mas antigua y simple de memoria semiconductora
temporal. La celda o unidad básica de almacenamiento de datos de una
SRAM es el FLIP-FLOP.
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OPERACIÓN DE LECTURA SIMPLIFICADA
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32-Word x 8-Bit Static RAM
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ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM
Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write) respectivamente.
Su funcionamiento es el siguiente:
• Situar en los terminales de DIRECCION la combinación adecuada a la célula de memoria a operar.
• En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por último permitir el funcionamiento de la memoria, es
decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la información almacenada en la dirección de
memoria correspondiente.
• En el caso de escritura, además de la dirección adecuada es preciso situar en los terminales de "entrada de
datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deberá ponerse a "1". Por último, validar la operación con
C="1", la información a la entrada de datos quedará registrada en la dirección de memoria indicada. 13
PARAMETROS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS
•Tiempo de acceso: tA tiempo que tarda una palabra en ser leída o escrita desde que se direccionar. La velocidad de acceso
bA es la inversa del tiempo y se mide en palabras por segundo
•Modo de acceso:
–Aleatorio (RAM, Random Access Memory) Se accede a las posiciones de memoria en cualquier orden. El tiempo de
acceso es independiente de la posición.
–Serie. Se accede a las posiciones en secuencia y el tiempo depende de la posición de la cabeza de lectura.
•Alterabilidad (Posibilidad de alterar el contenido de la misma )
–Memorias ROM (Read Only Memory)
Memorias de "solo lectura"
Almacenamiento permanente de datos y programas
Tipos:
ROM, PROM, EPROM, EEPROM.
–Memorias RWM (Read-Write Memory)
Memorias de lectura y escritura
Almacenamiento no permanente de programas y datos
Memorias SRAM, DRAM, FLASH
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CLASIFICACIÓN
- Memorias PROM (Programable ROM): Son memorias ROM programables en un equipo especializado. El
contenido es inalterable desde el momento de la programación.
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CAPACIDAD DE UNA MEMORIA RAM.
.
Nº de palabras: 2n
Organización 2n x m bits
Bits por palabra: m
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Esquema de una memoria
Memoria de 4x8 (4 palabras de 8 bits)
Celda de 1 bit
D
B I Palabra de 8 bits
R
E
U C ENABLE
C
I LECTURA
S O ESCRITURA
N
B U S D A T O S
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RAM estática 2114 Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits
Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lógica tri-estado para permitir su desconexión virtual del
bus de datos.
Las líneas de control son dos: CS y WE
Esta segunda línea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operación efectuada será de escritura; y si WE = 1 será
de lectura.
Sus características más sobresalientes son:
Organización 1024 X 4 bits - Tecnología NMOS - Alimentación 5 V
Disipación típica 300 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado - Encapsulado DIL 18 patillas.Vemos que para direccionar 1024 posiciones
necesitamos 10 patillas puesto que 210=1.024
Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas
Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla
Para seleccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla
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Circuito para comprobar el funcionamiento de una RAM
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4
Address data
A3..A0 A9..A0 D3..D0
4
4
D3..D0
A9..A4
6
A3 A2 A1 A0 RAM 2114
7490 __ ___ D3 D2 D1 D0
CS WE
CP
__
CS
CLK control ___
WE
M3 M2 M1 M0