AMPLIFICADOR BJT:
Daniel Alejandro Jaramillo Rosero (da.jaramillo1383@uniandes.edu.co), Freddy Norberto Montañez
Gordillo (fn.montanez293@uniandes.edu.co) – UNIANDES
Abstract- En esta práctica se pretende implementar el
transistor BJT 2N2222 como un amplificador, el cual será puesto
a prueba a una temperatura diferente a la ambiente.
Key words- Transistor, bipolar junction transistor, saturación, corte,
amplificación.
I. INTRODUCCIÓN
Hoy en día los amplificadores están en una gran parte de
dispositivos electrónicos, ya sea para amplificar sonidos,
imágenes o señales de comunicación. Gracias a los
amplificadores operacionales, la electrónica análoga se ha
visto enriquecida, y utilizar un A.O. en circuitería presupone
un adecuado conocimiento de sus características,
funcionamiento y prestaciones [1].
En el siguiente informe se presenta como diseñar uno de
tantos amplificadores posibles con un transistor, para este
caso, será una configuración emisor común, este dispositivo se
verá sometido a una prueba de temperatura.
II. MARCO TEÓRICO
A. Transistor BJT:
BJT viene de sus siglas en ingles bipolar junction transistor,
son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de
circuitos de conmutación y procesado de señal. Con el tiempo,
este dispositivo se ha convertido en uno de los más empleados
en la electrónica.
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos
diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y
Colector). Dado esto existen dos tipos, dependiendo de las
uniones, estos son: NPN y PNP.
Figura 1. Transistor BJT
Dadas sus dos junturas es posible tener en diferentes
regiones de operación al transistor, estas son: activa directa,
activa inversa, corte y saturación. Para el diseño de un
amplificador es necesario que el transistor se encuentre en la
primera región mencionada, para esto una de sus junturas
deberá estar polarizada en directa y la otra en inversa.
La resistencia interna de este dispositivo puede variar en
función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito al que está conectado [2].
B. Configuraciones del BJT:
Este transistor muchas veces es analizado en forma de
cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida), esto se
logra si uno de sus terminales es común a la salida y entrada:
 Base común
 Emisor común
 Colector común
C. Máxima excursión:
Un criterio de diseño utilizado es la máxima excursión, esta
permite colocar el punto Q en el centro de la línea de carga,
por tanto se puede obtener una señal simétrica, se atenuaran al
mismo tiempo tanto la parte positiva de la señal, como la parte
negativa de esta.
III. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS
Para preparar el laboratorio se tuvo que hacer los cálculos
teóricos para hallar los valores de los dispositivos electrónicos
a usar en el amplificador.
D. Diseño amplificador BJT:
Para el diseño del BJT emisor común se priorizaron algunas
restricciones, estas se muestran a continuación:
()0
La primera ecuación se utilizó para evitar los problemas de
temperatura asociados a los dispositivos eléctricos, mientras
que la segunda logra máxima excursión en el amplificador, lo
cual permite una atenuación pareja entre la parte negativa y
positiva de la señal. Thevenin y nuevamente hacer mallas:

Además de esto, se asumió un β de 130 ya que la hoja de

especificaciones del transistor 2n222 lo permitió, se impuso ()
una corriente , ya que si se multiplica esta por el
voltaje se obtendrá una potencia adecuada y capaz de ser
soportada por el dispositivo.
Con esto se pudo realizar un divisor de voltaje y con la
Dada la necesidad del transistor de amplificar con una
ayuda de la ecuación de las resistencias en paralelo se logró la
ganancia de 3, se dibujó un esquemático y se calculó esta su
obtención de las resistencias R1 y R2.
, a continuación se muestran ambos:

Para los capacitores se utilizó la fórmula:

Sabiendo que la frecuencia de corte para este caso es de

1KHz se obtuvo:

Figura 2. Esquemático amplificador antes cálculos.

E. Simulaciones:

( ) Luego de esto, ya con los valores fijos se realizó el circuito

en la herramienta de simulación OrCad, esto con el fin de
La aparición de la resistencia de carga supondría un
verificar la efectividad del amplificador. El amplificador
problema, pero se sabe que en un amplificador de estas
según los cálculos debe amplificar la señal por un factor de 3.
características la impedancia de salida es alta (alrededor de los
Kilo Ω), así que se asume de 8KΩ para facilitar los cálculos.

Para hallar Rb, Rc y Re se hizo la malla que pasa por la

fuente DC de 10 voltios y que termina en la tierra de la
resistencia Re:

Con las ecuaciones mostradas anteriormente se hizo un

sistema de ecuaciones, este se resolvió y se obtuvieron los
siguientes valores.

Hay que aclara que Rb se aproxima a ese valor dado que

Figura 3. Esquemático del circuito amplificador
cuando se aproximó Re se alteró la ecuación que está ligada a
la temperatura ( ) 0.

Finalmente se redujo R1 y R2 para hacer el equivalente de

 20mV



10mV

Como se puede observar en ambos datos, hay unos que se

0V
asemejan bastante, incluso el voltaje de base resultó ser casi
idéntico. Lo que resulta realmente extraño es la gran
diferencia que hay entre los β, que es realmente grande. Sin
-10mV
contar esto y la corriente de base se puede decir que las
mediciones fueron las esperadas.

-20mV
La ganancia experimental del circuito varía según la
0s 5ms 10ms 15ms frecuencia de la señal de entrada. En el caso de los medidos,
V(C2:2) V(V2:+)
Time se puede decir que la máxima ganancia se presenta entre las
Figura 4. Simulación circuito amplificador frecuencias de 5KHz y 100KHz loa cual es de 3. Esto puede
En la Figura 4 se observa la señal de entrada en naranja y la ser debido al filtro que efectúan los condensadores montados,
señal de salida en azul, como era de esperarse, ésta última está puesto que los valores teóricos no existen en el mercado. A
invertida ya que la ganancia de un amplificador emisor común frecuencias de 1KHz la ganancia es de 2 y a frecuencias de
es negativa. 1MHz la ganancia se degenera reduciéndose a 1.25.

Ya teniendo los datos verificados por el simulador se

dispone a montar el circuito físico. Debido a los valores
extraños y poco usuales de las resistencias y el condensador,
se tiene que realizar combinaciones en paralelo y serie para
acercarse a los valores calculados.

Al montar el circuito se realizan mediciones de

amplificación en diferentes frecuencias, pero antes se tiene
que modificar la impedancia del osciloscopio como alta pues
con ello se asegura un funcionamiento correcto.

También se dispone a medir los valores de corrientes y

Figura 5. Señal de entrada en amarillo, señal de salida en azul. Voltaje de
voltajes de polarización para el circuito diseñado. entrada 400mVpp, frecuencia 1KHz.

Estos valores resultan ser: Como se observa en la figura anterior, la señal de salida no
 concuerda con lo medido en las simulaciones. Esto se debe a
 que los valores de los capacitores varían del valor teórico,
 pues no es posible realizar una combinación para obtener
 dicha magnitud. A pesar de esto el amplificador se comporta
 de forma óptima con una ganancia de 200% a una frecuencia
de 1KHz.



Algunos de estos valores medidos experimentalmente al ser

comparados con los teóricos se asemejan y otros por el
contrario difieren. Esto puede ser debido a cambios de los
valores exactos calculados y a la incertidumbre de los mismos
dispositivos electrónicos.

Los valores de diseño son:




 Figura 6. Señal de entrada en amarillo, señal de salida en azul, voltaje de
entrada 400mVpp, frecuencia 1KHz.
 En el caso de los 100KHz la amplificación es la correcta
calculada principalmente para un 1KHz, es decir el 300%
original calculado teóricamente. Esto se debe a que el rango 1,71 2,01 5,51
del filtro que realizan los capacitores esta sobre estos valores -0,05 -0,13 0,97
medios pues como se ve en la siguiente figura, a 1MHz 1,76 2,14 4,54 Voltaje Corte
también se debilita la amplificación perdiendo potencia a su
salida.

3,47 4,55 0 Rango

Tabla I. TABLA DE VALORES HALLADOS PARA CALCULAR LA TABLA DOS

Después de hallar estos valores se puede llenar la tabla 2.

CARACTERÍSTICAS 1 kHz 100 kHz 1 MHz

Ganancia 2 3 1.25
Ganancia de corriente
281.56 281.56 281.56
(hfe)
Voltajes de Saturación 5,23 6,69 4,54
Figura 7. Señal d entrada en amarillo, señal de salida en azul. Voltaje de Rango de voltajes ente
3,47 4,55 0
entrada 400mVpp, frecuencia 1MHz. corte y saturación
Tabla II. TABLA DE CARACTERÍSTICAS A DIFERENTES FRECUENCIAS Y
La guía del laboratorio solicita unas especificaciones que se TEMPERATURA AMBIENTE

tuvieron que medir a determinadas frecuencias. Estos valores

Como se puede ver a 1MHz, es difícil tomar este tipo de
están reflejados en la siguiente tabla, estos valores son
medidas debido a que el amplificador no funciona
medidos a una temperatura de 20°C aproximadamente. Para
óptimamente.
encontrar estos valores se tiene que encontrar los voltajes de
saturación y corte para así hallar el rango.
Luego de generar estas medidas se realiza lo mismo pero
sometiendo el transistor a una temperatura alta con el cautin
Los voltajes de saturación del emisor y el colector se hayan
sin hacer contacto.
independientemente. Se mide con el osciloscopio la terminal a
medir y se varia el voltaje de entrada hasta cuando se satura el
pico superior de la señal de salida, el valor normal del voltaje 1k(150°) 100k(150°) 10M(150°)
de colector o emisor más el voltaje pico medido de dicha 0,00000359 0,00000359 0,00000359 Ib
terminal es su voltaje saturación.
0,00111 0,00111 0,00111 Ic
Para los voltajes de corte se hace básicamente el mismo 309,192201 309,192201 309,192201 B
procedimiento pero esta vez monitoreando el pico inferior
hasta que se satura o corta en este caso. El voltaje normal de la
terminal se le resta el voltaje pico inferior medido y este
5,25 5,25 5,25 Vc
resultado es el voltaje de corte.
1,51 1,51 1,51 Vb
Para hallar el rango se resta el voltaje de saturación y de 0,96 0,96 0,96 Ve
corte hallados anteriormente.

4,24 3,12 Vcs

1KHz 100KHz 1MHz
0,92 1,12 Ves
1,65 3,25 - Vcsat
0,96 1,1 - Vesat
9,49 8,37 5,25
1,88 2,08 0,96
7,16 8,76 5,51
Voltaje
1,93 2,07 0,97 7,61 6,29 4,29 sat
5,23 6,69 4,54 Voltaje sat
3,6 3 Vcc
3,8 3,5 - Vccut 1 0,96 Vec
1,02 1,1 - Vecut
 1,65 2,25 5,25 afectado así también su funcionamiento.
 Debido a que los cálculos se consideran perfectos,
-0,04 0 0,96
no se predice con perfección el resultado, pero este
Voltaje es muy aproximado.
1,69 2,25 4,29 Corte
 El cambio de una resistencia o valor de un
componente puede afectar el resultado del
experimento, incluso, el transistor podría dejar de
5,92 4,04 0 Rango amplificar.
Tabla III. TABLA DE VALORES PARA TEMPERATURA DE 150°  El diseño de amplificadores debe ser exacto, ya
APROXIMADAMENTE. que un pequeño cambio o mal cálculo puede
afectar las regiones de operación del transistor,
Primero se miden experimentalmente los valores de además, es importante tener en cuenta que la
polarización del transistor. Luego los valores de saturación y temperatura afecta cada uno de los cálculos y por
corte para así hallar el rango igual que el punto anterior. esto es importante cumplir la restricción:
()0
CARACTERÍSTICAS 1 kHz(150°) 100 1  Como se muestra en la figura 8, es importante
kHz(150°) MHz(150°)
tratar de que el punto de operación este en medio
Ganancia 1 3 1.25
Ganancia de de la recta de .
corriente (hfe) 309,19 309,19 309,19
Voltajes de
Saturación 7,61 6,29 4,29
I. REFERENCIAS
Rango de voltajes
ente corte y 5,92 4,04 0
saturación [1 Tecnología, «Tecnología,» [En línea]. Available:
Tabla IV. TABLA PARA 150°C A DIFERENTES FRECUENCIAS. ] http://www.areatecnologia.com/amplificadores-
operacionales/amplificador-operacional-introduccion.htm.
La curva característica del transistor es: [Último acceso: 16 Febrero 2014].
[2 «EL transistor de union bipolar,» [En línea]. Available:
] http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/ele
ctro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf. [Último acceso: 14
Febrero 2014].

Figura 8. Curva característica BJT

Como se puede ver en la tabla anterior los valores para

frecuencias de 1Mhz son muy difíciles de medir, al igual que a
temperatura ambiente. También se puede observar que los
valores a temperaturas altas varían bastante en magnitud,
puesto que las características originales del transistor y la
propiedad de sus materiales se ven afectada por la
temperatura.

IV. CONCLUSIONES
 Las propiedades físicas de los materiales se ven
afectadas debido a los cambios de temperatura,