UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

“Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA”

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

Circuitos Electrónicos II
Respuesta en Alta Frecuencia de un Amplificador de
una sola etapa
Profesor
Jean Carlos Malca

 Integrante:
Mendoza Castro, Diego Leonardo

 Código:
14190274

 Escuela:
Ing. de Telecomunicaciones

 Horario de Laboratorio:
Lunes 20 - 22 hrs.

Ciudad Universitaria, 20 de junio del 2016

 Respuesta en Alta Frecuencia de un Amplificador de una
sola etapa

1. Definir rbb, rb´e, rb´c, rce, cb´e, cb´c, gm, fβ, ft:

rbb:

La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que es

la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se denomina a
menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se
obtiene:

hie = rπ = rbb´ + rb´e//rb´c

rb´e:

La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la

Vb´e
razón: rπ =
Ib

rb´c:

Resistencia de retroalimentación,

rce:

Resistencia de salida del transistor.

cb´e y cb´c:

Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de la unión

colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse
constante en una región de operación particular del transistor. La capacitancia
cb´e, la cual es capacitor base- emisor.

El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta
capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la
capacitancia de la unión del emisor. Debido a que el primer capacitor es el más
grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala la capacitancia de difusión
(conocida también como capacitancia de carga de la base).

fβ y ft:

fB es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor empieza a

variar. ft es la frecuencia máxima de operación del transitor se da cuando la
ganancia es igual a cero.
 2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo π del transistor en altas
frecuencias, encontrar una expresión para fb/ft.

Modelo Hibrido

1 gm
f '  y fT 
2. .(Cb' e  Cb' c ).rb' e 2. .Cb' e

Entonces tenemos la división:

1
f '  2. .(Cb' e  Cb' c ).rb' e

fT gm
2. .Cb' e

f ' Cb' e

fT (Cb' e  Cb' c).hfemed
 3. Considerando que cb´c <0.1-50p F>, cb´e<100-1000p F> y rb´e=VThfe/IEQ,
encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Hacemos el análisis en alterna para circuito de alta frecuencia (Modelo ¶)

considerando que las capacitancias físicas se hacen corto circuito y que rbc=  , rce=
 , Cwo=0, Cwi=0, entonces tenemos:
Por dato sabemos que los valores:

0.1 pF  Cbc  50 pF y 100 pF  Cbe  1000 pF

Debemos de usar el teorema de Miller, así hacemos que la capacitancia Cb’c se

convierta en una de entrada y una de salida, pero para esto debemos de hallar la
ganancia de voltaje a frecuencias medias.

La ganancia de voltaje para frecuencias medias en el circuito es:

Rc // RL
AV  
re

Para hallar esta ganancia de voltaje debemos hallar la corriente I CQ entonces

tenemos que:

La corriente ICQ es:

2.1v  0.7v
I CQ   1.92mA
9.9 K
 0.68k
200

Por lo tanto podemos hallar la resistencia dinámica:

26mV
re  =13.54Ω
I CQ
Entonces:
10k // 1.5k
AV= = -96.33
13.54

Entonces tenemos que la capacitancia Miller de entrada y de salida varía entre un

rango de valores debido a que la capacitancia Cb’c está entre un margen de
valores, entonces las capacitancias son:
 0.1pF (1  (96.33))  C MI  50 pF (1  (96.33))
9.733 pF  C MI  4860 pF

1 1
0.1 pF (1  ( ))  C Mo  50 pF (1  ( ))
 96.33  96.33
0.1 pF  C Mo  50.5 pF

La resistencia rbe es:

rbe    re  2.7k

Con estos datos tenemos ahora el circuito equivalente resultante:

Entonces hallamos los valores de la frecuencia de corte:

Para la frecuencia de entrada:

CTENT  C MI  Cbe

Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de:

109.733 pF  CTENT  5850 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTENT  Ri // RB // rbe
RTENT  0.67k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 2.375  10 4
FHi  =
2RTENT  C TENT CTENT
Como 109.733 pF  CTENT  5850 pF entonces:

1 1 1
 
109.733 pF C TENT 5850 pF

Multiplicando por 2.375  10 4 entonces:

0.0405MHz  FHI  2.164MHz

Para la frecuencia de salida:

CTSAL  C Mo

Entonces la capacitancia de entra se encuentra entre los valores de:

0.1 pF  CTSAL  50.5 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTSAL  Rc // R L
RTSAL  1.3k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 1.22  10 4
FHo  =
2RTSAL  C TSAL CTSAL

Como 0.1 pF  CTSAL  50.5 pF entonces:

1 1 1
 
50.5 pF CTSAL 0.1 pF
Multiplicando por 1.22  10 4 entonces:

2.415MHz  FH 0  1210MHz

Ahora encontraremos la frecuencia de corte debido a beta.

1
f ' 
2. .(Cb 'e  Cb 'c ). .re
Tenemos que:
100.1 pF  Cb' e  Cb' c  1050 pF

0.056 MHz  f '   0.59 MHz

Por ultimo tomamos el valor más bajo de los tres valores que es aproximadamente
0.0405 MHz.

4.-En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones de transistor será más

conveniente? ¿Por qué?

La configuración hibrida π, es la más conveniente para altas frecuencias ya que

cuenta con los parámetros que salen a relucir para altas frecuencias como las
capacitancias parasitas.