Perancangan Penguat
Penguiat Tegangan
Menggunakan RD untuk
mengubah arus menjadi
tegangan
vO vDS VDD iD RD
VTC
Saat input vGS kurang dari Vt
FET cut-off
vO vDS VDD
Saat input vGS melampaui Vt
FET arus mulai mengalir VD
turun MOSFET masuk mode
saturasi
vO VDD iD RD
VDS VDD I D RD
2
Penguatan Tegangan Sinyal Kecil
2
I D RD VDD
penguatan menjadi Av Av max
VOV 2 VOV 2
Contoh 5.9
Penguat MOSFET
mempunyai Vt 0,4V, kn’
0,4mA/V2, W/L 10, dan l=0.
Bila VDD 1,8V, RD 17,5kW, dan
VGS 0,6V, tentukan VOV, ID,
VDS, dan Av dan berapa swing
maksimum simetri pada
drain serta swing pada
gatenya
Contoh 5.9
Arus drain DC
k n VGS Vt
1 'W
ID
2
2 L
1
I D 0,4 10 0,2 2 0,08mA
2
Tegangan drain-source
VDS VDD I D RD
VDS 1,8 0,08 17,5 0,4V
Penguatan
Av knVOV RD
Av 0,4 10 0,2 17,5 14V / V
Contoh 5.9
Tegangan DC drain source
VDS 0,4V dan VOV 0,2V maka
agar MOSFET masih saturasi
VDS minimum 0,2V atau
magnituda swing output 0,2V
Perhitungan amplituda
tegangan swing input kasar
vds 0,2
v gs 14,2mV
Av 14
Perhitungan lebih baik bila
vgs diperhitungkan saat
menentukan batas saturasi
Contoh 5.9
Perhitungan lebih teliti dari
batas saturasi
0,4 14vgs 0,6 v gs 0,4
v gs 13,3mV
VTC dengan Analisis Grafis
Persamaan arus tegangan
VDD 1
iD vDS
RD RD
Menentukan Tegangan
Maksimum dan Minimum
Batas tegangan output Batas tegangan output
maksimum saat Cut-off maksimum saat Trioda
Menentukan Titik Kerja Q
Untuk VGS sama
– Resistansi tinggi
cenderung
mendekati trioda
– Resistansi rendah
cenderung
mendekati cut-off