1.

Tema: Amplificador en Corte y Saturación

2. Introducción:

En esta práctica se observó como podemos utilizar un transistor como un

interruptor al realizar un análisis tomando en cuenta su comportamiento tanto en
la zona de corte como en la de saturación, en la zona de corte el transistor actuará
como un circuito abierto y en la zona de saturación será equivalente a un
cortocircuito.
Para la práctica hemos diseñado un circuito en donde sea notorio el uso del
transistor en corte y saturación, el circuito consta de un led, un led emisor de
infrarrojo, un fototransistor y un transistor BC548B.
Lo que se buscó obtener fue un diseño que nos permita manipular el encendido y
apagado de un led mediante un control remoto.

3. Objetivos:

 Observar y verificar que el valor de corriente 𝐼𝐵 sea próximo a cero cuando el

transistor entre en la región de corte.
 Observar y verificar que el voltaje 𝑉𝐶𝐸 del transistor sea el necesario para entrar a
la región de saturación y permanecer en ella cuando el fototransistor sea excitado.
 Verificar que los valores de resistencia calculados sean óptimos para que el
circuito funcione correctamente.

4. Materiales:

 Transistor BC548B.
 Resistencias.
 Led Emisor de Luz
 Led Emisor de Infrarrojo
 Fototransistor
 Cables Conductores y Puntas de Osciloscopio.
 Protoboard.
 Fuente de Corriente Continua.
 Osciloscopio.

5. Procedimiento:

 Arme el circuito que funcionará como nuestro control remoto utilizando el led
emisor de infrarrojo
 Arme el circuito receptor en donde implementaremos nuestro transistor.
 Encienda la fuente tanto para el circuito emisor como para el circuito receptor
 Utilizando un amperímetro compruebe el valor de corriente 𝐼𝐵 para que el
transistor funcione en su región de corte.
 Mida el valor de 𝐼𝐶 cuando el transistor está en corte.
 Mida el valor de 𝐼𝐸 cuando el transistor está en corte.
 Utilizando un osciloscopio mida el voltaje 𝑉𝐶𝐸 cuando el transistor está en corte.
 Utilizando un osciloscopio mida el voltaje 𝑉𝐵𝐸 cuando el transistor está en corte.
 Utilizando un osciloscopio mida el voltaje 𝑉𝐵𝐶 cuando el transistor está en corte.
 Presione el botón con el fin de excitar el fototransistor y obtener una configuración
en saturación para nuestro transistor
 Mida el valor de 𝐼𝐵 cuando el transistor está en saturación.
 Mida el valor de 𝐼𝐶 cuando el transistor está en saturación.
 Mida el valor de 𝐼𝐸 cuando el transistor está en saturación.
 Utilizando un osciloscopio compruebe que el voltaje 𝑉𝐶𝐸 sea el adecuado para que
el transistor funcione en su región de saturación.
 Utilizando un osciloscopio mida el voltaje 𝑉𝐵𝐸 cuando el transistor está en corte.
 Utilizando un osciloscopio mida el voltaje 𝑉𝐵𝐶 cuando el transistor está en corte.

6. Marco Teórico:

 Límites de Operación
Para cada transistor hay una región de operación en las características que
garantizará que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la
señal de salida exhiba distorsión mínima. Dicha región se definió para las
características del transistor de la figura 1. Todos los límites de operación se
definen en una hoja de especificaciones del transistor. Algunos de los límites
de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del colector
(normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua
en el colector) y el voltaje máximo del colector al emisor (a menudo abreviado
VCEO o V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la
figura 1, ICmáx se especificó como 50 mA y VCEO como 20 V. La línea
vertical en las características definida como VCEsat especifica el VCE
mínimo que se puede aplicar sin caer en la región no lineal llamada región de
saturación. El nivel de VCEsat está por lo común cerca de 0.3 V, especificado
para este transistor. El nivel máximo de disipación lo define la siguiente
ecuación:

𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
 Figura 1: Definición de la región de operación lineal (sin distorsión) para un transistor

 Transistor en corte o en saturación

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara
de un interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente
en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente entre
el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado. El transistor trabaja en conmutación cuando puede pasar de corte a
saturación según la cantidad de corriente que reciba por su base.
Bibliografía: Robert L.Boylestad. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónico. México: PEARSON EDUCACIÓN.

7. Análisis de Datos
Circuito 1 – Emisor

Figura 2: Circuito 1

Para diseñar la primera parte del circuito se tomó los datos de corriente y voltaje que
necesita el led para funcionar

Tabla 1: Tabla tomada del datasheet del led emisor infrarrojo

 7.1 Análisis Matemático

Para obtener R1 partimos de los valores de operación del led emisor infrarrojo

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑜𝑝𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 (𝑉𝐿 ) = 1.2𝑉

𝐼𝑚𝑎𝑥 = 20𝑚𝐴

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝐸𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 (𝑉𝑓 ) = 5𝑉

𝑉𝑓 − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐿 = 0

5[𝑉] − 𝑅1 ∗ 𝐼𝑅1 − 1.2[𝑉] = 0

𝑅1 ∗ 𝐼𝑅1 = 1.8[𝑉]

3.8[𝑉]
𝑅1 =
20𝑚𝐴

𝑅1 = 190[𝛺]

Como el valor de la corriente es el máximo, la resistencia calculada será la mínima necesaria

para que el circuito funcione, entonces se produce la siguiente desigualdad

𝑅1 > 190[𝛺]

Tabla 2: Tabla de resistencias comerciales

Aproximamos el valor al inmediato superior en la tabla de resistencias comerciales, en este caso

usaremos

𝑅1 = 220[𝛺]
Circuito 2 - Receptor

BC548B

Figura 3: Circuito 2
Análisis matemático

Para obtener R2 y R3 partimos de los valores de operación del diodo led receptor infrarrojo y
los valores del diodo del emisor

Tabla 3: Tabla tomada del datasheet del led receptor infrarrojo

Tabla 4: Tabla tomada del datasheet del led emisor de luz

Tabla 5: Tabla tomada del Datasheet del transistor BC548B

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑜𝑝𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑙𝑒𝑑 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑙𝑢𝑧(𝑉𝐿 ) = 2𝑉

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝐸𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 (𝑉𝑓 ) = 9𝑉

𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 𝐵𝐶548𝐵 = 200

𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑑𝑒𝑙 𝑙𝑒𝑑 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑙𝑢𝑧 = 20𝑚𝐴

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑜𝑝𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑙𝑒𝑑 𝑟𝑒𝑐𝑒𝑝𝑡𝑜𝑟 𝑖𝑛𝑓𝑟𝑎𝑟𝑟𝑜𝑗𝑜 (𝑉𝑓 ) = 1.2𝑉

𝐼𝑚𝑎𝑥𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 = 20𝑚𝐴

𝐼𝑚𝑎𝑥𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 = 𝐼𝑚𝑎𝑥𝐵𝑎𝑠𝑒 + 𝐼𝑚𝑎𝑥𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟

Para encontrar R2 se analiza los voltajes del circuito de entrada con la intensidad máxima
permitida por el led emisor de luz

9[𝑉] − 𝑅2 ∗ 20𝑚𝐴 − 1.2[𝑉] − 0.7[𝑉] − 2[𝑉] = 0

5.1[𝑉]
𝑅2 =
20𝑚𝐴

𝑅2 = 255[𝛺]

Como el valor de la corriente es el máximo, la resistencia calculada será la mínima necesaria

para que el circuito funcione, entonces se produce la siguiente desigualdad

𝑅2 > 255[𝛺]

Aproximamos el valor al inmediato superior en la tabla de resistencias comerciales, en este caso

usaremos

𝑅2 = 270[𝛺]

Para encontrar R3 se analiza los voltajes del circuito de salida con la intensidad máxima
permitida por el led emisor de luz

9[𝑉] − (255[𝛺]) ∗ 20𝑚𝐴 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅3 − 2[𝑉] = 0

𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 20𝑚𝐴 𝐼𝐶 ∗ 𝑅3 = 1.9

1.9[𝑉]
𝑅3 =
20𝑚𝐴

𝑅3 = 95[𝛺]

Como el valor de la corriente es el máximo, la resistencia calculada será la mínima necesaria

para que el circuito funcione, entonces se produce la siguiente desigualdad

𝑅3 > 95[𝛺]

Aproximamos el valor al inmediato superior en la tabla de resistencias comerciales, en este caso

usaremos

𝑅3 = 100[𝛺]

Tras la simulación se observó que el valor de IE es muy próxima a la corriente máxima, para
minimizar la corriente que llega al Led se modifica R3

Figura 4: Simulación con R2=270 𝛺 y R3 =100 𝛺

Suponiendo 𝐼𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 = 10𝑚𝐴

9[𝑉] − (255[𝛺]) ∗ 10𝑚𝐴 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅3 − 2[𝑉] = 0

𝐼𝐶 ∗ 𝑅3 = 6.745

6.745[𝑉]
𝑅3 =
10𝑚𝐴

𝑅3 = 674.5[𝛺]

Aproximando a un valor comercial

𝑅3 = 680[𝛺]

Para que el transistor este en saturación

𝐼𝐶
𝐼𝐵 >
𝛽

20𝑚𝐴
𝐼𝐵 >
200

𝐼𝐵 > 100µ𝐴

𝐼𝐵 min = 5 ∗ 100µ𝐴

𝐼𝐵 min = 500µ𝐴

 Corte
7.2 Simulación y medición IB

7.3 Error

Medido Simulado ERROR

0.3uA 555.11pA -
En este caso como uno de los valores tiende a 0 no es conveniente obtener el porcentaje de error
pues sería mayor al 100%

7.4 Simulación y medición IC

 7.5 Error

En este caso como uno de los valores tiende a 0 no es conveniente obtener el porcentaje de error
pues sería mayor al 100%

Medido Simulado ERROR

0.5uA 21.45nA -
7.6 Simulación y medición IE

7.7 Error

Medido Simulado ERROR

1.5uA 20.959nA -

En este caso como uno de los valores tiende a 0 no es conveniente obtener el porcentaje de error
pues sería mayor al 100%

7.8 Simulación y medición VCE

7.9 Error
Medido Simulado ERROR
7.5 7.94V 5.83%
7.10 Simulación y medición VBE

7.11 Error
Medido Simulado ERROR
198.2mV 334.5mV 35.4%

7.12 Simulación y medición VBC

7.13 Error
Medido Simulado ERROR
-6.81V -7.601V 10.45%
  Saturación
7.14 Simulación y medición IB

7.15 Error

Medido Simulado ERROR

10.30mA 14.64mA 28.57%

7.16 Simulación y medición IC

7.17 Error
Medido Simulado ERROR
3.34mA 3.1mA 7.18%
7.18 Simulación y medición IE

7.19 Error
Medido Simulado ERROR
16.1mA 17.748mA 9.285%
7.20 Simulación y medición VCE

7.21 Error
Medido Simulado ERROR
69.3mV 20.483mV 0.74%

7.22 Simulación y medición VBE

7.23 Error
Medido Simulado ERROR
623mV 736.3mV 15.38%
 7.24 Simulación y medición VBC

7.25 Error
Medido Simulado ERROR
800mV 756.78mV 5.71%

8 Conclusiones:

8.1 En esta práctica se pudo comprobar que los cálculos para los valores de las
resistencias fueron realizados tomando en cuenta el valor necesario de 𝐼𝐵 para que
el transistor entre en su región de corte sin ningún inconveniente.
Reflexión:
Es de suma importancia establecer un punto de partida en el diseño del circuito
debido a que los distintos elementos utilizados interfieren en el cálculo de
magnitudes, en este caso en el cálculo de corrientes, teniendo el conocimiento
adecuado es posible deducir si los valores de la corriente 𝐼𝐵 obtenidos con el
amperímetro cumplen con lo solicitado para que el transistor funcione en su región
de corte.

8.2 Utilizando el osciloscopio y el multímetro pudimos verificar que el valor de

voltaje 𝑉𝐶𝐸 es el adecuado para que el transistor funcione en su región de
saturación esto debido al análisis previo para establecer resistencias.
Reflexión:
Mientras el fototransistor no esté excitado ambos componentes, transistor y
receptor infrarrojo, estarán en corte. Cuando el fototransistor sea excitado con la
luz infrarroja éste entrará en saturación y permitirá que el transistor también lo
haga permitiendo que el led emisor de luz se encienda sin problemas

8.3 El circuito emisor y el circuito receptor cumplen con lo solicitado sin ningún
inconveniente esto es debido a que tanto el análisis matemático como su
simulación fueron realizados con el fin de que no existan perturbaciones en
nuestro transistor en cualquiera de sus estados, corte o saturación.
Reflexión:
En esta práctica hemos utilizado componentes poco convencionales para un
laboratorio como lo son el emisor y el receptor infrarrojo por lo que fue necesario
investigar su funcionamiento y sus hojas de especificaciones para los cálculos.
9 Recomendaciones:

9.1 Se recomienda realizar la práctica en un lugar no tan iluminado debido al

funcionamiento de nuestro fototransistor.
9.2 Se recomienda encender el led emisor de infrarrojo a una distancia prudente para
que el fototransistor funcione de manera óptima.
9.3 Es recomendable colocar una resistencia de protección para el diseño del circuito
emisor tal y como se ha realizado en esta práctica.

10 Bibliografía:
BJT. (2013). En El Transistor de Unión Bipolar (págs. 87-90).

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Conexion Darlington. En R. L. Boylestad, & L. Nashelsky,
Electronica: Teoria de circuitos y dispositivos electronicos (págs. 299-305). Mexico DF:
Pearson Educacion.

Geocities. (27 de 05 de 2019). Obtenido de Geocities:

http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/base.html