Brecha de Energı́a

Laboratorio de Fı́sica Contemporánea II.

Facultad de Ciencias. UNAM.

Monroy Dı́az Eduardo

19/Feb/2019

Objetivos: Los objetivos principales de este dos y su importancia como rectificadores, ası́ como pro-
experimento son determinar el valor de la brecha de poner algunas consideraciones fı́sicas aceptables en la
energı́a de dos materiales semiconductores de un par obtención del coeficiente de energı́a α y las constantes
de diodos (1N4003 y EM120), asi como el cambio de la η de cada diodo semiconductor (1N4003 y EM120).
brecha energı́a respecto a la temperatura (coeficiente
de temperatura de la brecha α). Marco Teórico.
El Fı́sico estadounidense William Shockley recibio
el premio Nobel en 1956 en conjunto con Bardeen
Resumen. y Walter H. Brattain, por sus investigaciones en
Para el cálculo de la brecha de energı́a de dos dio- semiconductores y el descubrimiento del transistor de
dos semiconductores se empleo un circuito donde se unión entre dos cristales de Silicio. Tales semiconduc-
conecto por separado cada diodo (1N4003 y EM120) tores de estado sólido tienen la virtud de rectificar y
en serie con una resistencia de 220Ω y se hizo variar el amplificar la corriente que circula a través de ellos.
voltaje con una fuente para medir y graficar la relación Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se
corriente-voltaje y obtener una constante propia del abrió camino hacia la miniaturización de los circuitos
material semiconductor empleando la ecuación de de radio, televisión y de los equipos de ordenadores.[6]
Shockley. Con esta constante conocida, se colocó cada
diodo por separado en un baño marı́a para calentarlo Los semiconductores son materiales cristalinos
de manera controlada con una parrilla eléctrica y poder cuyos niveles atómicos de la capa externa exhiben
medir el voltaje en el mismo a diferentes temperaturas una estructura de bandas de energı́a. Estas bandas
con la ayuda de un termometro a una corriente con- de hecho son regiones de varios niveles discretos que
stante de 3 µA y 230 mA para los diodos 1N4003 y estan cercanamente espaciados como para considerarse
EM120. Con estos datos se calculó el valor de la brecha continuos. La figura 1 ilustra esta estructura básica
de energı́a ambos diodos semiconductores, siendo para consistente de una banda de valencia, una banda de
el 1N4003 un valor de 1.185±0.0349 eV y 0.765±0.0210 conducción y un gap de energı́a entre estas bandas.
eV para el diodo EM120; mientras que la constante de
temperatura α fue de 0.42±0.01 eV K y 0.68±0.01 K
eV

para los diodos de Si y Ge respectivamente, valores

cuales son muy cercanos a los reportados en la liter-
atura [1,2]

Introducción.
El experimento de Brecha de energı́a es un experimento
tı́pico en el Laboratorio de Fı́sica contemporánea valor
de la brecha (gap) de energı́a en los semiconductores
puede ser obtenido de manera simple en un laborato-
rio con material fácil de obtener y con ayuda de pocas
ecuaciones derivadas de la ecuacion de Shockley. Al
medir voltajes y corrientes en diodos semiconductores
en un circuito en serie con una resistencia se ponen
en práctica conocimientos enseñados en la carrera de
Fı́sica, y considerando las limitaciones tanto en la pre-
cisión de los modelos matemáticos e instrumentales, se
llega a comprender los terminos relacionados a los dio-
Figura 1.Estructura de bandas de energı́a de un aislante,
un semiconductor y un metal. [1]
El gap de energı́a de un aislante es mayor que en
un semiconductor, mientras que en un metal el gap de
energı́a tiene un valor negativo debido al traslape de
las bandas de valencia y de conducción.
En semiconductores, el gap de energı́a es intermedio
en tamaño tal que solo pocos electrones son excitados
en la banda de conducción por energı́a térmica, ası́,

1
cuando un campo eléctrico es aplicado, se observa una a travez de la unión que se conoce como potencial de
pequeña corriente. A 0K, en el estado de energı́a más contacto (figura 3), con un valor del orden de 1V. [1,2]
bajo, todos los electrones en la banda de valencia par-
ticipan en enlace covalente entre los atomos de la red
cristalina, siendo para el Si y Ge, 4 electrones de va-
lencia para formar 4 de estos enlaces (Figura 2).

Figura 2.Enlace covalente en Silicio: (a) a 0K, to-

dos los electrones participan en enlace covalente. (b) Figura 3.(a) diagrama esquemático de una unión pn, (b)
a más altas temperaturas algunos enlaces son rotos por diagrama de niveles de energı́a de electrones mostrando la
energı́a termal dejando un hoyo en la banda de valencia. [1] creación de un potencial de contacto V0 . [1]

A temperatura ambiente la acción de la energı́a Cuando tenemos la unión de semiconductores

termal puede excitar un electron de valencia en la tipo ”n” y tipo ”p” tenemos un diodo semiconduc-
banda de conducción dejando un hoyo en su posición tor, el cual puede ser definido como un conductor
original. En este estado, es fácil para un electrón de cercano a ser unidireccional cuyo estado de con-
valencia vecino ”saltar” a este hoyo, esto a su vez deja ductividad es determinado por la polaridad de su
un hoyo en su anterior posición. Si esto se repite con voltaje de terminal. Cuando se tiene este estado
cada electrón vecino, pareceria que el hoyo se mueve de unidireccionalidad del flujo de carga se habla de
por el cristal. un rectificador, y aún cuando los rectificadores de
estado sólido usualmente usan semiconductores, estos
Desde que el hoyo es positivo en relación al mar no son escenciales para el proceso de rectificación. [3,5]
de electrones negativos en la banda de valencia, el
hoyo actua como portador de carga positivo y su En los rectificadores de Si y Ge la delgadez de
movimiento a travez del cristal tambien constituye la barrera es del orden de 10−6 cm, i.e. comparable
una corriente eléctrica. con el camino libre medio de los portadores y en ese
caso no se puede aplicar la teoria de difusión y una
En un cristal puro semiconductor, el numero de teorı́a del diodo ha sido desarrollada, sin embargo
hoyos iguala el numero de electrones en la banda de quedan algunas cuestiones que no pueden explicarse
conducción (semiconductor intrı́nseco). Este balance plenamente.1 .[5]
puede cambiarse introduciendo una pequeña cantidad
de atomos como impureza teniendo un electrón de Actualmente, los diodos semiconductores pueden ser
valencia de mas o uno menos en su mas externa formados por varias maneras, una simple es la unión
capa atómica (semiconductor extrı́nseco), siendo para np formada por la yuxtaposición de un semiconductor
el Si y el Ge atomos pentavalentes y trivalentes, tipo ”p” y uno tipo ”n”. Esas uniones no pueden ser
respectivamente. obtenidas solo presionando estos materiales, se deben
usar técnicas especiales.
Materiales en los que las impurezas donadoras
son dominantes y el numero de electrones excede el El simbolo para el diodo común se muestra en la
numero de hoyos, se les conoce como tipo ”n”, de figura 4. Cuando el voltaje de la fuente (VD ) es no-
modo analogo, los tipo ”p” tienen a los hoyos en su negativo se tiene una corriente positiva de avance (iD )
mayorı́a como portadores de carga. y cuando es negativo se tiene una corriente inversa de
saturación. [3]
La formación de una unión metal-metal o metal-
semiconductor crea una zona especial entre la inter-
face entre los dos materiales; debido a la diferencia en
la concentración entre hoyos y electrones en ambos ma-
teriales, hay una difusión inicial de hoyos a travez de
la región ”n” y una difusión similar de electrones en
la región ”p”. Ya que la región ”p” es inyectada con
electrones extra, esta se vuelve negativa mientras que
la región ”n” se vuelve positiva. Esto crea un gradi-
ente de campo eléctrico a travez de la unión. Debido 1 por ejemplo H. C. Torrey y C. A. Whitmer, Crystal Recti-

al campo eléctrico, se tiene una diferencia de potencial fiers, McGraw-Hill, New York, 1948, Pag. 81.

2
 Descripción Experimental.
Para este experimento se utilizó como base el circuito
mostrado en la figura 5, usando un diodo de Silicio
(1N4003) y posteriormente otro de Germanio (EM120)
para determinar la brecha de energı́a del diodo en
cuestión. Antes de realizar cualquier conexión se
verificó que los tres pares de cables banana-caimán
Figura 4. El diodo tiene dos terminales, denominadas que conectarian al circuito funcionaran correctamente,
ánodo (material tipo ”p”) y cátodo (material tipo ”n”) [3]
para esto se midió el valor de la resistencia de cada
una de las tres resistencias de 220Ω, una vez compro-
El uso de la función de probabilidad de Fermi-Dirac bado que funcionaban bien, se procedió a realizar las
da la ecuación de Shokley (invariante en el tiempo) conexiones.
para la corriente de la unión del diodo.
Primero se conectó en serie el diodo 1N4003 con una
 qVD
resistencia de 220Ω y se colocaron dos multı́metros

iD = I0 e ηkT − 1 . (1)
steren RS232C MUL-600, uno en paralelo al diodo para
Donde: medir el voltaje y otro en serie antes del diodo para
determinar la corriente que pase por el. La fuente de
voltaje usada es una fuente Hewlett hp Packard 6215A
• I0 es la corriente inversa de saturación [A]. con un rango suficiente para poder hacer cambios
de voltaje entre 0V y 1V en mV, de manera controlada.
• VD es el voltaje aplicado [V].
• q es la magnitud de la carga electrónica. (1e =
1.602 × 10−19 C)
• T es la temperatura absoluta [K].
eV
• k es la constante de Boltzmann (8.617 × 10−5 ).
K
• η es una constante dependiendo del material (Ge
o Si).
Para voltajes directos a favor con un voltaje VD >
ηkT
q la ecuación (1) se puede escribir como:

qVD Figura 5.Circuito usado en las mediciones de corriente y

ln(iD ) = ln(I0 ) + . (2)
ηkT voltaje en el experimento para la obtención de la brecha de
energı́a.
pudiendo demostrarse que:
−Eg El experimento se dividio en dos partes, la primera
I0 = BT 3 e ηkT . (3) teniendo como objetivo calcular el valor de la con-
donde B es una constante y Eg es el ancho de la stante η de la ecuación (1) de Shockley, ası́ como
brecha de energı́a. la corriente de saturación del diodo [A]. Con estos
valores conocidos se pueden analizar las mediciones
Haciendo uso de las dos anteriores ecuaciones se obtenidas en la segunda parte del experimento para
puede expresar a VD en función de las otras variables calcular el valor de la brecha de energı́a y el coeficiente
(ecuación 4) y derivando la expresion resultante re- de temperatura α (ecuación 5).
specto a T obtenemos la ecuación 5:
 
Eg ηkT iD 3ηkT
V = + ln − ln(T ). (4) Determinación de la constante η y la corriente
q q B q de saturación I0 .
Con el circuito una vez armado (Figura 5), se midio
 
dVD qVD Eg
q = − − α + 3ηk . (5) y registró la temperatura alrededor del diodo 1N4003
dT T T
dE
antes de encender la fuente de voltaje y se ajustó de
Donde hemos definido a α ≡ dTg como el coeficiente de manera que con el multı́metro conectado al diodo se
temperatura de la brecha. La ecuación (4) permite de- pudiera medir 1µA, una vez que se logro tener este
terminar el valor de Eg si uno mantiene la corriente fija valor inicial de voltaje, se fue aumentando paulati-
y se mide el voltaje en función de la temperatura T . [4]. namente usando la perilla de la fuente que permite
cambios mas precisos de voltaje y se anotaron las
Más detalles de los diodos están en el apéndice A. corrientes [µA]. Se midieron corrientes para un rango

3
de voltajes entre 331 mV y 631 mV, procurando que conectados al circuito de la figura 5, para que los cables
la variación de voltaje produciera separaciones de banana-caiman no caigan dentro del aceite. El arreglo
corriente regulares, esto, observando el multı́metro experimental se observa en la foto de la figura 6.
que media la corriente. Al finalizar las mediciones se
bajo el voltaje de la fuente al mı́nimo y se apagó.
Una vez obtenidas la corrientes en µA y los voltajes
correspondientes en mV, se graficaron los resultados
y se determino la ecuación que se ajustaba mejor a
los datos (una exponencial) y con ella se determino
el valor de la corriente de saturación y el valor de la
constante η por medio de la linealización de la ecuación
I(V ) obtenida, teniendo a la corriente de saturación
como una ordenada al origen y a la constante η
implı́cita en el valor de la pendiente.
Con la recolección de datos para el diodo 1N4003
terminada, se desconectó el diodo 1N4003 y se cambió
por el diodo EM120, procurando que la linea del
cátodo estuviera en la dirección correcta y se midió la
temperatura en esta ocasión también. Para comenzar
la nueva ronda de mediciones se encendió nuevamente
la fuente y se fue aumentando el voltaje con la
perilla de precisión hasta que se registraran cambios
constantes de corriente. Una vez que se obtuvo una
medición de 0.09 mA se cambió el voltaje en el diodo
desde 163.4 mV hasta 631 mV, llegando a medir hasta
100.5 mA. Cuando era necesario hacer cambios de
voltaje mas grandes que los que permitia la perilla de
precisión , se aumento el voltaje usando la otra perilla,
que permitı́a mayores cambios de voltaje.
Igualmente cuando se acabó de recolectar los datos,
se bajó el voltaje de la fuente al mı́nimo y se apago. Se
graficaron las mediciones e igualmente ajustando una
exponencial y linealizandola, se encontro la corriente
de saturación como ordenada al origen y el valor de la
constante η para el diodo EM120 como pendiente de
I(V ).
Determinación de la brecha de energı́a y el co-
eficiente de temperatura α.
Para la realización de esta parte del experimento se
empleó una parrilla electrica marca ”Hatsa” modelo
”estufácil” de 800Watts, 127 Volts y 60Hz; encima de
la cual se colocó un vaso de precipitados con capacidad
de 500 ml con la misma cantidad de agua de llave. Con
ayuda de un soporte universal, al lado de la parrilla, se
sujeto con unas pinzas y una nuez el pequeño vaso de
precipitados de 50 ml con 40 ml de aceite de cocina,
de manera que una parte del pequeño vaso estuviera
sumergido en el agua. En el mismo soporte universal,
encima del pequeño vaso de precipitados, con ayuda
de otras pinzas y una nuez, se sujeto el termometro
antes usado de manera que midiera la temperatura del
fondo delvaso con aceite.
Se colocó el diodo 1N4003 en el pequeño vaso con
aceite (para evitar perdida de corriente eléctrica en el
diodo), empleando un par de cables de cobre delgados
4
Figura 6.Arreglo para la segunda parte del experi-
mento. (1) Vaso de precipitados de 500ml, (2) Parrilla
eléctrica, (3) pequeño vaso de precipitados de 50 ml,
(4) termometro, (6) multı́metros Steren, (7) fuente
de voltaje y (8) resistencia de 220 Ω. El diodo 1N4003
esta dentro del vaso de precipitados de 50 ml y no es visible.
Una vez armado el arreglo esperimental, se encendio
la fuente de voltaje y se seleccionó el switch para
poder cambiar de manera controlada la corriente,
en vez del voltaje; también se encendio la parrilla
eléctrica y se esperó a que la temperatura en el aceite
(donde esta el diodo) llegara a 38o C, entonces, con
ayuda de la perilla de ajuste fino del la fuente se
ajusto la corriente para que con el correspondiente
multı́metro se registraran 3µA y se anotó el voltaje
del diodo. Conforme se iba calentando el diodo
1N4003 por baño maria, se disminuı́a la corriente
poco a poco con la perilla de ajuste fino de la fuente,
para lograr una corriente constante de 3µA; ası́,
cuando la temperatura aumentaba otros 2o C se volvı́a
a registrar el voltaje [mV]. Este procedimiento se
repitio en intervalos de 2 o C desde los 38o C hasta
los 56o C. Al acabar las mediciones se bajo el voltaje
de la fuente y se apagó, al igual que la parrila eléctrica.
Con los datos de variación de voltaje respecto a
temperatura a corriente constante y el valor de η
obtenido en la primera parte del experimento, se
graficaron los datos y se realizo un ajuste lineal, el cual
se pudo comparar con la ecuación (4) para identificar
el valor de la brecha de energı́a con la ordenada al
origen y a la pendiente de este ajuste con el valor de
dVD dVD
dT en la ecuación (5). Ya con el valor de dT se
despejó el coeficiente de temperatura α de la misma
ecuación.
El procedimiento general del cálculo de la brecha de
energı́a y el coeficiente de temperatura para el diodo
1N4003 se repitio para el diodo EM120.
Resultados. η = 1.655 ± 0.01.
A continuación se presentan los resultados obtenidos
Para el diodo EM120 se tienen los datos reg-
tanto de la parte de obtención de las corrientes de
istrados de la tabla 3 (Apéndice B), en este caso
saturación y constantes η de los diodos, ası́ como los
la variación de la corriente respecto al voltaje tiene
valores de las brechas de energı́a y los coeficientes de
el mismo comportamiento exponencial que en el
temperatura α de los diodos 1N4003 y EM120.
caso del diodo 1N4003, por lo que se realizaron
las mismas consideraciones y se encontro que I0 =
Las tablas con los valores de voltajes y corrientes
1.261×10−05 ± 0.22 × 10−05 A y que η=2.476±0.01.
medidas experimentalmente se presentan el Apéndice
En la figura 8 se visualiza la relación entre el ln(I)
B, aqui se presentan solo las gráficas de las lineal-
y el voltaje medido a temperatura constante (295.15K)
izaciones, los cálculos, consideraciones y tabla de
resultados generales.
Parte 2 .
Parte 1
Los resultados de la segunda parte del experimento
para el diodo 1N4003 estan el la tabla 4 (Apéndice
Para el diodo 1N4003 se tienen los datos de la
B), en este caso la relacion entre diferentes temper-
tabla 2 (Apéndice B) en donde se tomaron los valores
aturas y voltajes medidos es lineal si mantenemos la
registrados en los multı́metros Steren en mV y V
corriente constante (3 µA), por lo que no tenemos que
para diferentes rangos de voltaje entre 331.1 mV y
tomar mayores consideraciones a la hora de comparar
0.631 V, siendo que la incertidumbre asociada fue la
el voltaje y temperatura con la ecuación (4):
del valor máximo de voltaje en Volts; mientras que
para la corriente la incertidumbre fue la máxima para Eg ηkT
 
iD 3ηkT
mA (la mı́nima en µA) en un rango de 1 µA - 2.320 mA. V = + ln − ln(T ).
q q B q
A la hora de Graficar los datos se utilizó los datos de Donde Eg es la brecha de energı́a, q=1e, k [ eV K ], T
voltaje en Volts y la corriente en Amperes, obtenien- [K], iD ≡ I [A] y B es una constante. La diferencia
dose una curva exponencial de la forma: de esta ecuacion con una aproximación lineal de los
I = K1 eK2 V . datos son los terminos de los logaritmos naturales,
pero esto se arregla notando que para los lı́mites
Con K1 y K2 como constantes, y si consideramos que de temperatura, 311.15K y 329.15 K, el logaritmo
la ecuación de Shockley es de la forma: natural de ambas cantidades es 5.74 y 5.79, por lo
h qV i que podemos aproximar al ln(T ) en este intervalo de
I = I0 e ηkT − 1 . temperatura como el promedio del logaritmo natural
de 311.15K y 329.15 K, i.e., ln(T ) = 5.76 = Cte.
Basta con ver que lo único que diferencia a las dos
ecuaciones es el termino uno, por lo que al sustituir De esta manera solo hace falta lidiar con el logaritmo
los valores de k[ eV ], T [K], q = 1e y los valores mı́nimos natural del cociente entre la corriente (constante) y B
K
y maximos de voltaje [V] se tiene que el termino (también constante). para ello notemos que la ecuación
qV
(4) se puede reescribir como:
e ηkT >> 1, por lo que es una muy buena aproxi-
K2 V
mación tomar la expresión resultante I = K1 e Eg ηkT
  
iD

como una apróximación a la ecuación de Shockley. V = + ln − 3ln(T ) .
q q B
En este punto se podrı́a considerar resuelto el prob- De aquı́, tomando que el valor de la corriente medida
lema de hallar el valor de la corriente de saturación y es del orden de ∼ 10−06 y que T 3 es del orden de 1007 :
despejar la constante η de la exponencial que se ajusta
 
a nuestros datos, pero para tener una mejor visual- 3 3 I
ización de los mismos, sacamos el logaritmo natural de I << T ⇔ I << BT ⇔ ln << ln(T 3 ) = 3ln(T ).
B
las corrientes, para tener nuestros datos de una forma
Por lo que podemos despreciar el termino de ln iBD Y


lineal:
qV
ln(I) = ln(I0 ) + . de esta manera la ecuación que queda es:
ηkT
De esta manera podemos hacer un ajuste lineal por Eg ηkT Eg ηkT
V = − 3ln(T ) = − 17.305 . (6)
mı́nimos cuadrados obteniendo la recta de la figura 7, q q q q
obteniendo la curva de ecuación:
Es evidente que usamos que 17.305=3ln(T)=3*5.76
ln(I) = −20.622 + 23.511V. y el orden de magnitud de B puede ser deducido por
análisis de los ordenes de magnitud de variables de la
Ası́, se despeja la corriente de saturación, siendo ecuación (3), sabiendo que Eg teóricamente debe ser
I0 = 1.106×10−09 ± 0.15 × 10−09 A; mientras que 1.1 para Si y 0.7 para Ge.
1e
la constante η se despeja de 23.511 = ηkT , siendo

5
 Si realizamos un ajuste lineal de los datos de la tabla
4, obtenemos la gráfica de la figura 9, cuya ecuacion de
ajuste por mı́nimos cuadrados da la recta:

V (T ) = 1.1858 − 0.0029T

Entonces comparandola con ecuación (6), podemos

tomar a la ordenada al origen como el valor de la
brecha de energı́a para el material semiconductor del
diodo 1N4003, siendo Eg = 1.185eV; mientras que la
pendiente m= -0.0029∼-17.305 ηkT q , debido a que no
tomamos en cuenta la pequeña contribución del ln( BI )
y que tomamos al ln(T ) como una constante. Este
valor de pendiente la vamos utilizar para el cálculo del
coeficiente de temperatura de la brecha en la ecuación
(5):  
dVD qVD Eg
q = − − α + 3ηk .
dT T T
 
qVD Eg
q(−0.0029) = − − α + 3ηk .
T T
Donde simplemente hemos usado el hecho de que la
relación es lineal y la derivada es la pendiente de la
recta, cuyo valor obtuvimos arriba:
dV
V (T ) = K1 + mT → = m.
dT
Ahora si sustituimos los valores obtenidos de η y
Eg , y despejando el valor de α para cada par de
voltaje-temperatura de la tabla 4 (Apéndice B),
obtenemos los valores del coeficiente de temperatura
α del diodo 1N4003, que al promediarlos da como
resultado: α = 0.42 eV
K.

La medición de la brecha de energı́a para el material

semiconductor del diodo EM120 toma en cuenta las
mismas consideraciones que con el diodo 1N4003 y
da como resultado que la brecha de energı́a es de
0.765 eV (correspondiente al Germanio) y un valor del
coeficiente de temperatura α de 0.68. Los cálculos se
realizaron en el rango de temperaturas (297.15 K -
317.15 K) a corriente constante (230 mA).La tabla de
los datos experimentales es la tabla 5 (Apéndice B) y
la correspondiente gráfica es la de la figura 10.

En la Tabla 1 se resumen las cantidades fı́sicas

encontradas experimentalmente para ambos diodos
(1N4003 y EM120).

6
Figura 7.Gráfica del logaritmo natural de la corriente medida en el diodo 1N4003 en función del voltaje aplicado,
donde el valor de la ordenada al origen (-20.622) es el logaritmo natural de la corriente de saturación y la pendiente
(23.511) lleva implı́citamente el valor de la constante η.

Figura 8.Gráfica del logaritmo natural de la corriente medida en el diodo EM1220 en función del voltaje aplicado,
donde el valor de la ordenada al origen (-11.281) es el logaritmo natural de la corriente de saturación y la pendiente
(15.878) lleva implı́citamente el valor de la constante η.

7
Figura 9.Gráfica del voltaje medido en el diodo 1N4003 en función de la temperatura a corriente constante (3µA),
donde el valor de la ordenada al origen (1.185) es el valor (en eV) de la brecha de energı́a para este diodo.

Figura 10.Gráfica del voltaje medido en el diodo EM120 en función de la temperatura a corriente constante (230 mA),
donde el valor de la ordenada al origen (0.765) es el valor (en eV) de la brecha de energı́a para este diodo.

α ±0.01 eV
 
Diodo I0 [A] η Brecha de Energı́a [eV] K
1N4003 1.106×10−09 ± 0.15 × 10−09 1.655±0.01 1.185±0.0239 0.42
EM120 1.261×10−05 ± 0.22 × 10−05 2.476±0.01 0.765±0.0210 0.68

Tabla 1. Comparación entre las diferentes cantidades fı́sicas calculadas en base del experimento Brecha de Energı́a.
I0 es la corriente inversa de saturación, α es el coeficiente de temperatura y η es una constante propia del Silicio o
Germanio de cada Diodo (1N4003 y EM120, respectivamente).

8
Discusión/ Analı́sis.
Algo muy interesante que se observó fue que el diodo
En las Tablas 2 y 3 del Apéndice B se encuentran de Silicio (1N4003) tuvo medidas de voltaje, corriente
los valores medidos de voltaje y corriente con los y temperatura que se ajustaban mejor en las dos
multı́metros Steren para los diodos 1N4003 y EM120 partes de experimento, teniendo un ajuste R2 = 0.99,
respectivamente, para la primera parte del experi- mientras que para el diodo de Germanio R2 = 0.98
mento. Al principio con el diodo 1N4003 se sabı́a que y 0.97, esto puede deberse debido a que la corriente
la distribución se ajustaria a una curva exponencial, de saturación inversa es cuatro ordenes de magnitud
pero como las manijas del cambio de voltaje no eran mayor en el diodo de Germanio (EM120), por lo que
muy precisas, se optó por variaciones voltaje poco las corrientes medidas en el diodo de silicio eran mas
separadas entre si, pero al graficar los datos, se observó ”precisas” al ser corrientes de µA, mientras que las
que realmente no eran necesarios tantas mediciones, corrientes del diodo de Germanio eran del orden de
por lo que cuando se realizó el mismo procedimiento mA. El rango de operación de los multı́metros no tuvo
para el diodo EM120 se tomaron los datos de la tabla gran efecto determinante, ya que si fuera ası́, los datos
3, los cuales son mucho menos e igualmente ayudaron que menos se ajustarı́an serı́an los del orden de µA.
a determinar el valor de la constante η con bastante
fiabilidad. Esta aseveración se basa en que en el Las simplificaciones hechas en el cálculo de la brecha
cálculo de la brecha de energı́a se necesitó de esta de energı́a fueran las apropiadas y no afectaron en
constante y los valores para cada diodo coincidı́an con los valores finales
debido a que la contribución del
el esperado (aproximadamente 1.1eV para Silicio y 0.7 termino de ln BI en la ecuación (4) estaba dentro
para Germanio). de la incertidumbre de las mediciones hechas. Como
el rango de temperaturas no fue extenso (no más de
El tomar más datos para el diodo EM120 en la 20o C), considerar el ln(T ) como constante ayudó a
primera parte del experimento no hubiera dado un no tener que realizar una expansión en serie u otra
valor de brecha de energı́a mas cercano al esperado artimaña matématica que hubiera entorpecido el
en la literatura [1], ya que las corrientes, voltajes y cálculo.
temperaturas usados en los cálculos son los emplea-
dos en la segunda parte del experimento, donde la En las figuras 9 y 10 se puede observar como
variación de voltaje era mas dificı́l de controlar, pues para cierta temperatura, el voltaje registrado en el
al aumentar la temperatura la corriente aumentaba en diodo de Silicio 1N4003 siempre es mayor que en
µA para el diodo 1N4003 y en mA para el EM120 y caso del Germanio, pero conservando una relación de
era dificı́l mantener la corriente constante. proporcionalidad (R2 = 0.99 y 0.98). Aqui al ser un
pequeño rango de temperatura se pudo obtener este
El voltaje tambien variaba en mV con cada cambio ajuste lineal, pero si el rango de temperatura fuera
de corriente, por lo que si no se tenı́a cuidado, con la mayor, las mediciones serı́an afectadas por el desgaste
mala precisión de las perillas de la fuente de voltaje, de los instrumentos al estar al lı́mite del rango de
se hubiera tardado uno más tiempo en tener datos operación de los mismos.
adecuados a cierta temperatura, la cual podrı́a ser
mayor que la registrada, pues el diodo se seguı́a Al comparar las cantidades fı́sicas quese querı́an
calentando por baño marı́a y el tiempo de respuesta medir en este experimento en la tabla 1, se puede
humano dependı́a de la precisión de la fuente. Otro observar que la brecha de energı́a para los diodos de
factor a tomar en cuenta es la escala del termometro, Silicio y Germanio es muy cercana a la reportada en
que al tener la mı́nima separación de dos grados la literatura [1], además de que una mayor brecha
quedaba de manera un tanto subjetiva la medición de de energı́a implica una menor corriente inversa de
la temperatura. saturación y también un menor cambio de energı́a en
la brecha a variaciones de temperatura, al ser despues
Antes de hacer los ajustes lineales del logaritmo de todo α ≡ dEg .
natural de la corriente contra el voltaje (figuras 7 y 8), dT
se encontró que el voltaje nunca paso de 0.7 V, pues
al ir aumentando el voltaje a valores cercanos a 0.7 V
las corrientes registradas aumentaban rápidamente, en
ocasiones alcanzando a ser del orden de 1.5A, entonces
se bajaba rápidamente el voltaje. Auque se intentó
llegar a registrar corrientes más estables variando
el valor de la resistencia, solo se puedo encontrar
que resistencias de más de 220Ω daban un rango de
voltajes mas pequeño y por tanto pocas mediciones, en
cambio menores valores de resistencias no daban datos
mayores a 0.5V y podı́an quemarse pronto y en la
gráfica no se observarı́a una distribución exponencial,
lo que harı́a imposible usar el analı́sis aqui empleado.

9
Conclusiones
Este experimento cumplı́o con los objetivos pre-
sentados de mediciones del gap de energı́a en dos
diodos semiconductores, se encontro que el valor
de la brecha de energı́a para los diodos de Silicio y
Germanio (1N4003 y EM120) respectivamente es de
1.185 ± 0.0349eV y 0.765 ± 0.0210 eV siendo muy
similares a los reportados en la literatura de 1.1 y 0.7
[1].

Los valores de los coeficientes de temperatura α

para cada diodo son de 0.42±0.01eV/K para el de
Silicio y 0.68±0.01eV/K para el de Germanio.

También se puede concluir que una mayor brecha

de energı́a en semiconductores es menos suceptible a
cambiar de valor a variaciones de la temperatura, que
es precisamente el valor del coeficiente de temperatura
α = dE
dT .

Como recomendación para futuros experimentos se-

ria bueno utilizar un mejor termometro con una mejor
graduación menor a 2o C y una fuente de voltaje con
una mayor precision en el cambio de voltajes.

10
Apéndice A. Diodos
En terminos simples, un diodo es un dispositivo que restringe la dirección del flujo de portadores de carga.
Escencialmente permite fluir a una corriente eléctrica en una dirección, pero la bloquea en la otra. Al dia de
hoy los diodos más comunes están hechos de materiales semiconductores tales como Silicio o Germanio. Hay
una variedad de Diodos, por ejemplo: diodos de unión p-n, diodos Schottky (unión metal-semiconductor),
diodos Zener, diodos LED (producen luz), diodos túnel, diodos Gunn y diodos Peltier.

La electricidad utiliza una pequeña energı́a para poder pasar a través del diodo, de forma similar a como
una persona empuja una puerta venciendo un muelle. Esto significa que hay un pequeño voltaje a través
de un diodo conduciendo, este voltaje es llamado caı́da de voltaje o tensión en directa y es de unos 0.7 V
para todos los diodos normales fabricados de silicio. La caı́da de voltaje en directa de un diodo es casi con-
stante cualquiera que sea la corriente que pase a través de él por lo que tiene una caracterı́stica muy pronunciada.

Cuando una tensión o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo ideal, este no conduce corriente, pero todos
los diodos reales presentan una fuga de corriente muy pequeña de unos pocos µA o menos. Esto puede ignorarse
o despreciarse en la mayorı́a de los circuitos porque será mucho más pequeña que la corriente que fluye en sentido
directo. Sin embargo, todos los diodos tienen un máximo voltaje o tensión inversa (usualmente 50 V o más)
y si esta se excede el diodo fallará y dejará pasar una gran corriente en dirección inversa, esto es llamado ruptura.

Los diodos ordinarios pueden clasificarse dentro de dos tipos:

– diodos de señal los cuales dejan pasar pequeñas corrientes de 100 mA o menos, y
– diodos rectificadores los cuales dejan pasar grandes corrientes

Figura 11.Curva Caracterı́stica de la corriente contra el voltaje en un diodo de Silicio.

11
Apéndice B. Datos Experimentales.
Tabla 2. Tabla con los datos experimentales de corrientes y voltajes medidos en el diodo 1N4003 en la primera
parte del experimento, a 25o C para la determinación de la constante η y la corriente de saturación I0 .

Voltaje [±1mV] Corriente [± 1µA] Voltaje [±0.001V] Corriente [±0.000001A] Voltaje [±0.001V] Ln(I) [±0.000001A]
331.1 1 0.3311 0.000001 0.3311 -13.8155
344.4 2 0.3444 0.000002 0.3444 -13.1223
350.4 3 0.3504 0.000003 0.3504 -12.7168
362.6 4 0.3626 0.000004 0.3626 -12.4292
368.7 5 0.3687 0.000005 0.3687 -12.2060
374.6 6 0.3746 0.000006 0.3746 -12.0237
386.5 8 0.3865 0.000008 0.3865 -11.7360
392.0 10 0.392 0.000010 0.392 -11.5129
398.0 12 0.398 0.000012 0.398 -11.3306
404.0 14 0.404 0.000014 0.404 -11.1764
411.0 17 0.411 0.000017 0.411 -10.9822
418.0 21 0.418 0.000021 0.418 -10.7709
425.0 25 0.425 0.000025 0.425 -10.5966
431.0 30 0.431 0.000030 0.431 -10.4143
437.0 34 0.437 0.000034 0.437 -10.2891
449.0 47 0.449 0.000047 0.449 -9.9653
456.0 56 0.456 0.000056 0.456 -9.7901
463.0 66 0.463 0.000066 0.463 -9.6258
467.0 72 0.467 0.000072 0.467 -9.5388
469.0 77 0.469 0.000077 0.469 -9.4717
472.0 82 0.472 0.000082 0.472 -9.4087
476.0 89 0.476 0.000089 0.476 -9.3268
479.0 97 0.479 0.000097 0.479 -9.2407
485.0 110 0.485 0.000110 0.485 -9.1150
487.0 116 0.487 0.000116 0.487 -9.0619
490.0 125 0.49 0.000125 0.490 -8.9871

12
 Tabla 2 (Continuación). Tabla con los datos experimentales de corrientes y voltajes medidos en el diodo
1N4003 en la primera parte del experimento, a 25o C para la determinación de la constante η y la corriente de
saturación I0 .

Voltaje [±1mV] Corriente [±1µA] Voltaje [±0.001V] Corriente [±0.000001A] Voltaje [±0.001V] Ln(I) [±0.000001A]
493.0 133 0.493 0.000133 0.493 -8.9251
496.0 143 0.496 0.000143 0.496 -8.8526
498.0 149 0.498 0.000149 0.498 -8.8115
504.0 168 0.504 0.000168 0.504 -8.6915
506.0 175 0.506 0.000175 0.506 -8.6507
508.0 185 0.508 0.000185 0.508 -8.5951
509.0 189 0.509 0.000189 0.509 -8.5737
511.0 195 0.511 0.000195 0.511 -8.5425
513.0 206 0.513 0.000206 0.513 -8.4876
517.0 225 0.517 0.000225 0.517 -8.3994
519.0 236 0.519 0.000236 0.519 -8.3516
523.0 254 0.523 0.000254 0.523 -8.2781
530.0 292 0.53 0.000292 0.530 -8.1386
532.0 308 0.532 0.000308 0.532 -8.085
534.0 320 0.534 0.000320 0.534 -8.0471
536.0 332 0.536 0.000332 0.536 -8.0103
538.0 349 0.538 0.000349 0.538 -7.9604
540.0 361 0.54 0.000361 0.540 -7.9266
544.0 391 0.544 0.000391 0.544 -7.8468
551.0 453 0.551 0.000453 0.551 -7.6996
561.0 553 0.561 0.000553 0.561 -7.5001
568.0 652 0.568 0.000652 0.568 -7.3354
576.0 754 0.576 0.000754 0.576 -7.1901
580.0 832 0.58 0.000832 0.580 -7.0916
584.0 901 0.584 0.000901 0.584 -7.0120
587.0 951 0.587 0.000951 0.587 -6.9579
593.0 1092 0.593 0.001092 0.593 -6.8197
595.0 1118 0.595 0.001118 0.595 -6.7962
631.0 2320 0.631 0.002320 0.631 -6.0661

13
 Tabla 3. Tabla con los datos experimentales de corrientes y voltajes medidos en el diodo EM120 en la primera
parte del experimento, a 22o C para la determinación de la constante η y la corriente de saturación I0 .

Voltaje [±1mV] Corriente [±1mA] Voltaje [±0.001V] Corriente [±0.000001A] Voltaje [±0.001V] Ln(I) [±0.000001A]
163.4 0.09 0.1634 0.00009 0.1634 -9.3157
173.5 0.11 0.1735 0.00011 0.1735 -9.1150
184.9 0.16 0.1849 0.00016 0.1849 -8.7403
193.3 0.19 0.1933 0.00019 0.1933 -8.5684
206.1 0.27 0.2061 0.00027 0.2061 -8.2170
217.1 0.35 0.2171 0.00035 0.2171 -7.9575
271.0 1.13 0.2710 0.00113 0.271 -6.7855
301.5 2.00 0.3015 0.0020 0.3015 -6.21460
314.5 2.52 0.3145 0.00252 0.3145 -5.9834
316.6 2.60 0.3166 0.0026 0.3166 -5.9522
322.6 2.88 0.3226 0.00288 0.3226 -5.8499
327.9 3.16 0.3279 0.00316 0.3279 -5.7571
352.0 4.73 0.3520 0.00473 0.352 -5.3538
392.5 8.94 0.3925 0.00894 0.3925 -4.7172
398.7 9.86 0.3987 0.00986 0.3987 -4.6192
413.0 12.11 0.4130 0.01211 0.413 -4.4137
432.0 15.75 0.4320 0.01575 0.432 -4.1509
442.0 18.08 0.4420 0.01808 0.442 -4.0129
451.0 20.45 0.4510 0.02045 0.451 -3.8897
459.0 22.79 0.4590 0.02279 0.459 -3.7814
466.0 24.85 0.4660 0.02485 0.466 -3.6948
471.0 26.57 0.4710 0.02657 0.471 -3.6279
481.0 29.92 0.4810 0.02992 0.481 -3.5092
485.0 31.37 0.4850 0.03137 0.485 -3.4619
490.0 33.77 0.4900 0.03377 0.490 -3.3881
494.0 34.77 0.4940 0.03477 0.494 -3.3590
504.0 39.22 0.5040 0.03922 0.504 -3.2385
508.0 40.60 0.5080 0.0406 0.508 -3.2039
513.0 43.10 0.5130 0.0431 0.513 -3.1442
517.0 45.20 0.5170 0.0452 0.517 -3.0966
529.0 51.20 0.5290 0.0512 0.529 -2.9720
538.0 56.30 0.5380 0.0563 0.538 -2.8770
553.0 65.60 0.5530 0.0656 0.553 -2.7241
557.0 67.90 0.5570 0.0679 0.557 -2.6897
568.0 75.30 0.5680 0.0753 0.568 -2.5862
584.0 87.10 0.5840 0.0871 0.584 -2.4406
592.0 92.50 0.5920 0.0925 0.592 -2.3805
601.0 100.50 0.6010 0.1005 0.601 -2.2975

14
 Tabla 4. Tabla con los datos experimentales de voltajes medidos en el diodo 1N4003 en la segunda parte
del experimento, en un intervalo de temperaturas de 311.15 K a 329.15 K a corriente constante (3µA),para la
determinación del coeficiente de temperatura α.

Temperatura [±1K] Vronda1 [±0.001V] Vronda2 [±0.001V] V promedio [±0.001V] α [±0.000001 eV

K]
311.15 0.2775 0.2778 0.2775 0.00042
313.15 0.2729 0.2731 0.2730 0.00041
315.15 0.2666 0.2672 0.2669 0.00042
317.15 0.2623 0.2537 0.2580 0.00042
319.15 0.2559 0.2495 0.2527 0.00042
321.15 0.2495 0.2471 0.2483 0.00042
323.15 0.2431 0.2407 0.2419 0.00042
325.15 0.2367 0.2344 0.2355 0.00042
327.15 0.2307 0.2301 0.2304 0.00042
329.15 0.2260 0.2280 0.2270 0.00041

Tabla 5. Tabla con los datos experimentales de voltajes medidos en el diodo EM120 en la segunda parte del
experimento, en un intervalo de temperaturas de 297.15 K a 317.15 K a corriente constante (230 mA),para la
determinación del coeficiente de temperatura α.

Temperatura [±1K] Vronda1 [±0.001V] Vronda2 [±0.001V] V promedio [±0.001V] α [±0.000001 eV

K]
297.15 0.1832 0.1947 0.1889 0.00067
299.15 0.1746 0.1903 0.1824 0.00068
301.15 0.1712 0.1848 0.1780 0.00068
303.15 0.1685 0.1808 0.1746 0.00068
305.15 0.1623 0.1756 0.1689 0.00069
307.15 0.1595 0.1716 0.1655 0.00069
309.15 0.1550 0.1682 0.1616 0.00069
311.15 0.1510 0.1665 0.1587 0.00068
313.15 0.1482 0.1656 0.1569 0.00068
315.15 0.1418 0.1632 0.1525 0.00068
317.15 0.1353 0.1601 0.1477 0.00068

15
Referencias
[1] William R. Leo, Techniques for Nuclear and
Particle Physics Experiments, Springer-Veriag Berlin
Heidelberg New York, 1987, Pags 207-215.

[2] Charles Kittel, Introduction to Solid State

Physics, John Wiley Sons, Inc, 8th edition, 2005,
Pag. 187.

[3] Jimmie J. Cathey, Schaum´s Outline off

Electronic Devices and Circuits, second Edition,
McGraw-Hill, 2002, Pags. 30-32.

[4] La brecha de energı́a en semiconductores, texto

de Laboratorios de fı́sica moderna, Facultad de Cien-
cias, UNAM , revisión y actualización de Luis Manuel
León Rossano, Octubre de 2011.

[5] Adrianus J. Dekker, Solid State Physics, The

Macmillan Press LTD UK, 1981, Pags. 348,353

[6] https://www.biografiasyvidas.com/biografia/s/shockley.htm
consultado el 18/Febrero/2019

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