Modul Elektronika S1 2015 2016 PDF

SEKOLAH TINGGI TEKNIK PLN
LAB DASAR TEKNIK ELKTRO
LAB DASAR TEKNIK ELEKTRO LT. 6
Menara PLN, Jl. Lingkar Luar Barat Duri Kosambi,

Cengkareng – Jakarta Barat 11750
Telp. 021-5440342, 5440344 Fax. 021-5440343
Website : www.sttpln.ac.id
2015/2016
Petunjuk Praktikum Elektronika 1

DAFTAR ISI
MODUL I. Karakteristik Dioda ..................................................................................... 1

I. Tujuan Percobaan .............................................................................................. 1
II. Teori .................................................................................................................. 1
1. Cara Kerja Dioda ............................................................................................. 1
2. Karakteristik Dioda .......................................................................................... 2
3. Penyearah Oleh Dioda .................................................................................... 3
4. Dioda Zener .................................................................................................... 4
III. Percobaan .......................................................................................................... 5
Data Pengamatan ...................................................................................................... 10
MODUL II. Karakteristik dan Parameter Transistor ....................................................... 11

II. Teori .................................................................................................................. 11
1. Cara Kerja Transistor ....................................................................................... 11
2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguatan Arus .......................................... 13
3. Transistor Jenuh ............................................................................................... 15
III. Percobaan .......................................................................................................... 17
Data Pengamatan ...................................................................................................... 21
MODUL III. Karakteristik Kerja Transistor .................................................................... 22

II. Teori .................................................................................................................. 22
1. Karakteristik DC ............................................................................................ 22
2. h – Parameter ................................................................................................. 23
III. Percobaan .......................................................................................................... 26
Data Pengamatan ...................................................................................................... 29
MODUL IV. Rangkaian Penguat Transistor .................................................................. 31

II. Teori .................................................................................................................. 31

1. Rangkaian Emitor Bersama .............................................................................. 31
2. Rangkaian Basis Bersama ................................................................................ 33
3. Rangkaian Kolektor Bersama ........................................................................... 34
4. Pengujian Transistor ........................................................................................ 35
III. Percobaan .......................................................................................................... 37
Data Pengamatan ...................................................................................................... 42
MODUL V. Single Stage Transistor Amplifier ............................................................... 43

II. Teori .................................................................................................................. 43
1. Transistor Amplifier (Common Emiter) ........................................................... 44
III. Percobaan .......................................................................................................... 45
Data Pengamatan ...................................................................................................... 47
I. KARAKTERISTIK DIODA
I. Tujuan Percobaan
- Mempelajari karakteristik tegangan – arus (V-I) dari dioda
- Mempelajari karakteristik keluaran rangkaian dioda zener dan rangkaian
penyearah
II. Teori
2.1 Cara Kerja Dioda
Dioda mempunyai dua buah elektroda, yaitu yang disebut dengan dioda
(disingkat/diberi notasi A) dan katoda (diberi notasi K). Dioda disebut juga
sebagai penyearah karena hanya bisa menghantarkan arus dalam satu arah
saja. Bila dioda diberi tegangan arah maju (forward bias) maka arus akan
mengaliar (gambar 1a), sedangkan bila tegangan diberikan dengan arah
terbalik (reverse bias) maka arus tidak akan mengalir (gambar 1b).

Gambar 1
Pada kondisi reverse bias mungkin saja ada arus sangat kecil yang mengalir,
yang disebut dengan arus bocor.
Jadi :
a. Bila tegangan anoda adalah nol terhadap katoda, maka anoda tidak
menarik elektron dari katoda. Sebenarnya ada beberapa elektron
berkecepatan tinggi yang bisa mencapai anoda (sehingga terjadi aliran
arus yang meskipun sangat kecil). Namun karena sangat kecilnya arus
yang terjadi, pada umumnya amperemeter tidak dapat mendeteksi adanya
arus tersebut
b. Bila tegangan anoda negatif terhadap katoda (dioda diberi tegangan
reverse), maka akan timbul medan listrik yang arahnya menolak elektron.
Dengan demikian tidak terjadi aliran listrik
c. Bila tegangan anoda positif terhadap katoda (dioda diberi tegangan arah
maju), maka timbul medan listrik yang arahnya menarik elektron, sehingga
dioda menghantarkan elektron dari katoda ke anoda, atau dengan kata
lain menghantarkan arus dari anoda ke katoda.
2.2 Karakteristik Dioda
Karakteristik dioda adalah grafik yang menggambarkan hubungan antara arus
dengan tegangan dioda (karakteristik V-I). Dioda dapat dianggap sebagai
tahanan satu arah, yaitu bernilai sangat besar bila mendapat tegangan
reverse, dan bernilai sangat kecil bila mendapat tegangan arah maju.
Perhatikan gambar 2 di bawah ini. Pada tegangan di bawah 0,6 volt arus naik
perlahan-lahan (pertambahannya hanya sedikit demi sedikit). Mulai dari
tegangan 0,6 volt arus naik dengan cepat. Tegangan di mana arus mulai naik

dengan cepat tersebut dinamakan tegangan “cutin” atau potensial perintang.

Pada dioda germanium, tegangan ini bernilai sekitar 0,2 – 0,3 V.
Gambar 2. Karakeristik V-I dioda silikon (forward bias)

Bila RD adalah tahanan dalam dioda, maka pada setiap titik pada kurva
tersebut tetap berlaku hukum Ohm :
V
RD 
I
Dengan demikian RD tidak mempunyai nilai yang tetap, tergantung dari titik
kerja dioda (tegangan dan arus dioda pada saat itu).
2.3 Penyearah Oleh Dioda

Penyearah adalah peristiwa pengubahan tegangan bolak-balik menjadi
tegangan searah. Lihat gambar 3 di bawah ini.
Gambar 3. Penyearah ½ gelombang sederhana

Selama setengah gelombang positif pertama dari gelombang sinusoida yang

diberikan pada dioda membuat tegangan anoda lebih positif terhadap katoda.
Hal ini menyebabkan arus mengalir ke bebarn R.
Misalkan tegangan sinusoida yang diberikan adalah :
v(t) = Vm sin 
Vm = tegangan maksimum
Vm
Veff = tegangan effekstif =
2
Maka tegangan searah rata-rata penyearah di atas :
Vm
Vdc rata-rata =

Dan arus rata-ratanya adalah :
Vth
Idc rata-rata =
R
Untuk penyerarah gelombang penuh (gambar 4), tegangan searah dan arus
searah rata-rata adalah :
Vm
Vdc rata—rata = 2

Vth
Idc 
R
Gambar 4. Penyearah gelombang penuh sederhana

2.4 Dioda Zener

Dioda zener bekerja pada daerah reverse bias. Karakteristik V-I nya adalah
seperti gambar 5 di bawah ini :
Gambar 5. Karakteristik kerja dioda zener
III. Prosedur Percobaan

3.1 Karakteristik Dioda
3.1.1 Catu Tegangan Arah Maju
Gambar 1. Catu tegangan arah maju

Peralatan yang digunakan :

- Sumber tegangan 5 V : 1 buah
- Multimeter digital : 1 buah
- Multimeter analog : 1 buah
- Prototype board : 1 buah
- Tahanan 100 Ohm/10 W : 1 buah
- Kotak potensio : 1 buah
Prosedur Percobaan :
a. Buat rangkaian percobaan seperti pada gambar 1
b. Periksa kembali rangkaian sebelum saklar sumber tegangan dimasukan
(periksa polaritas alat ukur)
c. Pada posisi potensio yang memberikan tegangan V = 0 volt, masukkan
saklar sumber tegangan
d. Naikkan tegangan perlahan-lahan (dengan jalan memutar potensio)
untuk mencari V cutin (tegangan ambang) dioda
e. Setelah V cutin didapatkan dan dicatat, ulangi pengamatan secara
bertahap dari V = 0 sampai potensio P mencapai maksimum
f. Amati amperemeter dan voltmeter
3.1.2 Catu tegangan terbalik
Prosedur percobaan :
a. Rangkaian percobaan yang digunakan adalah tetap seperti gambar 1,
namun posisi dioda dibalik (katoda dari dioda dihubungkan dengan
potensial yang lebih positif)
b. Pada posisi potensio P yang memberikan tegangan V = 0 volt, hidupkan
sumber tegangan
c. Naikkan tegangan perlahan-lahan secara bertahap sampai tegangan
maksimumnya
d. Amati amperemter dan voltmeter
e. Berdasarkan data percobaan 3.1.1 dan 3.1.2 di atas, buatlah kurva V-I
dari dioda yang diamati tersebut
3.2 Dioda Zener

3.2.1 Karakteristik V-I

Alat yang digunakan :
- Sumber tegangan berubah 0-30 volt : 1 buah
- Prototype board : 1 buah
- Dioda zener
Gambar 2. Percobaan dioda zener

a. Buatlah rangkaian seperti gambar 2 di atas
b. Setelah rangkaian terangkai dengan benar, hidupkan sumber tegangan
(dengan posisi potensio minimum)
c. Naikkan tegangan perlahan-lahan secarabertahap, sampai arus dioda
zener mencapai + 150 mA
d. Amati A, V1 dan V2
Buatlah kurva karakteristik V-I dioda zener
3.2.2 Pembebanan Dioda Zener

Gambar 3. Pembebanan dioda zener

a. Buatlah rangkaian seperti gambar 3, gunakan sumber tegangan tetap 5
volt
b. Pada posisi tahanan potensio maksimum masukkan sumber tegangan
c. Naikkan arus beban perlahan-lahan secara bertahap sampai mencapai
50 mA
d. Amati dan catat A dan V
3.3 Rangkaian Penyearah

3.3.1 Penyearah setengah gelombang

Gambar 4. Rangkaian percobaan penyearah ½ gelombang

Peralatan yang digunakan :
- Trafo stepdwon 10 A : 1 buah
- Osciloscope : 1 buah
- Multimeter analog : 1 bua h
- Komponen elektronika
a. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4
Perhatikan posisi pemasangan penyidik (prove osciloscopenya)
b. Hidupkan oscilloscope terlebih dahulu dan dapatkan tempatkan sumbu
mendatar kanal 1 dan 2 dengan baik
c. Masukkan saklar S, amati dan gambar bentuk gelombang tegangan
masuk dan keluaran penyearah (jangan lupa catat posisi stelan volt dan
time/div nya)
Catat V1, V2 dan A
d. Matikan sumber tegangan (saklar S dilepas), dan pasanglah kapasitor
tapis (perhatikan polaritasnya)
e. Ulangi langkah c
f. Matikan sumber, perkecil tahanan beban (diparalel)
g. Ulangi langkah c
3.3.2 Penyearah gelombang penuh

Gambar 5. Rangkaian percobaan penyearah gelombang pentuh

a. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 5 di atas
b. Kerjakan percobaan sesuai dengan langkah-langkah pada percobaan
3.3.1 a s/d c
IV. Tugas dan Laporan Praktikum

Jawablah pertanyaan-pertanyaan di bawah ini dan masukkan dalam laporan
praktikum.
a. Berapa tegangan ambang (V cutin) dari dioda yang diamati?
b. Mengapa arus tidak mengalir pada waktu dioda mendapat tegangan
terbalik?
c. Pada percobaan 3.3. hitung tegangan rms (V1) berdasarkan gambar
gelombang tegangan yang diperoleh dari layer osclloscope, dan
bandingkan hasilnya dengan besar tegangan berdasarkan pengukuran
voltmeter.
d. Pada percobaan 3.3 hitung tegangan rata-rata (V2) berdasarkan gambar
gelombang tegangan yang diperoleh dari layar oscilloscope, dan
bandingkan hasilnya dengan besar tegangan berdasarkan pengukuran
voltmeter
e. Berdasarkan hasil pengamatan saudara, apakah fungsi dari kapasitor
yang dipasangkan pada rangkaian penyearah tersebut?

DATA PENGAMATAN
A. Karakteristik Dioda
* Tegangan catu Arah Maju * Tegangan Catu Arah Mundur
Vs Vdioda Vs Vdioda
I (mA) I (mA)
(volt) (volt) (volt) (volt)
B. Dioda Zener
* Karakteristik V-I * Pembebanan Dioda Zener
V1 V2 I V1 A1 A2
(volt) (volt) (mA) (volt) (mA) (mA)

II. KARAKTERISTIK DAN PARAMETER

TRANSISITOR
I. Tujuan Percobaan :
- Mempelajari karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus
1c = f(Vce), IB tetap dan karakteristik penguatan arus 1c = f(IB), VCE tetap.
- Mempelajari kejuenuhan suatu transisitor
II. Teori :
Efek dioda dapat menjadi sangat berguna bagi sejumlah penerapan, tetapi
kita dapat berbuat lebih banyak bila kita mempunyai sepasang hubungan PN
yang saling bertolak belakang. Komponen dengan konstruksi sedemikian ini
disebut dengan transistor dwikutub (bipolar transistor), atau biasa disebut
dengan transistor saja. Kata transistor sendiri berasal dari kata TRANSfer
resisTOR.
Ada dua kemungkinan kombinasi untuk sebuah transistor, yaitu bisa terdiri
dari dua buah lempeng bahan jenis N pada sisi luar dan sebuah lempeng jenis
P di sisi dalam (gambar 1 a) yang disebut dengan transistor NPN. Atau
kebalikannya, dau buah lempeng bahan jenis P di sisi luar dan satu lempeng
jenis N di sisi dalam (gambar b), disebut dengan transistor NPN. Karena
konstruksinya yang bertolak belakang, maka secara garis besar kedua jenis
transistor di atas mempunyai sifat-sifat utama yang juga bertolak belakang.
2.1. Cara Kerja Transistor :
1.1. Transistor- transistor tersebut mempunyai tiga buah pena keluaran
yang disebut dengan emitor, basis dan kolektor.
Untuk selanjutnya kita pusatkan pembahasan pada transistor NPN.
Gambar 1. Konstruksi dasar transistor NPN dan PNP

Untuk membuat transistor NPN bekerja, maka kolektor diberi

potensial paling positif, emitor paling negatip, dan basis terletak di
antaranya. Jadi, pemanjaran/pemberian tegangan yang benar untuk
transistor NPN mempunyai hubungan polaritas sepeti pada gambar 2
di bawah ini.
Gambar 2. Pemanjaran Transistor NPN
Kalau gambar 2 kita pisahkan lagi menjadi 2 buah komponen dioda

PN, akan kita peroleh rangkaian seperti gambar 3 yang menunjukkan
arah pemanjaran bagi kolektor, basis dan emitor.
Gambar 3. Rangkaian pengganti pemanjaran transistor NPN
Pada gambar 3 diatas jelas bahwa pertemuan emitor-emitor

mendapat panjaran arah maju (forward bias) yang memungkinkan
terjadinya aliran arus, sedangkan pertemuan basis-kolektor mendapat
panjaran terbalik (reverse bias) yang menghambat arus. Hal ini berarti
bahwa arus bisa mengalir dari basis ke emitor (dan tidak sebaliknya),
serta arus tidak dapat mengalir dari basis ke kolektor. Hal ini dapat
dijelaskan sebagai berikut :

- Pertemuan mitor-basis yang dipanjar maju. Elektron bebas pada

bagian emitor akan dipaksa oleh terminal tegangan negatip
menuju ke basis. Karena material basis sangat tipis, maka ia tidak
mempunyai cukup hole untuk menampung semua elektron yang
masuk. Beberapa hole memang akan ternetralisir oleh elektron-
elektron tersebut. Jadi hanya beberapa elektron yang ditarik keluar
ke terminal positip sumber tegangan A, sedangkan sebagian besar
diantaranya terus pertemuan basis-kolektor keping PN ke dua.
- Tegangan A mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari
emitor ke basis, yang berarti mengatur pula aliran ke terminal
positip B.
Jadi tanpa adanya potensial positip pada basis (yang lebih positip
terhadap emitor) maka transistor tidak menghantarkan arus.
Seolah-olah panjaran terhadap basis merupakan kran bagi aliran
arus kolektor. Semakin besar arus basis, maka arus kolektor akan
semakin besar secara berlipat.
2.2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguatan arus :

Perhatikan rangkaian di bawah ini (transistor dinyatakan dengan simbol).
Gambar 4. Rangkaian Transistor

Sesuai rangkaian di atas, persamaan rangkaian listriknya dapat dituliskan

sebagai berikut :
VCC = 1C . RC + VCE
Atau :
1C = (VCC – VCE) / RC
Dari persamaan di atas dapat dilihat bahwa 1C tergantung dari tegangan
CCE sementara itu VCE sendiri tergantung dari arus basis 1B. Jadi untuk arus
basis tertentu bisa didapatkan kurva-kurva hubungan antara arus 1C
terhadap perubahan VCE (gambar 5).
Gambar 5. Kurva karakteristik V-I Transisto
Dimana 1B1< 1B2< 1B3

Secara praktis, penguatan arus suatu transistor bisa dituliskan sesuai
persamaan :
H1C = β 1C/1B
1C = arus basis
Hubungan ini berlaku selama transistor dalam kondisi aktif (belum jenuh).
Apabilan transistor dalam keadaan jenuh, penambahan 1B tidak akan
sebanding lagi dengan penambahan 1C, atau bahkan pada suatu kondisi
tertentu, penambahan 1B selanjutnya tidak akan menambah besarnya 1C.
Untuk penguat (amplifier), transistor bekerja pada kondisi aktif (penguatan).

2.3. Transistor Jenuh :

Transistor mempunyai 3 (tiga) kondisi kerja, yaitu aktif (penguat), jenuh dan
menyumbat. Ketiga jenis kondisi tersebut ditentukan oleh ada tidaknya atau
besar kecilnya arus basis yang diberikan.
Pada kondisi jenuh, tegangan perlawanan VCE bernilai sangat kecil
(berkisar antara 0 – 02 volt). Karena itu transistor bisa digunakan sebagai
saklar elektronik. Kondisi jenuh bisa ditandai dengan perubahan kenaikan
arus 1C yang tidak sebanding lagi dengan penambahan 1B. Arus basis tepat
jenuh adalah arus 1B minimum yang diperlukan untuk membuat transistor
menjadi jenuh. Penambahan 1B selanjutnya tidak terpengaruh apapun pada
transistor. Bahkan akan dapat membahayakan karena dapat menimbulkan
panas berlebih pada pertemuan basis-emitor. Namun disamping itu, untuk
perhitungan praktis, pada kondisi tepat jenuh tersebut persamaan
penguatan arus masih dapat digunakan (1C = β 1B).
Perhatikan gambar di bawah ini :
Gambar 6. Transistor sebagai saklar
Bila saklar S ditutup, arus 1B akan mengalir sehingga transistor menghantar

dan lampu akan menyala. Bila S dibuka, maka 1B = 0, sehingga transistor
menyumbat dan lampu menjadi padam. Jadi jangan arus kemudi yang
kecil, kita dapat mengatur arus yang lebih besar.

Teori Tambahan
Berdasarkan kurva Hubungan VCE, IC dan IB ada beberapa region yang
menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah
cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.
Table. Mode Operasi Transistor Bipolar

Junction Junction
Mode Emitter- Collector- Function
Base Base
Normal Amplifier (Sering
Aktif Forward bias Reverse bias
digunakan)
Cut-off Reverse bias Reverse bias Open switch
Saturation Forward bias Forward bias Close switch
Breakdown Reverse bias Forward bias Low gain amplifier
Ket
 Daerah Aktif >> Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika
arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan
bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga
disebut daerah linear (linear region).
 Saturation >> Transistor "fully-ON", Ic = I(saturation)
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang
membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama
seperti dioda.
 Cut-off >> Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = 0
Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0.
Transistor dalam kondisi off
 Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC
menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada
daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini,

karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor
nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi.
Konfigurasi Bipolar Junction Transistor

Karena Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang
mempunyai tiga terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian
dengan satu terminal menjadi input dan output yang sama.
Setiap konfigurasi mempunya respon yang berbeda untuk setiap sinyal
input dalam rangkaian
1. Common Base Configuration - Mempunyai “Voltage Gain” tanpa “Current
Gain”.
2. Common Emitter Configuration - Mempunyai “Current dan Voltage Gain”.
3. Common Collector Configuration - Mempunyai “Current Gain Tanpa Voltage
Gain”.
III. Pelaksanaan Percobaan :

3.1. Karakteristik tegangan – arus 1C = f(VCE), 1B tetap :
Gambar 7. Rangkaian untuk mencari karakteristik V-I

Alat/komponen yang diperlukan :

- Sumber tegangan tetap 5 volt : 1 buah
- Sumber tegangan berubah 0 – 30 volt : 1 buah
- Transistor BC 107 dan D 313 : 1 buah
- Tahanan dan Potensio
- Multimeter analog : 1 buah
- Prototype board
- Kabel-kabel penghubung
a. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 7 dengan transistor BC 107.
Pelajari dengan benar cara menentukan elektroda / ujung kolektor,
emitter dan basisnya.
b. Setelah rangkaian terpasang dengan benar, masukkan sumber
tegangan ke basis pada posisi potensio maksimum (R basis maksimum)
dan tegangan VCC = 0.
c. Atur potensio R basis sehingga arus basis berharga 100 mikro Ampere,
kemudian secara bertahap naikkan tegangan VCE dengan cara
menaikkan tegangan VCC dari 0 – 15 volt.
Perhatikan selama VCE dinaikkan, besar arus basis harus dijaga tetap.
d. Catat A1, A2, dan V.
e. Naikkan arus basis menjadi 200, 500, 1000 mikro Ampere, dan 1.2 mA
secara bertahap.
Nilai ini tergantung juga dari jenis transistor yang digunakan
Apabila terjadi penyimpangan dari nilai arus basis ini, konsultasi dengan
instrukur saudara.
f. Pada setiap kedudukan arus basis tersebut, ulangi langkah percobaan c
dan d.
g. Matikan semua sumber tegangan dan gantilah transistornya dengan D
313 (atur kembali rangkaiannya).
h. Ulangi langkah-langkah percobaan b s/d f di atas.
i. Buatlah kurva tegangan – arus dari kedua transistor tersebut.

3.2. Karakteristik Penguatan Arus :

a. Rankaian yang digunakan adalah rangkaian pada gambar 7, transsitor
BC 107.
b. Pada arus basis = 0 Ampere, atur tegangan VCC = 15 volt.
c. Perlahan-lahan secara bertahap naikkan arus basis dari 0 sampai 1 mA.
d. Amati dan catat A1, A2 dan V pada setiap kedudukan arus basis.
e. Kecilkan arus basis dan matikan sumber-sumber tegangan.
f. Gantilah transistor BC 107 dengan D 313 dan sesuaikan kembali
rangkaiannya.
g. Lakukan kembali langkah-langkah b s/d c di atas.
h. Buatlah kurva 1C = f(1B) dari kedua jenis transisitor tersebut.
3.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh :
Gambar 8. Percobaan arus bocor dan transistor jenuh
a. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 8 (R2 di bypass / dihubung

singkat / belum dipergunakan).

b. Pada arus basis = 0 Ampere, naikkan tegangan VCE perlahan-lahan

secara bertahap sampai 15 volt.
c. Pada setiap kedudukan VCE, amati dan catat A2 dan V.
d. Turunkan kembali VCC sampai = 0 volt dan matikan sumber
tegangannya.
e. Pada arus basis = 0 Ampere, atur tegangan VCC sampai = 15 volt
f. Naikkan arus basis berlahan-lahan untuk mencari titik jenuh transistor
(pada saat 1C mulai tidak berubah harganya walau 1B terus diperbesar).
g. Catat arus 1B jenuh minimum, tegangan VB dan 1C tepat jenuhnya.
h. Matikan sumber tegangan dan lepaslah bypass R2.
i. Pada arus basis = 0 Ampere, atur tegangan VCC sampai = 15 volt
j. Naikkan arus basis perlahan-lahan untuk mencari titik jenuh transistor
(pada saat 1C mulai tidak berubah harganya walau 1B terus diperbesar).
k. Catat arus 1B jenuh minimum, tegangan VB dan 1C tepat jenuhnya.
l. Buatlah analisa dan kesimpulan atas hasil pengamatan di atas.
IV. Laporan dan Tugas :

1. Kumpulkan hasil/data pengamatan saudara kepada instruktur setelah
praktikum selesai dilaksanakan.
2. buatlah laporan dan jawablah pertanyaan/tugas sebagai berikut :
a. Bersadarkan data pada percobaan 2.2. hitung penguatan arus minimum
dan maksimum dari kedua transistor tersebut.
b. BC 107 adalah transistor pengemudi, sedang D 313 adalah transistor
daya. Dari hasil perhitungan buitr a di atas apa yang dapat disimpulkan
?
c. Apa pengaruh pemasangan R2 pada percobaan 2.3.?

DATA PENGAMATAN
A. Karakteristik Tegangan Arus Transistor B. Karakteristik Penguat Arus Transistor

* Untuk 1B = 100 β A grafik * Vcc = 15 volt grafik 1c – 1b
Vcc Vce Vce
1c - Vce 1c 1b (mA)
(volt) (volt) (volt)
C. Arus bocor dan Transistor Jenuh

Vs Vcc Vce 1b 1c
* Pada saat bypass (R2 non aktif)

III. KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR
1. Mempelajari karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar
Junction Transisitor (BJT)
2. Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
II. Pendahuluan
II.1.1. Karakteristik DC.
Pada dasarnya ada 2 karakteristik yang penting untuk transistor yaitu
karakteristik output (1C vc VCE) dan karakteristik input (1C vc VCE).
a. Karakteristik Output
Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus
Colector pada konfigurasi Commom Emitter dengan arus basis sebagai
parameter. Secara umum grafik karakteristik output terlihat seperti
gambar di bawah ini.
Keterangan : |IB1| < |IB2| < |IB3| < |IB4|
b. Karakteristik input
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis
pada konfigurasi CE untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva 1B –
VBE tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik
forward dari dioda. Secara umum bentuk grafik karakteristik input
terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah ini.

Keterangan : |VCE1| < |VCE2| < |VCE3|
II.1.2. h – Parameter
Transistor dalam konfigurasi CE yang dipandang sebagai two network
dapat digambar seperti gambar di bawah ini.
Terlihat bahwa terminal basis dan emitor sebagai terminal input dan
terminal Colector dan emitor sebagai terminal output.
Persamaan input dan output dari h-prameter adalah seperti di bawah ini..
Vbe  hie1  hce Vce
Ic  h feIb  hre Vcc
Dimana,
Vbe Vbe
he  Vcc  0  Vcc konstan
Ib Ib
Jadi dari grafik karakteristik input dan output dapat ditentukan masing-
masing parameter diatas.

Untuk mendapatkan data karakteristik serta paramter dari suatu transistor

secara lengkap kita dapat melihat secara lengkap pada data sheet dari
transistor tersebut. Namun nilai parameter yang pasti/sesungguhnya dari
transistor yang bertype sama sekalipun besar kemungkinannya berbeda
dan tidak sesuai dengan spesifikasinya. Dengan bantuan curve tracer kita
dapat dengan mudah melihat bentuk karakteristik serta perbedaan tersebut.
Pada percobaan ini kita mepelajari karakteristik dc dari satu transistor
sehingga kita dapat melihat karakteristik transistor tersebut.
TEORI TAMBAHAN
Transistor Sebagai Saklar
Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor
pada salah satu kondisi yaitu saturasi atau cut off. Jika sebuah transistor berada
dalam keadaan saturasi maka transistor berlaku seperti saklar tertutup antara
kolektor dan emiter. Jika transistor cut off transistor berlaku seperti saklar terbuka.
Gambar di bawah menunjukkan salah satu contoh pengunaan sebuah transistor
sebagai saklar beserta garis beban dc. Pengaturan on-off transistor dengan
mengatur level tegangan pada basis transistor tersebut. Jika arus basis lebih
besar atau sama dengan arus basis saat saturasi, titik kerja transistor berada
pada ujung atas garis beban dc, dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar
tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor berada pada titik ( P )
dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar terbuka.
Gambar Titik Kerja Transistor

Karakteristik Kolektor Transistor
Gambar Kurva Karakteristik Kolektor Transistor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai
parameter. Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama
namun parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu
jenuh, aktif dan cut- off.
Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan
lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis
berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB.
Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 volt
sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break
down) VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi
prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif
arus kolektor sebanding dengan arus balik. Penguatan sinyal masukan menjadi
sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.
Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan
sambungan kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.

III. Alat-alat Percobaan :

1. Panel percobaan
2. Multirester
3. Transistor, resistor, batterey, potensiometer.
4. lampu switch
5. catu daya dc 0 – 40 volt
IV. Pelaksanaan Percobaan :

A. Karakteristik Transistor
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar di bawah ini.
2. Atur potensiometer pada posisi minimum

3. Hubungkan rangkaian pada sumber daya dc (sebelumnya tegangan di
atur pada 0 volt).
4. Atur potensiometer P sehingga 1B = 40 βA.
5. Selama percobaan, 1B harus dijaga tetap konstan dengan mengatur
potensiomater P.
6. Catat harga 1C untuk VCE = 0 volt di table 1.
7. Catat harga 1C untuk harga VCE berikutnya sesuai table 1 dengan cara
menaikkan tegangan sumber daya.
8. Ulangi percobaan diatas untuk 1C = 80 βA.
9. Kembalikan tegangan sumber daya ke nol
B. Penguatan Arus dc. (β dc)
4. Rangkaian tetap seperti gambar diatas
5. Atur potensiometer pada posisi minimum

6. Hubungkan rangkaian pada sumber daya 12 Vdc

7. Atur potensiometer sehingga 1C = 2 mA dan catat arus basis 1B yang
mengalir di table 2.
8. Ulangi pengukuran untuk harga 1C sesuai table 2.
9. Kembalikan tegangan sumber daya ke nol.
C. Pengukuran VBE
1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini :
2. Hubungkan rangkaian dengan sumber daya = 0 Vdc

3. Naikkan tegangan E, perlahan-lahan sampai suatu saat arus 1B akan
mengalir. Catat harga VBE pada keadaan ini di tabel 3.
4. Naikkan ES sehingga di dapat harga-harga 1B yang sesuai dengan tabel
3, dan catat VBE untuk masing-masingg harga 1B.
5. Ulangi percobaan di atas untuk transistor 2N1302

D. Pengukuran VCE jenuh

1. Buatlah rangkaian seperti dibawah ini :
2. Atur voltmeter ke fungsi arus pada posisi 150 mA dc (1C) dan atur
miliamperemeter (1B) ke posisi 100 mA dc.
3. Hubungkan rangkaian dengan sumber daya 6 V dc, 1 A.
4. Operasikan beberapa kali (0n-off) sambil memperhatikan lampu DSI.
5. Lakukan pengukuran 1B, 1C, VBE dan VCE pada saat transistor dalam
keadaan nyala maupun mati dan catat pada tabel 4.
7. Ulangi percobaan untuk transistor 2N1302.

DATA PENGAMATAN
A. Karakteristik Kerja Transistor

Untuk IB = ............. Vs = ....................
Vs Vcc (mA) 1B (βA) 1C (βA) Vce (volt)
B. Karakteristik Penguatan Arus DC Transistor

Vs Vce (mA) 1B (βA) 1C (mA)
C. Pengukuran VBE
Vs 1B (βA) VBE (volt)
D. Pengukuran VCE Jenuh

Untuk Vs = ..............
Posisi 1B (mA) 1C (mA) VBE (volt) VCE (volt) Keterangan

V. TUGAS DAN PERTANYAAN

1) a. Gambarkan karakteristik keluraran transistor berdasarkan data pada
tabel 1 dalam 1 gambar pada kertas milmeter blok.
b. Dari pengukuran penguatan arus dc, tentukan harga beta untuk setiap
pengukuran dalam satu tabel.
2) a. Gambar karakteristik masukan transistor berdasarkan data pada tabel 3
dalam 1 gambar pada kertas milimeter blok.
b. Terangkan hubungan kerja antara arus dan tegangan berdasarkan data
pada tabel 4, sekaligus cara kerja transistor tersebut yang merupakan
saklar.
3) Berikan analisa dan kesimpulan mengenai adanya 1CO pada transistor
yang diperoleh dari tabel 5.
4) Berikan kesimpulan dari percobaan ini.

IV. RANGKAIAN PENGUAT TRANSISTOR
- Mempelajari rangkaian dasar penguat transistor, yaitu rangkaian kolektor
bersama (common colector), emitor bersama (common emitter) dan basis
bersama (common base).
- Mempelajari karakteristik penguatan tegangan dan penguatan arus dari
rangkaian-rangkaian dasar penguat.
II. Teori :
Ada tiga rangkaian dasar penguat transistor, yaitu penguat emitor bersama
(common emitter), basis bersama (common base) dan kolektor bersama
(common collector). Pada masing-masing rangkaian penguat tersebut salah
satu dari ketiga kaki transistor merupakan acuan terhadap tanah (ground) dari
rangkaian dan merupakan elemen yang digunakan secara bersama-sama oleh
masukan dan keluaran. Secara umum, karakteristik dasar dari ketiga jenis
penguat tersebut adalah sebagai berikut :
Elemen bersama Emitor Basis Kolektor

Impedansi Rendah Sangat rendah Cukup tinggi
masukan
Impedansi Tinggi Sangat tinggi Rendah
keluaran
Penguatan arus Tinggi Di bawah satu satuan Tinggi
Penguatan Tinggi Sedang Rendah
Tegang
Penguatan daya Tinggi Tinggi Rendah
0
Hubungan fasa Berbeda fasa 180 Sefasa Sefasa
keluaran terhadap
masukan
2.1. Rangkaian Emitor Bersama :

Rangkaian penguat ini paling luas penggunaannya. Sesuai dengan
namanya, emitor digunakan bersama-sama sebagai lajur sinyal masukan
maupun keluaran. Sinyal masukan diumpankan ke dalam rangkaian melalui

basis dan emitor, sementara itu sinyal keluaran disalurkan melalui kolektor
dan emitor. Suatu rangkaian emitor bersama yang sederhana dapat dilihat
pada gambar 1 dibawah ini.
Gambar 1. Rangkaian dasar emitor bersama
Pada rangkaian di atas besar arus basis 1b ditentukan oleh Rb, Vcc,
tegangan jatuh VBE dan RE.
Karena arus basis 1b mengalir melalui Rb dan arus emitor 1c mengalir
melalui Rc, maka arus 1b dapat dihitung dengan persamaan :
Vcc = 1b . Rb + Vbc + 1c . Rc
Kemudian dengan menganggap 1b relative lebih kecil dibandingkan 1c,
maka persamaan di atas diturunkan sebagai berikut :
Vcc = 1b . Rb + Vbc + β 1b . Rc
= 1b (Rb + β Rc) + Vbc
1b = (Vcc - Vbc) / (Rb + β Rc)
Sedangkan arus kolektornya dihitung sesuai dengan :
1c = β 1b
Besar Vbc pada transistor silikon berkisar sekitar 0.6 – 0.7 volt, sedangkan
pada transistor Germanium 0.2 volt.

Didalam rangkaian emitor bersama, sambungan basis-kolektor dipanjar

dalam arah mundur/terbalik. Sehingga secara teoritis, tidak ada arus yang
akan mengalir melalui sambungan tersebut.
2.2. Rangkaian Basis Bersama :

Pada rangkaian penguat basis bersama, elemen bersama untuk masukan
dan keluaran adalah basis. Sinyal masukan diumpankan pada emitor dan
basis, sedangkan sinyal keluaran disalurkan pada kolektor dan basis
(gambar 2).
Pada konfigurasi ini, penguatan sinyal ditentukan oleh perbandingan antara
arus kolektor 1c dan arus emitor 1c.
Gain = 1c / 1c
Gambar 2. Rangkaian dasar basis bersama
Berdasarkan rangkaian di atas, arus emitor tidak pernah lebih kecil dari
arus kolektor. Sehingga penguatan untuk basis bersama adalah :
Gain < 1
Hal ini berarti sinyal keluarannya mempunyai amplitude yang tidak pernah
melebihi amplituda masukannya.
Meskipun penguatan arusnya kecil, namun penguatan tegangannya besar,
sehingga secara keseluruhan, penguatan dayanya cukup tinggi.

Penggunaan umum dari rangkaian ini adalah untuk pencocokan impedansi

(impedansi matching) karena impedansi masukannya randah dan
impedansi keluarannya tinggi.
2.3. Rangkaian Kolektor Bersama :

Konfigurasi dasar transistor yang ketiga adalah kolektor bersama. Sinyal
masukan diumpankan pada emitor dan kolektor (gambar 3). Perhatikan
bahwa terminal positip dari sumber tegangan diketanahkan, sehingga
semua tegangan kerja di dalam rangkaian adalah negatip dengan emitor
pada potensial paling negatip.
Gambar 3. Rangkaian dasar kolektor bersama
Penguatan tegangan dari rangkaian ini selalu kurang dari 1, namun

penguatan arusnya cukup tinggi.
Penggunaan rangkaian ini tidaklah sebanyak kedua rangkaian dasar
sebelumnya, karena penguatan dayanya rendah. Namun karena impedansi
masukan yang tinggi dan impedansi keluarannya yang rendah, maka
rangkaian ini sering digunakan untuk pencocokan impedansi.

2.4. Pengujian Transistor :

Sebelum kita menggunakan sebuah transistor pada suatu rangkaian, kita
harus yakin bahwa transistor yang akan digunakan tersebut dalam kondisi
baik (tidak rusak). Untuk itu diperlukan suatu pengujian ringan dengan
menggunakan sebuah AVO meter (Ohmmeter).
Gambar 4. Simbol pengganti transistor
Perhatikan gambar 4 di atas. Sebuah transistor dapat dianggap sebagai

fungsi ekivalen dari dua dioda yang dihubungkan seri. Karena ada tiga kaki
pada transistor (kolektor, basis dan emitor), maka harus dibuat enam
pengukuran resistansi untuk melihat masing-masing kemungkinan
kombinasi kaki dan polaritasnya, yaitu :
emitor + basis -
emitor - basis +
emitor + kolektor -
emitor - kolektor +
basis + kolektor -
basis - kolektor +

Secara umum hasil pengukuran dengan 6 (enam) konfigurasi di atas untuk

sebuah transistor NPN adalah sebagai berikut :
emitor + basis - : Rendah
emitor - basis + : Tinggi
emitor + kolektor - : Tinggi
emitor - kolektor + : Tinggi
basis + kolektor - : Tinggi
basis - kolektor + : Rendah
Sebagai contoh, suatu pengukuran dari sebuah transistor NPN seri 2N3904
adalah sebagai berikut :
BAGIAN POSITIF
E B C
E X - -
BAGIAN NEGATIF B 5500 V 5400
C - - X

III. Prosedur Percobaan :

Perlengkapan dan komponen yang diperlukan :
- Transistor BC 107
- Sumber tegangan tetap : 1 unit
- Sumber tegangan berubah : 1 unit
- Fuction generator : 1 unit
- Komponen R dan C : sesuai gambar
- Prototypboard : 1 unit
- Kabel-kabel penghubung
3.1. Rangkaian dasar penguat emitor bersama :
Gambar 5. Rangkaian percobaan 3.1
a. Buatlah rangkaian seperti gambar 5. pasanglah dengan benar transistor

yang digunakan (kaki-kakinya jangan terbalik). Periksalah terlebih
dahulu semua alat ukur yang digunakan, bila fusenya putus gantilah
terlebih dahulu sebelum disambungkan ke rangkaian.
b. Lakukan pengamatan ringan atas kaki-kaki transistor dengan
menggunakan Ohmmeter, untuk menentukan posisi kolektor, basis dan
emitornya. Bandingkan hasil pengamatan saudara dengan gambar
standard dari kaki-kaki tersebut.

c. Aturlah sumber tegangan Vcc sehingga mencapai tegangan 12 volt.

Kemudian aturan tahanan basis agar 1b mengalir sebesar 100 mikro
Ampere. Jaga agar transistor tetap dalam kondisi aktif.
d. Periksalah kondisi kerja transistor dengan memperhatikan / catat nilai-
nilai dari 1c dan VCE.
e. Nyalakan oscilloscope dan atur fosuc serta intensitas cahayanya
sehingga enak dilihat/diamati. Tempatkan penyidik/probenya pada
posisi/titik pengamatan yang benar.
f. Atur keluaran dari generator fungsi sebesar 100 mV puncak-puncak dan
masukkan / injeksikan ke rangkaian penguat.
g. Amati dan gambar bentuk gelembung masukan dan keluaran yang
terjadi.
h. Ubahlah besar arus basis (ke arah lebih besar dan lebih kecil) sampai
didapatkan gambar sinyal keluaran yang cacat (terdistorsi).
i. Gambarlah salah satu gambar sinyal keluaran yang cacat tersebut.
j. Kembalikan 1b ke nilai semula. Naikkan amplitude sinyal masukan
secara bertahap dari mV sampai 1 V peak-peak dan catat besar
amplitude keluaran yang dihasilkan penguat.
k. Berilah analisa dan kesimpulan atas hasil percobaan saudara.
l. Matikan semua sumber tegangan dan generator fungsi.
3.2. Rangkaian dasar penguat basis bersama :

a. Buatlah rangkaian seperti gambar 6, pasanglah dengan benar
transistor yang digunakan (kaki-kakinya jangan dibalik)

Gambar 6. Rangkaian Percobaan 3.2
b. Aturlah sumber tegangan VCC sehingga mencapai tegangan 12 volt.

Kemudian aturlah tahanan basis agar Ib mengalir sebesar 100 mikro
ampere. Jaga agar transistor tetap dalam kondisi aktif
c. Periksalah kondisi kerja transistor dengan memperhatikan/catat nilai-
nilai dari IC dan VCE
d. Nyalakan oscilloscope dan pasanglah penyidiknya pada titik
pengamatan yang benar
e. Pilihlah sinyal keluaran sinusoidal dari generator fungsi dan aturlah
amplitudanya sebesar 100 mV puncak-puncak, kemudian
masukkan/injeksikan ke rangkaian penguat
f. Amati dan gambar bentuk gelombang masukan dan keluaran yang
terjadi
g. Naikkan amplitude sinyal masukan secara bertahap dari 100 mV
sampai 1 V peak-peak dan catat besar amplitude keluaran yang
dihasilkan penguat
h. Berilah analisa dan kesimpulan atas hasil percobaan saudara
i. Matikan semua sumber tegangan generator fungsi

3.3. Rangkaian dasar penguat kolektro bersama
Gambar 7. Rangkaian Percobaan 3.3
a. Buatlah rangkaian seperti gambar 7. Pasanglah dengan benar

transistor yang digunakan (kaki-kakinya jangan terbalik)
b. Aturlah sumber tegangan VCC sehingga mencapai tegangan 12 volt.
Kemudian aturlah tahanan basis agar Ib mengalir sebesar 100 mikro
ampere. Jaga agar transistor tetap dalam kondisi aktif
c. Periksalah kondisi kerja transistor dengan memperhatikan/catat nilai-
nilai dari IC dan VCE
d. Nyalakan oscilloscope dan pasanglah penyidiknya pada titik
pengamatan yang benar
e. Pilihlah sinyal keluaran sinusoidal dari generator fungsi dan aturlah
amplitudanya sebesar 100 mV puncak-puncak, kemudian
masukkan/injeksikan ke rangkaian penguat
f. Amati dan gambar bentuk gelombang masukan dan keluaran yang
terjadi
g. Naikkan amplitude sinyal masukan secara bertahap dari 100 mV
sampai 1 V peak-peak dan catat besar amplitude keluaran yang
dihasilkan penguat
h. Matikan sumber tegangan dan generator fungsinya
i. Berilah analisa dan kesimpulan atas hasil percobaan saudara
Catatan :

Keberhasilan dari percobaan-percobaan di atas sangat bergantung

kepada kebenaran rangkaian, kondisi komponen elektronika dan alat
ukur yang digunakan. Apabila ada kelainan dari hal-hal tersebut di atas,
maka hasil pengamatan saudara barangkali akan menyimpang dari teori
praktikum yang diberikan. Karena itu, ikuti dengan seksama semua
prosedur praktikum yang diberikan dan laksanakan dengan sebaik-
baiknya.
IV. Tugas dan Laporan Praktikum

Buatlah laporan praktikum (1 laporan/group praktikum) dan jawab/kerjakan
tugas-tugas berikut ini :
a. Hitunglah penguatan tegangan, penguatan arus dan penguatan daya dari
masing-masing rangkaian penguat yang saudara kerjakan/amati dalam
percobaan ini.
b. Rangkaian penguata manakah yang :
- Penguatan arusnya paling besar?
- Penguatan tegangannya paling besar?
- Penguatan arusnya paling kecil?
- Penguatan tegangan yang paling kecil?
c. Dari gambar sinyal masukan dan keluaran yang diperoleh, berilah
kesimpulan mengenai hubungan fasa antara sinyal masukan dan keluaran
dari masing-masing rangkaian penguat
d. Apakah ada kesulitan pada waktu saudara melaksanakan setiap
percobaan? Jelaskan dengan singkat!

DATA PENGAMATAN
A. Rangkaian Dasar Penguat Emmitor Bersama

AF
F (Hz) VCC (volt) VCE (volt) IB (volt) IC (mA)
Generator
B. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama

AF
Generator
C. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama

AF
Generator

V. SINGLE STAGE TRANSISTOR AMPLIFIER
I. Tujuan Percobaan
1. Mempelajari rangkaian single stage transistor Amplifier
2. Melakukan pengukuran penguatan tegangan
II. Pendahuluan
Dalam percobaan ini dilakukan pengukuran terhadap rangkaian transistor
amplifier yang menggunakan common emitter. Di sini akan dibahas metode
analisa untuk rangkaian tersebut.
Besaran-besaran penting yang diukur dalam percobaan ini adalah penguatan

tegangan, impedansi input dan impedansi output serta frekuensi response,
sedang penguatan daya dan penguatan arus dapat dihitung dari hasil
pengukuran penguatan tegangan dan impedansi input.
Cara atau pendekatan yang biasa dilakukan dalam melakukan analisa AC

rangkaian transistor yang sering dipakai adalah memakai rangkaian
pengganti yang sesuai.
Namun untuk cepatnya analisa dan penyederhanaan masalah, seringkali

pendekatan praktis yang dipakai. Secara praktis untuk analisa transistor kita
dapat memandang Base-Emitor junction yang forward bias sebagai diode
yang mempunyai resistansi dinamis forward re sebesar :
26mV
re  
IE
l
re 
gm
dle
Dimana, gm  terkonduktansi
dVbe

II.1 Transistor Amplifier (Common Emitter)

Rangkaian konfugurasi common emitter dengan universal bias tampak
seperti gambar di bawah
II.1.A. Analisa DC
Analisa DC untuk menentukan titik kerja dapat dilakukan menganggap
semua kapasitor open. Hubungan antara arus Emitor, kolektor dan basis
sebagai berikut.
IE = IC + IB dan IC = IB
Kemudian dengan menerapkan hukum pembagian tegangan dan hukum
Ohm dapat diperoleh titik kerja rangkaian.

III. Alat Percobaan

1. Panel percobaan
2. Multitester
3. Osvilloscope
4. Signal generator
IV. Pelaksanaan Percobaan

Common emitter transistor amplifier
1. Rangkaian percobaan seperti gambar berikut
2. Pasang supply tegangan DC 24 pada VCC

3. Ukur tegangan DC pada terminal-terminal transistor, ketiganya diukur
terhadap ground untuk menentukan titik kerja
4. Atus AF generator pada fungsi sinus dengan f=1 kHz dan hubungankan
pada rangkaian
5. Atur keluaran dari AF generator sebesar 100 mVP-P
6. Hubungankan kanal 1 dari osilloskop pada masukan rangkaian dan anal
2 pada keluarannya
7. Perhatikan bentuk gelombang, ukur tegangan masukan dan tegangan
keluaran. Amati pergeseran fasanya dan catat
8. Hubungankan potensiometer beban. Atur pada kedudukan maksimum
9. Atur potensiometer beban sehingga besarnya eo (peak to peak) menjadi
½ kali dari harga eo tanpa beban

10. Lapaskan potensiometer beban dan ukur tahanan potensiometer tersebut

serta catat
11. Kembalikan VCC ke nol dan matikan AF generator
V. Tugas dan Pertanyaan

1. Hitung penguatan tegangan ac dari konfigurasi common emitter
2. Apakah impedansi keluaran yang didapat dari percobaan sesuai dengan
teori? Jelaskan
3. Kita mengenal konfigurasi CE, CC dan CB pada rangkaian transistor
amplifier, jelaskan apa ciri dan kelebihan dari masing-masing konfigurasi
4. Sebutkan contoh-contoh penggunaan rangkaian dengan menggunakan
masing-masing dari ketiga konfigurasi
5. Buatlah kesimpulan percobaan.

DATA PENGAMATAN
A. Common Emitter Transistor Amplifier

 Potensiometer beban (R) = 10 k
 AFG = 400 m Vp – p/1 kHz
Kondisi VB (volt) VC (volt) Vg (volt)
B. Data Grafik pada Osciloscope (tanpa beban/potensiometer)

Volt/Div Time/div Tinggi Lebar Vin Vout Frek
Channel
volt (mS) (div) (div) (volt) (volt) (Hz)
C. Data Grafik pada Osciloscope (dengan beban/potensiometer)

Volt/Div Time/div Tinggi Lebar Vin Vout Frek
Channel
volt (mS) (div) (div) (volt) (volt) (Hz)

Modul Elektronika S1 2015 2016 PDF

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Modul Elektronika S1 2015 2016 PDF

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

SEKOLAH TINGGI TEKNIK PLN

LAB DASAR TEKNIK ELKTRO

LAB DASAR TEKNIK ELEKTRO LT. 6

Menara PLN, Jl. Lingkar Luar Barat Duri Kosambi,

Petunjuk Praktikum Elektronika 1

MODUL I. Karakteristik Dioda ..................................................................................... 1

II. Teori .................................................................................................................. 1

1. Cara Kerja Dioda ............................................................................................. 1

2. Karakteristik Dioda .......................................................................................... 2

3. Penyearah Oleh Dioda .................................................................................... 3

4. Dioda Zener .................................................................................................... 4

III. Percobaan .......................................................................................................... 5

Data Pengamatan ...................................................................................................... 10

MODUL II. Karakteristik dan Parameter Transistor ....................................................... 11

II. Teori .................................................................................................................. 11

1. Cara Kerja Transistor ....................................................................................... 11

2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguatan Arus .......................................... 13

3. Transistor Jenuh ............................................................................................... 15

III. Percobaan .......................................................................................................... 17

Data Pengamatan ...................................................................................................... 21

MODUL III. Karakteristik Kerja Transistor .................................................................... 22

II. Teori .................................................................................................................. 22

III. Percobaan .......................................................................................................... 26

Data Pengamatan ...................................................................................................... 29

MODUL IV. Rangkaian Penguat Transistor .................................................................. 31

II. Teori .................................................................................................................. 31

Petunjuk Praktikum Elektronika 2

1. Rangkaian Emitor Bersama .............................................................................. 31

2. Rangkaian Basis Bersama ................................................................................ 33

3. Rangkaian Kolektor Bersama ........................................................................... 34

4. Pengujian Transistor ........................................................................................ 35

III. Percobaan .......................................................................................................... 37

Data Pengamatan ...................................................................................................... 42

MODUL V. Single Stage Transistor Amplifier ............................................................... 43

II. Teori .................................................................................................................. 43

1. Transistor Amplifier (Common Emiter) ........................................................... 44

III. Percobaan .......................................................................................................... 45

Data Pengamatan ...................................................................................................... 47

Petunjuk Praktikum Elektronika 3

Petunjuk Praktikum Elektronika 4

dengan cepat tersebut dinamakan tegangan “cutin” atau potensial perintang.

Gambar 2. Karakeristik V-I dioda silikon (forward bias)

2.3 Penyearah Oleh Dioda

Gambar 3. Penyearah ½ gelombang sederhana

Petunjuk Praktikum Elektronika 5

Selama setengah gelombang positif pertama dari gelombang sinusoida yang

Gambar 4. Penyearah gelombang penuh sederhana

Petunjuk Praktikum Elektronika 6

2.4 Dioda Zener

Gambar 5. Karakteristik kerja dioda zener

III. Prosedur Percobaan

Gambar 1. Catu tegangan arah maju

Petunjuk Praktikum Elektronika 7

Peralatan yang digunakan :

3.2 Dioda Zener

Petunjuk Praktikum Elektronika 8

3.2.1 Karakteristik V-I

Gambar 2. Percobaan dioda zener

3.2.2 Pembebanan Dioda Zener

Petunjuk Praktikum Elektronika 9

Gambar 3. Pembebanan dioda zener

3.3 Rangkaian Penyearah

Petunjuk Praktikum Elektronika 10