5 Conductores y Dieléctricos

ING.
HAROLD DÍAZ PHD

TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA
UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
1
La corriente eléctrica o intensidad eléctrica es el flujo de carga eléctrica por unidad de tiempo
que recorre un material. Y se debe al movimiento de las cargas (normalmente electrones) en el
interior del material conductor. En el Sistema Internacional de Unidades se expresa en 𝐶/𝑠
(culombios sobre segundo), unidad que se denomina Amper “𝐴”.
𝑑𝑄 𝐶
𝐼= − 𝐴
𝑑𝑡 𝑠
Como tal la corriente se define en termino de cargas positivas, aunque en los metales la realizan
los electrones.
En términos generales es preferible evaluar la corriente por unidad de área, por esto se crea el
concepto de 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 . Esta forma en ingeniería es un concepto
comparativamente más útil.
electrones libres por centímetro cúbico

cobre 8.45 ∙ 1022
aluminio 6,00 ∙ 1022
volframio 6.30 ∙ 1022
ING. HAROLD DÍAZ PHD
Plata 5,86 ∙ 1022TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 2
La carga en movimiento en un gas o el vacío representa una corriente eléctrica, A esta corriente
también se le denomina corriente de convección.
∆𝑄 𝜌𝑣 ∙ ∆𝑣 ∆𝐿
𝐼= = = 𝜌𝑣 ∙ ∙ ∆𝑆 = 𝜌𝑣 ∙ 𝑣 ∙ ∆𝑆 = 𝑱 ∙ ∆𝑆
∆𝑡 ∆𝑡 ∆𝑡
𝑱=𝜌𝑣 ∙ 𝒗 es la densidad de corriente de convección (no es la corriente en un conductor).

De aquí que la corriente se puede elevar aumentando la densidad de carga o la velocidad de
esta.
Si la carga del electrón es de 1.602∙ 10−19 𝐶 y se tiene 8.45 ∙ 1022 electrones/𝑐𝑚3 =8.45 ∙
1028 electrones/𝑚3 , suponiendo que los electrones se mueven a la velocidad de la luz 3 ∙ 108 ,
entonces se tiene:
𝑚
𝑱 = 𝜌𝑣 ∙ 𝒗 = 1.602 ∙ 10−19 ∙ 8.45 ∙ 1028 ∙ 3 ∙ 108 (𝐶 ∙ electrones/𝑚3 𝑠 )
𝐴 𝐴
𝑱 = 4 ∙ 1018 = 4 ∙ 1012
𝑚2 𝑚𝑚2
𝑚
Velocidad del electrón conductor 7 ∙ 10−4 𝑠
6
𝐴 𝐴
𝑱 = 9,47 ∙ 10 = 9,47
𝑚2 𝑚𝑚2
TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 3
Por lo tanto al densidad de corriente se define como la corriente ∆𝐼 (𝐴) que atraviesan un área
transversal ∆𝑆 (𝑚2 ), el cual es representado como un vector 𝑱, donde:
∆𝐼 = 𝐽𝑁 ∙ ∆𝑆
Cuando la corriente no es perpendicular al área transversal entonces:
∆𝐼 = 𝑱 ∗ ∆𝑺
Por lo tanto la corriente es:
𝐼 = න 𝑱 ∗ 𝑑𝑺
𝑆
La densidad de corriente se puede relacionar con la velocidad de una carga volumétrica en un

punto. Si:
∆𝑄 = 𝜌𝑣 ∙ ∆𝑣 = 𝜌𝑣 ∙ ∆𝑆 ∙ ∆𝐿

4 TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA
l
a𝜌

El principio de conservación de la carga se fundamenta en el principio de que las cargas no se
crean ni se destruyen, aunque cantidades de carga positivas y negativas pueden aparecer
simultáneamente.
La ecuación de continuidad aparece cuando se considera una superficie cerrada:
𝐼 = ර 𝑱 ∗ 𝑑𝑆
𝑆
Lo que implica que un flujo de corriente hacia afuera debe equilibrarlo un flujo hacia adentro
o un flujo de cargas negativas.
Si la carga dentro de la superficie cerrada se denota con 𝑄𝑖 , entonces la razón de cambio es

𝑑𝑄𝑖 /𝑑𝑡 entonces el principio de conservación de la carga exige que:
𝑑𝑄𝑖
𝐼 = ර 𝑱 ∗ 𝑑𝑆 = −
𝑆 𝑑𝑡
La ecuación de continuidad mediante la integral se superficie se puede cambiar por la forma
puntual de una integral de volumen mediante el teorema de la divergencia:
𝐼 = ර 𝑱 ∗ 𝑑𝑆 = න 𝛻 ∗ 𝑱 ∙ 𝑑𝑣
𝑆 𝑣𝑜𝑙
Ya que:
𝑄𝑖 = න 𝜌𝑣 ∙ 𝑑𝑣
𝑣𝑜𝑙
Entonces:
𝑑𝑄𝑖 𝑑
𝐼 = ර 𝑱 ∗ 𝑑𝑆 = න 𝛻 ∗ 𝑱 ∙ 𝑑𝑣 = − =− න 𝜌 ∙ 𝑑𝑣
𝑆 𝑣𝑜𝑙 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑣𝑜𝑙 𝑣
Si se mantiene el área superficial (o volumen) entonces la derivada puede entrar dentro de la

integral:
𝑑𝜌𝑣
න 𝛻 ∗ 𝑱 ∙ 𝑑𝑣 = − න ∙ 𝑑𝑣
𝑣𝑜𝑙 𝑣𝑜𝑙 𝑑𝑡
De la cual se obtiene la forma punto de la ecuación de continuidad.
𝑑𝜌𝑣
𝛻∗𝑱=−
𝑑𝑡
𝜌𝑣 = − න 𝛻 ∗ 𝑱 ∙ 𝑑𝑡
𝑡
Lo que implica que la razón de variación de la densidad de corriente en un volumen cerrado
es igual a la razón de cambio con que la densidad de carga decrece en ese volumen.
Considérese una densidad de corriente radial
1 −𝑡
𝑱 = 𝑒 ∙ a𝑟 𝐴/𝑚2
𝑟
Calcular en 𝑡 = 1 𝑠𝑒𝑔 se puede calcular la corriente total que sale en 𝑟 = 5 𝑚
1 −1
𝐼 = 𝐽𝑟 ∙ 𝑆 = 𝑒 4 ∙ 𝜋 ∙ 52 = 23,1 𝐴
5
En el mismo tiempo pero en 𝑟 = 6 𝑚
1 −1
𝐼 = 𝐽𝑟 ∙ 𝑆 = 𝑒 4 ∙ 𝜋 ∙ 62 = 27,7 𝐴
6
Por lo tanto la corriente es mayor en 𝑟 = 6 𝑚 que en 𝑟 = 5 𝑚
Para entender esto se considera la variación de la densidad de carga volumétrica
1 𝜕 𝑟 2 ∙ 𝑱𝑟 1 𝜕 𝑠𝑒𝑛𝑜 𝜃 ∙ 𝑱𝜃 1 𝜕𝑱∅
𝑑𝑖𝑣 𝑱 = 2 ∙ + ∙ + ∙
𝑟 𝜕𝑟 𝑟 ∙ 𝑠𝑒𝑛𝑜 𝜃 DÍAZ PHD𝜕𝜃
ING. HAROLD 𝑟 ∙ 𝑠𝑒𝑛𝑜 𝜃 𝜕∅
𝑑𝜌𝑣 1 −𝑡 1 𝜕 1 1
− = 𝛻∗𝑱= 𝛻∗ 𝑒 ∙ a𝑟 = 2 ∙ 𝑟 2 ∙ 𝑒 −𝑡 = 2 𝑒 −𝑡
𝑑𝑡 𝑟 𝑟 𝜕𝑟 𝑟 𝑟
Entonces la densidad de carga será:

1 −𝑡 1 −𝑡
𝜌𝑣 = − න 𝑒 𝑑𝑡 = 𝑒 +𝐾 𝑟
𝑟2 𝑟2
Donde la constante 𝐾 𝑟 en función de r.
Si 𝜌𝑣 → 0 cuando 𝑡 → ∞, entonces 𝐾 𝑟 → 0, entonces

1 −𝑡
𝜌𝑣 = 2 𝑒 𝐶/𝑚3
𝑟
Con lo que se puede hallar la velocidad
1 −𝑡
𝐽𝑟 𝑒 ∙ a𝑟 𝐴/𝑚2 𝐴 𝐶/𝑠
𝑣𝑟 = = 𝑟 = 𝑟 ∙ a𝑟 = 𝑚 = 𝑚 = 𝑚/𝑠
𝜌𝑣 1 −𝑡 𝐶/𝑚 3 𝐶 𝐶
𝑒
𝑟2
Por lo tanto la velocidad será mayor en 𝑟 = 6 que en 𝑟 = 5, lo que ocasiona que la corriente
sea mayor en 𝑟 = 6. esto lo puede ocasionar una fuerza externa.
l
1 𝜕 𝜌 ∙ 𝐽𝜌 1 𝜕𝐽∅ 𝜕𝐽𝑧
𝛻 ∗ 𝑱 = 𝑑𝑖𝑣 𝑱 = ∙ + ∙ +
𝜌 𝜕𝜌 𝜌 𝜕∅ 𝜕𝑧

Cada átomo posee un número determinado de electrones
girando a su alrededor en diferentes órbitas formando una nube
electrónica; entre más cerca este el electrón del núcleo, mayor
será la energía potencial y cinética que posee; por lo tanto se
necesita aplicar más energía para removerlo del átomo.
Cada nivel posee de posee un nivel de energía, por lo tanto, un

electrón necesita un nivel discreto de energía.
Por lo tanto en la última órbita determina el número de valencia o propiedades de conducción
que posee cada elemento químico. En cualquier átomo esa última órbita admite solamente un
máximo de ocho electrones para completar su estructura atómica y la tendencia de todos es
llegar a completarla.
Un átomo con siete electrones en su última órbita (valencia -1) tiende a atraer el electrón que le
falta captándolo de otro átomo que posea uno sólo en su última órbita (valencia +1). A su vez el
átomo que posee entre uno y tres electrones en la última órbita tiende a cederlos a otros
átomos que lo requieran para que pueda completar los ocho.
Ese mecanismo denominado "regla del octeto" da lugar a la creación de diferentes

combinaciones químicas, a la conducción del calor y a la conducción de la corriente eléctrica,
de
acuerdo con la forma en que sean excitados los DEL
UNIVERSIDAD átomos.
VALLE - 2014A
http://www.periodni.com/es/index.html
Número Conductividad Conductividad Estados de Configuración Energía de ionización
Metal Sigla -1
atómico Eléctrica(S·m ) térmica/W m-1K-1 oxidación: electrónica kJ mol-1
Plata Ag 47 6,30 × 10 7 429 +1 [Kr] 4d10 5s1 731.01-2073.48
Cobre Cu 29 5,96 × 107 401 +1 +2 [Ar] 3d10 4s1 745.5-1957.9-3554.7
Cobre Recocido 5,80 × 10 7
Oro Au 79 4,55 × 107 317 +1 +3 [Xe]4f14 5d10 6s1 890.13 - 1977.96

Aluminio Al 13 3,78 × 10 7 237 +3 [Ne] 3s2 3p1 577.5-1816.7-2744.8
Wolframio W 74 1,82 × 107 174 +6 [Xe]4f14 5d4 6s2 758.77
Hierro Fe 26 1,53 × 107 80,2 +2 +3 [Ar] 3d6 4s2 762.5-1561.9-2957.5
Semiconductores
Carbono C 6 2,80 × 104 5,7 -4 +2 +4 [He] 2s2 2p2 1086.5-2352.6-4620
Germanio Ge 32 2,20 × 10 -2 59.9 +2 +4 [Ar] 3d10 4s2 4p2 762.18-1537.4
Silicio Si 14 1,60 × 10-5 148 -4 +2 +4 [Ne] 3s2 3p2 786.52-1577.15
Aislantes
Vidrio -10
10 a 10 -14 0,6
Lucita < 10-13
Mica 10-11 a 10-15 0,35
Teflón < 10-13
Cuarzo 1,33 × 10-18
Parafina 3,37 × 10-17 0,21
Líquidos
Agua de mar 5
Agua potable 0,0005 a 0,05
Agua desionizada 5,5 × 10-6 13
Teoría de Bandas en Sólidos: Una forma útil de visualizar la diferencia entre conductores,
aislantes y semiconductores, es dibujar las energías disponibles de los electrones en el material.
En lugar de tener energías discretas como en el caso de átomos libres, los estados de energía
disponibles forman bandas.
La existencia de electrones en la banda de conducción, es crucial para el proceso de conducción.

En los aislantes, los electrones de la banda de valencia están separados de la banda de
conducción, por una banda prohibida grande.
Teoría de Bandas en Sólidos:
En los conductores como los metales la banda de valencia se superpone con la banda de
conducción, y en los semiconductores existe una banda prohibida suficientemente pequeña
entre las bandas de valencia y conducción, que los electrones pueden saltarla por calor u otra
clase de excitación. Con tales bandas prohibidas pequeñas, la presencia de un pequeño
porcentaje de material dopante, aumenta la conductividad de forma espectacular.
Cuando un átomo es excitado empleando campo eléctrico o luz (fotón) etc., alguno de sus
electrones pueden absorber energía, TEORÍA
saltarELECTROMAGNÉTICA
a la banda de conducción y desplazarse de15una
molécula a otra dentro de un cuerpo.UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
En el caso de un conductor los electrones de valencia se mueven fácilmente bajo la
influencia de un campo eléctrico.
𝑄 = −𝑒
La fuerza que experimenta el electrón bajo en campo eléctrico E es:
𝑭 = −𝑒 ∙ 𝑬
En espacio libre el electrón se acelera continuamente aumentando velocidad y energía
cinética. En material cristalino la velocidad del electrón se limita por múltiples
colisiones contra estructura cristalina de la red térmicamente excitada y rápidamente
llega a una velocidad promedio.
Esta velocidad 𝑣𝑑 se denomina velocidad de arrastre y se relaciona linealmente con la

intensidad de campo eléctrico debido al coeficiente de movilidad del electrón en dicho
material. La movilidad del electrón se designa con 𝜇 𝑒 , para que:
𝑚2 𝑉 𝑚
𝒗𝒅 = −𝜇 𝑒 ∙ 𝑬 (
𝑉 ∙ 𝑠𝑒𝑔
ING. HAROLD DÍAZ PHD 𝑚 𝑠𝑒𝑔
𝑚2
𝜇𝑒 ( 𝑉 ∙ 𝑠) Conductividad térmica Conductividad (S/m) Elec. cm3
Aluminio (13) : 0,0012 209,3 3,82 ∙ 107 6,00 ∙ 1022
Cobre: (29): 0,0032 385 5,80 ∙ 107 8.45 ∙ 1022
Plata (47) : 0,0056 418 6,17 ∙ 107 5,86 ∙ 1022
Para estos metales, una pequeña velocidad hará que se incremente mucho la
temperatura, lo que puede hacer que se funda si el calor no se disipa por conducción,
convección o radiación térmica.
𝑱 = 𝜌 𝑒 ∙ 𝑣𝑑
Reemplazando se tiene:
𝑱 = −𝜌 𝑒 ∙ 𝜇 𝑒 ∙ 𝑬
Donde 𝜌 𝑒 es la densidad de carga de losHAROLD
ING. electrones
DÍAZ PHD libres con un valor negativo.
La densidad de carga total será cero ya que un numero igual de cargas negativas esta
presentes en el material neutro, y estas se desplazarán en el mismo sentido del campo
eléctrico.
Para un conductor metálico se tiene la formula puntual de la ley de ohm:
𝑆 𝑉
𝑱=𝜎∙𝑬
𝑚 𝑚
S A
Donde 𝜎 es la conductividad del material y esta dada en 𝑠𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠/𝑚 (m ≅ V), donde
el siemens es la unidad de la conductancia G ≈ 1/𝑅 (anteriormente 1 siemens = Mho
Ʊ).
1
El inverso de la conductividad es la resistividad =𝜌 (normalmente 𝜌 −
𝜎
Ω/𝑚)
La ley de ohm en los conductores metálicos poseen un comportamiento casi lineal con
el potencial eléctrico y la densidad de corriente, y se incrementa casi linealmente con
la temperatura.
𝑅20 = 𝑅𝑡ℎ ∙ 1 + 𝑘 ∙ 𝑇20 − 𝑇𝑡ℎ
Cobre: k=0,00393
aluminio= k=0,00403
Donde 𝑅𝑡ℎ es la resistencia a la temperatura 𝑇𝑡ℎ a la cual se midió la resistencia
Y 𝑅20 es la resistencia a la temperatura 𝑇20 = 20°𝐶 a la que se refiere por norma la
resistencia
Los conductores metálicos son materiales isotrópicos, o sea que sus propiedades son
las mismas en cualquier dirección; cuando no obedece a este comportamiento se
llaman materiales anisotrópicos.

Algunos materiales al bajar la temperatura la
resistividad cae abruptamente a cero, tal como lo
hace el aluminio a 1 K°. A estos se les llama
superconductores. La conductividad puede verse
como:
𝜎 = −𝜌 𝑒 ∙ 𝜇 𝑒
De aquí que a mayor temperatura, habrá mayor

vibración de la red cristalina, como consecuencia
los electrones chocarán más continuamente, para
un mismo potencial, esto hace que se reduzca la
velocidad de arrastre y disminuya la conductividad
(o mayor resistividad).

El Gran Colisionador de Hadrones (LHC, por sus siglas en inglés) es el mayor y más potente
acelerador de partículas del mundo. Está situado cerca de Ginebra, en la frontera franco-suiza.
Es una máquina de 27 kilómetros de circunferencia basada en tecnología superconductora: los
imanes están enfriados a -271.3 ºC, y por ellos circulan corrientes de hasta 11.850 amperios.
hay 1.232 grandes imanes, y tiene que ser capaz de alcanzar exactamente la misma corriente
para que los haces puedan circular con éxito.
Si 𝐽 y 𝐸 son uniformes:
𝑱=𝜎∙𝑬
𝐼 = න 𝑱 ∗ 𝑑𝑺 = 𝐽 ∙ 𝑆
𝑆
Y
𝑎 𝑎
𝑉𝑎𝑏 = − න 𝑬 ∙ 𝑑𝑳 = −𝑬 ∙ න 𝑑𝑳 = −𝑬 ∙ 𝐿𝑏𝑎 = 𝑬 ∙ 𝐿𝑎𝑏
𝑏 𝑏
o
𝑉 =𝐸∙𝐿
Entonces:
𝑰 𝑽
𝐽 = =𝜎∙𝐸 =𝝈∙
𝑺 𝑳
Donde:
𝐿 𝐿 𝐿
𝑉= ∙𝐼 = ∙𝐽 =𝜌∙ ∙𝐼
𝜎∙𝑆 𝜎 𝑆
Sin embargo en circuitos se conoce como resistencia del cilindro a la relación de la diferencia de
potencial entre terminales y la corriente que entra por el terminal positivo.
𝑉 = 𝐼∙𝑅
Donde:
𝐿 𝐿 1
𝑅= =𝜌∙ Ω =
𝜎∙𝑆 𝑆 𝐺
Donde R esta dado en Ohm, el inverso de la resistencia R es la conductancia “G” dada en
Siemens ( si no hay reactancia).
Si el campo no es uniforme, entonces la resistencia puede estar dada por:
𝑎
𝑉𝑎𝑏 − ‫𝑳𝑑 ∙ 𝑬 𝑏׬‬
𝑅= =
𝐼 ‫𝑺𝑑 ∙ 𝑬 ∙ 𝜎 𝑆׬‬
La cual esta dada por la integral de línea dada por la diferencia de potencial entre dos
superficies equipotenciales del material y la integral de superficie evaluada en la superficie
positiva.
1
𝜎 ∶ Conductividad 𝑍 = 𝑅 + 𝑗𝑋 𝑌 = 𝑍 = 𝐺 + 𝑗𝐵
𝜌 = 1/𝜎: resistividad 𝑋: Reactancia 𝑌: Admitancia
𝑅 ∶ Resistencia Z: Impedancia 𝐵: Susceptancia
𝐺 ≈ 1/𝑅: Conductancia
ojo: si existen ambas (R y X), no se puede hallar
ING. HAROLD el inverso de cada uno individualmente
DÍAZ PHD
S

𝑔𝑟
𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 Conductividad térmica Conductividad (S/mm) valor USD/g
𝑚𝑚3
Aluminio : 0,0027 209,3 3,82 ∙ 104 0,022
Cobre: : 0,00895 385 5,80 ∙ 104 0,094
Plata : 0,0105 418 6,17 ∙ 104 0,567

S
1 𝑝𝑢𝑙 = 2,54 𝑐𝑚 1 𝑝𝑖𝑒 = 30,48 𝑐𝑚

Si se supone todas las condiciones de los campos estáticos son validos y se deja que estos
varíen unos pocos milisegundos cuando la distribución de carga es desbalanceada dentro de
un conductor.
Si aparece súbitamente una carga de electrones

dentro de un conductor, el campo eléctrico de estos
no será neutralizado por ninguna carga positiva, así
que los electrones se acelerarán alejándose unos de
otros.
Esto sucede hasta que los electrones llegan a la

superficie del conductor o hasta que un número igual
de electrones llegue a la superficie.
Estos electrones serán detenidos por el aislante del

conductor en la superficie de este, manteniéndose así
por su propio campo eléctrico, y no existirá una
densidad de carga dentro del conductor. Estas son las
dos características de un buen conductor.
Por lo tanto la densidad de carga se hallará en la superficie exterior del conductor. Y la densidad
de campo eléctrico del conductor se hace cero, porque si existiera, habría una circulación de
corriente, donde los campos no serán estáticos.
En resumen para una situación electrostática no existen cargas ni campos eléctricos dentro de
un conductor, sin embargo la carga puede estar en la superficie como una densidad de carga
superficial.

En resumen para una situación electrostática no existen cargas ni campos eléctricos dentro de
un conductor, sin embargo la carga puede estar en la superficie como una densidad de carga
superficial.
Si se supone que existen dos componentes de campo eléctrico: una radial y otra tangencial,
rápidamente se sabe que solo existe la radial ya que la tangencial es cero. Si existiera, aparece
una componente que hará que los electrones se muevan, donde ya no habrá condiciones
estáticas.
La ley de Gauss no dice que el flujo eléctrico debe ser
igual a la carga que encierra, por tanto no habrá flujo
en el interior del conductor, ya que no hay campo
eléctrico, por lo tanto, el campo eléctrico debe de
abandonar la superficie de forma normal a la superficie.
𝐶
Cuantitativamente se puede decir que 𝐷𝑁 debe
𝑚2
𝐶
ser igual a la densidad de carga 𝜌𝑆 (𝑚2 )
𝐷𝑁 ≈ 𝜌𝑆
Si se analiza la región de frontera en el espacio libre de la figura donde se muestran las
componentes normal y tangencial de 𝑫 y 𝑬, el campo tangencial puede aplicarse:
ර 𝑬𝒕 ∗ 𝑑𝐿 = 0
A lo largo de 𝑎𝑏𝑐𝑑𝑎
𝑏 𝑐 𝑑 𝑎
න +න +න +න =0
𝑎 𝑏 𝑐 𝑑
Teniendo que 𝑬 = 0
dentro conductor.
Tomando como ∆𝑤 = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑎 − 𝑏 = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑐 − 𝑑
Y tomando ∆ℎ = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑏 − 𝑐 = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑 − 𝑎
Se tiene:
𝐸𝑡,𝑎 −𝑏 ∙ ∆𝑤 −𝐸𝑡,𝑐 −𝑑 ∙ ∆𝑤 −𝐸𝑁,𝑏−𝑐 ∙ ∆ℎ + 𝐸𝑁,𝑑−𝑎 ∙ ∆ℎ = 0
Si no existe campo dentro del conductor 𝐸𝑡,𝑐 −𝑑 = 0 y solo existirá la mitad del campo normal
1 1 ING. HAROLD DÍAZ PHD
𝐸𝑡,𝑎 −𝑏 ∙ ∆𝑤 − 𝐸𝑁,𝑏−𝑐 ∙ ∙ ∆ℎ + 𝐸𝑁,𝑑−𝑎 ∙ ∙ ∆ℎ = 0TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 30
2 2 UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
1 1
𝐸𝑡,𝑎 −𝑏 ∙ ∆𝑤 − 𝐸𝑁,𝑏−𝑐 ∙ ∙ ∆ℎ + 𝐸𝑁,𝑑−𝑎 ∙ ∙ ∆ℎ = 0
2 2
1
Si se hace ∆ℎ tienda a cero, manteniendo ∆𝑤 pequeño, el potencial de 𝐸𝑁,𝑏−𝑐 ∙ 2 ∙ ∆ℎ será
1
igual a 𝐸𝑁,𝑑−𝑎 ∙ 2 ∙ ∆ℎ, por lo tanto:
𝐸𝑡,𝑎 −𝑏 ∙ ∆𝑤 = 0
Ya que ∆𝑤 es pequeño pero existe, entonces el campo:
𝐸𝑡,𝑎 −𝑏 = 0

Si se hace con respecto a 𝑫, y se escoge un pequeño cilindro como superficie gaussiana, el cual
posee una altura ∆ℎ y un área transversal ∆𝑆, haciendo que ∆ℎ tienda a cero se tiene:
ර 𝑫 ∗ 𝑑𝑺 = 𝑄
𝑆
Integrando sobre las 3 superficies:
න +න +න =𝑄
𝑎𝑟𝑟𝑖𝑏𝑎 𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑙𝑎𝑑𝑜𝑠
𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 no existe el flujo. si existiera la densidad de flujo que entra por los 𝑙𝑎𝑑𝑜𝑠 es la misma
que sale, por lo tanto la integral es igual a cero, y entonces:
𝐷𝑁 ∙ ∆𝑆 = 𝑄 = 𝜌𝑆 ∙ ∆𝑆
Donde:
𝐷𝑁 = 𝜌𝑆
Las condiciones de frontera dentro

conductor serán:
𝐷𝑡 = 𝐸𝑡 = 0
𝐷𝑁 = 𝜖0 ∙ 𝐸𝑁 = 𝜌𝑆 TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 32
Las ecuaciones anteriores se pueden expresar de manera formal si se usan campos
vectoriales:
𝑬 𝑥 a𝑁 ȁ𝑠 = 0
𝑫 ∗ a𝑁 ȁ𝑠 = 𝜌𝑆
Una consecuencia que el campo 𝐸𝑡 sea cero es que la superficie de un conductor es una
superficie equipotencial. E ∗ 𝑑𝐿 = 0.
En resumen:
1. La intensidad de campo eléctrico dentro de un conductor es cero
2. La intensidad de campo eléctrico estático es normal a la superficie del conductor.
3. La superficie del conductor es una superficie equipotencial.
4. La magnitud de la densidad de flujo en la superficie del conductor

es igual a la magnitud de la densidad de carga.

Dado el potencial
𝑉 = 100 ∙ 𝑥 2 − 𝑦 2
Y un punto 𝑃 2, −1, 3 que esta en la frontera entre el
conductor solido y el espacio libre, hallar: V, E, D y 𝜌𝑆 en P,
la ecuación de superficie del conductor y la ecuación de las
líneas de campo eléctrico
𝑉 2, −1, 3 = 100 ∙ 22 − −1 2 = 300 𝑉

Ya que la superficie del conductor es equipotencial,
entonces el potencial en esta es de 300 V
Como el campo E es cero en el interior del conductor solido

entonces el potencial en todo punto interior es 300 V
La ecuación que representa el lugar geométrico de todos

los puntos que tienen 300 V dentro del conductor solido
son:
300 = 100 ∙ 𝑥 2 − 𝑦 2
O
3 = 𝑥 2 − 𝑦 2 TEORÍA
ELECTROMAGNÉTICA 34
La cual corresponde a un cilindro hiperbólico
Si el conductor esta en la parte superior izquierda (superficie rallada) mientras que es resto es
el espacio libre.
El campo eléctrico normal a la superficie será:

𝑬 = −𝛻 ∙ 𝑉 = −200 ∙ 𝑥 ∙ a𝑥 + 200 ∙ 𝑦 ∙ a𝑦
𝐸 2, −1, 3 = −200 ∙ 2 ∙ a𝑥 + 200 ∙ −1 ∙ a𝑦 = −400 ∙ a𝑥 − 200 ∙ a𝑦
La densidad de flujo eléctrico normal a la superficie será:

𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 = −200 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑥 ∙ a𝑥 + 200 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑦 ∙ a𝑦
𝐷 = 8,854 ∗ 10−12 ∙ 𝐸 2, −1, 3 = −3,54 ∙ a𝑥 − 1,771 ∙ a𝑦 𝑛𝐶/𝑚2
Donde el campo es normal a la superficie en P y tiene una magnitud

𝐷𝑁 = 𝐷 = 3,96 𝑛𝐶/𝑚2
Y la densidad en P es:
𝜌𝑆 = 𝐷𝑁 = 3,96 𝑛𝐶/𝑚2
Es de observar que si el conductor es laING.
otra parte de la figura entonces el campo apuntará al
HAROLD DÍAZ PHD
conductor, por lo tanto la densidad deTEORÍA superficial será: 𝜌𝑆 = 𝐷𝑁 = −3,96 𝑛𝐶/𝑚2 35
cargaELECTROMAGNÉTICA
Hallar la ecuación de las líneas de campo eléctrico que pasan por P
𝑬 = −𝛻 ∙ 𝑉 = −200 ∙ 𝑥 ∙ a𝑥 + 200 ∙ 𝑦 ∙ a𝑦 = 𝐸𝑥 ∙ a𝑥 + 𝐸𝑦 ∙ a𝑦
𝐸𝑦 200 ∙ 𝑦 𝑦 𝑑𝑦
= =− =
𝐸𝑥 −200 ∙ 𝑥 𝑥 𝑑𝑥
O
𝑑𝑦 𝑑𝑥
+ =0
𝑦 𝑥
𝑙𝑛 𝑥 + 𝑙𝑛 𝑦 = 𝑙𝑛 𝐶2
Donde:
𝑥 ∙ 𝑦 = 𝐶2
Como la línea pasa por P entonces:
2 ∙ −1 = −2 = 𝐶2
Por lo tanto:
𝑥 ∙ 𝑦 = −2

Si

𝑉=0

Una característica importante del dipolo es que existe un plano infinito de potencial cero entre
las dos cargas. Este plano puede representarse con un conductor muy delgado que va hasta el
infinito, este conductor será una superficie equipotencial con 𝑉 = 0, en la cual el campo
eléctrico es normal a la superficie. Condición que satisface que la superficie es equipotencial.
Con esto se logra reemplazar el sistema de dos cargas por una sola y el plano. Debajo del plano
el campo será cero y no habrá carga, o también se puede hacer a la inversa con una carga
negativa.
Si se observa bien, el campo será el mismo con el sistema de dos cargas o una carga y el plano
conductor. Donde a la carga simétrica se le denomina
TEORÍA imagen de la carga original.
Entonces esto es valido para cualquier sistema de cargas sobre un plano conductor con
potencial 𝑉 = 0, por un arreglo similar de cargas a su imagen, quitando el plano conductor. Lo
cual es mucho más fácil cuando ya no se tiene ese plano de potencial cero. Por lo tanto es
más fácil realizar el calculo con cargas imagen que con el plano conductor.
Esto es muy útil dentro de la ingeniería donde esta configuración se repite es muchos análisis;
por ejemplo una línea aérea y el plano de referencia de la tierra.

Como ejemplo con el método de las imágenes hallar la densidad de carga superficial en
𝑃 2, 5, 0 en un plano conductor 𝑧 = 0 si existe una carga lineal de 30 𝑛𝐶/𝑚 en 𝑥 = 0, 𝑧 =
3, como se ve en la figura.
Si se quita el plano y se introduce una carga lineal de −30 𝑛𝐶/𝑚 que sea imagen de la
anterior en 𝑥 = 0, 𝑧 = −3, se puede hallar el campo en P por superposición de los campos
conocidos de las cargas lineales, donde la distancia R será:
𝑅+ = 𝑟 − 𝑟´ = 2 − 0 ∙ a𝑥 + 𝑦 − 𝑦 ∙ a𝑦 + 0 − 3 ∙ a𝑧 = 2 ∙ a𝑥 − 3 ∙ a𝑧
𝑅− = 2 ∙ DEL
UNIVERSIDAD a𝑥 VALLE
+ 3 -∙2014A
a𝑧
Donde los campos individuales serán:
𝜌𝐿 30 ∙ 10−9 2 ∙ a𝑥 − 3 ∙ a𝑧
𝐸+ = a = ∙
2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 𝑅+ 𝑅 2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 13
Y
𝜌𝐿 −30 ∙ 10−9 2 ∙ a𝑥 + 3 ∙ a𝑧
𝐸− = a = ∙
2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 𝑅+ 𝑅 2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 13
Sumando ambas, se tiene:
30 ∙ 10−9 2 ∙ a𝑥 − 3 ∙ a𝑧 30 ∙ 10−9 2 ∙ a𝑥 + 3 ∙ a𝑧
𝐸 = 𝐸+ + 𝐸− = ∙ − ∙
2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 13 2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 13
30 ∙ 10−9
𝐸 = 𝐸+ + 𝐸− = ∙ 2 ∙ a𝑥 − 3 ∙ a𝑧 − 2 ∙ a𝑥 − 3 ∙ a𝑧
2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13
30 ∙ 10−9 −180 ∙ 10−9

𝐸 = 𝐸+ + 𝐸− = ∙ −6 ∙ a𝑧 = ∙ a = −249 ∙ a𝑧 𝑉/𝑚
2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 2 ∙ 𝜋 ∙∈0 ∙ 13 𝑧
Observe que el campo es normal, de aquí:

𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 = −249 ∙ 𝜖0 ∙ a𝑧 = −2,2 ∙ a𝑧 𝑛𝐶/𝑚2
Y como el campo eléctrico punta hacia el plano conductor, entonces 𝜌𝑆 es negativa y
𝜌𝑆 = −2,2 𝑛𝐶/𝑚2
En el punto P

Intensidad de Posible efecto en el cuerpo humano
corriente (mA)
1 mA Nivel de percepción. Una leve sensación de hormigueo. Aún
así, puede ser peligroso bajo ciertas condiciones.
5 mA Leve sensación de choque; no doloroso, aunque incómodo. La
persona promedio puede soltar la fuente de la corriente eléctrica.
Sin embargo, lasreacciones involuntarias fuertes a los choques en
esta escala pueden resultar en lesiones.
6-30 mA Choque doloroso donde se pierde el control muscular. Esto se
conoce como "la corriente paralizante" o "la escala bajo la cual hay
que soltar la fuente".
50-150 mA Dolor agudo, paro respiratorio, contracciones
musculares severas. La persona no puede soltar la fuente de
electricidad. La muerte es posible.
1000-4300 mA Fibrilación ventricular (el ritmo cardíaco cesa.) Ocurren
contracciones musculares y daño a los nervios. La muerte es
sumamente probable.
10,000 mA Paro cardíaco, quemaduras severas y con toda probabilidad puede
causar la muerte. ING. HAROLD DÍAZ PHD
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la
presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Elemento Grupos Electrones en la última
capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente
se ha comenzado a emplear también el azufre.

En estos los electrones necesitan una mayor energía para pasar a la banda de conducción, y al
dejar el lugar queda un “hueco” el cual es parte fundamental de la corriente eléctrica.
A este hueco se trata como si tuviera una carga

positiva 𝑒 con su correspondiente coeficiente
de movilidad 𝜇ℎ y una masa efectiva
comparable a la del electrón.
Por lo tanto ambos se mueven en direcciones

opuestas. ING. HAROLD DÍAZ PHD
Por lo tanto la conductividad es función de las concentraciones de electrones y huecos
𝜎 = −𝜌 𝑒 ∙ 𝜇 𝑒 + 𝜌 ℎ ∙ 𝜇 ℎ
𝑚2 𝑚2 𝐶 𝑆 Conductividad
𝜇 ℎ( ) 𝜇𝑒( ) 𝜌 𝑒. . . 𝜌 ℎ ( 3) 𝜎( ) 𝑊
𝑉∙𝑠 𝑉∙𝑠 𝑚 𝑚 Térmica (𝑚∙𝐾)
Silicio 0,025 0,12 0,0024 0,00035 148

Germanio 0,36 0,17 3 1,6 59,9
Los coeficientes de movilidad son más o menos de 10 a 100 veces la movilidad aluminio, cobre,
plata.
Con forme la temperatura aumenta, la movilidad disminuye pero la densidad aumenta

rápidamente, por lo tanto, la conductividad aumenta en un factor de 10 cuando pasa de 300 a
330 °K (26,5 a 56,85 °C) y decrece de forma inversa.

48
Los semiconductores se comportan de forma inversa a los
conductores con la temperatura.
La conductividad en un semiconductor al igual que en los

conductores es más o menos constante con la densidad de
corriente y su dirección.
Se utilizan más los de silicio que los de germanio debido a que el

germanio es muy escaso y por lo tanto más caro.
Se prefieren el uso del germanio cuando los circuitos son de baja

potencia, ya que esto hace el circuito mas eficiente, ya que por
ejemplo en un diodo el voltaje de polarización es de 0,3 V
comparado con los 0,6 V en el silicio.
En caso de precisión son mejor los de germanio en donde las fluctuaciones de tensión debe
mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los diodos de germanio se dañan más fácilmente que los
diodos de silicio.
Los diodos de silicio son excelentes diodos de propósito general y se pueden utilizar en casi
todos los circuitos eléctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio
ING. son más
HAROLD DÍAZduraderos
PHD
49
que los diodos de germanio y son mucho más fáciles de obtener.
El número de portadores de carga se aumenta agregando pequeñas impurezas, materiales
donadores agregan electrones y forman el material tipo “n” y materiales receptores proveen
huecos extras y forma materiales tipo “p”, esto es llamado “dopado”
Un dopado de una parte en 107 , aumenta la conductividad en un factor de 105

Un dieléctrico básicamente se basa en múltiples dipolos eléctricos de una carga positiva y otra
negativa. No hay cargas libres, y los dipolos pueden responder al campo eléctrico alineándose
con él. A estas se les denomina cargas latentes las cuales de pueden tratar como cualquier
otra fuente de campo electrostático.
Todos los materiales dieléctricos tienen la capacidad de almacenar energía (solidos, líquidos,
gases que no sean cristalinos). Este almacenamiento se lleva mediante el cambio de posición
de los dipolos contra las fuerzas atómicas y moleculares normales. Esto es similar a la energía
almacenada en un resorte. TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 51
El mecanismo de la carga difiere de la naturaleza del dieléctrico; en algunos las moléculas se
mueven del centro de gravedad de las cargas positivas y negativas (dipolos), dependiendo de la
intensidad del campo eléctrico.
En estado normal los dipolos están ubicados de forma aleatoria, y se alinean con el campo
cuando es aplicado, se puede incluso presentar un desplazamiento del centro de gravedad del
dipolo. Cualquier dipolo puede ser expresado como se
desarrollo anteriormente como el momento
dipolar:
𝒑 = 𝑄 ∙ 𝒅 (𝐶 ∙ 𝑚)
Donde Q es la carga positiva que integra el
dipolo y 𝒅 es el vector distancia.
Si hay 𝑛 dipolos y se trabaja en un volumen ∆𝑣
entonces hay 𝑛 ∙ ∆𝑣 y el momento dipolar será:
𝑛∙∆𝑣
𝒑𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = ෍ 𝒑𝑖 (𝐶 ∙ 𝑚)
𝑖=1
Si los dipolos están en la misma dirección 𝒑𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙
posee un valor significativo; sin embargo si están
ING. HAROLD DÍAZ PHD de forma aleatoria 𝒑𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 0.
Se define como la polarización 𝑷 Al momento dipolar por unidad de volumen:
𝑛∙∆𝑣 𝑛
𝟏 𝟏 𝟏 𝐶∙𝑚 C
𝑷 = lim ෍ 𝒑𝑖 = lim ෍ 𝑄 ∙ 𝒅 = lim 𝑛 ∙ 𝑄 ∙ 𝒅 ( 3 − 2)
∆𝑣→0 ∆𝑣 ∆𝑣→0 ∆𝑣 ∆𝑣→0 ∆𝑣 𝑚 𝑚
𝑖=1 𝑖=1
Y se toma como un campo continuo típico, aun cuando es evidente que esta definido como
puntos dentro de un átomo o molécula. Se considera mejor como un valor medio en un
volumen ∆𝑣 que posee 𝑛 ∙ ∆𝑣 dipolos.
Si se supone que no hay un campo
eléctrico, entonces el momento dipolar
𝑷 = 0 en todo el material. Si se aplica un
campo eléctrico 𝑬 , este produce un
momento 𝒑 = 𝑄 ∙ 𝒅 en cada molécula, de
modo que 𝒑 y 𝒅 forman un ángulo 𝜃 con
∆𝑺.
Y con el campo las cargas latentes se

mueven a través de ∆𝑺 con una distancia
1
∙ 𝑑 ∙ 𝑐𝑜𝑠 𝜃 en dirección perpendicular a
2
∆𝑺. Si son positivas se moverán hacia ING. HAROLD DÍAZ PHD
arriba y si son negativas hacia abajo. TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 53
La carga neta de n moléculas que cruza la superficie en dirección ascendente será:
𝟏
∆𝑄𝑏 = lim 𝑛 ∙ 𝑄 ∙ 𝒅 ∗ ∆𝑺
∆𝑣→0 ∆𝑣
Donde 𝑄𝑏 es debido a que es una carga latente y no una carga libre, en términos del momento
de polarización se tiene:
∆𝑄𝑏 = 𝑷 ∗ ∆𝑺
Si ∆𝑺 es una superficie cerrada dentro de un dieléctrico, entonces la carga latente se obtiene
como: 𝑄 = − ර 𝑷 ∗ 𝑑𝑺
𝑏
𝑆
Esta es muy parecido a la ley de Gauss y se 𝑄𝑏
puede generalizar la definición de densidad de 𝑑𝑺
𝑄
flujo eléctrico de tal forma que sea valida para
otros medios.
𝑄𝑇 = ර 𝜖0 ∙ 𝑬𝐹𝑢𝑒𝑟𝑎 ∗ 𝑑𝑺
𝑆
Donde:
𝑄𝑇 = 𝑄𝑏 + 𝑄
𝑄𝑇 : carga total encerrada

S ING. HAROLD
𝑄: es la carga total libre encerrada por TEORÍA DÍAZ PHD
Al combinar las tres expresiones:
𝑄 = 𝑄𝑇 − 𝑄𝑏 = ර 𝜖0 ∙ 𝑬 ∗ 𝑑𝑺 + ර 𝑷 ∗ 𝑑𝑺 = ර 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝑷 ∗ 𝑑𝑺
𝑆 𝑆 𝑆
Donde 𝑫 Será.
𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝑷
Entonces:
𝑄 = ර 𝑫 ∗ 𝑑𝑺
𝑆
Utilizando las densidades de carga volumétrica se tiene:
𝑄𝑏 = ර 𝜌𝑏 ∙ 𝑑𝑣
𝑣𝑜𝑙
𝑄 = ර 𝜌𝑣 ∙ 𝑑𝑣
𝑣𝑜𝑙
𝑄𝑇 = ර 𝜌𝑇 ∙ 𝑑𝑣
𝑣𝑜𝑙
Con el teorema de la divergencia se tiene:
Con el teorema de la divergencia se tiene:
𝛻 ∗ 𝑷 = −𝜌𝑏
𝛻 ∗ 𝜖0 ∙ 𝑬 = 𝜌 𝑇
𝛻 ∗ 𝑫 = 𝜌𝑣
En lo real es necesario conocer la relación entre el campo 𝑬 y 𝑷
resultante, la cual es función del tipo de material. En adelante
solo se tratan materiales isotrópicos, los cuales guardan una
relación lineal, en los cuales los campos 𝑬 y 𝑷 son paralelos sin
importar la orientación del campo.
En los materiales ferroeléctricos la relación entre 𝑬 y 𝑷 es no lineal y presenta histéresis. La
relación entre 𝑬 y 𝑷 es:
𝑷 = 𝜒𝑒 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑬
Donde 𝜒𝑒 (chi) es una cantidad adimensional llamada susceptibilidad eléctrica del material,
ahora se tiene:
𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝑷 = 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝜒𝑒 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑬 = 𝜒𝑒 + 1 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑬
Donde:
𝜒𝑒 + 1 = 𝜖𝑟 Material 𝜖𝑟
Cantidad adimensional definida como permitividad relativa o Aire 1.0005
constante dieléctrica: Papel 3.7
𝑫 = 𝜖𝑟 ∙ 𝜖 0 ∙ 𝑬 = 𝜖 ∙ 𝑬
Y 𝜖 = 𝜖𝑟 ∙ 𝜖0 es la permitividad, los materiales anisotrópicos se Pyrex 5.6
describen como una función de las componentes o forma Teflón 2.1
matricial: Nylon 3.5
𝐷𝑥𝑥 = 𝜖𝑥𝑥 ∙ 𝐸𝑥 + 𝜖𝑥𝑦 ∙ 𝐸𝑦 + 𝜖𝑥𝑧 ∙ 𝐸𝑧
𝐷𝑦𝑦 = 𝜖𝑦𝑥 ∙ 𝐸𝑥 + 𝜖𝑦𝑦 ∙ 𝐸𝑦 + 𝜖𝑦𝑧 ∙ 𝐸𝑧 Silicio 12
𝐷𝑧𝑧 = 𝜖𝑧𝑥 ∙ 𝐸𝑥 + 𝜖𝑧𝑦 ∙ 𝐸𝑦 + 𝜖𝑧𝑧 ∙ 𝐸𝑧 Germanio 16
Baquelita 4,74
Aquí 𝑬 y 𝑷 ya no son paralelos pero la relación 𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝑷 es
Vidrio 4-7
valida. En resumen:
𝑫=𝜖∙𝑬 Mica 5,4
Nailon 3,5
𝜖𝑟 ∙ 𝜖0 = 𝜖
Madera seca 1,5 - 4
𝛻 ∗ 𝑫 = 𝜌𝑣 Titanato de
ING. HAROLD DÍAZ PHD 1200
Bario 57
ර 𝑫 ∗ 𝑑𝑺 = 𝑄
En la región 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑎 hay una placa de teflón y el resto es espacio libre, si hay un campo
uniforme afuera de 𝑬𝒇𝒖𝒆𝒓𝒂 = 𝑬𝒐 ∙ a𝑥 𝑉/𝑚 hallar D, E y P
La constante dieléctrica del teflón es 2,1 de modo que la susceptibilidad eléctrica es:
𝜒𝑒 + 1 = 𝜖𝑟
𝜒𝑒 = 𝜖𝑟 − 1 = 1,1
Entonces la densidad de flujo fuera es:
𝑫𝑓𝑢𝑒𝑟𝑎 = 𝜖0 ∙ 𝑬𝒐 ∙ a𝑥
Donde 𝑷𝑓𝑢𝑒𝑟𝑎 = 𝟎
Entonces la densidad 𝑫𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 es:

𝑫𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 2,1 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑬𝒅𝒆𝒏𝒕𝒓𝒐 ∙ a𝑥 0≤𝑥≤𝑎
𝑷𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 1,1 ∙ 𝜖0 ∙ 𝑬𝒅𝒆𝒏𝒕𝒓𝒐 ∙ a𝑥 0≤𝑥≤𝑎

Existen dos formas de fronteras: dos dieléctricos diferentes o un dieléctrico y un conductor.
Como se sabe la campo tangencial en un conductor es igual a cero y la densidad de flujo
eléctrico normal es igual a densidad de carga superficial sobre el conductor.
Para dos dieléctricos con 𝜖1 𝑦 𝜖2 respectivamente:
ර 𝑬 ∗ 𝑑𝑳 = 0
𝑆
La densidad de flujo existirá en ambos
materiales. En la trayectoria cerrada
izquierda se tiene:
𝐸𝑡𝑎𝑔 1 ∙ ∆𝑤 − 𝐸𝑡𝑎𝑔 2 ∙ ∆𝑤 = 0
Si ∆ℎ decrece la contribución de la
componente normal se hace cero.
𝐸𝑡𝑎𝑔 1 = 𝐸𝑡𝑎𝑔 2
Por lo tanto, el potencial de dos

puntos arbitrarios sobre la frontera
separados por ∆𝑤 es la misma arriba
o abajo. TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA 59
Si la intensidad es continua en toda la
frontera entonces la densidad de flujo no
lo es:
𝐷𝑡𝑎𝑔 1 𝐷𝑡𝑎𝑔 2
= 𝐸𝑡𝑎𝑔 1 = 𝐸𝑡𝑎𝑔 2 =
𝜖1 𝜖2
𝐷𝑡𝑎𝑔 1 𝜖1
=
𝐷𝑡𝑎𝑔 2 𝜖2
Aplicando ley de Gauss para hallar las

componentes normales. Si la altura es
muy pequeña entonces el flujo:
ර 𝑫 ∗ 𝑑𝑆 = 𝑄
𝑆 𝐷𝑁1 = 𝐷𝑁2
O
𝐷𝑁1 ∙ ∆𝑆 − 𝐷𝑁2 ∙ ∆𝑆 = ∆𝑄 = 𝜌𝑠 ∙ ∆𝑆 𝜖1 ∙ 𝐸𝑁1 = 𝜖2 ∙ 𝐸𝑁2
Donde: 𝜖1 𝐸𝑁2
𝐷𝑁1 − 𝐷𝑁2 = 𝜌𝑠 =
𝜖2 𝐸𝑁1
Donde 𝜌𝑠 = 0 en la interface, y TEORÍA ELECTROMAGNÉTICA
Donde
60
UNIVERSIDAD DEL VALLE -E2014A
es normal y discontinuo.
Expresándolo en términos vectoriales las condiciones de
frontera para la superficie de un dieléctrico son:
𝑫𝟏 − 𝑫𝟐 ∗ a𝑁 = 𝜌𝑠
Y
𝑬𝟏 − 𝑬𝟐 𝒙 a𝑁 = 0
Esto también se puede ver en la frontera para las
condiciones normales:
𝐷𝑁1 = 𝐷1 ∙ 𝑐𝑜𝑠 𝜃1 = 𝐷2 ∙ 𝑐𝑜𝑠 𝜃2 = 𝐷𝑁2
para las condiciones tangenciales:
𝐷𝑡𝑎𝑔 1 𝜖1 𝐷1 ∙ 𝑆𝑒𝑛𝑜 𝜃1
= =
𝐷𝑡𝑎𝑔 2 𝜖2 𝐷2 ∙ 𝑠𝑒𝑛𝑜 𝜃2
O bien:
𝜖2 ∙ 𝐷1 ∙ 𝑆𝑒𝑛𝑜 𝜃1 = 𝜖1 ∙ 𝐷2 ∙ 𝑆𝑒𝑛𝑜 𝜃2 En esta figura se supone 𝜖1 > 𝜖2 en
consecuencia 𝜃1 > 𝜃2
Al dividir las dos ecuaciones:
𝜖2 ∙ 𝐷1 ∙ 𝑆𝑒𝑛𝑜 𝜃1 𝜖1 ∙ 𝐷2 ∙ 𝑆𝑒𝑛𝑜 𝜃2 𝑡𝑎𝑛𝑔 𝜃1 𝜖1
= ING. HAROLD DÍAZ PHD =
𝐷1 ∙ 𝑐𝑜𝑠 𝜃1 𝐷2 ∙ 𝑐𝑜𝑠
TEORÍA𝜃ELECTROMAGNÉTICA
2 𝑡𝑎𝑛𝑔 𝜃2 𝜖2 61
La dirección de 𝑬 es idéntica a la dirección de 𝑫 porque
𝑫 = 𝜖 ∙ 𝑬.
La magnitud de 𝑫 en la región 2 puede hallarse a partir

de las ecuaciones:
𝜖1 2
𝐷2 = 𝐷1 ∙ 𝑐𝑜𝑠 2 𝜃1 + ∙ 𝑠𝑒𝑛𝑜 2 𝜃1
𝜖2
Y la magnitud de 𝑬 en la región 2 es:
2
𝜖1
𝐸2 = 𝐸1 ∙ 𝑠𝑒𝑛𝑜 2 𝜃1 + ∙ 𝑐𝑜𝑠 2 𝜃1
𝜖2
La observar las ecuaciones se ve que 𝑫 es más grande en 1 donde la permitividad es mayor (a

menos que 𝜃1 = 𝜃2 = 0° donde la magnitud permanece sin cambio).
Y 𝑬 es más grande en la región de menor

ING. HAROLD DÍAZ PHD(a menos que 𝜃 = 𝜃 = 90° donde la
permitividad 1 2
magnitud permanece sin cambio. UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
Encontrar los campos dentro de la placa de teflón que va desde 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑎 del ejemplo anterior
dado que: 𝑬𝒇𝒖𝒆𝒓𝒂 = 𝑬𝒐 ∙ a𝑥 𝑉/𝑚
Ya se tenia que:
Entonces la densidad de flujo fuera es: 𝑫𝑓𝑢𝑒𝑟𝑎 = 𝜖0 ∙ 𝐸𝑜 ∙ a𝑥 y Donde 𝑷𝑓𝑢𝑒𝑟𝑎 = 𝟎
Dada la continuidad de 𝐷𝑁 se puede hallar:

𝐷𝑁.𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 𝐷𝑁.𝑓𝑢𝑒𝑟𝑎 = 𝜖0 ∙ 𝑬𝒐 ∙ a𝑥
Con esto se halla:

𝐷𝑁.𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 𝜖0 ∙ 𝑬𝒐 ∙ a𝑥
𝐸𝑁.𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = =
ϵ 𝜖𝑟 ∙ 𝜖0
= 0,476 ∙ 𝐸𝑜 ∙ a𝑥
El campo de polarización se halla:
𝑫 = 𝜖0 ∙ 𝑬 + 𝑷
Donde:
𝑷𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 𝐷𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 − 𝜖0 ∙ 𝐸𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜
𝑷𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 𝜖0 ∙ 𝐸𝑜 ∙ a𝑥 − 0,476 ∙ 𝐸𝑜 ∙ a𝑥
0≤
ING. HAROLD DÍAZ
𝑷𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 = 0,524 ∙ 𝐸𝑜 ∙ a𝑥 TEORÍA PHD𝑥 ≤ 𝑎
La


5 Conductores y Dieléctricos

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5 Conductores y Dieléctricos

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ING.

HAROLD DÍAZ PHD

electrones libres por centímetro cúbico

𝑱=𝜌𝑣 ∙ 𝒗 es la densidad de corriente de convección (no es la corriente en un conductor).

Cuando la corriente no es perpendicular al área transversal entonces:

Por lo tanto la corriente es:

La densidad de corriente se puede relacionar con la velocidad de una carga volumétrica en un

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

La ecuación de continuidad aparece cuando se considera una superficie cerrada:

Si la carga dentro de la superficie cerrada se denota con 𝑄𝑖 , entonces la razón de cambio es

Si se mantiene el área superficial (o volumen) entonces la derivada puede entrar dentro de la

Calcular en 𝑡 = 1 𝑠𝑒𝑔 se puede calcular la corriente total que sale en 𝑟 = 5 𝑚

En el mismo tiempo pero en 𝑟 = 6 𝑚

Para entender esto se considera la variación de la densidad de carga volumétrica

Entonces la densidad de carga será:

Si 𝜌𝑣 → 0 cuando 𝑡 → ∞, entonces 𝐾 𝑟 → 0, entonces

ING. HAROLD DÍAZ PHD

Cada nivel posee de posee un nivel de energía, por lo tanto, un

Ese mecanismo denominado "regla del octeto" da lugar a la creación de diferentes

Oro Au 79 4,55 × 107 317 +1 +3 [Xe]4f14 5d10 6s1 890.13 - 1977.96

La existencia de electrones en la banda de conducción, es crucial para el proceso de conducción.

Esta velocidad 𝑣𝑑 se denomina velocidad de arrastre y se relaciona linealmente con la

Para un conductor metálico se tiene la formula puntual de la ley de ohm:

𝑅20 = 𝑅𝑡ℎ ∙ 1 + 𝑘 ∙ 𝑇20 − 𝑇𝑡ℎ

ING. HAROLD DÍAZ PHD

De aquí que a mayor temperatura, habrá mayor

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

1 𝑝𝑢𝑙 = 2,54 𝑐𝑚 1 𝑝𝑖𝑒 = 30,48 𝑐𝑚

Si aparece súbitamente una carga de electrones

Esto sucede hasta que los electrones llegan a la

Estos electrones serán detenidos por el aislante del

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

Las condiciones de frontera dentro

2. La intensidad de campo eléctrico estático es normal a la superficie del conductor.

3. La superficie del conductor es una superficie equipotencial.

4. La magnitud de la densidad de flujo en la superficie del conductor

ING. HAROLD DÍAZ PHD

𝑉 2, −1, 3 = 100 ∙ 22 − −1 2 = 300 𝑉

Como el campo E es cero en el interior del conductor solido

La ecuación que representa el lugar geométrico de todos

El campo eléctrico normal a la superficie será:

𝐸 2, −1, 3 = −200 ∙ 2 ∙ a𝑥 + 200 ∙ −1 ∙ a𝑦 = −400 ∙ a𝑥 − 200 ∙ a𝑦

La densidad de flujo eléctrico normal a la superficie será:

Donde el campo es normal a la superficie en P y tiene una magnitud

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

30 ∙ 10−9 −180 ∙ 10−9

Observe que el campo es normal, de aquí:

ING. HAROLD DÍAZ PHD

ING. HAROLD DÍAZ PHD

A este hueco se trata como si tuviera una carga

Por lo tanto ambos se mueven en direcciones

Silicio 0,025 0,12 0,0024 0,00035 148

Con forme la temperatura aumenta, la movilidad disminuye pero la densidad aumenta

ING. HAROLD DÍAZ PHD

La conductividad en un semiconductor al igual que en los

Se utilizan más los de silicio que los de germanio debido a que el

Se prefieren el uso del germanio cuando los circuitos son de baja