Anda di halaman 1dari 11

Karkateristik SnO2 Thin Films diprepasi dengan SILAR

SnO2 thin films dideposite pada gelas substrat dengan menggunakan metode suksesi ion
lapisan adsorption dan Reaksi (SILAR) pada suhu ruang. Efek ketebalan film dikarakteriasi sifat
struktur, morfologi, optik dan listrik dipelajari. Juga anil pada atmosfer oksigen (400°C, 30 menit)
dan karakteristik parameter film diselidiki. Diffraksi Sinar X (XRD) dan Scanning Electron
Microscopy (SEM) menunjukkan semua film polycrystaline alam dengan struktur kristal
tetragonal dan tertutup dengan baik pada gelas substrat. Setelah diselidiki sifat kristalin dan
permukaan film, ditemukan bahwa mereka membaik seiring dengan peningkatan ketebalan film.
Band gab optik berkurang dari 3,90 eV menjadi 3,54 eV dan konduktivitas listrik diubah antara
0,015-0,815 (Ω-cm)-1 sebagai ketebalan film dikembangkan dari 215 hingga 490 nm. Indeks
refraksi (n), statik optik dan tinggi frekuensi dielektrik konstan (Ɛ0, ƐeV) nilai dihitung
menggunakan band gab optik dan nilainya dinyatakan sebagai fungsi dari ketebalan film.
TCOS telah banyak diteliti untuk digunakan dalam perangkat optoelektronik dan teknologi
energi surya. Karena sifat optik dan listriknya, TSCOS digunakan untuk sel surya fotovoltaik,
phototransistors, liqiud cristal display, pemanas optik, senosor gas, elektroda transparan dan
perangkat optoelektronik lain.
SnO2 adalah bahan yang paling banyak digunakan karena biaya yang rendah, panjang
hidup dan reproduktifitas baik. SnO2 adalah tipe-n semikonduktor oksida oksida dengan band gap
yang lebar (Eg = 3,6 eV pada 300 K) dan berstruktur kristal tetragonal. SnO2 memiliki ketahanan
termal lebih baik dari indium timah oksida (ITO), films relatif keras dan memiliki abrasi yang
baik. SnO2 telah dibuat dalam berbagai metode, seperti berkas elektron pengupan, deposisi laser
bergetar, deposisi uap kimia, spray pyrolysis, SILAR. Pada penelitian ini Films SnO2 diendapkan
pada substrat kaca dengan menggunakan metode SILAR. Dimana ketebalan film dan efek aneling
pada sifat struktur, morfologi, optik dan elektrik diteliti. Ketebalan film difokuskan pada indeks
refraktif (n), static dan ketinggian frekuensi dielektrik (Ɛ0, Ɛ͚). Film dikarakterisasi menggunakan
XRD, SEM, absorbsi optik dan metode two point probe.
Metode
Pada penelitian ini, SnO2 thin films disimpan pada gelas substrat menggunakan metode silar pada
suhu ruang dan tekanan ambilan. SnO2 thin films dianallisis dengan reagent SnCl4 (%99) dan
konsentrasi amonia 0,8 M NH3 (aq) (25-28%). Nilai konsentrasi larutan tin (Sn) adalah 0,1 M dan
rasio molar Sn:NH3 yang didapatkan adalah 1:8 untuk thin film SnO2 sebagai hasil dari beberapa
eksperimen.
Substrat perbersih memiliki peran penting dalam menyimpan thin film. Gelas substrat dibersihkan
secara ultrasonik selama 10 menit, pertama dalam aseton dan kemudian dalam 1:1 ethanol: laruan
air. Substrat dikeringkan dan disimpan dalam desikator.
Untuk menyimpan thin film, satu SILAR yang terlibat mengikuti 4 steps :1) mencelupkan substrat
dalam larutan untuk 20 s to membuat larutan thin film [Sn(NH3)4]4+ pada susbtrat;
2)mencelupkan substrat dalam air hangat (90°C) untuk 7 s untuk lapisan SnO2; 3) mengeringkan
susbtrat di udara terbuka untuk 60 s dan 4) membilas susbtrat dalam separate beaker untuk 40 s
untuk menghapus ikatan partikel yang besar. Adsorpsi, reaksi dan waktu bilasan menghasilkan
lapisan dan hasil yang struktur filmnya homogen. Ketebalan film yang diberikan adalah 215, 300,
380 dan 490 nm oleh 60, 80, 100, dan 120 SILAR pertumbuahan cycle.
Untuk menyelidiki efek ketebalan film pada pengukuran karakteristik film, XRD, SEM absopsi
optik dan metode two point probe. Film dianel pada atmosfer oksigen (400°C, 30 menit) dan
karakteristik parameter film diteliti.
Hasil dan Pembahasan
3.1 Analisis Struktur
Analisis struktur SnO2 film tipis diukur menggunaka XRD dengan memvariasi sudur
difraksi, 2θ dari 20 sampai 60°. Pola XRD menunjukkan gambar 1 dan 2. Pola difraksi
mengindikasikan adanya kristal tunggal SnO2. Pada gambar 1, semua film memiliki
struktur polikristalin dengan orientasi bidang yang berbeda. Bidang (110), (101), (200), (210,
(211) dan (002). Intensitas puncak difraksi meningkat seiring, nilai maksimum setengah dari
puncak meningkat seiring dnegan meningkatnya ketebalan film. Perubahan ini
kemungkinan disebabkan peningkatan kristalinitas ketebalan films. Kristalinitas terbaik
terlihat pada 380 nm ketebalan film. Terlihat pada gambar 2 kristalinitas ditingkatkan
dengan temperatur anil (400° C). Luas puncak dalam kisaran 2θ= 20-35° adalah substrat
glass amorf.
Dimana l (hkl) adalah intensitas relatif terukur pada bidnag (h k l), I0(h k l) adalah intensitas
standar pada bidang (h k l ) dari data JCPDS, N adalah bilangan refleksi dan n adalah
bilangan pada puncak difraksi. Sampel dengan pengacakan diorientasi kristalit TC=(hkl),
ketika nilainya besar, besar abudance kristalitnya diorientasikan pada arah (h k l). Koefisien
tekstur dihitung untuk semua puncak difraksi seperti tabel 1. Table 1 menunjkkan TC pada
bidnag (110) utnuk semua films.
Parameter struktur dianggap sebagai ukuran butir (D), dislokasi densitas (δ) FWHM (β(,
Kekuatan (S) untuk semua film dievaluasi dengan pola XRD. Ukuran butir film tipus
dihitung denga pola XRD menggunakan formua Debye Scherrer’s.
Dimana D adalah ukuran butir, λ adalah panjang gelombang sinar X, β adalah sudut intensitas
maksimum dan θ adalah sudut Bragg’s. Ukuran butir, dislokasi densitas dan tegangan films
dihitung menggunakan FWHM untuk puncak (110). Dislokasi densitas adalah

Nilai tegangan adalah

Ketika ukuran butir meningkat dari 6,63 nm hingga 19,92 nm, dislokasi densitas dan tegangan
menurun dari 227,22 x 10-4 nm-2 hingga 25,19 x 10-4 dan dari 0,29 l-2m-4 hingga 0,09 l-2m-4
dengan meningkatnya ketebalan film. Tetapi parameter menunjukkan perubahan setelah ketebalan
380 nm. Perubahan ini mungkin disebabkan baiknya kristalinitas. Sedangkan ukuran butir
meningkat 24, 01 nm, dislokasi densitas dan nilai tegangan menurun 17,33 x 10-4 nm-2 dan 0,08
l-2m-4 dengan temperatur aneling (400°C). Nilai D, β, δ dan s mengindikasikan kristalinitas film
yang lebih baik. Untuk penelitian ini dapat dikatakan struktur kristalinitas baik untuk ketebalan
film 380 nm dan temperatur aneling memiliki peran penting untuk karakterisasi nilai film D, β, δ
dan s (fig 1 dan 2 dan tabel 1)
3.2 analisis permukaan morfologi

Telah diketahui sifat permukaan TC0 film mempengaruhi sifat optik dan listrik. untuk
contoh, peningkatan kekasaran permukaan film menyebabkan peningkatan hilangnya propagasi
gelombang akustik permukaan dan penurunan efisiensi sel surya fotovoltaik. Gambar 3
menunjukkan SEM dari SnO2 yang disimpan dalam film tipis dengan kettebalan yan berbeda. Hal
tersebut menunjukkan bahwa thin film tidak memiliki permukaan morfologi permukaan halus dan
homogen dengan dengan hole dan celah-celah pada ketebalan film 215 nm. Keseragaman,
kepadatan, kehalusan dan baiknya substrat meningkat seiring peningkatan ketebalan film. Pada
ketebalan 490 nm (gambar 3d) tingkat kekerasan permukaan meningkat sedangkan permukaan
film menurun. Gambar 4 menunjukkan gambar SEM yang disimpan 380 nm SnO2. Sifat
permukaan SnO2 thin films berubah dengan ketebalan film dan suhu anil. Terutama pada
ketebalan 380 nm, semua sifat permukaan lebih baik dari lainnya.
3.3 Karakteristik optik
Pengukuran absorbansi dilakukan pada suhu kamar. Gambar 5 dan tabel 2 menunjukkan
pengurangan nilai band gap dari 2,90 hingga 3,54 eV dengan meningkatnya ketebalan film dan
dari 3.74 untuk 380 nm ketebalan film pada 3,66 eV dengan suhu anil (400°C). Pengurangan band
gap dengan peningkatn ketebalan film dapat dikaitkan dengan meningkatnya kristalinitas,
perubahan morfologi, perubahan anatar jarak atom dan ukuran butir. Efek anil dapat dikaitkan
dengan peningkatan kristalinitas dan sifat permukaan, penghapusan akumulasi timah di sepnajang
batas butir dengan anil.
3.4 Karakterisasi Listrik
Pengukuran konduktivitas listrik SnO2 thin film dibawa pada temperatur 300-500 K menggunakan
mtode two point probe dibawa media yang gelap. Gambar 6 dan 7 dan table 3, nilai konduktivitas
listrik ditingkatkan dengan meningkatnya temperatur dan ketebalan film.
Konduktivitas ditingkatkan dari 0,015 (Ω-cm)-1 untuk 215 nm hingga 0,815 (Ω-cm)-1
untuk ketebalan film 380 nm. Konduktivitas diturunkan hingga 0,024 (Ω-cm)-1 untuk ketebalan
film 490. Energi aktivasi film ditemukan pada jarak 0,38-0,20 eV pada suhu antara 0,45-0,37 eV
pada suhu tinggi.
Kesimpulan
Banyak metode untuk menumbuhkan film. Dibanding metode yang lain, metode SILAR
adalah metode yang simpel, cepat, sensitif dan murah untuk preparasi thin film. Thin Film SnO2
disintesis pada gelas substrat dengan mengunakan metode SILAR yang sederhana dan ekonomis
pada suhu ruang. Pengaruh ketebalan film pada struktur, morfologi, optik dan sifat listrik dari thin
film Sn02 secara ekstensif diteliti. XRD dan SEM menunjukkan bahwa lapisan film Sn02 memiliki
strukur polikristalin tetragonal, kristaL dan sifat permukaan lapisan film meningkatkan ketebalan
film dan efek anil. Kristalitas dan permukaan film mulai rusak setelah ketebalan film 380 nm.
Band gap menurun dari 390 menjadi 3,54. Indeks film meningkat dari 2,11 ke 2,35 seiring
meningkatnya ketebalan film. Efek ketebalan film dan besarnya frekuensi dielektriknya konstan
(Ɛo, Ɛ͚). Nilai konduktivitas ditingkatkan secara signifikan dengan meningkatnya ketebalan film
dan suhu anel. Oleh karena itu, SnO2 dan biayanya yang relatif rendah, membuatnya baik
digunakan dalam berbagai aplikasi konduksi pada kaca. Sehingga ketebalan film dan suhu aneling
memiliki peran penting dalam menentukan karakteristik parameter film dan SILAR adalah metode
untuk menyimpan film. Band gap optik thin films dihitung menggunakan