Primer Laboratorio Circuitos 2

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co
Polarización de transistores BJT
JEIMY ESTEFANY VERA URBINA

COD. 1093784294
FABIAN RODRIGUEZ PAEZ
COD. 1093796355
ANTONY GARCIA GUALDRON
DOC.1090514330
FREIDER QUINTRO CARDENAS
COD.1091663363
SANTIAGO GARCIA GONZALES
COD..1090506684
PROFESOR:
JESUS SALAMANCA
ELECTRONICA 1
UNVERSIDAD DE PAMPLONA
2019
Formando líderes para la construcción de un 1

nuevo país en paz
1. INTRODUCCIÓN
Según ("Transistor", 2018), el transistor es un componente electrónico

semiconductor que tiene la función de amplificar, controlar, conmutar o rectificar
impulsos eléctricos. Transistor es una contracción de las palabras en inglés transfer
que significa transferencia, y resistor que indica resistencia, por lo tanto, se refiere
a un dispositivo que transfiere o controla la resistencia eléctrica.
En el área de la electricidad, el transistor posee tres electrodos o terminales, llamado
también tríodo, como se muestra en la ilustración 1.
Ilustración 1
Cada una cumple con una de las siguientes funciones, como se muestra en la
ilustración 2:
Emisor: emite electrones.

Base: modula o regula el paso de los electrones.
Colector: recibe o recolecta los electrones emitidos.

nuevo país en paz
Ilustración 2
Los transistores permiten controlar y regular una corriente grande a través de una
señal eléctrica mucho más pequeña. Debido a esta propiedad, los transistores se
encuentran en casi todo los aparatos electrónicos domésticos como, por ejemplo,
computadores, celulares, reproductores de video y audio, refrigeradores,
automóviles, televisores, entre otros.
Los transistores tienen dos funciones básicas:
Amplificador: cambia la resistencia entre el emisor y el receptor cuando pasa la

corriente eléctrica. De esta forma, la señal eléctrica enviada por el base-emisor es
amplificada al salir del emisor-receptor.
Interruptor: interrumpe la corriente que pasa por el conductor, por lo tanto, sirve de
conmutador encendido-apagado. Esta función es la más usada en el ámbito de la
electrónica como, por ejemplo, en las memorias portátiles.
En (Malvino, s.f.), clasifican los transistores como:
Transistor bipolar: Aquel en que son necesarios tanto los electrones libres como los
huecos para el funcionamiento normal.
Transistor Darlington: Dos transistores conectados para obtener un valor β muy

grande. El emisor del primer transistor excita la base del segundo transistor.

nuevo país en paz
Transistor de efecto campo: Transistor que requiere la acción de un campo eléctrico

para controlar su conductividad.
Transistor de pequeña señal: Transistor que puede disipar 0,5 W o menos.
Transistor de potencia: Transistor que puede disipar más de 0,5 W. Los transistores
de potencia son físicamente mayores que los transistores de pequeña señal.
Transistor externo de potencia: Transistor conectado en paralelo con un circuito

regulador para aumentar la cantidad de corriente de carga que puede regular el
circuito en conjunto.
El transistor externo: de potencia se activa a un nivel de corriente predeterminado y

suministra la corriente adicional requerida por la carga.
Transistor ideal: Primera aproximación de un transistor. En este modelo se supone

que un transistor consta solamente de dos partes: un diodo de emisor y un diodo de
colector. Al diodo de emisor se le trata como un diodo ideal. Mientras que al diodo
de colector se le considera como una fuente de corriente controlada. La corriente
en el diodo de emisor controla la fuente de corriente del colector.
Transistor pnp: Dispositivo de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas.

Transistor que contiene una región n entre dos regiones p.
Transistor uniunión. Abreviado UJT (en inglés). Este transistor de baja potencia es
útil en cronometría electrónica, conformación de ondas y otras aplicaciones.
En la ilustración 3 se pueden observar algunos de los transistores mencionados.

nuevo país en paz
Ilustración 3
En este laboratorio aremos uso del transistor BJT, (unión bipolar). Según (Boylestad,
Nashelsky, s.f.) en este capítulo se analizan varias redes. Cada diseño también
determinará la estabilidad del sistema, es decir, cuán sensible es a las variaciones
de la temperatura. Aunque aquí analizaremos varias redes, hay una similitud
subyacente en el análisis de cada configuración, debido al uso recurrente de las
siguientes relaciones básicas importantes de un transistor como se muestra en la
ilustración 4:

nuevo país en paz
Ilustración 4
Una vez conocida la IB, se pueden aplicar las relaciones de las ecuaciones (4.1) a
(4.3) para determinar las cantidades de interés restantes. Las ecuaciones para IB
son similares para varias configuraciones, de modo que se puede derivar una
ecuación de otra con sólo suprimir o agregar un término o dos. La función primordial
de este capítulo es desarrollar el nivel de conocimiento del transistor BJT que
permita un análisis de cd de cualquier sistema que pudiera emplear el amplificador
de BJT.
Punto de operación (Q): Como el punto de operación es un punto fijo en las

características, también se llama punto quiescente (abreviado punto Q). Por
definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo.
Las capacidades máximas se indican en las características de la ilustración 5, por

medio de una línea horizontal para la corriente máxima del colector 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 y una línea
vertical para el voltaje máximo de colector a emisor 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 .
Ilustración 5
Polarizaciones.

nuevo país en paz
Emisor común: Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y
cálculos aplican igualmente bien para una configuración del transistor pnp tan sólo
con cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje. Se
puede dividir en dos fuentes (sólo para propósitos de análisis) como se muestra en
la ilustración 6.
Ilustración 6
En la ilustración 7, se muestran las formulas a aplicar.
Ilustración 7
Con resistencia en el emisor: Contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad

del nivel en relación con la de la configuración de polarización fija, como se muestra
en la ilustración 8.

nuevo país en paz
Ilustración 8
Ilustración 9
Divisor de tensión: Un circuito de polarización que dependa menos de, o que en

realidad sea independiente, de la beta del transistor, ya el valor de beta no está bien
definido y es sensible a la temperatura. En la ilustración 10 se muestra el circuito
polarización por divisor de tensión.

nuevo país en paz
Ilustración 10
Ilustración 11

nuevo país en paz
Resistencia de retroalimentación: También se puede obtener un mejor nivel de

estabilidad introduciendo una trayectoria de realimentación desde el colector a la
base, como se muestra la ilustración 12.
Ilustración 12
En la ilustración 13 se pueden observar las formulas a aplicar.
Ilustración 13
2. MATERIALES Y METODO
 Protoboard
 Cables de conexión
 Resistencias
 Potenciómetro de 10kΩ y 100kΩ
 Multímetro.
 2 transistores 2N2222

nuevo país en paz
 fuente de alimentación.
5. Reactivos
N/A
6. Procedimiento
Figura 2
1. Implemente el circuito de la Figura 2. Ajuste la tensión V BB (entre 0V y 10V);

use el multímetro para llenar la siguiente tabla.

nuevo país en paz
B Zona de
VBB VRC VRB VBE VCE Observaciones
Operación
1V 4.8V 0.43V 0.64V 0.15V SATURACION
2V 4.95V 1.4V 0.65V 0.09V 35 SATURACION
3V 4.97V 2.34V 0.65V 0.06 V 21.3 SATURACION
4V 4.9V 3.39V 0.65V 0.05V 14.8 SATURACION
5V 5V 4.37V 0.66V 0.04 11.4 SATURACION
6V 5V 5.37 V 0.67V 0.01V 9.30 SATURACION
7V 5.01V 6.3V 0.67V 0,04V 7.8 SATURACION
8V 5.01V 7.35V 0.67V 0.03V 6.8 SATURACION
9V 5.01V 8.35V 0.67V 0.23mV 6.0 SATURACION
4.57 IC ES MAYOR AL IC
10V 5v 9.4 V 0.67V 0.02V SATURACION TEORICO EN
SATURACION
2. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que
está trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la tabla,
indicando las razones de cada una de ellas
3. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el
valor de la relación Ic / Ib. ¿A qué parámetro del transistor corresponde dicho valor?

nuevo país en paz
POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSIÓN
4. Implemente el circuito de la figura 3. R3 y R4 son variables
5. Mida las tensiones VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si el transistor no se
encuentra en el punto medio de la recta de carga varié la resistencia R1 Y R2 de
modo que se llegue a este punto.
6. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de

base.
7. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente las

tensiones en el circuito y determine el β. Si existen diferencias explique la razón.
Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la

temperatura de forma progresiva y realice las mediciones de tensión a diferentes
temperaturas. ¿Qué sucede con el punto Q? ¿Cómo cambian los parámetros
internos del transistor al aumentar la temperatura?
Figura 3

nuevo país en paz
IMÁGENES DE CIRCUITOS SOLUCIONADOS

nuevo país en paz
3. CONCLUSION
o Es muy visible el comportamiento de un transistor como regulador de

voltaje y corriente en cada una de sus polarizaciones, quien va a variar
siempre el voltaje entre colector-emisor es Rb, ya que disminuyendo el
valor de Rb se aumenta notablemente el valor de voltaje entre colector-
emisor. Siempre que se pueda hacer uso de Rth y Vth se puede llegar a
calcular los valores en emisor, base y colector. Y por último se puede de
decir que los transistores son afectados notablemente por los cambios de
temperatura a medida que un transistor recibe un aumento de voltaje
gradualmente aumenta su temperatura generando una variación ya sea en
base-emisor, base-colector. En la vida real los transistores no podrán tener
valores de saturación ideal como se muestra en la parte teorica.
o Se observó que el transistor en el circuito de polarización emisor común se

encuentra trabajando en la zona activa tanto en el proceso teórico como en
el proceso practico.
o Se comprobó que en el circuito de polarización con resistencia de emisor el
transistor se encuentra trabajando en zona activa tanto en el proceso
teórico como en el práctico, cuando se varía la resistencia de emisor a un
25% se concluye que el transistor trabaja en zona de saturación, luego
cuando se cambia a un 50% el transistor vuelve a la zona activa.
o Se analizó que el transistor en el circuito de polarización con divisor de
tensión está ubicado en la zona de saturación tanto en el proceso teórico
como en el proceso practico.
o Se pudo notar que el transistor en el circuito con resistencia de
retroalimentación se encuentra trabajando en la zona activa tanto en el
proceso teórico como en el proceso práctico.
o En la realización del laboratorio no se pudo hallar el porcentaje de error
entre los valores prácticos y teóricos debido a que el beta ( β ) trabajado en
cada proceso era diferente en gran cantidad.
o Los valores de la práctica realizada en el laboratorio no son confiables ya
que el material de medición se encontraba en malas condiciones.

nuevo país en paz

Primer Laboratorio Circuitos 2

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Primer Laboratorio Circuitos 2

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Universidad de Pamplona

Pamplona - Norte de Santander - Colombia

Polarización de transistores BJT

JEIMY ESTEFANY VERA URBINA

Formando líderes para la construcción de un 1

Según ("Transistor", 2018), el transistor es un componente electrónico

Emisor: emite electrones.

Formando líderes para la construcción de un 2

Los transistores tienen dos funciones básicas:

Amplificador: cambia la resistencia entre el emisor y el receptor cuando pasa la

En (Malvino, s.f.), clasifican los transistores como:

Transistor Darlington: Dos transistores conectados para obtener un valor β muy

Formando líderes para la construcción de un 3

Transistor de efecto campo: Transistor que requiere la acción de un campo eléctrico

Transistor de pequeña señal: Transistor que puede disipar 0,5 W o menos.

Transistor externo de potencia: Transistor conectado en paralelo con un circuito

El transistor externo: de potencia se activa a un nivel de corriente predeterminado y

Transistor ideal: Primera aproximación de un transistor. En este modelo se supone

Transistor pnp: Dispositivo de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas.

En la ilustración 3 se pueden observar algunos de los transistores mencionados.

Formando líderes para la construcción de un 4

Formando líderes para la construcción de un 5

Punto de operación (Q): Como el punto de operación es un punto fijo en las

Las capacidades máximas se indican en las características de la ilustración 5, por

Formando líderes para la construcción de un 6

En la ilustración 7, se muestran las formulas a aplicar.

Con resistencia en el emisor: Contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad

Formando líderes para la construcción de un 7

En la ilustración 9, se muestran las formulas a aplicar.

Divisor de tensión: Un circuito de polarización que dependa menos de, o que en

Formando líderes para la construcción de un 8

En la ilustración 11, se muestran las formulas a aplicar.

Formando líderes para la construcción de un 9

Resistencia de retroalimentación: También se puede obtener un mejor nivel de

En la ilustración 13 se pueden observar las formulas a aplicar.

Formando líderes para la construcción de un 10

1. Implemente el circuito de la Figura 2. Ajuste la tensión V BB (entre 0V y 10V);

Formando líderes para la construcción de un 11

1V 4.8V 0.43V 0.64V 0.15V SATURACION

2V 4.95V 1.4V 0.65V 0.09V 35 SATURACION

3V 4.97V 2.34V 0.65V 0.06 V 21.3 SATURACION

4V 4.9V 3.39V 0.65V 0.05V 14.8 SATURACION

5V 5V 4.37V 0.66V 0.04 11.4 SATURACION

6V 5V 5.37 V 0.67V 0.01V 9.30 SATURACION

7V 5.01V 6.3V 0.67V 0,04V 7.8 SATURACION

8V 5.01V 7.35V 0.67V 0.03V 6.8 SATURACION

9V 5.01V 8.35V 0.67V 0.23mV 6.0 SATURACION

Formando líderes para la construcción de un 12

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSIÓN

4. Implemente el circuito de la figura 3. R3 y R4 son variables

6. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de

7. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente las

Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la

Formando líderes para la construcción de un 13

IMÁGENES DE CIRCUITOS SOLUCIONADOS

Formando líderes para la construcción de un 14

o Es muy visible el comportamiento de un transistor como regulador de

o Se observó que el transistor en el circuito de polarización emisor común se

Formando líderes para la construcción de un 15

Anda mungkin juga menyukai