JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2019
BAB I
Pendahuluan
A. Latar Belakang Masalah
Teknologi semikonduktor telah mengangalami kemajuan besar, baik
dalam hal penemuan bahan, teknik pembuatan, maupun penerapan serta
pengembangannya. Penemuan bahan semikonduktor dimulai dari bahan yang
sederhana yaitu silikon (Si) dan germanium (Ge). Bahan semikonduktor yang
ditemukan saat ini yaitu bahan semikonduktor paduan seperti GaAs dan GaN.
Bahan GaN digunakan sebagai komponen semikonduktir baru yang dapat
digunakan sebagai piranti elektronik. Piranti elektronik yang dibutuhkan saat
ini merupakan piranti yang berukuran nano. Hal ini bertujuan untuk
penghematan bahan dan minimilisasi ukuran. Penerapan bahan semikonduktor
ke dalam bidang mikroelektronik memerlukan suatu teknologi penumbuhan
bahan dengan ukuran yang kecil. Teknologi penumbuhan bahan tersebut dapat
dilakukan dengan menggunakan teknologi penumbuhan lapisan tipis.
Lapisan tipis adalah suatu lapisan tipis yang sangat tipis dari bahan
organic, anorganik, metal maupun campuran metal yang memiliki sifat-sifat
konduktor, semikonduktor, maupun isolator. Teknologi penumbuhan lapisan
tipis banyak digunakan dalam pembuatan piranti elektronik seperti kapasitor,
transistor, diode, sel surya silikon amorf, dan teknologi mikroelektronik. Sifat
yang mungkin tidak terdapat pada material pdatannya (bulk material) dapat
dihasilkan dengan melakukan variasi dalam proses deposisi maupun
modifikasi sifat-sifat lapisan tipis selama deposisi. Teknik pembuatan lapisan
tipis salah satunya adalah dengan menggunakan teknik deposisi lapisan tipis.
B. Rumusan Masalah
Dari penjelasan pada latar belakang, penulis merumuskan masalah sebagai
berikut :
1. Apa pengertian Oksidasi, Deposisi dan Oksidasi?
D. Manfaat Penulisan
deposisi lapisan tipis, yaitu PVD (physical vapour deposition) dan CVD
menguap dari target menuju substrat yang ingin dilapisi dan secara
karbida dan material sejenisnya. Atom dari logam akan bereaksi dengan
proses deposisi.
1. Sputtering (DC atau RF)
material yang dihasilkan dari benturan antar partikel dengan energi yang
besar. Atom-atom dari permukaan target dapat terlepas akibat ion yang
katoda dan anoda anoda dalam vakum chamber berada pada posisi
sebagai berikut:
tipis.
a. Metode sputtering DC
Metode sputtering DC adalah metode yang paling sederhana untuk
menumbuhkan lapisan film tipis. Pada proses ini tegangan listrik dibutuhkan
Komponen ketiga adalah sistem gas yang digunakan, dan yang terakhir adalah
Pada sistem tabung vakum yang digunakan dalam proses sputtering DC ini
terdapat dua buah elektroda (diode) yang dipasang saling berhadapan satu sama
lain. Elektroda yang dipakai disini biasanya berupa planar diode atau pelat
elektroda. Kedua buah elektroda tersebut dipasang di bagian atas dan bagian
bawah dan dihubungkan pada catu daya tegangan DC. Elektroda bawah
anoda yang disebut substrat. Selain elektroda tersebut, pada bagian bawah
baik. Sistem tabung ini kemudian dirangkai dengan sistem pompa vakum dan
sistem gas.
pada katoda dan substrat yang biasanya merupakan wafer semikonduktor pada
vakum. Udara dalam tabung vakum dipompa keluar hingga tekanan bisa
mencapai orde 10-1 mBar. Setelah tekanan yang ditargetkan tercapai kemudian
gas argon dialirkan ke dalam tabung vakum selama beberapa detik. Tabung
vakum kembali di vakumkan dengan memompa keluar udara dan gas argon
yang ada. Hal ini dilakukan agar gas dalam tabung vakum menjadi lebih bersih
dan dan hanya terdapat gas argon saja di dalamnya. Proses ini dilakukan
Setelah tabung vakum terisi argon, kemudian katoda dan anoda alat
sputtering DC diberi tegangan listrik searah atau DC. Tegangan listrik DC yang
diberikan ini berfungsi untuk membentuk medan listrik diantara anoda dan
katoda. Saat anoda dan katoda diberi tegangan listrik DC, anoda akan
bermuatan listrik positif dan katoda akan bermuatan listrik negatif. Medan
listrik kemudian terjadi antara keduanya yang arahnya dari katoda dan anoda.
Saat tegangan listrik diperbesar, maka medan listrik yang timbul juga
semakin besar hingga pada suatu saat elektron dari katoda terlepas. Elektron
yang terlepas ini akan mengalami percepatan gerak dikarenakan adanya medan
listrik kearah anoda. Saat bergerak menuju anoda, elektron menumbuk atom
gas argon sehingga menimbulkan proses ionisasi pada atom gas argon. Saat
tumbukan itu terjadi, energi elektron diserap oleh atom gas argon. Energi
tersebut digunakan untuk melepaskan elektron terluar atom gas argon sehingga
menghasilkan ion argon yang bermuatan positif dan elektron yang bermuatan
negatif. Kecepatan elektron sedemikian besar dan interaksi yang terjadi begitu
menerus secara seimbang. Keadaan lucutan yang seimbang ini disebut Glow
atom gas argon lainnya secara berantai sampai dihasilkan ion positif argon dan
rapat ion hampir sama dengan rapat elektron, sehingga dapat dikatakan ni ne n,
plasma. Fenomena kolektif adalah suatu kondisi yang kompleks dengan proses-
proses atomis seperti ionisasi, eksitasi serta kombinasi yang terjadinya dalam
Ion positif argon akan dipercepat oleh medan listrik dari anoda menuju
katoda. Ion positif argon tersebut bergerak menuju katoda dan membombardir
material target yang dipasang. Ikatan atom-atom pada target akan terputus dan
terlepas dari target, terbentuk pula elektron sekunder dari hasil tumbukan
tersebut. Elektron sekunder ini menyebabkan ionisasi lanjutan pada gas argon.
Atom-atom target yang terlepas akan membentuk lapisan tipis pada substrat
yang dipasang pada anoda. Proses inilah yang disebut dengan proses
sputtering.
namun metode ini memiliki kelemahan dibanding metode lainnya yaitu adanya
proses re-sputtering pada permukaan lapisan tipis yang terbentuk. Saat ion-ion
dipercepat oleh medan listrik bergerak menuju katoda dan menumbuk lapisan tipis
b. Magneton sputtering dc
Magnetron sputtering merupakan proses sputtering pada diode (dua buah
elektroda) sama seperti sputtering DC, namun diberi medan magnet untuk
Magnetron Sputtering[1].
Gambar 5. Skema umum alat DC magnetron sputtering
Secara umum, yang membedakan magnetron sputtering dan sputtering DC
terbentuk akan menjaga elektron yang ada agar terus berada di dekat target
dan langsung mengionisasi atom gas argon lalu menuju target. Dengan ini,
Tumbukkan material dari target dengan ion lain saat menuju substrat juga
pada gambar 5.
Gambar 6. Skema magnetron sputtering
permukaan target dan medan listrik E tegak lurus terhadap permukaan target.
Elektron-elektron dalam plasma dipercepat oleh medan listrik pada arah tegak
lurus terhadap permukaan target. Jika medan magnet cukup kuat untuk
terperangkap dan bergerak di daerah dekat target oleh interaksi medan magnet
Sistem magnet harus dialiri air pendingin untuk menjaga kekuatan magnet
agar tidak hilang karena pengaruh panas selama proses deposisi lapisan tipis.
2. Evaporasi
Evaporasi dibagi menjadi dua tipe:
a. Thermal Evaporation
Meletakkan material target yang ingin diendapkan pada sebuah
container.
Panaskan container tersebut hingga suhu yang tinggi.
Material pelapis menguap
Uap dari material target tersebut bergerak dan menempel pada
permukaan substrat.
Uap pelapis akan menurun suhunya sehingga akan mengeras dan
dialiri arus listrik. Arus listrik yang dibutuhkan besar. Ketika dialiri oleh
wafers.
kerja. Partikel elektron uap alumunium tersebut akan mengisi sedikit demi
terselimuti oleh endapan dari elektron alumunium. Prinsip kerja ini sama
halnya seperti eletrolisis, namun yang jadi perbedaan adalah ukuran dari
elektron yang dipusatkan pada permukaan dari material. Uap dari material
Tak jauh berbeda dengan proses penguapan thermal yang membedakan adalah
cara menghasilkan uap logam yang dicontohkan oleh alumunium. Uap alumunium
dan dapat mantel sejumlah besar air pada satu waktu. Pengaturan CVD
B.Metalisasi
Ada tiga metode yang digunakan untuk melakukan metalisasi plastik yaitu
vacuum metallization, arc and flame spraying dan electroless plating dan
electroplating. Dalam artikel ini, kita akan belajar dua metode pertama terlebih
dulu.
-Vacuum Metallization
Sebelum proses bisa dimulai, komponen plastik dicuci dan dilapisi dengan sebuah
lapisan dasar jadi lapisan logam halus dan seragam. Kemudian, sebuah logam
(umumnya alumunium) diuapkan di dalam sebuah ruang vakum. Uapan logam itu
lalu mengental ke dalam permukaan substrate, membentuk sebuah lapisan tipis
logam. Semua proses terjadi di dalam ruang vakum untuk mencegah oksidasi.
Proses deposisi ini biasanya disebut deposisi uap fisik. Tergantung dari
penggunaan komponen, lapisan atsas mungkin dilakukan setelah deposisi untuk
meningkatkan sifat tertentu misalnya resistansi terhadap goresan. Komponen
plastik yang termetalisasi yang dilapisi dengan cara ini ditemukan dalam beragam
industri mulai dari otomotif hingga kertas timah.
Dalam penyemprotan api dasar (flame spraying), sebuah alat yang digenggam
tangan digunakan untuk menyemprotkan lapisan logam pada substrate. Kekuatan
utama di balik deposisi untuk flame spraying adalah api pembakaran yang
ditenagai oleh oksigen dan gas. Serbuk logam dipanaskan dan dilelehkan, saat api
pembakaran mempercepat campuran itu dan mengeluarkannya sebagai semprotan.
Proses ini memiliki tingkat deposisi yang cepat dan menciptakan lapisan yang
sangat tebal. Tapi lapisan ini cenderung berpori dan kasar.
Arc spraying mirip dengan flame spraying. Tapi sumber energinya dari busur
listrik. Dua kabel, dibuat dari materi berlapis logam dan membawa aliran listrik
DC, disentuhkan dua ujungnya—energi yang dikeluarkan saat dua kabel itu
bersentuhan memanaskan dan melelehkan kabel, sedangkan pancaran gas
melelehkan logam pada permukaan substrate, menciptakan lapisan logam. Seperti
flame spraying, hasil lapisan biasanya berpori.
BAB III
PENUTUP
A. Kesimpulan
1. Oksidasi adalah proses dimana logam atau semikonduktor dikonversi menjadi
oksida.
2. Deposisi adalah sebuah proses di mana gas berubah menjadi padat (juga
dikenal sebagai desublimasi).
3. Teknik pembuatan lapisan tipis salah satunya adalah dengan menggunakan
teknik deposisi lapisan tipis. Metode yang digunakan dalam deposisi lapisan
tipis, yaitu PVD (physical vapour deposition) dan CVD (chemical vapour
deposition). Proses PVD diklasifikasikan menjadi tiga, thermal evaporation,
PLD (pulsed laser deposition), dan sputtering.
4. metode yang digunakan untuk melakukan metalisasi plastik yaitu vacuum
metallization, arc and flame spraying dan electroless plating dan electroplating
B. Saran
Semoga makalah ini dapat menambah wawasan kita mengenai teknik
dan teknologi semikonduktor terutama dalam penumbuhan film tipis
metode osidasi, deposisi dan metalisasi