Anda di halaman 1dari 20

Makalah struktur dan teknologi semikonduktor

OLEH Kelompok 4 : 1. ENDA YULIANA (15034059)

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2019
BAB I
Pendahuluan
A. Latar Belakang Masalah
Teknologi semikonduktor telah mengangalami kemajuan besar, baik
dalam hal penemuan bahan, teknik pembuatan, maupun penerapan serta
pengembangannya. Penemuan bahan semikonduktor dimulai dari bahan yang
sederhana yaitu silikon (Si) dan germanium (Ge). Bahan semikonduktor yang
ditemukan saat ini yaitu bahan semikonduktor paduan seperti GaAs dan GaN.
Bahan GaN digunakan sebagai komponen semikonduktir baru yang dapat
digunakan sebagai piranti elektronik. Piranti elektronik yang dibutuhkan saat
ini merupakan piranti yang berukuran nano. Hal ini bertujuan untuk
penghematan bahan dan minimilisasi ukuran. Penerapan bahan semikonduktor
ke dalam bidang mikroelektronik memerlukan suatu teknologi penumbuhan
bahan dengan ukuran yang kecil. Teknologi penumbuhan bahan tersebut dapat
dilakukan dengan menggunakan teknologi penumbuhan lapisan tipis.
Lapisan tipis adalah suatu lapisan tipis yang sangat tipis dari bahan
organic, anorganik, metal maupun campuran metal yang memiliki sifat-sifat
konduktor, semikonduktor, maupun isolator. Teknologi penumbuhan lapisan
tipis banyak digunakan dalam pembuatan piranti elektronik seperti kapasitor,
transistor, diode, sel surya silikon amorf, dan teknologi mikroelektronik. Sifat
yang mungkin tidak terdapat pada material pdatannya (bulk material) dapat
dihasilkan dengan melakukan variasi dalam proses deposisi maupun
modifikasi sifat-sifat lapisan tipis selama deposisi. Teknik pembuatan lapisan
tipis salah satunya adalah dengan menggunakan teknik deposisi lapisan tipis.

B. Rumusan Masalah
Dari penjelasan pada latar belakang, penulis merumuskan masalah sebagai
berikut :
1. Apa pengertian Oksidasi, Deposisi dan Oksidasi?

2. Bagaimana proses Oksidasi, Deposisi dan Oksidasi ?

3. Apa jenis-jenis metode yang dapat digunakan pada Oksidasi, Deposisi


dan Oksidasi dan bagaimana cara kerjanya?
C. Tujuan Penulisan

1. A pengertian Oksidasi, Deposisi dan metalisasi?

2. Bagaimana proses Oksidasi, Deposisi dan metalisasi ?

3. Apa jenis-jenis metode yang dapat digunakan pada Oksidasi, Deposisi


dan metalisasi dan bagaimana cara kerjanya?

D. Manfaat Penulisan

Menambah wawasan dan ilmu pengetahuan


BAB II
KAJIAN TEORI
A. Deposisi dan Oksidasi
Oksidasi adalah proses dimana logam atau semikonduktor dikonversi

menjadi oksida.Deposisi adalah sebuah proses di mana gas berubah menjadi

padat (juga dikenal sebagai desublimasi).

Teknik pembuatan lapisan tipis salah satunya adalah dengan

menggunakan teknik deposisi lapisan tipis. Metode yang digunakan dalam

deposisi lapisan tipis, yaitu PVD (physical vapour deposition) dan CVD

(chemical vapour deposition). Proses PVD diklasifikasikan menjadi tiga,

thermal evaporation, PLD (pulsed laser deposition), dan sputtering.

A. Deposisi Uap secara Fisika

Physical Vapor Deposition adalah teknik dasar pelapisan dengan cara


penguapan, yang melibatkan transfer material pada skala atomik. Deposisi
uap secara fisika merupakan pengerjaan di dalam ruang hampa udara dengan
menggunakan teknik penguapan atau hamburan. Ruang hampa udara
diperoleh dengan pemompaan ruang dari keadaan bertekanan atmosfir
menjadi bertekanan sekitar 15 Pa, diikuti dengan pemompaan ruang hampa
yang tinggi untuk mereduksi tekanan tersebut menjadi 5.10-5 Pa (5.10-7 Torr)
atau lebih rendah. Sistem kebersihan digunakan untuk mereduksi periode
penurunan pemompaan. Setelah pembersihan secara kimia dilakukan, semua
komponen-komponen ruangan dikeringkan secara hati-hati. Untuk
menghilangkan sumber utama gas atmosfir, semua bagian luar film yang
menonjol harus dihilangkan. Selanjutnya, pengotor seperti sodium harus
dihilangkan sebelum penumbuhan komponen MOS. Mirip dengan tindakan
pembersihan yang diamati pada penumbuhan secara hamburan. Selama
penumbuhan film berlangsung, dibutuhkan tekanan gas Argon kira-kira 1 Pa.
Semua jalur yang menghubungkan gas dari sumber ke kamar hamburan harus
dibersihkan dan ruang hampa harus mempunyai kekuatan yang tinggi untuk
menjaga kemurnian gas yang dimasukkan.
Cara kerja Physical Vapor Deposition (PVD) meliputi tahapan
evaporasi, transportasi, reaksi dan deposisi.
1. Evaporasi
Pada tahap ini, sebuah target yang mengandung material yang ingin

diendapkan, dibombardir menjadi bagian-bagian kecil akibat sumber

energi yang tinggi seperti penembakan sinar elektron.Atom-atom yang

keluar tersebut akhirnya menguap.


2. Transportasi
Proses ini secara sederhana merupakan pergerakan atom-atom yang

menguap dari target menuju substrat yang ingin dilapisi dan secara

umum bergerak lurus.


3. Reaksi
Pada beberapa kasus pelapisan mengandung logam oksida, nitrida,

karbida dan material sejenisnya. Atom dari logam akan bereaksi dengan

gas tertentu selama proses perpindahan atom. Untuk permasalahan ini,

gas reaktif yang mungkin adalah oksigen, nitrogen dan metana.

Merupakan proses terjadinya pelapisan pada permukaan substrat.


4. Deposisi
Beberapa reaksi terjadi antara logam target dan gas reaktif mungkin

juga terjadi pada permukaan substrat yang terjadi serempak dengan

proses deposisi.
1. Sputtering (DC atau RF)

Sputerring adalah proses pengeluaran atom dari permukaan suatu

material yang dihasilkan dari benturan antar partikel dengan energi yang

besar. Atom-atom dari permukaan target dapat terlepas akibat ion yang

dipercepat menumbuk permukaan target melalui proses transfer


momentum. Pada system sputtering model planar dua elektroda yaitu

katoda dan anoda anoda dalam vakum chamber berada pada posisi

berhadapan dan Katoda dihubungkan dengan tegangan negatif sedangkan

anoda tegangan positif. Antara katoda dan anoda terbentuk medan

elektromagnet yang berperan menginduksi gas-gas membentuk plasma.

Gambar 1.Skema Proses Sputtering

Sputtering sebagai teknik pengendapan yang memiliki langkah-langkah

sebagai berikut:

1. Penghasilan dan pengendapan ion-ion kepada material


2. Percikan ion-ion atom dari target material
3. atom yang dipercikan berpindah ke substrate yang bertekana rendah
4. atom yang dipercikan mengendap ke substrat, berubah jadi lapisan

tipis.

Metoda sputtering terdiri dari dua jenis yaitu :

a. Metode sputtering DC
Metode sputtering DC adalah metode yang paling sederhana untuk

menumbuhkan lapisan film tipis. Pada proses ini tegangan listrik dibutuhkan

untuk membuat partikel benergi tinggi, yang digunakan adalah tegangan DC

atau searah. Karena menggunakan tegangan DC maka proses sputtering DC ini

hanya dapat digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis material yang

bersifat konduktor atau semikonduktor.

Sistem alat sputtering DC ini pada umumnya memiliki empat buah

komponen utama. Komponen pertama adalah ruang vakum dimana proses

sputtering ini terjadi. Komponen kedua adalah sistem pompa vakum.

Komponen ketiga adalah sistem gas yang digunakan, dan yang terakhir adalah

sistem tegangan DC.

Gambar 2. Skema sistem DC Sputtering

Pada sistem tabung vakum yang digunakan dalam proses sputtering DC ini

terdapat dua buah elektroda (diode) yang dipasang saling berhadapan satu sama

lain. Elektroda yang dipakai disini biasanya berupa planar diode atau pelat

elektroda. Kedua buah elektroda tersebut dipasang di bagian atas dan bagian
bawah dan dihubungkan pada catu daya tegangan DC. Elektroda bawah

dihubungkan pada kutub negatif tegangan DC (katoda), sedangkan elektroda

bagian atas dihubungkan dengan kutub positif tegangan DC (anoda). Material

yang akan dideposisikan ditempatkan pada katoda disebut target, sedangkan

material yang menjadi tempat ditumbuhkannya lapisan tipis ditempatkan pada

anoda yang disebut substrat. Selain elektroda tersebut, pada bagian bawah

katoda terdapat heater yang berfungsi untuk memanaskan permukaan substrat

agar atom-atom material target hasil sputtering DC dapat menempel dengan

baik. Sistem tabung ini kemudian dirangkai dengan sistem pompa vakum dan

sistem gas.

Pada sputtering DC yang proses penumbuhan lapisan film tipis suatu

material dimulai dengan memasang material target yang akan dideposisikan

pada katoda dan substrat yang biasanya merupakan wafer semikonduktor pada

anoda. Kemudian proses dilanjutkan dengan proses pemvakuman tabung

vakum. Udara dalam tabung vakum dipompa keluar hingga tekanan bisa

mencapai orde 10-1 mBar. Setelah tekanan yang ditargetkan tercapai kemudian

gas argon dialirkan ke dalam tabung vakum selama beberapa detik. Tabung

vakum kembali di vakumkan dengan memompa keluar udara dan gas argon

yang ada. Hal ini dilakukan agar gas dalam tabung vakum menjadi lebih bersih

dan dan hanya terdapat gas argon saja di dalamnya. Proses ini dilakukan

seharusnya sebanyak 3 kali untuk memastikan kebersihan dan kemurnian argon

di dalam tabung vakum.

Setelah tabung vakum terisi argon, kemudian katoda dan anoda alat

sputtering DC diberi tegangan listrik searah atau DC. Tegangan listrik DC yang
diberikan ini berfungsi untuk membentuk medan listrik diantara anoda dan

katoda. Saat anoda dan katoda diberi tegangan listrik DC, anoda akan

bermuatan listrik positif dan katoda akan bermuatan listrik negatif. Medan

listrik kemudian terjadi antara keduanya yang arahnya dari katoda dan anoda.

Saat tegangan listrik diperbesar, maka medan listrik yang timbul juga

semakin besar hingga pada suatu saat elektron dari katoda terlepas. Elektron

yang terlepas ini akan mengalami percepatan gerak dikarenakan adanya medan

listrik kearah anoda. Saat bergerak menuju anoda, elektron menumbuk atom

gas argon sehingga menimbulkan proses ionisasi pada atom gas argon. Saat

tumbukan itu terjadi, energi elektron diserap oleh atom gas argon. Energi

tersebut digunakan untuk melepaskan elektron terluar atom gas argon sehingga

menghasilkan ion argon yang bermuatan positif dan elektron yang bermuatan

negatif. Kecepatan elektron sedemikian besar dan interaksi yang terjadi begitu

cepat. Akibatnya pasangan elektron bebas dan ion bebas mampu

membangkitkan pembawa muatan seketika secara bergantian dan terus

menerus secara seimbang. Keadaan lucutan yang seimbang ini disebut Glow

Discharge [5]. Elektron yang dihasilkan kemudian akan mengionisasi atom-

atom gas argon lainnya secara berantai sampai dihasilkan ion positif argon dan

elektron yang jumlahnya seimbang yang disebut plasma.


Gambar 3. Plasma pada proses sputtering

Plasma didefinisikan sebagai gas yang terionisasi dalam keadaan

kuasinetral dari partikel yang bermuatan dan partikel netral yangmenunjukkan

fenomena kolektif. Keadaan kuasinetral adalah keadaan gas terionisasi dimana

rapat ion hampir sama dengan rapat elektron, sehingga dapat dikatakan ni ne n,

dengan n menyatakan kerapatan secara umumyang disebut dengan rapat

plasma. Fenomena kolektif adalah suatu kondisi yang kompleks dengan proses-

proses atomis seperti ionisasi, eksitasi serta kombinasi yang terjadinya dalam

waktu yang hampir bersamaan [5].

Ion positif argon akan dipercepat oleh medan listrik dari anoda menuju

katoda. Ion positif argon tersebut bergerak menuju katoda dan membombardir

material target yang dipasang. Ikatan atom-atom pada target akan terputus dan

menyebabkan atom-atom tersebut terlepas dari target. Selain atom-atom yang

terlepas dari target, terbentuk pula elektron sekunder dari hasil tumbukan

tersebut. Elektron sekunder ini menyebabkan ionisasi lanjutan pada gas argon.

Atom-atom target yang terlepas akan membentuk lapisan tipis pada substrat
yang dipasang pada anoda. Proses inilah yang disebut dengan proses

sputtering.

Proses sputtering DC merupakan metode sputtering yang paling sederhana,

namun metode ini memiliki kelemahan dibanding metode lainnya yaitu adanya

proses re-sputtering pada permukaan lapisan tipis yang terbentuk. Saat ion-ion

positif argon yang digunakan untuk membombardir target terbentuk, partikel

bermuatan negatif juga terbentuk. Partikel bermuatan negatif ini kemudian

dipercepat oleh medan listrik bergerak menuju katoda dan menumbuk lapisan tipis

yang sudah terbentuk sehingga merusak lapisan tipis tersebut.

b. Magneton sputtering dc
Magnetron sputtering merupakan proses sputtering pada diode (dua buah

elektroda) sama seperti sputtering DC, namun diberi medan magnet untuk

membuat perangkap elektron. Terdapat beberapa jenis magnetron sputtering,

yaitu jenis Planar Magnetron, S-Gun magnetron Sputtering, dan Cylindrical

Magnetron Sputtering[1].
Gambar 5. Skema umum alat DC magnetron sputtering
Secara umum, yang membedakan magnetron sputtering dan sputtering DC

adalah pada magnetron sputtering terdapat magnet permanen pada alat

yang digunakan yang dapat membentuk medan magnet untuk menjadi

perangkap elektron yang terlepas dari katoda. Medan magnet yang

terbentuk akan menjaga elektron yang ada agar terus berada di dekat target

dan langsung mengionisasi atom gas argon lalu menuju target. Dengan ini,

laju deposisi akan lebih tinggi dibandingkan dengan sputtering DC biasa.

Tumbukkan material dari target dengan ion lain saat menuju substrat juga

akan terminimalisir dikarenakan tekanan yang lebih rendah.


Gambar dari medan magnet yang terbentuk pada proses ini dapat dilihat

pada gambar 5.
Gambar 6. Skema magnetron sputtering

Untuk menguji keadaan elektron, anggap medan magnet B sejajar dengan

permukaan target dan medan listrik E tegak lurus terhadap permukaan target.

Elektron-elektron dalam plasma dipercepat oleh medan listrik pada arah tegak

lurus terhadap permukaan target. Jika medan magnet cukup kuat untuk

membelokan elektron, maka elektron akan terhenti pada permukaan target.

Jumlah elektron yang menuju anoda berkurang karena elektron banyak

terperangkap dan bergerak di daerah dekat target oleh interaksi medan magnet

dengan medan listrik. Proses sputtering menghasilkan panas pada daerah

target akibat dari tumbukan antara ion-ion penumbuk dengan atom-atom

permukaan target dan pengaruh pemanasan substrat dengan pemanas (heater).

Sistem magnet harus dialiri air pendingin untuk menjaga kekuatan magnet

agar tidak hilang karena pengaruh panas selama proses deposisi lapisan tipis.

2. Evaporasi
Evaporasi dibagi menjadi dua tipe:
a. Thermal Evaporation
 Meletakkan material target yang ingin diendapkan pada sebuah

container.
 Panaskan container tersebut hingga suhu yang tinggi.
 Material pelapis menguap
 Uap dari material target tersebut bergerak dan menempel pada

permukaan substrat.
 Uap pelapis akan menurun suhunya sehingga akan mengeras dan

melekat dipermukaan substrat

Gambar 2.Skema Proses Evaporasi secara umum

Gambar 3.Skema proses penguapan thermal pada uap Alumunium

Pada proses penguapan thermal diatas sebagai contoh pada uap

alumunium pelapis komponen yang diatas diistilahkan wafers. Batang


alumunium ditempatkan diantara filamen tungsten yang keduanya akan

dialiri arus listrik. Arus listrik yang dibutuhkan besar. Ketika dialiri oleh

arus listrik, filamen tungsten tersebut mengalami pemanasan begitu pula

pada batang alumunium. Panas dari filamen dan alumunium tersebut

menimbulkan perpindahan konduktifitas panas dimana ion alumunium

akan melepaskan elektronnya sehingga membentuk lapisan uap

alumunium. Tekanan panas pada tungsten dan batang alumunium sangat

tinggi sehingga elekton uap akan naik sehingga memembentuk permukaan

wafers.

Kondisi wafers yang mendapatkan hantaran panas dari filamen dan

batang alumunium akan sedikit mengubah karakterisrik permukaan benda

kerja. Partikel elektron uap alumunium tersebut akan mengisi sedikit demi

sedikit permukaan lapisan wafers sehingga permukaan benda kerja akan

terselimuti oleh endapan dari elektron alumunium. Prinsip kerja ini sama

halnya seperti eletrolisis, namun yang jadi perbedaan adalah ukuran dari

ion yang melapisi dan melibatkan uap dari material logam.

b. Electron Beam Evaporation


Teknik ini menyebabkan penguapan dari material oleh tembakan sinar

elektron yang dipusatkan pada permukaan dari material. Uap dari material

tersebut akan terurai dan akan menuju permukaan dari substrat.


Dipanaskan pada tekanan uap yang tinggi oleh penembakan elektron

pada keadaan vakum.


Gambar 4.Skema Electron Beam Evaporation secara umum

Tak jauh berbeda dengan proses penguapan thermal yang membedakan adalah

cara menghasilkan uap logam yang dicontohkan oleh alumunium. Uap alumunium

dihasilkan dari tembakan lectron untuk mengeluarkan partikel lectron pada

alumunium sehingga dapat dijadikan uap. Partikel lectron alumunium akan

membentuk endapan yang akan menyelimuti benda kerja

B. Chemical Evapor Deposition


Deposisi uap kimia (CVD) adalah menarik untuk logam karena

menawarkan lapisan alam konformal dengan cakupan langkah yang baik

dan dapat mantel sejumlah besar air pada satu waktu. Pengaturan CVD

adalah sama dengan yang digunakan untuk deposisi dielektrik dan

polysillicon (misalnya, Fig.13a). Salah satu aplikasi baru utama deposisi

CVD logam untuk produksi sirkuit terpadu di bidang deposisi logam

refraktori. Sebagai contoh, tahanan listrik rendah tungsten's (5.3 μΩ-cm)

dan sifat refraktori yang membuatnya logam diinginkan untuk digunakan

dalam fabrikasi rangkaian terintegrasi. CVD merupakan proses yang

menghasilkan lapisan coating secara kimiawi atau dengan reaksi kimia

pada permukaaan material yang dipanaskan [2].


Seperti terlihat pada gambar di atas, pelapisnya berupa gas yang akan
bereaksi dengan permukaan material saat pemanasan berlangsung dan
menghasilkan lapisan yang keras serta menghasilkan produk gas yang akan
dibuang melalui reactor, dengan persamaan reaksi sebagai berikut:
MClx + H2 + 0.5N2 = MN + xHCl
MClx + CH4 = MC + xHCl
Contohnya:
TiCl4 + CH4 = TiC + 4HCl
TiCl4 + 1/2N2 + 2H2 = TiN + 4HCl
TiCl4 + NH3 + 1/2H2 = TiN + 4HCl

B.Metalisasi
Ada tiga metode yang digunakan untuk melakukan metalisasi plastik yaitu
vacuum metallization, arc and flame spraying dan electroless plating dan
electroplating. Dalam artikel ini, kita akan belajar dua metode pertama terlebih
dulu.

-Vacuum Metallization

Sebelum proses bisa dimulai, komponen plastik dicuci dan dilapisi dengan sebuah
lapisan dasar jadi lapisan logam halus dan seragam. Kemudian, sebuah logam
(umumnya alumunium) diuapkan di dalam sebuah ruang vakum. Uapan logam itu
lalu mengental ke dalam permukaan substrate, membentuk sebuah lapisan tipis
logam. Semua proses terjadi di dalam ruang vakum untuk mencegah oksidasi.
Proses deposisi ini biasanya disebut deposisi uap fisik. Tergantung dari
penggunaan komponen, lapisan atsas mungkin dilakukan setelah deposisi untuk
meningkatkan sifat tertentu misalnya resistansi terhadap goresan. Komponen
plastik yang termetalisasi yang dilapisi dengan cara ini ditemukan dalam beragam
industri mulai dari otomotif hingga kertas timah.

-Arc and Flame Spraying

Dalam penyemprotan api dasar (flame spraying), sebuah alat yang digenggam
tangan digunakan untuk menyemprotkan lapisan logam pada substrate. Kekuatan
utama di balik deposisi untuk flame spraying adalah api pembakaran yang
ditenagai oleh oksigen dan gas. Serbuk logam dipanaskan dan dilelehkan, saat api
pembakaran mempercepat campuran itu dan mengeluarkannya sebagai semprotan.
Proses ini memiliki tingkat deposisi yang cepat dan menciptakan lapisan yang
sangat tebal. Tapi lapisan ini cenderung berpori dan kasar.

Arc spraying mirip dengan flame spraying. Tapi sumber energinya dari busur
listrik. Dua kabel, dibuat dari materi berlapis logam dan membawa aliran listrik
DC, disentuhkan dua ujungnya—energi yang dikeluarkan saat dua kabel itu
bersentuhan memanaskan dan melelehkan kabel, sedangkan pancaran gas
melelehkan logam pada permukaan substrate, menciptakan lapisan logam. Seperti
flame spraying, hasil lapisan biasanya berpori.
BAB III
PENUTUP

A. Kesimpulan
1. Oksidasi adalah proses dimana logam atau semikonduktor dikonversi menjadi
oksida.
2. Deposisi adalah sebuah proses di mana gas berubah menjadi padat (juga
dikenal sebagai desublimasi).
3. Teknik pembuatan lapisan tipis salah satunya adalah dengan menggunakan
teknik deposisi lapisan tipis. Metode yang digunakan dalam deposisi lapisan
tipis, yaitu PVD (physical vapour deposition) dan CVD (chemical vapour
deposition). Proses PVD diklasifikasikan menjadi tiga, thermal evaporation,
PLD (pulsed laser deposition), dan sputtering.
4. metode yang digunakan untuk melakukan metalisasi plastik yaitu vacuum
metallization, arc and flame spraying dan electroless plating dan electroplating

B. Saran
Semoga makalah ini dapat menambah wawasan kita mengenai teknik
dan teknologi semikonduktor terutama dalam penumbuhan film tipis
metode osidasi, deposisi dan metalisasi