LAPORAN LABORATORIUM ELEKTRONIKA 2

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

NO. PERCOBAAN : 12
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTOR

NAMA PRAKTIKAN : ALVI WENTI F. (1317030004)

NAMA REKAN KERJA : 1. EGY ANANDA S. (1317030083)
2. RIZKA AFIFAH R. (1317030096)

KELAS/KELOMPOK : TT-3C / KELOMPOK 8

TANGGAL PELAKSANAAN PRKATIKUM : 07 SEPTEMBER 2018
TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 20 SEPTEMBER 2018

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2018
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI ......................................................................................................... ii

12.1 JUDUL........................................................................................................... 1
12.2 TUJUAN PERCOBAAN.............................................................................. 1
12.3 DASAR TEORI............................................................................................. 1
12.4 ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN............................................................ 7
12.5 LANGKAH PERCOBAAN.......................................................................... 7
12.6 DATA HASIL PERCOBAAN....................................................................... 8
12.7 ANALISA DAN PEMBAHASAN................................................................ 9
12.8 KESIMPULAN............................................................................................ 17
LAMPIRAN......................................................................................................... 10
DAFTAR PUSTAKA........................................................................................... 22

ii
12.1 JUDUL
Karakteristik Transistor Common Emiter

12.2 TUJUAN PERCOBAAN

1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common emitter.
2. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common emitter.
3. Mempelajari cirri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output, dan penguatan
arus transistor dalam konfigurasi common emitter.
12.3 DASAR TEORI

Rangkaian Common Emitor

Rangkaian common emitor adalah rangkaian yang paling umum dan mudah untuk
dianalisa. Berikut ini adalah contoh rangkaian common emitor yang paling sederhana.

Gambar 9 rangkaian common emitor

Pada rangkaian common emitor seperti pada gambar 9, kaki emitor dihubungkan
ke ground. Rangkaian ini mempunyai 2 loop yaitu loop kolektor-emitor (loop ce) dan
loop basis-emitor (loop be).
Pada loop be transistor mendapat tegangan bias maju (forward bias) dari basis ke
emitor. Arus listrik basis (ib ) dapat diatur besarnya dengan mengubah besar nilai
resistor pembatas arus Rb. Mengubah arus listrik basis (ib) juga akan mengubah besar
arus listrik kolektor (ic). Artinya arus listrik kolektor (ic) dapat dikontrol dengan
mengubah – ubah arus listrik basis (ib). Besar arus basis jauh lebih kecil dibandingkan
dengan arus kolektor.

1
Pada loop ce sumber tegangan Vcc memberikan tegangan balik (backward) ke kolektor
– emitor pada transistor melalui RC. Dalam kondisi tanpa bias maju pada loop be,
transistor tidak akan bekerja. Transistor baru akan bekerja jika ada arus basis. Karena
transistor memiliki 3 kaki, maka terdapat 3 tegangan pada transistor yaitu :
Vce = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki emitor (Vce = Vc – Ve)
Vcb = tegangan antara kaki kolektor dengan kaki basis (Vcb = Vc – Vb )
Vbe = tegangan antara kaki basis dengan kaki emitor (Vbe = Vb – Ve)

Gambar berikut ini menunjukan posisi ketiga tegangan pada kaki-kaki transistor.

Gambar 10 tegangan pada kaki-kaki transistor

Untuk gambar rangkaian 9, tegangan pada kaki emitor (Ve) = 0 sehingga tegangan
pada kaki transistor dapat disederhanakan menjadi :

Vce = Vc
Vcb = Vc – Vb
Vbe = Vc

2
Loop be

Kaki basis ke emitor dapat dianggap sebagai sebuah dioda seperti pada gambar berikut
ini.

Gambar 11 kaki basis ke emitor dapat dianggap sebagai sebuah dioda

Maka hubungan arus basis dengan tegangan Vbe dapat digambar sebagai sebuah
tegangan knee (Vknee) pada dioda B-E.

Gambar 12 tegangan knee pada dioda b-e

Jadi arus listrik basis (ib) dapat mengalir melalui B-E jika tegangan Vbe lebih besar dari
0,7 V untuk transistor dengan bahan silikon dan lebih besar dari 0,3 V untuk transistor
germanium. Karena Vbebesarnya sama dengan Vb jika tegangan emitor sama dengan
nol, maka Vb akan sama dengan 0,7 V untuk transistor silikon dan akan sama dengan
0,3 volt untuk transistor germanium.

3
Dengan menggunakan hukum 2 Kirchoff , maka arus basis dapat dihitung. Gambar 13
memperlihatkan loop be.

Menurut hukum ke 2 kirchoff dalam rangkaian tertutup, maka jumlah tegangan harus
sama dengan nol, sehingga didapat :

Loop CE

Gambar 14 berikut ini memperlihatkan loop CE pada transistor common emitor.

Gambar 14 loop ce transistor

4
Sama dengan loop be, loop ce juga dapat dianalisa dengan menggunakan hukum ke 2
Kirchoff yaitu :

Hubungan, Ib, ic dan Vce dapat digambar sebagai sebuah kurva karakteristik transistor
yaitu :

Gambar 15 hubungan ic, ib dan vce sebagai sebuah kurva karakteristik transistor

Daya yang hilang (PD) dapat dihitung :

Pd = Vce . ic
Daya yang hilang atau digunakan oleh transistor adalah besarnya tegangan kolektor
emitor (Vce) dikalikan dengan besarnya arus listrik kolektor (ic). Daya ini
menyebabkan naiknya temperatur pada sambungan semikonduktor kolektor dengan
semikonduktor basis dan emitor. Transistor umumnya akan rusak jika temperatur
sambungan ini melebihi 150oC. Pada gambar 15 terlihat kurva karakteristik transistor
yang bekerja pada arus basis sebesar ib dengan tegangan Vce yang bervariasi dari nol
hingga Vbreak. Vsat adalah tegangan saturasi yaitu tegangan pada saat arus kolektor yang
mengalir melalui transistor menjadi stabil (konstan). Sedangkan Vbreak adalah tegangan
rusak. Daerah antara tegangan saturasi dengan tegangan rusak disebut daerah aktif
transistor. Transistor tidak boleh bekerja melebihi tegangan rusaknya. Daerah dari
Vce = 0 hingga Vce = Vsat disebut daerah jenuh (saturation zone). Pada daerah jenuh ini
penguatan arus listrik (β) akan lebih kecil dari β ada daerah aktifnya.
Untuk arus basis yang bervariasi dari kecil hingga besar maka kurva karakteristik
transistor dapat digambar seperti pada gambar 16. Pada saat arus basis 0, maka arus

5
kolektor masih ada sedikit yang mengalir. Namun arus ini tidak dapat berpengaruh
apa-apa. Daerah kurva pada saat i b = 0 disebut cut-off region dan arus kolektor yang
lewat pada zona cut-off region disebut arus cut-off kolektor.
Arus cut-off kolektor ini terjadi karena pada dioda kolektor terdapat kebocoran arus,
tapi kebocoran arus ini sangat kecil sehingga dalam perhitungan dapat diabaikan.

Gambar 16 kurva karakteristik transistor

Jadi pada kurva karakteristik transistor terdapat 4 daerah (zona) yaitu daerah aktif,
daerah saturasi, daerah cut-off dan daerah breakdown. Transistor yang dirangkain
untuk bekerja sebagai penguat signal (amplifier) akan bekerja pada daerah aktif.
Sedangkan transistor yang dirangkai sebagai saklar akan bekerja pada daerah saturasi
ketika dalam kondisi ON dan bekerja pada daerah cut-off ketika dalam kondisi OFF.
Bila kerja transistor masuk ke daerah breakdown, maka transistor menjadi rusak. Ke 4
daerah kerja transistor ini dapat digambarkan sebagai berikut.

Gambar 17 ke-4 daerah kerja transistor dalam kurva karakteristik transistor

6
12.4 ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN
1. DC power supply (PS 5004A dan PS 1502A2) : 2 buah
2. Resistor 10 Ωk : 1 buah
3. Resistor 1 Ωk : 1 buah
4. Transistor PNP BC 108 : 1 buah
5. Multimeter : 3 buah
6. Kabel-kabel penghubung

12.5 LANGKAH PERCOBAAN

1. Karakteristik Input

a. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 1.

b. Mengatur VCC sehingga VCE = 0V. kemudian mengatur pula VBB= 0,5 V.
Mengukur Ib dan VBE, mencatat hasilnya pada tabel 1.
c. Mengubah VCE = 0 V. kemudian mengukur ulang IE dan VBE.
d. Mengulang pengukuran ini untuk harga VCE dan VBB lainnya.

2. Karakteristik Output

7
 a. Menghubungkan rangkaian seperti pada gambar 2.
b. Mengatur VCC sehingga VCE =0V.
c. Kemudian mengatur pula VBB sehingga IB= 0 µA. Mengukur IC dan mencatat
hasilnya pada tabel 2.
d. Mengubah VCE = 0V. Mengulang langkah 3.
e. Mengulang pengukuran ini untuk harga VCE dan IB yang lainnya.

12.6 DATA HASIL PERCOBAAN

Tabel 1. Karakteristik Input Common Emitter

VCE = 0 Volt VCE = 2 Volt VCE = 4 Volt VCE = 6 Volt VCE = 8 Volt
VBB
IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE
(Volt)
(mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt) (mA) (Volt)
0,5 0 0,482 0 0,486 0 0,492 0 0,484 0 0,478
0,75 0,02 0,552 0,01 0,620 0,01 0,645 0,01 0,638 0,01 0,625
1,0 0,04 0,581 0,04 0,670 0,04 0,665 0,04 0,650 0,04 0,638
2,0 0,12 0,614 0,11 0,672 0,11 0,669 0,11 0,681 0,11 0,698
4,0 0,32 0,653 0,34 0,672 0,34 0,682 0,34 0,691 0,34 0,704
6,0 0,55 0,668 0,52 0,679 0,54 0,690 0,53 0, 0,54 0,704

Tabel 2. Karakteristik Output Common Emitter

8
 IB = 0 IB = 10 IB = IB = 30 IB = 40
VCE
(μA) (μA) 20(μA) (μA) (μA)
(Volt)
Ic (mA) Ic (mA) Ic (mA) Ic (mA) Ic (mA)
0 0 0,6 μA 0,9 μA 1,0 μA 1,1 μA
2 0 1,54 1,48 1,61 1,61
4 0 2,09 3,74 3,78 3,79
6 0 2,59 5,88 7,85 7,93
8 0 2,71 6,23 8,70 9,91

12.7 ANALISA DAN PEMBAHASAN

Percobaan pada tabel 1 karakteristik input terdapat nilai input V BB dan VCE yang telah
ditentukan. Pertama membuat rangkaian seperti gambar 1 dan mengatur tegangan
input VCC hingga tegangan yang terukur pada multimeter dititik V CE = 0V, setelah itu
mengatur VBB = 0,5V. Nilai VCE diubah-ubah ketika nilai VBB diganti 0,75V; 1V; 2V;
4V; dan 6V secara bertahap. Pada percobaan tabel 1 ini nilai yang diukur yaitu I B dan
VBE sehingga dapat dianalisis dari data hasil percobaan bahwa semakin besar tegangan
input VBB maka nilai dari IB dan VBE yang diukur juga akan semakin besar, namun
nilai VBE tidak melebihi tegangan maksimum transistor yaitu 0,7V. karena akan
mengalami titik saturasi (jenuh).
Percobaan pada tabel 2 karakteristik output telah ditentukan nilai VCE dan IB, niai yang
diukur pada karakteristik output ini yaitu IC. Pertama membuat rangkaian seperti
gambar 2 dan mengatur tegangan input VCC hingga tegangan yang terukur pada
multimeter dititik VCE = 0V, setelah itu mengatur VBB sehingga IB = 0μA maka baru
dapat mengukur nilai IC. Begitu seterusnya nilai VCE diubah-ubah sambil mengubah IB
jadi 10μA; 20 μA; 30 μA dan 40 μA secara bertahap sehingga dapat dianalisa bahwa
semakin besar nilai IB yang diberikan maka nilai IC akan semakin besar juga.

1. Gambarkan pada kertas grafik, kurva karakteristik input transistor konfigurasi

common emitor dari data tabel 1.
Pembahasan:

9
10
2. Gambarkan pada kertas grafik, kurva karakteristik output transistor konfigurasi
common emitor dari data tabel 2.
Pembahasan:

3. Hitunglah harga resistansi input dari data pada tabel 1.

11
Pembahasan:

Tabel 1 Karakteristik Input (Resistansi Input)

1. VCE = 0 Volt

 VBB = 0,5 Volt

 VBB = 0,75 Volt

 VBB = 1,0 Volt

 VBB = 2,0 Volt

 VBB = 4,0 Volt

 VBB = 6,0 Volt

2. VCE = 2 Volt

 VBB = 0,5 Volt

 VBB = 0,75 Volt

 VBB = 1,0 Volt

 VBB = 2,0 Volt

 VBB = 4,0 Volt

 VBB = 6,0 Volt

12
3. VCE = 4 Volt

 VBB = 0,5 Volt

 VBB = 0,75 Volt

 VBB = 1,0 Volt

 VBB = 2,0 Volt

 VBB = 4,0 Volt

 VBB = 6,0 Volt

4. VCE = 6 Volt

 VBB = 0,5 Volt

 VBB = 0,75 Volt

 VBB = 1,0 Volt

 VBB = 2,0 Volt

 VBB = 4,0 Volt

 VBB = 6,0 Volt

5. VBC = 8 Volt

 VBB = 0,5 Volt

 VBB = 0,75 Volt

13
  VBB = 1,0 Volt

 VBB = 2,0 Volt

 VBB = 4,0 Volt

 VBB = 6,0 Volt

4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari data pada tabel 2.
Pembahasan:

Tabel 2 Karakteristik Output (Resistansi Output)

1. VCE = 0 Volt

 IB = 0 A RO =

 IB = 10 A RO =

 IE = 20 A RO =

 IE = 30 A RO =

 IE = 40 A RO =

2. VCE = 2 Volt

 IB = 0 A RO =

 IB = 10 A RO =

 IE = 20 A RO =

 IE = 30 A RO =

 IE = 40 A RO =

14
3. VCE = 4 Volt

 IB = 0 A RO =

 IB = 10 A RO =

 IE = 20 A RO =

 IE = 30 A RO =

 IE = 40 A RO =

4. VBC = 6 Volt

 IB = 0 A RO =

 IB = 10 A RO =

 IE = 20 A RO =

 IE = 30 A RO =

 IE = 40 A RO =

5. VBC = 8 Volt

 IB = 0 A RO =

 IB = 10 A RO =

 IE = 20 A RO =

 IE = 30 A RO =

 IE = 40 A RO =

15
Tabel 2 Karakteristik Output (Penguatan Arus)

1. VCE = 0 Volt

 IB = 0 µA Ai =

 IB = 10 µA Ai =

 IB = 20 µA Ai =

 IB = 30 µA Ai =

 IB = 40 µA Ai =

2. VCE = 2 Volt

 IB = 0 µA Ai =

 IB = 10 µA Ai =

 IB = 20 µA Ai =

 IB = 30 µA Ai =

 IB = 40 µA Ai =

3. VCE = 4 Volt

 IB = 0 µA Ai =

 IB = 10 µA Ai =

 IB = 20 µA Ai =

16
  IB = 30 µA Ai =

 IB = 40 µA Ai =

4. VCE = 6 Volt

 IB = 0 µA Ai =

 IB = 10 µA Ai =

 IB = 20 µA Ai =

 IB = 30 µA Ai =

 IB = 40 µA Ai =

5. VCE = 8 Volt

 IB = 0 µA Ai =

 IB = 10 µA Ai =

 IB = 20 µA Ai =

 IB = 30 µA Ai =

 IB = 40 µA Ai =

5. Apakah ada perbedaan karakteristik transistor pada konfigurasi common basis dan
konfigurasi common emitor?
Pembahasan:
Konfigurasi Common Base (CB) atau Basis Bersama adalah konfigurasi yang kaki
Basis-nya di-ground-kan dan digunakan bersama untuk INPUT maupun OUTPUT.
Pada Konfigurasi Common Base, sinyal INPUT dimasukan ke Emitor dan sinyal

17
 OUTPUT-nya diambil dari Kolektor, sedangkan kaki Basis-nya di-ground-kan.
Oleh karena itu, Common Base juga sering disebut dengan istilah “Grounded
Base”. Konfigurasi Common Base ini menghasilkan Penguatan Tegangan antara
sinyal INPUT dan sinyal OUTPUT namun tidak menghasilkan penguatan pada
arus.

Konfigurasi Common Emitter (CE) atau Emitor Bersama merupakan Konfigurasi

Transistor yang paling sering digunakan, terutama pada penguat yang
membutuhkan penguatan Tegangan dan Arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan
Konfigurasi Transistor dengan Common Emitter ini menghasilkan penguatan
Tegangan dan Arus antara sinyal Input dan sinyal Output. Common Emitter adalah
konfigurasi Transistor dimana kaki Emitor Transistor di-ground-kan dan
dipergunakan bersama untuk INPUT dan OUTPUT. Pada Konfigurasi Common
Emitter ini, sinyal INPUT dimasukan ke Basis dan sinyal OUTPUT-nya diperoleh
dari kaki Kolektor.

12.8 KESIMPULAN
Pada percobaan karakteristik transistor common emitor input ini semakin besar V CE
dan VBB yang diberikan semakin besar juga arus yang diperoleh dalam percobaan.
Tetapi besar VBE pada rangkaian semakin besar juga. Begitu juga dengan karakteristik
transistor common emitor pada bagian output, semakin besar VCE dan IB pada
rangkaian maka semakin besar juga IC atau output pada rangkaian ini.
LAMPIRAN

18
 Praktikan
(Alvi Wenti Febriani)

19
20
21
22
 DAFTAR PUSTAKA

 Kho Dickson. 2016. Tiga Jenis Konfigurasi Transistor Bipolar.

https://teknikelektronika.com
 Djukarna. 2014. Dasar-Dasar Transistor. https://djukarna.wordpress.com

23