Felipe Paz Campos 2016

ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CAPÍTULO 7: RESPUESTA EN FRECUENCIA

TEORÍA Y APLICACIONES

108
 Felipe Paz Campos 2016
CAPÍTULO 7 RESPUESTA EN VA: voltaje de Early, dato dado por el
FRECUENCIA DE UN fabricante.
AMPLIFICADOR. La capacitancia cµ tiene un valor típico de
7.1 Introducción 2pF y la capacitancia se c se calcula a
En los capítulos 2 y 3 se han estudiado los partir de:
transistores BJT y JFET como gm
fT 
2 c  c 
amplificadores, sin considerar la zona de ( Hz) (7.4)
trabajo de estos en función de la
frecuencia. En este capítulo se realizará el fT : Frecuencia de transición dada por el
estudio del comportamiento de los fabricante.
amplificadores en función de la 7.2.2 El modelo a utilizar para el
frecuencia. transistor JFET CANAL N O CANAL P
Todo amplificador debe tener dos será el mismo para ambos transistores,
frecuencias de corte, una frecuencia de figura 7.2.
cgd
corte en alto (wH) y una frecuencia de g
d
corte en bajo (wL), por consiguiente un d +
ancho de banda (Bw). La zona de trabajo
del amplificador estará restringida por g J vgs Cgs gmvgs
ro
dicho ancho de banda (Bw). s
-
s
7.2 Modelos de los transistores para el Figura 7.2
análisis de frecuencia.
VGS
Los modelos que vamos a utilizar son los I D  I DSS (1  )2 (7.5)
VGS ( off )
que se presentaron en el capítulo 2 y 3
incluyendo el efecto de las capacitancias VGS (7.6)
g m  g mo (1  )
internas. VGS (off )
7.2.1 El modelo a utilizar para AC del 2 xI DSS
transistor BJT NPN o PNP será el mismo g mo  (7.7)
para ambos transistores, figura 7.1. VGS ( off )
rb cµ VA  VDS
b c ro  (7.8)
c + ID
b Q = v ro VA: voltaje de Early, dato dado por el
- r c gmv fabricante.
e e La capacitancia cgd tiene un valor típico
Figura 7.1
de 2pF y la capacitancia se cgs se calcula
La resistencia rb es un dato dado por el a partir de:
fabricante con un valor típico de 100Ω. gm
fT 
2 cgd  cgs 
rπ= (β+1)re, ro se considera infinita, a ( Hz) (7.9)
menos que se indique lo contrario.
1 fT : Frecuencia de transición dada por el
g m  (S ) (7.1) fabricante.
re
7.3 Respuesta en frecuencia del
V  VCE amplificador.
ro  A () (7.2)
IC Todo amplificador debe tener una
26mV respuesta en función de la frecuencia.
re  () (7.3) Esto se muestra en la figura7.3.
IE

109

|H(jw)|dB
ABM Banda media
BW
0
wL wH
Figura 7.3
En la figura 7.3:
v dependencia de la ganancia en función de
ABM = o : Ganancia en la banda media.
vi
Esta ganancia tiene un valor constante
dentro del ancho de banda BW.
BW = wH - wL: Ancho de banda.
wH: Frecuencia de corte en alto, depende
de las capacitancias internas o parásitas
del transistor.
wL: Frecuencia de corte en bajo, depende
de las capacitancias externas al transistor.
Banda media o banda de paso: Es
donde la magnitud de la ganancia se
puede considerar constante además, esta
ganancia no depende de la frecuencia, en
otras palabras el efecto de las
capacitancias internas y externas del
transistor es considerado despreciable.
A altas frecuencias la ganancia cae debido
al efecto de las capacitancias internas del
dispositivo, mientras a bajas frecuencias
los capacitores de acople y desacople ya
no actúan como cortocircuito y por tanto
la ganancia del amplificador se ve
disminuida.
Los limites de la banda media o banda de
paso están determinados por wL y wH
(figura 7.3). Estas dos frecuencias son
aquellas en las cuales la ganancia cae 3dB
por debajo del valor de la ganancia en la
banda media.
Felipe Paz Campos 2016
7.3.1 La ganancia como función de s
donde s = jw.
La ganancia de un amplificador como
función de la frecuencia compleja (s)
puede ser expresada de la siguiente
manera.
w
As   ABM FL s FH s  (7.10)
En la ecuación (7.10) FL(s) expresa la
la frecuencia en la banda de baja
frecuencia y FH(s) su dependencia en la
banda de alta frecuencia.
Si w >> wL entonces FL(s) tiende a 1, de
igual manera para w << wH(s) la función
FH(s) tiende a 1. Por tanto puede
escribirse que:
As   ABM (7.11)
La ecuación (7.11) es válida siempre que
wL  w  wH
De lo anterior se deduce que la ganancia
en la banda de baja frecuencia es:
AL s   ABM FL s  (7.12)
La ganancia en la banda de alta
frecuencia es:
AH s   ABM FH s  (7.13)
Los cálculos para la ganancia en la banda
media se realizan considerando que los
capacitores de acople y desacople se
comportan como perfectos cortocircuitos
a la vez, las capacitancias internas del
transistor son tomadas como circuitos
abiertos. La ganancia en la banda de baja
frecuencia AL(s) es determinada a partir
del análisis del circuito equivalente
tomando en cuenta los capacitores de
acople y desacople pero, asumiendo que
las capacitancias internas del transistor
son circuitos abiertos perfectos. Para la
ganancia en la banda de alta frecuencia
AH(s) es determinada tomando en cuenta
las capacitancias internas del transistor
pero, considerando los capacitores
externos de acople y desacople como
perfectos cortocircuitos.
110
 Felipe Paz Campos 2016
7.3.1.1 Respuesta a bajas frecuencias. (un factor 8). Si no existe polo dominante
La función FL(s) que expresa la respuesta de baja frecuencia, puede encontrarse una
a baja frecuencia del amplificador posee formula aproximada para determinar wL
la forma general: en función de los polos y ceros existentes
 
s  wz1 s  wz 2 ...... s  wzNL en el circuito.
FL s  
 
s  wp1 s  wp 2 ...... s  wp N (7.14)
L
Por ejemplo consideremos el caso de una
función de transferencia con dos ceros y
Donde: wz1 , wz 2 , ...wzN Representan los dos polos.
L

valores de los ceros de baja frecuencia. FL s  

s  wz1 s  wz 2 
wp1 , wp 2 , ...wp Representan los valores s  wp1 s  wp 2  (7.17)

Sustituyendo s  jwL y tomando la

NL

de los polos a baja frecuencia.

En la ecuación (7.14) puede observarse magnitud cuadrada de la función,
tenemos:
  
que si s tiende a infinito entonces FL(s)
w  wz1 wL  wz 2
2 2 2 2
tiende a 1. En muchos casos los ceros FL s   L2
2

poseen frecuencias tan bajas (mucho 

wL  wp1 wL  wp 2
2 2

2
(7.18)

menores que wL) que poseen poca
Dado que los puntos de -3dB son los
importancia en la determinación de wL.
puntos de potencia media entonces w  wL
Además, por lo general, uno de los polos,
cuando FL  jw   y por tanto:
por ejemplo wp1, posee una frecuencia 2 1
mucho mayor que la de todos los otros 2
polos. Entonces si w se aproxima a la 1

 2 2

wL  wz1 wL  wz 2
2 2

banda media, FL(s) puede escribirse
como:
 
2 wL 2  wp12 wL 2  wp 2 2 
(7.19)

FL s  
s
(7.15)
 1 
   1 

1   2  wz1  wz 2   4  wz1 wz 2
2 2 2 2
 (7.20)
s  wp1 1
  L 
w  L 
w

La ecuación (7.15) no es más que una

2  1 
   1 

1   2  w p1  w p 2   4  w p1 w p 2
2 2 2 2

 L 
w  L 
w
función de transferencia paso alto de
Ya que wL generalmente es mucho mayor
primer orden. En este caso la respuesta de
que las frecuencias de todos los polos y
baja frecuencia del amplificador es
ceros, entonces podemos despreciar los
dominada por el polo s   wp1 y la
1
frecuencia inferior de -3dB es términos que contienen 4
y despejar
wL
aproximadamente igual a wp1.
wL para obtener:
wL  wp1 (7.16)
wL  wp1  wp 2  2wz1  2wz 2
2 2 2 2
Lo expresado anteriormente se conoce (7.21)
como aproximación por polo dominante y La expresión (6.21) puede extenderse
es válida cuando exista polo dominante, si para una función con cualquier número de
no existe tal polo debe entonces polos y ceros. En la misma puede
encontrarse la respuesta completa de observarse que si wp1  wp 2 , wz1 , wz 2
FL  jw  para determinar wL. Se dice que Entonces la expresión (7.21) se reduce a
estamos en presencia de un polo la expresión (7.16), wL  wp1 .
dominante de baja frecuencia cuando el
polo de frecuencia mas alta supera al polo
o cero mas cercano en al menos 3 octavas

111

7.3.1.2 Respuesta a altas frecuencias.
La función FH(s) puede ser expresada de
la forma general de la siguiente forma:
 s  s   s 
1  1  ...... 1 
 wz1  wz 2   wzNH  
FH  s  
   
1  s 1  s ......1  s 
 w  w   w 
 p1  p2   pNH 
Donde: wz1 , wz 2 , ...wzN Representan los
H (7.25) se reduce a la ecuación (7.24),
valores de los ceros de alta frecuencia.
wp1 , wp 2 , ...wpN Representan los valores
H
de los polos a alta frecuencia.
Se puede notar en la ecuación (7.22) que
si s tiende a 0 entonces FH(s) tiende a 1.
En la mayoría de los casos los ceros son
infinitos o poseen frecuencias tan altas
que tienen poca influencia en la
determinación de la frecuencia superior
de -3dB (wH).
Si uno de los polos de alta frecuencia
posee un valor mucho menor que el de los
otros polos, wp1 por ejemplo, entonces la
respuesta en alta frecuencia del
amplificador será dominada por este polo
y FH(s) puede aproximarse como:
1 alta frecuencia. La función FH(s) de la
FH  s   (7.23)
s
1
w p1
La ecuación (7.23) no es más que la
función de transferencia de una red pasa
bajo de primer orden.
En los casos en que exista un polo
dominante de alta frecuencia, la
determinación de wH se simplifica a
wH  wp1 (7.24)
Se dice que estamos en presencia de un
polo dominante de alta frecuencia cuando
el polo de más baja frecuencia se
encuentra al menos 3 octavas por debajo
del polo o cero más cercano.
Si no existe polo dominante entonces wH
puede determinarse a partir de FH  jw  .
De la misma forma que para bajas
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frecuencias puede derivarse una formula
aproximada para wH en términos de los
polos y ceros de alta frecuencia.
1
wH  (7.25)
1 1 2 2
  2
(7.22) wp1
2
wp 2
2
wz1 wz 2
2

En la ecuación (7.25) si:
wp1  wp 2 , wz1 , wz 2 Entonces, la ecuación
wH  wp1 .
7.3.1.3 Utilización de las constantes de
tiempo de cortocircuito y circuito
abierto para la determinación
aproximada de wL y wH.
Cuando los polos y ceros de la función de
transferencia pueden ser determinados
fácilmente, puede utilizarse los métodos
anteriores para determinar wL y wH. Sin
embargo, en la mayoría de los casos no es
muy fácil determinar los polos y ceros.
En tales situaciones pueden obtenerse
valores aproximados para wL y wH
mediante la utilización del método que se
describe a continuación.
Inicialmente consideremos la respuesta en
ecuación (7.22) pude rescribirse como:
1  a1s  a2 s 2  ...  aNH s NH
FH s   (7.26)
1  b1s  b2 s 2  ...  bN H s NH
En la ecuación (7.26) los coeficientes a y
b están relacionados con los ceros y polos
de alta frecuencia, respectivamente.
Específicamente, b1 esta dado por:
1 1 1
b1    ...  (7.27)
wp1 wp 2 wpNH
El valor de b1 puede obtenerse a partir del
circuito equivalente para alta frecuencia,
tomando en cuenta las capacitancias
presentes una a la vez, mientras las otras
son consideradas circuitos abiertos.
El proceso consiste en encontrar el valor
de la impedancia de Thévenin vista por el
capacitor que multiplicado por el valor de
112

la capacitancia respectiva permite obtener
la constante de tiempo determinada por
cada capacitor. Luego el proceso es
repetitivo para todas y cada una de las
capacitancias presentes en el circuito.
Lo anterior permite obtener la
contribución de cada capacitancia en la
posición de las singularidades del
circuito.
El Valor de b1 se encuentra sumando
todas las constantes de tiempo
individuales llamadas constantes de
tiempo de circuito abierto.
NH
b1   Ci RTHi (7.28)
i 1
Donde NH representa el número de
capacitores presentes en el circuito
equivalente para alta frecuencia.
De la ecuación (7.27) puede observarse
que si uno de los polos es dominante, es
decir wp1  wp 2 , wz1 , wz 2 … Entonces:
1 equivalente de baja frecuencia. El valor
b1  (7.29)
w p1
wH será entonces aproximadamente igual
a wp1, por lo tanto:
wH  N H
1
(7.30)
 Ci RTH i
i 1
Debe señalarse que en aquellos circuitos
con cierto nivel de complejidad no puede
saberse a simple vista o averiguarse
fácilmente si existe o no un polo
dominante, no obstante la ecuación (7.29)
generalmente produce muy buenos
resultados aun cuando no existe un polo
dominante.
Las constantes de tiempo de cortocircuito
se utilizan para determinar la frecuencia
inferior de -3dB, wL. A continuación
veremos como las mismas nos permiten
obtener de manera muy aproximada el
valor de FL.
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La expresión FL(s) de la ecuación (7.14)
puede expresarse de forma alternativa
como:
s N L  d s N L 1  d 2 s N L 2  ...
FL s   N L 1 N L 1 (7.31)
s  e1s  e2 s N L 2  ...
En la ecuación (7.31) los coeficientes d y
e están relacionados con los ceros y polos
de baja frecuencia, respectivamente.
Específicamente e1 esta dado por:
e1  wp1  wp 2  ...  wpNL
El valor de e1 puede obtenerse analizando
el circuito equivalente para baja
frecuencia, considerando los distintos
capacitores que conforman el circuito,
uno a la vez, mientras los restantes son
reemplazados por corto circuitos. El
proceso consiste en encontrar la
impedancia equivalente de thévenin vista
por el capacitor en cuestión, luego el
proceso se repite para todos los
capacitores existentes en el circuito
de e1 se encuentra mediante la suma de
los inversos de las constantes de tiempo
de cortocircuito.
NL
1
e1   (7.32)
i 1 Ci RTH i
En la ecuación anterior NL representa el
número de capacitores presentes para
baja frecuencia.
El valor puede ser utilizado para obtener
wL siempre y cuando no existan ceros
dominantes y si además existe un polo
dominante. Si existe un polo dominante,
por ejemplo wp1, con una frecuencia
mucho mayor que la del resto de los polos
existentes entonces: e1  wp1 recordemos
que en el caso en que existe un polo
dominante wL es aproximadamente igual
a la frecuencia del polo dominante,
significa entonces que en ese caso:
NL
1
wL   (7.33)
i 1 Ci RTH i
113
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El método de las constantes de tiempo de VGS
cortocircuito provee una buena I D  I DSS (1  )2 (7.37)
VGS ( off )
aproximación para el valor de wL aun en
el caso en que no exista un polo Sustituyendo (7.36) en (7.37) se obtiene:
dominante, sin embargo debe aclararse I xR
I D  I DSS (1  D S ) 2 (7.38)
que si tal polo existe el resultado de la VGS ( off )
aproximación será mucho más cercano al Por tanto:
valor real o verdadero. 2 2
VGS (off ) VGS (off ) VGS (off )
I D  (2  )I  0
2
2 D 2
7.4 EJEMPLOS Rs I DSS xR S RS
Introduciendo valores:
Ejemplo # 1. I D  0.0365I D  0.1469m  0
2
(7.39)
Para el circuito mostrado en la figura 7.4,
Solucionando la ecuación (6.39):
calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 12mA; VGS(off) = -4V; 0.0365  1.332m  4 x0.1469m
I D1, 2 
Cgs = 12pF; Cgd=2pF. 2
Entonces: ID1 = 4.6mA e ID2 = 31.89mA
VDD De estos dos valores solamente uno de
20V
RD C2 ellos es válido, ya que el otro valor está
C1 2.2kΩ 2.2uF
1uF
fuera de los parámetros del transistor; en
vi + RL este caso fuera del valor de IDss. Entonces,
-1/1V 1kΩ
vO el valor para la corriente es ID1 = 4.6mA.
-
1kHz RG C3
10MΩ RS 10uF Conociendo la corriente ID se calcula VGS
330Ω de la ecuación (7.36).
VGS = -IDxRs = -4.6mAx330Ω = -1.52V
Figura 7.4 Para calcular VDS se aplica un LKV en la
Solución: malla exterior que involucre VDS.
a.- Análisis DC VDD  I D RD  VDS  I D Rs (7.40)
El circuito para DC queda de la siguiente
Despejando VDS:
forma, figura 7.4.1.
VDS  VDD  I D ( RD  Rs ) (7.41)
VDD Introduciendo valores en la ecuación
20V
ID RD (6.41) se obtiene:
2.2kΩ VDS  20V  4.6mA (2.2k  330)  8.36V
IG +
El punto de operación es:
VDS ID = 4.6mA y VDS = 8.36V.
RG IS - Para saber si el transistor funcionará
10MΩ como amplificador se verifica la siguiente
RS
330Ω
condición.
VDS  VGS (off )  VGS (7.42)
Figura 7.4.1 VDS  4V  1.52V  5.52V
VG = 0V (7.34) Con VDS =8.36V cumple la condición,
VS = ISxRS = IDRs (7.35) entonces, el transistor se comporta como
VGS = VG-VS = -IDxRS (7.36) un amplificador.

114
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b.- Análisis AC. vo
Dibujando el circuito para AC ABM   3.72mSx687.5  2.56
vi
considerando los capacitores de acople y
w
desacople como cortocircuitos, sin b) FH  H (7.48)
sustituir el modelo del transistor para AC, 2
resulta el circuito de la figura 7.4.2. Para el cálculo de wH dibujaremos el
circuito equivalente. Este circuito
+
equivalente es el mismo que utilizamos
Vi para calcular ABM agregando las
RD vO RL
-1/1V 2.2kΩ
-
1kΩ capacitancias internas del transistor. Este
RG circuito se muestra en la figura 7.4.4.
1kHz
10MΩ Cgd

Vi
Figura 7.4.2 -1/1V + +
RG Vgs RD RLvo
Sustituyendo el modelo del transistor para Cgs 2.2kΩ 1kΩ
1kHz 10MΩ gmVgs -
AC considerando las capacitancias -
internas del transistor como circuito
abierto, en el circuito anterior, figura Figura 7.4.4
7.4.2 resulta el circuito de la figura 7.4.3. 1
wH  (7.49)
vi C   Cgd
-1/1V + RD + gs

vgs
RG 10MΩ gmvgs
2.2kΩ RL  C  Cgs RTH (7.50)
vO gs Cgs
1kHz
- - 1kΩ
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.4.4 se deja la
Figura 7.4.3 capacitancia Cgs y se abre la capacitancia
Calculando los parámetros para AC: Cgd y a partir de este circuito (figura
7.4.5) se calcula la resistencia de thévenin
2 I DSS V
gm  (1  GS ) (7.43) vista por Cgs.
VGS ( off ) VGS ( off )
Vi
-1/1V +
Sustituyendo valores en (6.43):
24mA 1.52V Vgs
Cgs
gm  (1  )  3.72mS RG 10MΩ
 4V 4V 1kHz
-
Calculando las variables solicitadas. Figura 7.4.5
v
a) ABM  o (7.44) RTHCgs  0 ya que vi es una fuente
vi
vo   g mvgs RL ' (7.45) independiente al apagarla es un
cortocircuito en paralelo a 10MΩ.
Donde: RL '  RD // RL  687.5  Cgs  0s
v gs  vi (7.46)
 C  Cgd RTH (7.51)
Sustituyendo (7.46) en (7.45) se obtiene: gd Cgd

vo Para calcular esta constante de tiempo en

  g m RL ' (7.47) el circuito de la figura 7.4.4 se deja la
vi
capacitancia Cgd y se abre la capacitancia
Sustituyendo valores en (7.47): Cgs y a partir de este circuito (figura

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7.4.6) se calcula la resistencia de thévenin calcula la resistencia de thévenin vista por
vista por Cgd, Además se apaga vi. C1 .
Cgd C1
+ -1/1V + +
+ 1uF RD RL
RG Vgs RL’ vgs 2.2kΩ vo 1kΩ
Vo 10MΩ
10MΩ 1kHz
RG
- gmvgs -
- gmVgs -
vi
RS
Figura 7.4.6 330Ω

Figura 7.4.8
RTHCgd  RL '  687.5
RTHC1  RG  10M (7.55)
 C  Cgd RTH  2 pFx 687.5  1.375ns
gd Cgd
 C  C1RTH  1Fx10M  10s
1 C1
(7.56)
De la ecuación (7.49) se obtiene:
1 1
 C  C2 RTH
2 C2
(7.57)
wH    727.27Mrad / s Para calcular esta constante de tiempo en
 Cgs   Cgd 0s  1.375ns
el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
Por lo tanto de (7.48): capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
w 727.27 Mrad / s a partir de este circuito (figura 7.4.9) se
FH  H   115.75MHz
2 2 calcula la resistencia de thévenin vista por
w C2.
c) FL  L (7.52) C2
2 2.2uF
Para el cálculo de wL dibujaremos el
-1/1V + RD +
circuito equivalente, para esto se RL
RG vgs 2.2kΩ vo 1kΩ
considera las capacitancias internas del -
1kHz 10MΩ gmvgs -
transistor como circuito abierto y se toma vi
en cuenta el efecto de los capacitores de RS
330Ω
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.4.7.
C1 C2 Figura 7.4.9
vi 1uF 2.2uF
Ya que la fuente de corriente se comporta
-1/1V + RD +
RL como un circuito abierto al apagar vi.
vgs 2.2kΩ vo
RG 1kΩ RTHC 2  RD  RL  3.2k (7.58)
1kHz 10MΩ - gmvgs -
 C  C2 RTH  2.2Fx3.2k  7.04ms
RS 2 C2

330 C3
10uF  C 3  C3 RTH C3
(7.59)
Para calcular esta constante de tiempo en
Figura 6.4.7 el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
1 1 1 capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
wL    (7.53)
C
1
C 2
C 3
a partir de este circuito (figura 7.4.10) se
calcula la resistencia de thévenin vista por
 C  C1RTH
1 C1
(7.54) C3.
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.4.8) se

116
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-1/1V + De la ecuación (6.53) se obtiene:

+ RD RL 1 1 1
RG vg 2.2kΩ vo 1kΩ wL     817.82rad / s
1kHz 10MΩ s
- gmvgs - 10s 7.04ms 1.48ms
vi De la ecuación (6.52):
RS
330Ω C3 817.82rad / s
10uF FL   130.16 Hz
2
Figura 7.4.10 El resultado final se muestra en la figura
 C  C3 RTH (7.60) 7.4.12.
3 C3
|H(jw)|dB
Para calcular RTHC 3 se abre las terminales
ABM=2.56 Banda media
de C3 y se coloca una fuente de prueba y
vp BW
la RTHC 3  (7.61)
ip
Esto se muestra en la figura 7.4.11. 0 130.16Hz 115.75MHz f
Figura 7.4.12
+ RD Ejemplo # 2.
vO RL
+ 2.2kΩ 1kΩ
- Para el circuito mostrado en la figura 7.5,
vgs gmvgs ip calcule: a) ABM b) FH c) FL
-
Datos: IDSS = 12mA; VGS(off) = -4V;
+ Cgs = 12pF; Cgd=2pF.
i RS vp VDD
330Ω - 20V

RD
Figura 7.4.11 C1 2.2kΩ C2
Ri 1uF
+
Del circuito anterior se deduce: -500m/500mV 6.8uF
RL vo
100kΩ 10kΩ
vp -
i  i p  g m v gs 
+
(7.62) 1kHz RG Rs
RS Vi 10MΩ 330Ω C3
10uF
v gs  v p (7.63) +

Sustituyendo la ecuación (7.63) en la 860Ω C4=∞

VEE
ecuación (7.62) se obtiene: -5V RE
vp Figura 7.5
i p  gmv p  (7.64)
RS Solución:
Entonces: a.- Análisis DC
vp RS 1 1 5V  0.7V
   RS // (7.65) I E1  I C 1  I D   5mA (7.66)
i p 1  g m RS 1 gm 860
 RS
gm V
I D  I DSS (1  GS ) 2 (7.67)
Sustituyendo valores en (7.65): VGS ( off )
v 1 Despejando VGS se obtiene:
RTH C 3  p  330 //  148.14
ip 3.72mS ID
VGS  VGS ( off ) (1  ) (7.68)
Entonces: I DSS
 C 3  C3 RTHC 3  10Fx148.14  1.48ms Por tanto:

117
 Felipe Paz Campos 2016

5mA
VGS  4V (1  )   1.42 V Calculando los parámetros para AC:
12mA
2 I DSS V
VCE1  VC1  VE1 (7.69) gm  (1  GS ) (7.71)
VGS ( off ) VGS ( off )
Sustituyendo valores:
VCE  1.42V  (1.65V )  0.7V  0.47V Sustituyendo valores en (7.71):
VDS  20V  I D xRD  VS 24mA 1.42V
(7.70) gm  (1  )  3.87mS
Sustituyendo valores:  4V 4V
VDS  20V  5mA(2.2k)  1.42V  7.58V Calculando las variables solicitadas.
v
El punto de operación para el transistor J a) ABM  o (7.72)
es: vi
VDS  7.58V e I D  5mA vo   g mvgs RL ' (7.73)
Para que el transistor funcione como Donde: RL '  RD // RL  1,803.28
amplificador debe cumplir con la
vR
siguiente condición. vgs  i G (7.74)
VDS  4V  1.42V  5.42V Ri  RG
Por tanto sustituyendo (7.74) en (7.73) se
Ya que, cumple con la condición anterior
obtiene:
el transistor funciona como amplificador.
vO RG
b.- Análisis AC.  ( g m RL ' )( ) (7.75)
Dibujando el circuito para AC se vi RG  Ri
considera los capacitores de acople y Sustituyendo valore en (7.75):
desacople como cortocircuitos, sin vo 10M
sustituir el modelo del transistor para AC,  (3.87mSx1,803.28)( )
vi 10M  100k
resulta el circuito de la figura 7.5.1.
vo
RD + RL  ABM  6.91
100kΩ v vi
-1/1V 2.2kΩ o 10kΩ
Ri - w
b) FH  H (7.76)
1kHz
RG 2
10MΩ
Vi Para el cálculo de wH dibujaremos el
Figura 7.5.1 circuito equivalente. Este circuito
equivalente es el mismo que utilizamos
Sustituyendo el modelo del transistor para para calcular ABM agregando las
AC considerando las capacitancias capacitancias internas del transistor. Este
internas del transistor como circuito circuito se muestra en la figura 7.5.3.
abierto, en el circuito anterior, figura 100kΩ
Cgd
7.5.1 resulta el circuito de la figura 7.5.2. +
100kΩ Ri
-1/1V Vgs RD + RL
2.2kΩ
-1/1V Ri RD + RG
+ 10MΩ vo 10kΩ
RL 1kHz
Cgs gmVgs -
RG Vgs 2.2kΩ
vo 10k
10kΩ Vi -
1kHz 10MΩ gmVgs -
-
Vi Figura 7.5.3
Figura 7.5.2

118
 Felipe Paz Campos 2016
1 El circuito para calcular la ecuación
wH  (7.77)
C gs
  Cgd (7.81) se muestra en la figura 7.5.6.
Ri + vp -
 C  Cgs RTH
gs Cgs
(7.78)
io
Para calcular esta constante de tiempo en + ip
el circuito de la figura 7.5.3 se deja la RG RL’
capacitancia Cgs y se abre la capacitancia vgs
- gmvgs
Cgd y a partir de este circuito (figura
7.5.4) se calcula la resistencia de thévenin
vista por Cgs. Figura 7.5.6
Del la figura 7.5.6 se deduce:
Ri v v
i p  g mvgs  io  i p  g mvgs  gs p  0 (7.82)
RG Cgs RL '
vgs  i p Ri ' (7.83)
Donde Ri '  Ri // RG  99k (7.84)
Figura 6.5.4 Sustituyendo (7.83) en la ecuación (7.82)
RTHCgs  Ri // RG  99k (7.79) se obtiene:
i R 'v
De (7.78): i p  g mi p Ri ' p i p  0 (7.85)
 Cgs  99kx12 pF  1.188s RL '
Entonces:
 C  Cgd RTH (7.80)
gd Cgd
vp
Para calcular la constante de tiempo de la  Ri ' RL ' g m Ri ' RL ' (7.86)
ip
ecuación (7.80) en el circuito de la figura
7.5.3 se deja la capacitancia Cgd y se abre Sustituyendo valores:
la capacitancia Cgs y a partir de este vp
 99k  1,803.28  3.87mSx99kx1,803.28
circuito (figura 7.5.5) se calcula la ip
resistencia de thévenin vista por Cgd, vp
Además se apaga vi.  791,694
ip
Ri Cgd Entonces de la ecuación (7.80) se obtiene:
+  Cgd  Cgd RTHCgd  2 pFx791,694  1.583s
RG RL’ Por tanto de la ecuación (7.77) se obtiene
vgs 1 1
- gmvgs wH    360.88krad / s
C gs
  Cgd 1.188s  1.583s

Figura 7.5.5 Para el cálculo de FH se utiliza la

ecuación (7.76):
 Cgd  Cgd RTH Para calcular RTH se w 360.88krad / s
FH  H   57.44kHz
Cgd Cgd

abre las terminales de Cgd y se coloca una 2 2

fuente de prueba y la RTHCgd es: Nota: Otra forma de calcular wH es
vp usando el teorema de Miller.
RTHCgd  (7.81) Este teorema se explica a continuación.
ip

119
 Felipe Paz Campos 2016
Teorema de Miller. Si se conoce K los valores de Y1 y Y2
pueden ser determinados a partir de:
Cuando un FET es conectado en la Y1  Y (1  K ) (7.88)
configuración fuente común, la 1
capacitancia Cgd aparece como un Y2  Y (1  ) (7.89)
K
elemento natural que retroalimenta la
Calculando WH por Miller.
señal de salida (en el drenador) hacia la
100k
100kΩ
entrada (en la compuerta). Este efecto
ocasionado por Cgd complica el análisis, Ri Cgd
sin embargo, afortunadamente existe un RD RL
RG 2.2kΩ
teorema de circuitos que nos permite 10MΩ 10kΩ
reemplazar el elemento de Cgs gmvgs
retroalimentación (Cgd en este caso) en
dos elementos conectados a tierra.
Este reemplazo no solamente simplifica el Figura 7.5.8
análisis sino que también vuelve más Aplicando Miller en la figura 7.5.8resulta
claro el efecto que Cgd tiene sobre la la figura 7.5.9.
respuesta a alta frecuencia del
amplificador. Este teorema de circuitos se vgs
Ri’ RL’
conoce como Teorema de Miller. Cgd2
Cgs Cgd1 gmvgs
Para ilustrar el teorema consideremos la
situación de la figura 7.5.7, en la que se
tiene un nodo 1 y un nodo 2 referidos a Figura 7.5.9
tierra de una red particular, entre los De la figura 6.5.9:
cuales se encuentra conectada una Ri '  100k // 10M  99k (7.90)
admitancia Y, además los nodos 1 y 2
pueden estar conectados mediante otros RL '  2.2k // 10k  1,803.28 (7.91)
componentes a otros nodos de la red. Cgd1  Cgd (1  g m RL ' ) (7.92)
Y Sustituyendo valores en (7.92):
1
I1 I2
2 I1
1 2
Cgd1  2 pF (1  3.87mSx1,803.28)
Y2
Y1
I2 Cgd1  15.96 pF
1
C gd 2  C gd (1  ) (7.93)
Figura 7.5.7 g m RL '
El teorema de miller brinda los medios Sustituyendo valores en (7.93):
para reemplazar Y por dos admitancias: 1
C gd 2  2 pF (1  )
Y1 entre el nodo 1 y tierra, y Y2 entre el 3.87mSx1,803.28
nodo 2 y tierra.
C gd 2  2.29 pF
El teorema de miller es aplicable siempre
y cuando se conozca o pueda conocerse, CT  Cgs  Cgd1 (7.94)
la relación de voltajes entre el nodo 1 y el Sustituyendo valores en (6.94):
nodo 2 denotado por K, en donde: CT  12 pF  15.96 pF  27.96 pF
V  CT  CT RTHCT  CT Ri '
K 2 (7.87) (7.95)
V1
Sustituyendo valores en (7.95):

120
 Felipe Paz Campos 2016
 C  27.96 pFx99k  2.768s
T
Ri C1

C gd 2
 Cgd 2 RTHCgd 2  Cgd 2 xRL ' (7.96) +
RD RL
RG vgs
- gmvgs
Sustituyendo valores en (7.96):
 C  2.29 pFx1,803.28  4.13ns
gd 2 RS
Calculando wH:
1
wH  (7.97) Figura 7.5.11
 CT   Cgd 2 RTHC1  Ri  RG (7.101)
Sustituyendo valores en (7.97): Sustituyendo valores en (7.101):
1 RTHC1  Ri  RG  100k  10M  10.1M
wH   360.733krad / s
2.768s  4.13ns De la ecuación (7.100):
De la ecuación (7.76):  C1  C1RTHC1  1Fx10.1M  10.1s
360.733krad / s  C  C2 RTH
FH   57.413kHz (7.102)
2
2 C2

Para calcular esta constante de tiempo en

w
c) FL  L (7.98) el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
2 capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
Para el cálculo de w L dibujaremos el a partir de este circuito (figura 7.5.12) se
circuito equivalente, para esto se calcula la resistencia de thévenin vista por
considera las capacitancias internas del C2.
transistor como circuito abierto y se toma C2
Ri
en cuenta el efecto de los capacitores de
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este +
RD RL
circuito se muestra en la figura 7.5.10. RG vgs
C2 - gmvgs
Ri C1
+ RS
RD RL
RG vgs
- gmvgs
Figura 7.5.12
++
RS RTHC 2  RD  RL (7.103)
C3
Sustituyendo valores en (7.103):
Figura 7.5.10
RTHC 2  RD  RL  2.2k  10k  12.2k
1 1 1 De la ecuación (7.102) se obtiene:
wL    (7.99)  C2  C2 RTHC 2  6.8Fx12.2k  82.96ms
C 1
C 2
C3

 C  C1RTH (7.100)  C 3  C3 RTH 3 (7.104)

1 C1

Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.5.11) se
calcula la resistencia de thévenin vista por
C1 .
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
a partir de este circuito (figura 7.5.13) se
calcula la resistencia de thévenin vista por
C3.

121
 Felipe Paz Campos 2016
Ri  C 3  C3 RTH  10Fx144.92  1.4492ms
C3

+ De la ecuación (7.99) se obtiene:

RD RL
RG vgs wL 
1

1

1
 702.189rad / s
- gmvgs 10.1s 1.4492ms 82.96ms
De la ecuación (7.98):
RS
C3 702.189rad / s
FL   111.76 Hz
2
Figura 7.5.13 El resultado final se muestra en la figura
7.5.15.
 C  C3 RTH Para calcular RTHC 3 se abre
3 C3
|H(jw)|dB
las terminales de C3 y se coloca una
ABM=6.91 Banda media
fuente de prueba y la RTHC 3 es:
BW
vp
RTHC 3  (7.105)
ip
El circuito para calcular la ecuación 0 111.76Hz 57.44MHz
f
(7.105) se muestra en la figura 7.5.14. Figura 7.5.15
Ri
Ejemplo # 3.
+ Para el circuito mostrado en la figura 7.6,
RD RL
RG vgs calcule: a) ABM b) FH c) FL
- gmvgs Datos: β = 180 y rb = 100Ω.
RS + Cπ = 33pF y Cµ=2.7pF.
ip vp 12V
i RC
- 15kΩ R1 2.2kΩ 4.7uF
Figura 7.5.14 Ri
Vi 1kΩ 1uF RL +
+ vo 18kΩ
De la figura 7.5.14. -1/1V VCE -
vp C1 R2 -
i  i p  g m v gs  (7.106) 1kHz RE
1kΩ
RS 3.9kΩ 10uF

v gs  v p (7.107)
Figura 7.6
Sustituyendo (7.107) en (7.106) se
obtiene: Solución:
vp a.- Análisis DC
i p  gmv p  (7.108) 12Vx3.9k
RS VTH   2.48V (7.110)
15k  3.9k
Entonces:
3.9kx15k
vp RS 1 1 RTH   3.1k (7.111)
   RS // (7.109) 3.9k  15k
i p 1  g m RS 1 gm 2.48V  0.7V
 RS
gm IE   1.75mA (7.112)
3.1k
Sustituyendo valores en (7.109):  1k
181
v
RTH C 3  p  330 //
1
 144.92 12V  I C x2.2k  VCE  I E x1k (7.113)
ip 3.87mS VCE  12V  1.75mA(2.2k  1k)  6.4V
Entonces de (7.104) se obtiene:

122
 Felipe Paz Campos 2016
El punto de operación para el transistor vi ´ R'
es:  (7.120)
VCE= 6.4V e IE = 1.75mA vi R' Ri
El transistor está funcionando en la zona vo  g m RL ' r R'
activa. ( )( ) (7.121)
b.- Análisis AC. vi rb  r R' Ri
Dibujando el circuito para AC, sin Donde RL '  RC // RL  1.96k
sustituir el modelo del transistor para AC, R'  RTH //( rb  r )  1,468.33
resulta el circuito de la figura 7.6.1.
Sustituyendo valores en (7.121):
vo  67.295Sx 1.96x2,689.66 1,468.33
Ri 2.2kΩ + ( )( )
vi vO vi 100  2,689.66 1,468.33  1k
-1/1V Q RC RL
1kΩ 10kΩ vo
-  75.65
1kHz RTH
vi
3.1kΩ w
b) FH  H (7.122)
2
Figura 7.6.1 Para el cálculo de wH dibujaremos el
Sustituyendo el modelo del transistor para circuito equivalente. Este circuito
AC, en el circuito de la figura 7.6.1, equivalente es el mismo que utilizamos
resulta el circuito mostrado en la figura para calcular ABM agregando las
7.6.2. capacitancias internas del transistor. Este
Ri rb circuito se muestra en la figura 7.6.3.
Ri rb Cµ
-1/1V
+ +
vi’ RC RL vO +
RTH vπ rπ
RC RL
1kHz
- gmvπ rπ vπ
vi - Cπ
RTH -
gmvπ
Figura 7.6.2
Calculando los parámetros para AC: Figura 7.6.3
26mV 26mV 1
re    14.86 (7.114) wH  (7.123)
IE 1.75mA  C   C
r  (  1)re (7.115)  C  C RTH  (7.124)
C
Sustituyendo valores en (7.15): Para calcular esta constante de tiempo en
r  (  1)re  181x14.86  2,689.66 el circuito de la figura 7.6.3 se deja la
1 1 capacitancia Cπ y se abre la capacitancia
gm    67.295mS (7.116)
re 14.85 Cµ y a partir de este circuito (figura 7.6.4)
se calcula la resistencia de thévenin vista
v
a) ABM  o (7.117) por Cπ.
vi
vo   g m v RL ' (7.118)
vi r
v  ( ) (7.119)
rb  r

123
 Felipe Paz Campos 2016

Ri rb v  v p
i p  g mv  io  i p  g mv   0 (7.128)
RL '
v  i p Ri ' (7.129)
RTH rπ
Cπ Donde:
Ri '  ( Ri // RTH  rb ) // r  649.399  (7.130)
Sustituyendo vπ en la ecuación (7.130) se
Figura 7.6.4 obtiene:
RTHC  ( Ri // RTH )  rb  // r  649.399  (7.125) i p Ri 'v p
i p  g m i p Ri ' 0 (7.131)
De la ecuación (7.124): RL '
 C  649.399x33 pF  21.43ns Entonces:
 C  C RTH  C
(7.126) vp
 Ri ' RL ' g m Ri ' RL '
Para calcular esta constante de tiempo en ip
el circuito de la figura 7.6.3 se deja la Sustituyendo valores:
capacitancia Cµ y se abre la capacitancia vp
 649.399  1.96k  67.295Sx649.399 x1.96
Cπ y a partir de este circuito (figura 7.6.5) ip
se calcula la resistencia de thévenin vista vp
por Cµ, Además se apaga vi.  88.26k
Cµ ip
rb
De la ecuación (7.126):
Ri RTH +  C  C RTHC  2.7 pFx88.26  238.33ns
RL’
rπ vπ gmvπ Calculando wH de la ecuación (7.123):
- 1 1
wH    3.85Mrad / s
C gs
  C gd 238.33ns  21.43ns
Figura 7.6.5 Por lo tanto de la ecuación (7.122):
 C  C RTH  Para calcular RTH  se abre w 3.8Mkrad / s
FH  H   612.75kHz
2 2
C C

las terminales de Cµ y se coloca una

Calculando WH por Miller.
fuente de prueba y la RTHC es:
vp Aplicando Miller a la figura 7.6.3 se
RTHC  (7.127) obtiene la figura 7.6.7
ip
Para calcular esta resistencia se utiliza el
vπ RL’
circuito de la figura 7.6.6. Ri’
Cµ1 Cµ2
+ vp - Cπ
rb gmvπ
Ri + iO
ip
RTH RL’ Figura 7.6.7
rπ vπ
- gmvπ
1
wH  (7.132)
Figura 7.6.6 C T
  C 2
De la figura 7.6.6 de deduce: Ri '  649.399 (7.133)
RL '  1.96k (7.134)

124
 Felipe Paz Campos 2016
C1  C (1  g m RL ' ) (7.135) Ri C1 rb C2

Sustituyendo valores en (7.135) +

RC RL
C1  2.7 pF (1  67.295mSx1.96k) rπ -vπ
RTH gmvπ
C1  358.83 pF
+
RE
1 C3
C 2  C (1  ) (7.136)
g m RL '
Figura 7.6.8
Sustituyendo valores en (7.136)
1 1 1 1
C 2  2.7 pF (1  ) wL    (7.141)
67.295mSx1.96k C 1
C 2
C
3

C 2  2.72 pF  C  C1RTH (7.142)

1 C1

CT  C  C1 (7.137) Para calcular esta constante de tiempo en

Sustituyendo valores en (7.137): el circuito de la figura7.6.8 se deja el
CT  358.83 pF  33 pF  391.83 pF capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
 CT  CT RTHCT  CT Ri ' (7.138) a partir de este circuito (figura 7.6.9) se
calcula la resistencia de thévenin vista por
Sustituyendo valores en (7.138): C1 .
 CT  391.83 pFx649.399  254.4ns Ri C1 rb
 C 2  C 2 RTHC 2  C 2 xRL ' (7.139) +
RC RL
Sustituyendo valores en (7.139):
RTH rπ -vπ
 C  2.72 pFx1.96  5.3312ns gmvπ
2

Calculando wH de la ecuación (7.132): RE

1 1
wH  
 CT   C 2 254.45ns  5.3312ns Figura 7.6.9

wH  3.85Mrad / s RTHC1  Ri  RTH //( rb  r ) (7.143)

De la ecuación (7.122): Sustituyendo valores:
3.85Mrad / s RTHC1  1k  (3.1k // 2,789.66)  2,468.33
FH   612.75kHz
2 De la ecuación (7.142) se obtiene:
c) FL  L
w
(7.140)  C1  C1RTHC1  1Fx 2,468.33  2.468ms
2  C  C2 RTH (7.144)
Para el cálculo de wL dibujaremos el 2 C2

circuito equivalente, para esto se Para calcular esta constante de tiempo en

considera las capacitancias internas del
transistor como circuito abierto y se toma
en cuenta el efecto de los capacitores de
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.6.8.
el circuito de la figura 7.6.8 se deja el
capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.6.10) se
calcula la resistencia de thévenin vista por
C2.

125
 Felipe Paz Campos 2016
C2 Ri rb
Ri rb
+ RC RL
+ RC RL vπ
rπ -vπ RTH rπ
- gmvπ
RTH gmvπ +
RE ip vp
-
RE
Figura 7.6.12
Figura 7.6.10
El circuito de la figura 7.6.12 se puede
RTHC 2  RC  RL (7.145) redibujar, figura 7.6.13.
Sustituyendo valores: ib
RTHC 2  RC  RL  2.2k  18k  20.2k + RC RL
De la ecuación (7.144) se obtiene: vπ
 C2  C2 RTHC 2  4.7Fx 20.2k  94.94ms Ri` -
gmvπ
 C 3  C3 RTHC 3 (7.145) +

RE vp
Para calcular esta constante de tiempo en ip -
i
el circuito de la figura7.6.8 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y Figura 7.6.13
a partir de este circuito (figura 7.6.11) se
Ri ` ( Ri // RTH )  rb // r
calcula la resistencia de thévenin vista por
(7.147)
C3.
Ri rb vp
RTH C 3  (7.148)
+ RC ip
RL
rπ -
vπ i  i p  g mv  ib (7.149)
RTH gmvπ
C3
RE v  v p (7.150)
v
Figura 7.6.11
ib  (7.151)
Ri `
 C  C3 RTH Para calcular RTHC 3 se abre vp
3 C3
i (7.152)
las terminales de C3 y se coloca una RE
fuente de prueba y la RTHC 3 es: Sustituyendo (7.152), (7.151) y (7.150) en
vp (7.149) se obtiene:
RTHC 3  (7.146) vp v
ip  i p  g m ( v p )  ( p )
Para realizar el cálculo de la ecuación RE Ri `
(7.146) se utiliza el circuito de la figura vp 1
7.6.12.   Ri `// RE // re
ip 1 1 1
 
Ri ` RE re
RTHC 3  649.399 // 1k // 14.86  14.32

De la ecuación (7.145):

126
 Felipe Paz Campos 2016
 C  C3 RTH  10Fx14.32  0.1432ms
3 C3 IE2 12V
VCC
RC + RE2
De la ecuación (7.141) se obtiene: I V1 1.8kΩ
1 1 1 R1 2.2kΩ
wL    1kΩ -
C C C Q2
1 2 3
IB2
1 1 1 Q1
wL    IE1 RL
0.1432ms 2.468ms 94.94ms 10kΩ
wL  7,398.96rad / s R2
1kΩ RE1
De (7.140) resulta: 5.3kΩ
7,398.96rad / s
FL   1,177.58Hz
2 Figura 7.7.1
El resultado final se muestra en la figura Aplicando Thévenin entre la base de Q1 y
7.6.14. el punto común en la figura 7.7.1.
R xV (1k)(12V )
|H(jw)|dB VTH  2 CC   6V (7.153)
Banda media
R1  R2 1k  1k
ABM=75.65
R xR (1k)(1k)
BW
RTH  2 1   0.5k (7.154)
R1  R2 1k  1k
VTH  I B1RTH  VBE  I E1RE1 (7.155)
0 1,177.58Hz 612.75kHz I
f Sustituyendo I B1  E1 en la ecuación
Figura 7.6.14  1
Ejemplo #4. (7.155) se obtiene:
Para el circuito mostrado en la figura 7.7, I
calcule: a) ABM b) FH c) FL. VTH  E1 RTH  VBE  I E1RE1 (7.156)
 1
Datos: β = 200, rb = 0Ω, Cπ1 = 15pF,
Cµ1=2pF, Cπ2 = 33pF y Cµ2=2.7pF. Despejando I E1 se obtiene :

VCC VTH  VBE

RE2 12V I E1  (7.157)
RC RTH
R1
1.8kΩ  RE1
2.2kΩ C3  1
1kΩ 10uF
Q2 Sustituyendo valores en (7.157):
C2 V  VBE 6V  0.7V
C1
Q1
1uF 1kΩ
+
RL I E1  TH   1mA
vo 10kΩ RTH 0.5k
R2 vi -  RE1  5.3k
10uF RS  1 200  1
1kΩ RE1 1kHz
5.3kΩ
Aplicando LKV en malla que involucra
-1/1V VCE1 y con un valor de IB2 despreciable
Figura 7.7
se obtiene:
Solución: VCC  IRC  VCE1  I E1RE1 (7.158)
a.- Análisis DC Con I = IE1 resulta:
Circuito para DC, figura 7.7.1. VCE1  VCC  I E1 ( RC  RE1 ) (7.159)
Sustituyendo valores en (7.159):
VCE1  12V  1mA(7.5k)  4.5V

127
 Felipe Paz Campos 2016
El punto de operación para Q1 es: 26mV 26mV
VCE1 = 4.5V e IE1 = 1mA. re1    26 (7.163)
I E1 1mA
El transistor está funcionando en la zona
26mV 26mV
activa, comportándose como un re 2    31.21 (7.164)
amplificador. I E2 0.833mA
Para la segunda etapa se obtiene: r 1  (  1)re1 (7.165)
V1  IxRC  1mA(2.2k)  2.2V (7.160) Sustituyendo valores en (7.165):
2.2V  0.7V r 1  (   1)re1  201x26  5,226
IE2   0.833mA (7.161)
1.8k r 2  (  1)re 2 (7.166)
VEC 2  12V  0.833mA(11.8k)  2.2V (7.162) Sustituyendo valores en (7.166):
Entonces: VCE2 = -2.2V. r 2  (   1)re 2  201x31.21  6,273.21
El punto de operación para Q2 es: 1 1
VCE2 = -2.2V e IE2 = 0.833mA. g m1    38.46mS (7.167)
El transistor está funcionando en la zona re1 26
activa, comportándose como un 1 1
g m2    32.04mS (7.168)
amplificador. re 2 31.21
b.- Análisis AC. Calculando las variables solicitadas.
Dibujando el circuito para AC, sin v
sustituir el modelo del transistor para AC, a) ABM  o (7.169)
vi
resulta el circuito de la figura7.7.2.
Para el cálculo de la ecuación (7.169) se
puede realizar calculando las ganancias
RC
2.2kΩ por etapas y el producto de estas
Q2 ganancias es la ganancia esperada,
ecuación (7.170).
Q1 RS + RL
10kΩ v v v v'
1kΩ vo ABM  o  ( o )( o1 )( i ) (7.170)
-
vi vi vo1 vi ' vi
RE1 1kHz
vo   g m 2v 2 xRL (7.171)
5.3kΩ
vO1 xr 2
v 2  (7.172)
-1/1V rb  r 2
Figura 7.7.2 Sustituyendo la ecuación (7.172) en
Sustituyendo el modelo del transistor para (7.171) se obtiene:
vo r
AC, en el circuito anterior, figura 7.7.2   g m 2 RL (  2 ) (7.173)
resulta el circuito de la figura 7.7.3. vo1 rb  r 2
Sustituyendo g m 2 r 2    1 en la
rb rb
ecuación (7.173) y dividiendo numerador
+ + + rπ2 + y denominador por este mismo factor se
vπ1 rπ vO1 RC vπ2 RL
1
gm1vπ1 - vo obtiene:
- RS gm2Vπ2 -
vi
- vo  RL (7.174)
+

RE1 1kHz
vo1 rb
vi’ r
- -1/1V   1 e2
Figura 6.7.3 Sustituyendo valores en (7.174):
Calculando los parámetros para AC:

128
 Felipe Paz Campos 2016
vo  10k wH
  320.41 b) FH  (7.181)
vo1 0 2
 31.21
201 Para el cálculo de wH dibujaremos el
vo1   g m1v 1 xRC //( rb  r 2 ) (7.175) circuito equivalente. Este circuito
 vi ' xr 1 equivalente es el mismo que utilizamos
v 1  (7.176) para calcular ABM agregando las
rb  r 1 capacitancias internas de los transistores.
Sustituyendo (7.176) en (7.175) se Este circuito se muestra en la figura 7.7.4.
obtiene:
vo1
  r
 g m1 RC //( rb  r 2 ) (  1 ) (7.177)
rb  r 1
rb Cµ1 rb Cµ2
vi ' vπ1 + RC + RL
r
- π1
Cπ1 gm1vπ1 vπ2 r C gm2vπ2
Sustituyendo g m1r 1    1 en la - π2 π2
vi
ecuación (7.177) y dividiendo numerador RE1 Rs 1kHz

y denominador por este mismo factor se -1/1V

obtiene:
vo1 R //( rb  r 2 ) Figura 7.7.4
 C (7.178)
vi ' rb
r wH 
1
  1 e1  C   C   C 1   C 2
(7.182)
Sustituyendo valores en (7.178): 1 2

vo1 2.2k //( 0  6,273.21)  C  C 1RTH  (7.183)


1 C 1

vi ' 0 Para calcular esta constante de tiempo en

 26 el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
201
vo1 1,628.79 capacitancia Cπ1 y se abren las
  62.646 capacitancias Cπ2 , Cµ1 y Cµ2 y a partir de
vi ' 26
este circuito (figura 7.7.5) se calcula la
 r r  resistencia de thévenin vista por Cπ1.
vi x  RE1 //( b  1 )
  1 
vi ' (7.179)
 rb  r 1  re1
 RE1 //(   1 )  RS Rs RE1 Cπ1
 
rb  r 1
RE1 //( )
vi '  1
 (7.180) Figura 7.7.5
vi  rb  r 1 
 RE1 //(   1 )  RS RTHC 1  RE1 // Rs // re1 (7.184)
  Sustituyendo valores en (7.184):
Sustituyendo valores en (7.180): RTHC 1  RE1 // Rs // re1  5.3k // 1k // 26
vi ' 25.873
  25.22m RTHC 1  25.22
vi 25.873  1k
De la ecuación (7.183):
Sustituyendo valores en la ecuación
(7.170) se obtiene:  C 1  25.22x15 pF  0.3783ns
vo  C  C1RTH  (7.185)
 (320.41)(62.646)(25.22m)  506.23 1 C 1

vi Para calcular esta constante de tiempo en

v el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
ABM  o  506.23 capacitancia Cµ1 y se abre la capacitancia
vi

129
 Felipe Paz Campos 2016
Cπ1, Cπ2 y Cµ2 y a partir de este circuito Cπ1, Cπ2 y Cµ1 y a partir de este circuito
(figura 7.7.6) se calcula la resistencia de (figura 7.7.8) se calcula la resistencia de
thévenin vista por Cµ1, Además se apaga thévenin vista por Cµ2, Además se apaga
vi. vi.
Cµ2
rb rb
+
RC rπ2 RL
RC rπ2 vπ2
gm2vπ2
Cµ1
gm1vπ1 -

Figura 7.7.6 Figura 7.7.8

RTHC1  RC //( rb  r 2 ) (7.186)  C 2  C 2 RTH  C 2

(7.190)
Sustituyendo valores en (7.186): Para calcular RTHC 2 se abre las terminales
RTHC 1  RC //( rb  r 2 )  2.2k // 6,273.21
de Cµ2 y se coloca una fuente de prueba y
RTHC 1  1,628.79 la RTHC 2 es:
De la ecuación (7.185) se obtiene: vp
 C1  C1RTHC1  2 pFx1,628.79  3.2576ns RTHC 2  (7.191)
ip
 C  C 2 RTH 
2 C 2
(7.187) El circuito para realizar el cálculo de la
Para calcular esta constante de tiempo en ecuación (7.191) se muestra en la figura
el circuito de la figura 7.7.4 se deja la 7.7.9.
capacitancia Cπ2 y se abren las ip
capacitancias Cπ1 , Cµ1 y Cµ2 y a partir de io
+ + vp -
este circuito (figura 7.7.7) se calcula la
Ri’ gm2vπ2 RL
resistencia de thévenin vista por Cπ2. vπ2
rb -

RC rπ2 Cπ2 Figura 7.7.9

vp
RTH C 2  (7.192)
ip
v 2  v p
Figura 7.7.7 i p  g m 2v 2  io  i p  g m 2v 2   0 (7.193)
RL
RTHC 2  ( RC  rb ) // r 2 (7.188)
v 2  i p Ri ' (7.194)
Sustituyendo valores en (7.188):
RTHC 2  (2.2k  0) // 6,273.21  1,628.79 Donde:
Ri '  ( RC  rb ) // r 2  1,628.79 (7.195)
De la ecuación (7.187) se obtiene:
Sustituyendo (7.194) en la ecuación
 C 2  1,628.79x33 pF  53.75ns
(7.193) se obtiene:
 C  C 2 RTH  (7.189) i p Ri 'v p
i p  g m 2 i p Ri '  0 Entonces:
2 C 2

Para calcular esta constante de tiempo en RL

el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
capacitancia Cµ2 y se abre la capacitancia

130
 Felipe Paz Campos 2016
vp calcula la resistencia de thévenin vista por
 Ri ' RL  g m 2 Ri ' RL (7.196) C1 .
ip rb
rb
Sustituyendo valores:
vπ1 + RC vπ2+ rπ2
vp rπ1 RL
 1,628.79  10k  32.04mSx1,628.79x10k - gm1vπ1 - gm2vπ2
ip C1
Rs
vp RTH RE1 RE2
 533.49k
ip
Figura 7.7.11
De la ecuación (7.190) se obtiene:
 C 2  C 2 RTHC 2  2.7 pFx533.49k  1,440ns RTHC1  RTH // rb  r 1  (  1)(RE1 // Rs ) (7.200)
Calculando wH de la ecuación (7.182): De la ecuación (7.199) resulta:
1  C1  C1RTHC1  10Fx 498.57  4.9857ms
wH 
 C 1   C 2   C 1   C 2  C  C2 RTH (7.201)
2 C2

1 Para calcular esta constante de tiempo en

wH 
0.3783ns  53.75ns  3.2576ns  1,440ns el circuito de la figura 7.7.10 se deja el
wH  667.83krad / s capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.7.12) se
Por lo tanto de (7.181) se obtiene: calcula la resistencia de thévenin vista por
w 667.83krad / s
FH  H   106.29kHz C2.
2 2 rb rb
w +
vπ2+
c) FL  L (7.197) vπ1
rπ1 RC RL
2 - gm1vπ1 - rπ2 gm2vπ2
Para el cálculo de wL dibujaremos el
RTH Rs
circuito equivalente, para esto se RE1 C2 RE2
considera las capacitancias internas del
transistor como circuito abierto y se toma Figura 7.7.12
en cuenta el efecto de los capacitores de r 1
RTH C 2  RS  ( RE1 // ) (7.202)
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este  1
circuito se muestra en la figura 7.7.10. Introduciendo valores en (7.202):
rb rb
r
vπ1 + RC vπ2+ rπ2 RTH C 2  RS  ( RE1 //  1 )  1k  (5.3k // 26)
rπ1 RL  1
- gm1vπ1 - gm2vπ2
C1 RTH C 2  1,025.87
R
RTH RE1C2 s RE2 De la ecuación (7.201) se obtiene:
C3
 C2  C2 RTHC 2  1Fx1025.87  1.026ms
Figura 7.7.10
 C 3  C3 RTH 3 (7.203)
1 1 1
wL    (7.198) Para calcular esta constante de tiempo en
C 1
C 2
C 3 el circuito de la figura 7.7.10 se deja el
 C  C1RTH
1 C1
(7.199) capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
Para calcular esta constante de tiempo en a partir de este circuito (figura 7.7.13) se
el circuito de la figura 7.7.10 se deja el calcula la resistencia de thévenin vista por
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y C3.
a partir de este circuito (figura 7.7.11) se

131
 Felipe Paz Campos 2016
rb rb Cgs = 10pF; Cgd=2pF.
+ RC + VDD
vπ1 vπ2 rπ2
rπ1 RL 20V
- gm1vπ1 - gm2vπ2
RD C2
Rs 1.8kΩ 2.2uF
RE1 RE2 C1
RTH C3 Ri 1uF
vi +
RL
Figura 7.7.13
-1/1V
100kΩ vo 18kΩ
RG -
Rc  rb  r 2 1kHz 10MΩ Rs C3
RTHC 3  ( ) // RE 2 (7.204) 330Ω 10uF
 1
Introduciendo valores en (7.204): Figura P7.1
2.2k  6,273.21
RTHC 3 ( ) // 1.8k  41.19 7.2 Para el circuito mostrado en la figura
201
P7.2, calcule: a) ABM b) FH c) FL
De la ecuación (7.203) se obtiene:
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V;
 C3  C3 RTHC 3  10Fx 41.19  0.4119ms
Cgs = 10pF; Cgd=2pF.
20V
C3
De la ecuación (7.198) se obtiene: RD
2.2kΩ 6.8uF
1 1 1 vi Ri C1
wL     3,603rad / s -500m/500mV RL
+
1.026ms 4.9857ms 0.4119ms 100kΩ 1uF 10kΩ vo
De la ecuación (7.197): 1kHz RG -
10MΩ
Rs C2
3,603rad / s 330Ω 10uF
FL   573.44Hz
2 R2
El resultado final se muestra en la figura C4=∞
2.2kΩ
7.7.14. RE
R1 2.2kΩ
|H(jw)|dB 2.2kΩ
-5V
Banda media
Figura P7.2
ABM=506.23

BW 7.3 Para el circuito mostrado en la figura

P7.3, calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V;
0 573.44Hz 106.29kHz
Cgs = 10pF; Cgd=2pF.
f VDD
Figura 7.7.14 18V

PROBLEMAS RG1
vi C1 1MΩ
-1/1V
Ri 1uF
7.1 Para el circuito mostrado en la figura C2
10kΩ
P7.1, calcule: a) ABM b) FH c) FL 1kHz RG2 +
1MΩ RS 1uF v RL
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V; 1.2kΩ o 1.2kΩ
-

Figura P7.3

132
 Felipe Paz Campos 2016
7.4 Para el circuito mostrado en la figura 7.7 Para el circuito mostrado en la figura
P7.4, calcule: a) ABM b) FH c) FL. p7.7, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: β = 200, rb = 100Ω, Cπ = 15pF, Datos: β = 200, rb = 0Ω, Cπ1 = 15pF,
Cµ=2pF. Cµ1=2pF, Cπ2 = 33pF y Cµ2=2.7pF.
12V 12V
RC RC C3
C3 R1 2.2kΩ 2.2uF
R1 2.2kΩ 2.2uF
1kΩ
Ri 1uFC1 1kΩ + +
vo R
Q2
vi L RL
-1/1V 2.2kΩ C4 vo
-
10uF R2 2.2kΩ
1kΩ -
vi 1kΩ
1kHz R2 RE C2 -1/1V
1kΩ 10uF Ri 1uF Q1
5.6kΩ
C1 R3 C2
1kHz 1kΩ 2.2kΩ RE
5.6kΩ 10uF
Figura P7.4
7.5 Para el circuito mostrado en la figura
Figura P7.7
P7.5, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: β = 200, rb =100Ω, Cπ = 15pF, 7.8 Para el circuito mostrado en la figura
Cµ=2pF. P7.8, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
12V
Datos: β = 200, rb =0Ω, Cπ1 = 10pF,
R1 Cµ1=2pF, Cπ2 = 33pF y Cµ2=2.5pF.
1kΩ VCC
vi C1
Ri RE2 12V
-1/1V C2 RC
2.2uF 1.8kΩ
1kΩ 1uF R1
1kHz R2 RE 1kΩ
2.2kΩ C3
1kΩ + 6.8uF
5.6kΩ RL Q2
vo 2.2kΩ
C2
- Q1 +
C1 1uF 1kΩ vo RL
Figura P7.5 8.2kΩ
R2 vi -
7.6 Para el circuito mostrado en la figura 100uF RS
1kΩ RE1 1kHz
P7.6, calcule: a) ABM b) FH c) FL. 5.3kΩ
Datos: β = 200, rb = 0Ω, Cπ = 15pF,
-1/1V
Cµ=2pF. Figura P7.8
12V

RC C3
R1 2.2uF
2.2kΩ
1kΩ
+
Q1 C 1 Ri vo RL
1uF 2.2kΩ
C2 1kΩ -
10uF R2 vi
1kΩ
RE 1kHz
5.6kΩ

-1/1V
Figura p7.6

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