Dispositivos electrónica de potencia:

GTO, MOSFET, IGBT, UPS y fuentes conmutadas

Mario Serrano, Diego Velázquez, Jessica López
Ingeniería electrónica, Universidad de los Llanos
Electrónica industrial
mario.serrano@ unillanos.edu.co
diego.velasquez.torres@unillanos.edu.co
jessica.lopez@unillanos.edu.co

I. INTRODUCCIÓN En el año 2006 los estudiantes de

La electrónica es de gran importancia en la
sociedad y por supuesto en la industria en
general, los diferentes implementos la utilizan en
la mayoría de los campos productivos, como
instrumentación, biomedicina, control,
industrial, etc.
Ciertamente la electrónica de potencia es la
unión o combinación de la energía, el control y
la electrónica; que son utilizadas en diferentes
empresas, fábricas y edificaciones en donde
deben controlar múltiples funciones con equipos
de alta potencia.
Con el paso de los tiempos ha habido un
desarrollo en los diferentes dispositivos
industriales; el Triac los cuales son tiristores
bloqueables por puerta (GTO) y los transistores
bipolares de potencia (BJT), transistores de
efecto de campo de potencia (MOSFET),
transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y
tiristor conmutado puerto integrado (IGCT);
también se utilizan las UPS y fuentes
conmutadas.
A continuación se presentan algunos trabajos
que sirvieron como referencia
especialización de física general de la
universidad del atlántico, realizaron un artículo
sobre el diseño y construcción de una fuente de
descargas pulsadas de alto voltaje en donde se
estudió espectral de gases nobles ionizados, con
el fin de estudiar el espectro de átomos mediana
y altamente ionizados, usaron la fuente
conmutada como fuente espectral no-
convencional para generar especies atómicas, y
dado su uso primordial, describen la
construcción de la fuente así como algunos
parámetros de operación. [1]
En la página de electrónica fácil el autor N.
MOHAN, T. M. UNDELAND and W. P.
ROBBINS. Publicaron un artículo de fuente
conmutada el cual describen el paso a paso el
funcionamiento de la fuente, con el fin de dar
las los conocimientos para la creación dl
dispositivo teniendo en cuenta los voltajes de
trabajo la potencia de consumo. [2]
Salazar, García y Ortiz diseñaron y fabricaron
un transconductor bipolar tanh / de tipo senh
con la máxima función linealidad de
transferencia estática, con una función analítica
que corresponde a la no linealidad integral del
circuito [3]
Estudiantes de la universidad de Seúl en el año
2017 realizaron una publicación la respuesta
con un sensor iones de mercurio para un rango
de detención; con un mofet el cual tiene FG
(puereta flotante) y CG (un control de puerta)
en la dirección necesaria. [4]
En el año 2011 estudiantes realizaron una
publicación para la revista IEEE en la cual
realizaron un modelo acerca de una simulación
digital del sistema utilizando el dispositivo
GTO con un pulso de conversor de voltaje de
fuente; para el rendimiento en los esquemas de
los FACTS son conectadas a una red de
aproximadamente 500 kV y simulación digital.
[5]
En el apartado A, del documento sobre
transistores de potencia, respecto al
funcionamiento y uso de estos transistores, son
similares a los transistores de uso común, pero
teniendo especificaciones más altas tanto en
potencia como en disipación de la misma. Estos
dispositivos, en electrónica de potencia son
comúnmente utilizados como interruptores de
control,
Una limitación importante de todos los
dispositivos de potencia y en concreto, en los
transistores bipolares, es que el paso de corte y
saturación no se hace de manera instantánea,
sino que siempre hay un retardo (Ton, Toff).
Las causas fundamentales de estos retardos son
las capacidades asociadas a las uniones colector
- base y base - emisor y los tiempos de difusión
y recombinación de los portadores.
Los transistores tienen la ventaja de que son
totalmente controlados. Los tipos de
transistores utilizados en los circuitos
electrónicos de potencia incluyen los
transistores BJT, los MOSFET y dispositivos
híbridos, como, por ejemplo, los transistores de
unión bipolar de puerta aislada (IGBT)
Hay una generalización de transistores de
potencia según su tipo, donde se puede
encontrar características como corrientes
máximas, tensiones de ruptura, curvas de
potencia máxima, polarización, corrientes de
drenaje, resistencia en conducción, área de
operación segura. [6]
En el documento desarrollado en la unresco,
sobre dispositivos de alimentación
ininterrumpida, la red de distribución eléctrica
de baja tensión, en ausencia de cargas
conectadas presentaría, una onda de tensión de
buena calidad que solo se vería perturbada
ocasionalmente, por fallos en las líneas y
centros de transformación, maniobras y
descargas eléctricas atmosféricas
principalmente.
Los usuarios, al conectar cargas de diversos
tipos y magnitudes, someten a la red a la
influencia de éstas, las cuales pueden alterar la
onda de tensión con efectos tales como caídas
permanentes o transitorias excesivas,
sobrecorrientes y sobretensiones en las paradas
de equipos, entre otras perturbaciones.
Si bien puede que los equipos particulares de
una instalación operen correctamente, las
alteraciones o anomalías que estos producen en
la línea, pueden afectar o dañar los dispositivos
conectados en una instalación vecina conectada
al mismo alimentador o empalme. Por lo cual
cada usuario debería evaluar las características
de la energía requerida por los equipos,
protegiendo de acuerdo a los requerimientos
particulares de las cargas que a su criterio
cumplen con tareas críticas para el normal
funcionamiento de los mismos. [7]
 II. DESARROLLO
- Facilidad de extracción de portadores
 GTO (Gate Turn-Off Thyristor) por el terminal de puerta – esto es
posible debido al uso de impurezas con
Son dispositivos semiconductores de
alta movilidad.
electrónica de potencia, pueden ser encendidos
- Rápida desaparición de portadores en
por un solo pulso de corriente positiva en el
las capas centrales – uso de impurezas
gate (G) y puede ser apagado al aplicar un
con bajo tiempo de recombinación. Esto
pulso de corriente negativa en el mismo
indica que un GTO tiene una mayor
terminal. Está compuesto por materiales de tipo
caída de tensión en conducción,
semiconductor, el cual dependiendo su
comparado a un SCR de dimensiones
temperatura, funciona como aislante o como
iguales.
conductor. Suelen tener bajas perdidas en la
- Soportar tensión inversa en la unión
conducción y se utiliza en aplicaciones para el
puerta-cátodo, sin entrar en avalancha –
sector industrial; también son utilizados para
menor dopado en la región del cátodo.
convertidores de alto voltaje y potencia; así
- Absorción de portadores de toda la
mismo para de baja frecuencia y media.
superficie conductora – región de
puerta-cátodo con gran área de contacto.

La corriente solo puede circular de ánodo a

cátodo pero no en sentido opuesto, genera
rango de tensión y corrientes pequeños que los
SCR.
Imagen 1. Esquema Tiristor GTO

Principio de funcionamiento

El GTO tiene cuatro capas con capacidad de entrar

en conducción y bloquearse a través de señales
adecuadas en el terminal del G.

Imagen 3. Característica estática del GTO

La ganancia se calcula:

Imagen 2. Funcionamiento GTO

El funcionamiento como GTO depende, de
factores como:
Para cortar el GTO la corriente soportable por
la puerta, debe ser lo mayor posible, por eso
α2=1 (lo mayor posible) y α1=0 (lo menor
posible):
En donde:

α2=1 implica que la capa de control sea
estrecha y poco dopada; y que su capa catódica
este muy dopado.
α1=0 implica que la capa de bloqueo sea ancha
y tenga una vida media de los huecos muy
corta.
CARACTERÍSTICAS
- El disparo se realiza mediante VGK>0
- El bloqueo se realiza con VGK<0
“El GTO es, por tanto, apropiado para algunas
aplicaciones en las que es necesario controlar
tanto la activación como la desactivación del
interruptor. La corriente negativa en el GTO
puede ser muy breve (unos pocos
microsegundos), pero su magnitud debe ser
muy grande comparada con la corriente de
activación. Generalmente, la corriente de
desactivación de puerta es un tercio de la
corriente de ánodo en estado de conducción” [6]
APLICACIONES
- Trocadores y convertidores
- Control de motores asíncronos
- Inversores
- Rectificadores
- Control de motores
- Tracción eléctrica
VENTAJAS
- Desactivación rápida permitiendo que la
frecuencia de conmutación sean más
altas.
- Eliminación de los componentes
auxiliares en la comunicación forzada,
siendo un resultado con reducción de
costo, peso y volumen.
- Eliminación del ruido acústico y
electromagnético.
DESVENTAJAS
- La corriente de puerta tiene que ser
mucho mayor por lo que el generador
debe estar más dimensionado.
 MOSFET (Metal-oxide-
semiconductor Field-effect
transistor)
El transistor MOSFET es utilizado para
amplificar y/o conmutar las señales eléctricas.
Existen dos tipos de transistores MOS:
MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de
canal P o PMOS. A su vez, estos transistores
pueden ser de acumulación (enhancement) o
deplexion (deplexion);
ESTRUCTURA MOS
La estructura MOS cuenta con dos terminales y
tres capas: substrato de silicio, p o n, en donde
se genera una capa de SiO2 (Oxido de silicio) y
presenta una alta impedancia de entrada. La
siguiente capa es de metal con características
conductoras, y en la inferior un contacto
óhmico, conectado con la capsula.
Imagen 4. Estructura MOS
Según los valores de VGS, se dice que cuando:
1. VGS=0. En estas condiciones, no existe
efecto campo y no se crea el canal de e-,
debajo de la Puerta. Las dos estructuras
PN se encuentran cortadas (B al
terminal más negativo) y aisladas. IDS=0
aproximadamente, pues se alimenta de
las intensidades inversas de saturación.
2. La tensión VGS>0, se crea la zona de
empobrecimiento en el canal. Se genera
una carga eléctrica negativa e– en el
canal, debido a los iones negativos de la
red cristalina (similar al de una unión
PN polarizada en la región inversa),
dando lugar a la situación de inversión
débil anteriormente citada. La
aplicación de un campo eléctrico lateral
VDS>0, no puede generar corriente
eléctrica IDS.
3. La tensión VGS>>0, da lugar a la
inversión del canal y genera una
población de e– libres, debajo del óxido
de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se
forma el canal n o canal de electrones,
entre el drenador y la fuente (tipo n+)
que, modifica las características
eléctricas originales del sustrato. Estos
electrones, son cargas libres, de modo
que, en presencia de un campo eléctrico
lateral, podrían verse acelerados hacia
drenador o surtidor.
TIPOS DE MOSFET
- MOSFET de empobrecimiento
Tienen buen campo en amplificadores
de señales débiles en altas frecuencias o
radio-frecuencia, gracias a su baja
capacidad de entrada.
Canal conductor en estado de reposo, se
desaparece por la aplicación de la
tensión eléctrica en la compuerta,
ocasionando un disminución en el
portador de carga y respectiva en la
conductividad.
- MOSFET de enriquecimiento
Incremento en la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga, en la región
correspondiente a la carga.
Se enfoca más en circuitos digitales y
construcción de circuitos integrados, ya
que consumo es pequeño y el espacio
reducido.
- Si el MOSFET es de canal n
(NMOS) entonces las regiones de
dopado para el surtidor y el drenador
son regiones 'n+' y el sustrato es una
región de tipo 'p'.
- Si el MOSFET es de canal p
(PMOS) entonces las regiones de
dopado para el surtidor y el drenador
son regiones 'p+' y el sustrato es una
región de tipo 'n'.
- El surtidor se denomina así porque es la
fuente de los portadores de carga
(electrones en el canal n, huecos en el
canal P que fluyen a través del canal; de
forma similar, el drenador es el punto en
el cual los portadores de carga
abandonan el canal.
Imagen 5. Símbolos del MOSFET de tipo N y
tipo P
CARACTERÍSTICAS
- Máxima tensión drenador-fuente
Corresponde a la tensión de ruptura de
la unión que forman el substrato (unido
a la fuente) y el drenador. Se mide con
la puerta cortocircuitada a la fuente. Se
especifica a qué pequeña circulación de
corriente corresponde (por ejemplo,
0,25 mA). Ayuda a clasificar los
MOSFETS en:
 Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V,
55 V, 60 V, 80 V
 Media tensión: 100 V, 150 V,
200 V, 400 V
 Alta tensión: 500 V, 600 V, 800
V, 1000 V
La máxima tensión drenador-fuente de
representa como VDSS o como V
(BR)DSS.
- Máxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al
menos):
 Corriente continua máxima ID
 Corriente máxima pulsada IDM
La corriente continua máxima
ID depende de la temperatura de la
cápsula Por ejemplo: a 100ºC,
ID=23·0,7=16,1A
- Resistencia en conducción
Es uno de los parámetros más importantes
en un MOSFET. Cuanto menor sea,
mejor es el dispositivo.
Se representa por las letras RDS (on).
Para un dispositivo particular, crece con
la temperatura; para un dispositivo
particular, decrece con la tensión de
puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
Comparando distintos dispositivos de
valores de ID semejantes, RDS (on) crece
con el valor de VDSS.
En los últimos tiempos se han mejorado
sustancialmente los valores de RDS (on) en
dispositivos de VDSS relativamente alta
(600-1000 V).
- Tensiones umbral y máximas de
puerta
La tensión puerta fuente debe alcanzar un
valor umbral para que comience a haber
conducción entre drenador y fuente. Los
fabricantes definen la tensión umbral VGS
(TO) como la tensión puerta-fuente a la que
la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1
mA Las tensiones umbrales suelen estar
en el margen de 2-4 V.
La tensión umbral cambia con la
temperatura.
La máxima tensión soportable entre
puerta y fuente es típicamente de ± 20V.
- Velocidad de conmutación
Los MOSFET de potencia son más
rápidos que otros dispositivos usados en
electrónica de potencia (tiristores,
transistores bipolares, IGBT, etc.).
Los MOSFET de potencia son
dispositivos de conducción unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida
no están asociados al aumento de la
concentración de portadores
minoritarios, que luego son difíciles de
 eliminar para que el dispositivo deje de
conducir.
La limitación en la rapidez está asociada
a la carga de las capacidades parásitas
del dispositivo. Se pueden distinguir
esencialmente tres:
 Capacidad de lineal, CGS
 Capacidad de transición, CDS
 Capacidad Miller, no lineal,
CDG (muy importante)
Los fabricantes de MOSFET de
potencia suministran información de
tres capacidades distintas de las
anteriores, pero relacionadas con ellas:
 Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0
(aproximadamente capacidad de
entrada)
 Crss = Cdg (capacidad Miller)
 Coss = Cds +
Cdg (aproximadamente
capacidad de salida)
La carga y la descarga de estas
capacidades parásitas generan pérdidas
que condicionan las máximas
frecuencias de conmutación de los
MOSFET de potencia.
VENTAJAS
- Los circuitos no necesitan resistencia
- Velocidad de conmutación alta
- Consumo en modo estático muy bajo.
- Tamaño inferior al transistor bipolar
DESVENTAJAS
- La potencia que se maneja es bastante
reducida.
- La resistencia en conducción varía
considerablemente en la temperatura.
APLICACIONES
- Resistencia controlada por tensión
- Circuitos de conmutación de potencia
- Mezcladores de frecuencia
 TRANSISTORES IGBT:
Los transistores de unión bipolar de puerta
aislada o IGBT son un tipo de transistor
utilizado en altas potencias que combina las
ventajas de los Transistores BJT y MOSFET.
Tienen una alta impedancia de entrada como
los MOSFET, y bajas perdidas de conducción
en estado activo como los BJT, pero no
presentan ningún problema de ruptura
secundaria. Mediante su diseño y estructura, la
resistencia equivalente drenaje a fuente RDS, se
controla para que se comporte como un BJT.
La sección transversal de silicio de un IGBT es
idéntica a la del MOSFET, excepto en el
substrato p+. Sin embrago, el comportamiento
de un IGBT es más cercano al BJT, por el
substrato p+, responsable de la inyección de
portadores minoritarios en la región n.
Imagen 6. Esquema de semiconductor IGBT
 Imagen 7. Símbolo esquemático del transistor IGBT
Imagen 10. Configuración interna del IGBT
El IGBT es un dispositivo controlado por
voltaje, como los MOSFET de alta potencia.
Tiene menores pérdidas de conducción y
conmutación; es más rápido que un BJT, sin
embargo, la velocidad de conmutación de un
IGBT es menor a la de un MOSFET.
Posee 3 terminales: compuerta (G), colector (C)
y emisor (E). las especificaciones de un IGBT
pueden llegar hasta 400 A, 1200 V, y la
frecuencia de conmutación hasta de 20 kHz.

Imagen 11. Curva característica de un transistor IGBT

Sus usos están más enfocados a aplicaciones de

potencia media como propulsores para motores
DC o AC, fuentes de alimentación, relevadores
de estado sólido, contactores, entre otros.

Fuente de alimentación no interrumpible

Imagen 8. Simbología IGBT representativa con
MOSFET y BJT
Imagen 9. Simbolo electrónico del transistor IGBT
(UPS):
Son dispositivos que permiten estabilizar la
energía eléctrica y asegurar el funcionamiento
de un equipo en caso de que se produzca un
corte de energía en el suministro de la red
doméstica o industrial. Esto se consigue gracias
al empleo de una batería que se activa en el
momento que se detecta una caída de tensión, o
una sobretensión, asegurando que no tendremos
pérdida de datos y dando el tiempo necesario
para asegurar nuestros datos o archivos
mientras se estabiliza la red.
Un problema en la red que puede activar la
UPS, puede tener diversas patologías, como
son:
- Corte de suministro
- Subidas o Bajadas de tensión
- Ruido eléctrico
Una UPS suministrará electricidad a una PC o
servidor cuando se produzca un fallo en el
suministro de energía eléctrica, permitiendo que
el/los usuario/s continúen trabajando durante
varios minutos (los que permita la reserva de la
batería de la UPS), dando tiempo a éstos a
cerrar sus archivos y apagar la red de una forma
ordenada hasta que se restablezca el suministro
eléctrico.
El funcionamiento básico de estos equipos es
que ante un fallo del suministro eléctrico, se
utiliza la energía eléctrica almacenada en las
baterías.
Clases de UPS:
a) UPS Offline: Modelo más sencillo
adquirible, ya que no posee ningún tipo de
protección frente a variaciones de tensión,
por lo que solo ofrece protección frente a
cortes de suministro eléctrico. no es
recomendable utilizarla, y está siendo cada
vez menos utilizada.
Imagen 12. Esquema de funcionamiento de UPS offline
b) UPS Interactivo: Es el modelo más común
y el más recomendable. Además de ofrecer
un backup de batería cuando no haya
suministro de energía, el dispositivo inline
incorpora un filtro para reducir en gran
parte los problemas con origen en subidas
y bajadas, así como ruido.
Imagen 13. Esquema de funcionamiento de UPS
interactivo con transformador
c. UPS Online: Es el sistema más
completo de todos ya convierte la
energía entrante en energía limpia,
filtrada a través de un proceso de
transformación donde la energía
entrante es rectificada y filtrada,
convirtiéndola en corriente directa, para
luego convertirla de nuevo a corriente
AC, pero totalmente filtrada. Cuenta
con la mayor estabilidad, debido a su
diseño robusto y claramente tiene un
precio superior a las demás.
Imagen 14. Esquema básico de un sistema UPS online
estable
Forma de onda y potencia:
Si bien el suministro de energía eléctrica es de
110 VAC - 60 Hz siendo la forma de onda de la
tensión senoidal, los circuitos electrónicos
como los integrados en la mayoría de las UPS
generan con más facilidad ondas que cambian
abruptamente de polaridad. No obstante, el
tema de si la onda suministrada por los sistemas
de energía de reserva es senoidal o
“cuasisenoidal”, no resulta determinante, a
menos que la forma se aparte demasiado de una
senoide, lo que lleva a mayores pérdidas y por
la tanto a una mayor ineficiencia. Para acotar el
apartamiento de la forma de onda de la ideal se
especifica la “distorsión armónica total”.
Por el contrario, en la determinación de la
potencia (se define como el producto de la
tensión por la intensidad de corriente, volt x
ampere VA), tiene una gran importancia el
factor de potencia del equipo. Este factor
(originado por la reactancia de los circuitos
eléctricos de la carga) es siempre menor que la
unidad por lo que la potencia utilizable no será
la establecida por los VA sino la que surja de
multiplicar los VA por el factor de potencia El
resultado de este producto, denominado
potencia activa, mide la potencia efectivamente
suministrada por la UPS y se expresa en watt
(W). Por ello la especificación de la UPS
contiene habitualmente ambos valores (VA y
W) siendo el valor de VA alrededor de un 20%
superior al de W, excepto para el caso de UPS
del tipo de Línea Interactiva, para las cuales el
factor de potencia se acerca a la unidad.
 FUENTE DE ALIMENTACIÓN
CONMUTADA SMPS (SWITCHING
MODE POWER SUPPLY).
Las fuentes conmutadas es un dispositivo
electrónico controlado por medio de
transistores en conmutación con una señal
PWM () que trabajan a alta frecuencia; su
principal función consiste en suministrar un
nivel constante y estable de voltaje sin importar
la exigencia de corriente de la carga a la cual se
le esté suministrando, eso sí, que este en los
parámetros de la fuente.
Principalmente, su funcionamiento consiste en
aumentar la frecuencia de la corriente que pasa
de oscilar entre los 60 HZ a más de 100k Hz. Es
un dispositivo complejo ya que requiere de
varias etapas para su debido funcionamiento.
Podemos diferenciar la fuente conmutado por
medio de cuatro bloque que son:
Imagen 15. Esquema de bloques de una
fuente conmutada.
- Rectificador y filtrado.
En la primera etapa está conformado por
un rectificador de onda completa
obteniendo una señal pulsante y pasar
por un filtro para eliminar señales los
problemas eléctrico de la red como el
ruido, los armónicos, los transitorios
entre otros que no se desea, con el fin de
no tener alteraciones para la segunda
etapa.
 - Controlador.

Se encarga de controlar la oscilación del

Imagen 16. Rectificador y filtrado.
- Inversor de alta frecuencia.
Esta etapa se encarga de convertir la
señal pulsante en una onda cuadrada de
alta frecuencia por medio de un
transformador y un oscilador; esta parte
es dependiente del módulo del
controlador, el cual que juntos son el
corazón de la fuente conmutada.
bloque de inversor de alta frecuencia, su
función consiste en general una
interrupción a la bobina principal la cual
se encuentra en el inversor, con el fin de
poder controlar la corriente que se
induce para la segunda bobina.
El controlador está conformado por un
comparador que está contrastando el
voltaje de la salida de la fuente con un
voltaje de referencia al cual se desea
que la fuente arroje, un oscilador de
frecuencia fija y un modulador de pulso
(PWM). Cuando el nivel de voltaje de
salida no está en el margen deseado, el
oscilador varía de frecuencia para
ajustarla.

Imagen 16. Inversor de alta frecuencia

- Rectificador y filtro de salida.

Después de que la señal salga en forma

cuadrada, es necesario volver a Imagen 18. Controlador
rectificarla para convertirla en una señal
continua y se vuelve a filtrar con el fin
Ventajas y des ventajas de las fuentes
de que salga totalmente pura.
conmutadas

A diferencia de las fuentes lineales, las fuentes

conmutadas tienen una eficiencia entre los 68 y
100 % haciendo que los dispositivos de
potencia trabajen en corte y saturación teniendo
un uso más eficiente. También se puede variar
la relación de transformación con el fin que
trabaje como elevador, reductor o inversor de
Imagen 17. Rectificador.
tensión.
Es una fuente liviana por el motivo que no usa Características para los diseños de circuitos de
un transformador tradicional de 50/60 Hz, sino electrónica de potencia.
de alta frecuencia el cual disminuye tato peso
como volumen. Tabla 3. Características para diseños de
Aunque la fuente conmutada tenga muchos circuitos de electrónica de potencia
factores a favor de ella, también hay que tener
en cuenta los factores negativos como por
ejemplo, el diseño de estas fuentes son
demorados y costosos, también el problema del
ruido es un gran factor el cual puede afectar a
este tipo de fuentes y es requerido el uso de
diferentes filtros para tener una señal totalmente
pura.

TABLAS COMPARADORES DE
DISPOSITIVOS DE CONCLUSIONES
ELECTRONICA DE POTENCIA
- Los componentes electrónicos son de
Algunos dispositivos de potencia en donde se mucha utilidad, con el previo
puede observar en la tabla 1., en los límites de conocimiento teórico y practico, es
tensión, corriente y frecuencia. posible sacarle el máximo provecho; y
mejorar algunos dispositivos
Tabla 1. Características de dispositivos con los electrónicos tanto en eficiencia como en
límites de tensión, corriente y frecuencia. potencia.

- Los mosfet por su gran velocidad en

conmutación logra una versatilidad en
las aplicaciones al ser utilizadas.

- El tiempo de caída de la corriente del

ánodo es típicamente menor a 1
Las características de cada dispositivo en segundo, por consiguiente la corriente
distintas partes de la tensión y la frecuencia. del ánodo varia lentamente.

Tabla 2. Características de los dispositivos en - Los dispositivos IGBT en la actualidad

potencia y frecuencia han reducido sus problemas de
funcionamiento mejorando su velocidad
de conmutación a valores cercanos a los
75Khz y un coeficiente negativo de
temperatura que los hace menos
sensibles a variaciones abruptas de
temperatura, cada vez son una
 tecnología más utilizada en dispositivos [5] R. S. Lubis, "Digital simulation of the
domésticos FACTS system with 60-pulse GTO-based
Voltage Source Converter," 2011 2nd
- Los sistemas de alimentación International Conference on Instrumentation,
ininterrumpida hasta ahora, no Communications, Information Technology, and
reemplazarán el suministro estable y Biomedical Engineering, Bandung, 2011, pp.
constante de una red eléctrica, solo 201-206.
funcionan como un respaldo y
protección a dispositivos conectados en [6] Escuela Superior de Ingenieros. (2014).
la línea seria con el UPS, además de Tema 6. IGBT. 2014, de GTE Sitio web:
tener una vida útil no muy larga, al http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf
hacer uso de baterías.
[7] CEPREL -SRL. (2015). Tipos de UPS.
BIBLIOGRAFÍA Argentina: pp.7.

[1] J.C. Álvarez, J.E Molina, R. Sarmiento, [8] Daniel W. Hart. (2001). ELECTRÓNICA
Diseño y construcción de una fuente de DE POTENCIA. Madrid: PEARSON
descargas pulsadas de alto voltaje para estudio EDUCACIÓN, S. A. pp 19-23 (456).
espectral de gases nobles ionizados. Revista
colombiana de física, Volumen 38, 2006 [9] ELECTRONICA BASICA para
INGENIEROS. (2001). Gustavo A. Ruiz
[2] N. MOHAN, T. M. UNDELAND and W. P. Robredo. Universidad de Cantabria: España, pp
ROBBINS: Power Electronics: Converters, 13-15.
Applications and Design. New York, John
Wiley and Sons, 1995.

[3] R. Salazar, J. Finol, F. J. Garcia Sanchez y

A. Ortiz-Conde, "Design, optimization and
fabrication of a tanh/sinh-type bipolar
transconductor with maximum linearity,
"Proceedings of the Fourth IEEE International
Caracas Conference on Devices, Circuits and
Systems (Cat. No. 02TH8611), 2002. PP.
C032-C1-6.

[4] J. Shin, Y. Hong, M. Wu and J. H. Lee, "A

Wide Detection Range Mercury Ion Sensor
Using Si MOSFET Having Single-Walled
Carbon Nanotubes as a Sensing Layer,"
in IEEE Electron Device Letters, vol. 38, no. 7,
pp. 959-962, July 2017.
ANEXOS

Se anexan los mapas conceptuales de cada tema visto anteriormente

Diagrama 1. Mapa conceptual del GTO

Diagrama 1. Mapa conceptual de los MOSFET

Diagrama 3. Mapa conceptual transistores IGBT

Diagrama 4. Mapa conceptual UPS

Diagrama 5. Mapa conceptual de fuentes conmutadas