Apuntes BJT

Fundamentos de Electrónica (2º GIERM)
Tema 4
El transistor bipolar de unió n BJT
Índice
1. Introducción........................................................................................................................................................................... 63
2. El transistor BJT ................................................................................................................................................................... 64
2.1. Estructura y símbolo eléctrico................................................................................................................................... 65
2.2. Efecto transistor y ganancias de corriente ........................................................................................................... 67
2.3. Modelos de gran señal de Ebers-Moll ..................................................................................................................... 70
2.4. Curvas características ................................................................................................................................................... 72
2.5. Modelos de gran señal linealizados ......................................................................................................................... 75
2.6. Hojas de características ................................................................................................................................................ 77
3. Polarización del transistor BJT ...................................................................................................................................... 81
3.1. Resolución mediante el uso del modelo de gran señal .................................................................................... 81
3.2. Resolución mediante uso del simulador ............................................................................................................... 83
3.3. Utilización de modelos de gran señal linealizados............................................................................................ 86
1. Introducción
El Transistor Bipolar de Unión (BJT por su denominación en inglés Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo,
formado por dos uniones pn, que funciona como una fuente de corriente dependiente de corriente (Figura 1).
Su estructura y funcionalidad es, por tanto, algo más compleja que la de un diodo.
Figura 1: Modelo eléctrico de fuente de corriente dependiente de corriente.
63
El transistor es un elemento fundamental en la electrónica actual y ejerce diversas y variadas funciones en

innumerables circuitos electrónicos. Si bien el transistor BJT tuvo su importancia histórica, desde hace ya varias
décadas ha sido desplazado en numerosas aplicaciones por los transistores de efecto de campo.
Al finalizar este capítulo, el alumno debe ser capaz de:
- Explicar a estructura del transistor BJT y los mecanismos físicos que intervienen en él.
- Interpretar las distintas relaciones existentes entre las tensiones aplicadas entre los terminales de un
transistor BJT y las corrientes que circulan por ellos.
- Aplicar los diferentes modelos usados para resolver problemas sencillos donde intervengan
transistores BJT, diodos, fuentes y elementos pasivos como resistencia, condensadores, etc...
- Utilizar la información incluida en las hojas de catálogos de los transistores BJT para la resolución de
problemas y para deducir su comportamiento.
2. El transistor BJT
Si en el tema anterior se asimilaba el funcionamiento de un diodo al de una válvula antirretorno, el de un
transistor se asemeja al papel que le corresponde a un grifo, donde el caudal de agua es controlado por el giro
de la llave de paso. En su forma más simple la llave permite abrir y cerrar el conducto, dejando pasar el agua
o impidiéndolo.
a) b)
Figura 2: a) Válvula antirretorno y b) válvula controlada.
Tanto el diodo como el transistor pueden tratarse, en primera aproximación, como un interruptor abierto o
cerrado, según el caso. Como principal diferencia está el hecho de que el control de la apertura o cierre del
interruptor es automático en el diodo, mientras que en el transistor ese control se ejerce de forma externa al
dispositivo (Figura 3). El transistor BJT resulta ser un dispositivo donde una corriente de paso iC (agua) es
controlada por otra iB (llave manual).
En algunas aplicaciones se utiliza el transistor para controlar el tiempo de inyección de corriente de un motor
eléctrico como forma regular su velocidad. Durante el tiempo en el que el transistor está cerrado (Ton) se
posibilita el paso de corriente, mientras que durante el tiempo en el que está abierto (Toff) la corriente es
nula. El resultado es un mecanismo de control de la velocidad del motor jugando con la relación Ton/Toff.
64
a) b)
Figura 3: Modelo eléctrico muy simplificado a) de un diodo y b) de un transistor.
Pero el transistor permite un control más preciso de la corriente que circula por él, ya que el dispositivo puede
ser tratado como una resistencia de valor controlado, tal y como muestra la Figura 4. Frente al control todo-
nada del caso anterior, el transistor puede funcionar como una resistencia variable, y dentro de un extenso
rango variable desde prácticamente un cortocircuito (R  0 ) hasta un circuito abierto (R   ). Así, la
regulación de la intensidad luminosa de algunas lámparas se realiza mediante la variación de la resistencia en
serie que introduce un transistor.
a) b)
Figura 4: El transistor a) como interruptor abierto-cerrado y b) como resistencia variable.
2.1. Estructura y símbolo eléctrico.

El Transistor Bipolar de Unión (BJT por su denominación en inglés Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo,
formado por dos uniones pn. Su estructura y funcionalidad es algo más compleja que la de un diodo. Existen
dos posibilidades para formar un transistor BJT; la primera aparece representada en la Figura 5a, y se
corresponde con una estructura npn, la segunda se muestra en la Figura 5b y se trata de una estructura pnp.
Emisor Colect or Emisor Colect or

N P N P N P
Base Base
a) b)
Figura 5: Estructura del transistor BJT a) tipo npn y b) tipo pnp.
65
La zona intermedia de la estructura se denomina Base, y las de los extremos Emisor y Colector. Los terminales
metálicos soldados a cada una de las zonas reciben los mismos nombres que éstas. Aunque no se refleja en el
dibujo, la estructura no es simétrica, por lo que los terminales de Emisor y Colector no son intercambiables.
Las dos uniones pn que aparecen tras la fabricación del transistor se denominan Unión de Emisor (UE) y Unión
de Colector (UC).
Los símbolos eléctricos que representan ambos transistores aparecen en la Figura 6, junto con las referencias
de tensión y corriente usadas en el análisis del dispositivo. En ambos símbolos el terminal de emisor se puede
distinguir del de colector por la presencia de una flecha, saliente en el caso del transistor npn y entrante en el
del pnp. Las referencias de tensión de ambas uniones serán, VBE y VBC para el caso de un npn, y VEB y VCB para
el caso de un pnp. Del mismo modo se utilizarán las referencias de corrientes IC, IB e IE, entrantes en el
dispositivo para el primero y salientes para el segundo.
a) b)
Figura 6: Símbolos eléctricos del transistor bjt a) tipo npn y b) tipo pnp.
El aspecto de un transistor discreto incluye una carcasa, metálica o de plástico, de la cual salen varios
terminales, tal y como se aprecia en la Figura 7a. La carcasa metálica ofrece un mayor poder de disipación de
calor, por lo que pueden manejar corrientes más altas y ser usados en aplicaciones de control de potencia.
Además, muchos de ellos están preparados para poder acoplárseles disipadores de calor o aletas de
refrigeración con el mismo propósito (Figura 7 b y c). Los disipadores suelen ser de aluminio, por ser un
material con alta conductividad del calor y fácil de mecanizar, y presentar mucha superficie de contacto con
el aire (aletas). El acoplamiento al disipador se realiza mediante un tornillo y su tuerca, y si se quiere garantizar
el aislamiento eléctrico entre el transistor y el disipador se puede interponer una fina lámina de material
aislante. Por otra parte, para optimizar el coeficiente de transmisión de calor se aplica una resina conductora
del calor entre el transistor y el disipador.
a) b) c)
Figura 7: a) Diversos encapsulados para el transistor BJT b) transistor con alojamiento para tornillo c)
transistor acoplado a un disipador de calor.
66
2.2. Efecto transistor y ganancias de corriente

Dado que hay dos uniones (UE y UC) en el transistor, y éstas pueden ser polarizadas tanto en directa como en
inversa, habrá cuatro posibles configuraciones a la hora de hacer funcionar al dispositivo. Cada una de estas
configuraciones, o zonas de funcionamiento, recibe un nombre distinto y viene recogida en la Tabla 1.
UE / UC Pol. Directa Pol. Inversa
Pol. Directa Saturación Activa
Pol. Inversa Activa inversa Corte
TABLA 1
Para analizar el funcionamiento del transistor se va a considerar que éste se encuentra en Activa, por tanto la
unión de emisor estará polarizada en directa y la de colector en inversa, tal y como muestra la Figura 8.
UE UC
pol. dir. pol. inv.
dp
Emisor P N P Colect or
IE ap IC
dn an
VEB > VEB t VCB < VCBt

IDE Base IDC
Emisor Colect or
IE IC
Base
Figura 8: Uniones de emisor y colector trabajando como dos diodos polarizados.
Esta situación se correspondería con unos flujos difusivos de electrones y huecos atravesando la unión de
emisor (dp y dn), y otros flujos de arrastre por la unión de colector (ap y an). La estructura de un transistor
pnp se correspondería con dos diodos pn enfrentados con el cátodo común, y la corriente que circularía por
el emisor podría ser muy alta, mientras que la que circularía por el colector sería muy pequeña.
Como ya es sabido, los flujos de arrastre de electrones y huecos de la UC (an y ap) son muy pequeños ya que,
a pesar de que hay un campo eléctrico muy intenso provocado por la polarización inversa, la escasa
concentración de estos portadores allí donde son minoritarios limita el valor de dichos flujos.
En la práctica, el flujo de arrastre de huecos (ap) está limitado por la generación térmica de pares electrón-
hueco en la zona punteada. Las corrientes de emisor y colector serán las correspondientes a las de un diodo
polarizado en directa (IE = IDE >> 0) y otro en inversa (IC = IDC ≈ 0) respectivamente. La Figura 8 muestra el
modelo eléctrico de este comportamiento.
Sin embargo, dada la estrechez de la base del transistor, el flujo difusivo de huecos que se inyecta desde el
emisor (dp) alcanza fácilmente la unión de colector. Estos portadores, inyectados desde el emisor, son
67
también arrastrados por el campo eléctrico de la unión de colector, dando lugar a un flujo de huecos adicional
mucho más grande (’ap de la Figura 9).
UE UC
pol. dir. pol. inv.
dp ’ap
Emisor P N P Colector
IE ap IC
dn an

IDE Base IDC
Emisor Colector
IE IC
Base aF·IDE
Figura 9: Uniones de emisor y colector trabajando un transistor polarizado en activa.
Este efecto es característico de los transistores BJT y se denomina “Efecto Transistor”. Debido a esto, el
equivalente eléctrico del transistor funcionando en activa incluye en paralelo a la unión de colector una fuente
de corriente dependiente de la corriente que atraviesa la unión de emisor (αF·IDE).
UE UC
pol. dir. pol. inv.
dp ’ap
Emisor P+ N P Colector
IE ap IC
dn an

IDE Base IDC
Emisor Colector
IE IC
Base aF·IDE
Figura 10: Consecuencia de un dopado fuerte en el emisor.
Por último, el dopado del emisor (p+) es mucho más intenso que el de la base (Figura 10), por lo que el flujo
difusivo de huecos desde el emisor a la base (dp) será mucho mayor que el de electrones desde la base al
emisor (dn). Como resultado de todo esto, las corrientes de emisor y colector de un transistor BJT en activa
se pueden aproximar mediante las siguientes expresiones.
𝐼 = 𝐼(𝜙 ) + 𝐼(𝜙 ) (1)
𝐼 = 𝐼(𝜙′ ) + 𝐼 𝜙 +𝜙 (2)
68
Donde
- I(dn) e I(dp) son las corrientes de electrones y huecos correspondientes a los flujos dp y dn de la
unión de emisor.
- I('ap) es la corriente de huecos que atraviesa la unión de colector debido al flujo de arrastre provocado
por el efecto transistor (’ap).
- ICB0(an + ap) es la corriente de electrones y huecos debido a los flujos de arrastre de origen térmico
an y ap que atraviesan la unión de colector
En la práctica se define el siguiente coeficiente de proporcionalidad entre corrientes del transistor:
- Ganancia de corriente continua en base común ∝ =
De ahí se deduce que IC e IE están relacionadas por
𝐼 =∝· 𝐼 + 𝐼 (3)
Igualmente, IC e IB lo estarán de la siguiente forma
𝐼 =∝· 𝐼 + 𝐼 =∝· (𝐼 + 𝐼 ) + 𝐼
Despejando IC resulta
∝ 1
𝐼 = ·𝐼 + ·𝐼
1−∝ 1−∝
𝐼 = 𝛽·𝐼 +𝐼 (4)
Donde se ha definido el siguiente coeficiente

∝
- Ganancia de corriente continua en emisor común 𝛽 = ∝
Las corrientes ICB0 e ICE0 son corrientes inversas de saturación, de valor mucho más pequeño que a·IE y ·IC
respectivamente, por lo que a veces se suele utilizar las siguientes aproximaciones.
𝐼 ~ ∝· 𝐼 (5)
(6)
𝐼 ~𝛽·𝐼
La ganancia α resulta ser un número muy cercano a la unidad (aunque siempre menor que 1), por lo que 
será un número muy grande (entre 50 y 300). Ambos parámetros dependen fuertemente de la temperatura
del dispositivo, aumentando sus valores al incrementar ésta.
En el caso de que la unión de colector también se polarice en directa (zona de saturación) aparece otro “efecto
transistor” en sentido contrario, debido a que los huecos inyectados desde el colector son recogidos por el
campo eléctrico de la unión de emisor (Figura 11).
69
UE UC
pol. dir. pol. dir.
dp ap
Emisor P+ N P Colector
’ap ’dp
IE IC
VEB > VEB t VCB > VCBt

IDE Base IDC
Emisor Colector
IE IC
aR·IDC Base aF·IDE
Figura 11: Transistor en saturación.
El equivalente eléctrico del transistor funcionando en saturación incluye otra fuente de corriente dependiente
en paralelo a la unión de emisor de valor αR·IC. Debido a que la estructura del BJT no es simétrica, el efecto
transistor en el sentido inverso (αR) tendrá un valor mucho menor que la unidad.
2.3. Modelos de gran señal de Ebers-Moll

Los modelos eléctricos de Ebers-Moll recogen el comportamiento del transistor descrito en el apartado
anterior. El modelo de Transporte incluye las corrientes de las uniones de emisor (IDE) y colector (IDC), así como
las de las dos fuentes de corrientes dependientes representativas de los efectos transistor (αF·IDE y αR·IDC).
Figura 12: Modelo eléctrico de Ebers-Moll de Transporte.
Las relaciones entre las corrientes que aparecen en el modelo de la Figura 12 se pueden expresar como,
𝐼 =𝐼 −∝ ·𝐼
𝐼 =∝ · 𝐼 −𝐼
𝐼 =𝐼 −𝐼
Teniendo en cuenta que las corrientes de las uniones de emisor IDE y colector IDC son de carácter exponencial,
dependiendo de sus respectivas tensiones VBE y VBC, y con sendas corrientes inversas de saturación IDE0 e IDC0,
⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 −1
⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 −1
70
Las ecuaciones de Ebers-Moll del modelo de Transporte quedarían de la siguiente forma.
⁄ ⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 −1 −∝ ·𝐼 · 𝑒 −1
⁄ ⁄
𝐼 =∝ · 𝐼 · 𝑒 −1 −𝐼 · 𝑒 −1 (7)
𝐼 =𝐼 −𝐼
Las expresiones anteriores proporcionan las corrientes de los terminales de emisor (IE), base (IB) y colector (IC)
en función de las tensiones aplicadas a dichos terminales (VBE y VBC), así como de una serie de parámetros
tecnológicos del transistor como son las corrientes de saturación de las dos uniones (IDE0 y IDC0) y los
coeficientes representativos de los dos efectos transistor (αF y αR).
Despejando IDE0 e IDC0 de ambas expresiones

⁄ ⁄
𝐼 · 𝑒 −1 = 𝐼 +∝ ·𝐼 · 𝑒 −1
⁄ ⁄
𝐼 · 𝑒 −1 =∝ ·𝐼 · 𝑒 −1 −𝐼
Y sustituyendo en las ecuaciones anteriores resulta

⁄ ⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 −1 −∝ · ∝ ·𝐼 · 𝑒 −1 −𝐼
⁄ ⁄
𝐼 =∝ · 𝐼 + ∝ · 𝐼 · 𝑒 −1 −𝐼 · 𝑒 −1
--------------------------
⁄
𝐼 = (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 · 𝑒 − 1 +∝ · 𝐼
⁄
𝐼 =∝ · 𝐼 − (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 · 𝑒 −1
Llamando IEB0 e ICB0 a las expresiones (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 y (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 respectivamente, quedan las

ecuaciones de Ebers-Moll del modelo Gobernado por Corrientes.
⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 − 1 +∝ · 𝐼
⁄
𝐼 =∝ · 𝐼 − 𝐼 · 𝑒 −1 (8)
𝐼 =𝐼 −𝐼
Estas últimas ecuaciones se corresponden con el modelo eléctrico de la Figura 13,
Figura 13: Modelo eléctrico de Ebers-Moll Gobernado por Corrientes.
71
donde IEB0 e ICB0 son las corrientes inversas de saturación definidas para los nuevos diodos. En este caso, y a
diferencia del modelo anterior, las fuentes de corriente dependen directamente de las corrientes de
terminales IE e IC, corrientes externas y fácilmente medibles, así como otras proporcionadas por las hojas de
características del dispositivo.
2.4. Curvas características

Las curvas características del transistor relacionan las tensiones aplicadas entre los terminales de éste con sus
corrientes, y son representaciones gráficas que derivan de las ecuaciones de Ebers-Moll.
Figura 14: El transistor BJT como bipuerta.
Un transistor npn, como el de la Figura 14, puede ser representado como una bipuerta con el terminal de base
en la entrada, el de colector en la salida, y el terminal de emisor común a ambas. La característica estática de
entrada relaciona las variables de entrada IB y VBE mediante una familia de curvas IB = f(VBE, VCE), parametrizadas
por VCE. Dado que desde los terminales de entrada del transistor son los mismos que los de la unión de emisor,
la relación entre la tensión aplicada VBE y la corriente absorbida por la base IB tendrá también carácter
exponencial, como la de una unión pn.
⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 −1 (9)
En la Figura 15 aparece representada la curva característica de entrada, correspondiente a esta última

ecuación, donde se observa que el parámetro VCE no afecta significativamente a la curva exponencial, ya que
la variación de corriente al variar la tensión colector-emisor es muy pequeña.
Figura 15: Característica estática de entrada del transistor BJT.
72
Siempre que la unión de emisor se encuentre polarizada en directa la corriente de base será positiva y la
tensión VBE estará confinada en un rango muy estrecho de valores, que suele ir desde unos 0,5 V como valor
umbral de polarización (VBE) hasta unos 0,85 V cuando las corrientes son altas (VBEsat). Si la unión de emisor
está inversamente polarizada, la corriente será nula y la tensión VBE será menor que la tensión umbral
correspondiente (VBE).
𝐼 >0
- UE polarizada directamente (Activa y Saturación):
𝑉 <𝑉 <𝑉
𝐼 =0
- UE polarizada inversamente (Corte y Activa inversa):
𝑉 <𝑉
La característica estática de salida relaciona las variables IC y VCE mediante una familia de curvas IC = f(VCE, IB),
siendo en este caso IB el parámetro variable (Figura 16).
Figura 16: Característica estática de salida del transistor BJT.
En esta característica se distinguen tres zonas de funcionamiento, según el estado de polarización de cada una
de las uniones.
La primera de ellas es la zona activa, donde la unión de emisor está polarizada en directa y la de colector en
inversa. Corresponde con la zona central de la gráfica, y en ella habrá una recta “casi horizontal” por cada valor
de la corriente IB. A todos los puntos de cada una de estas rectas le corresponde un valor aproximado de
corriente de colector de IC = ·IB en el eje vertical, por lo que la dependencia de la corriente de colector IC con
respecto a la tensión VCE es poco importante. Aún así, esta ligera dependencia, llamada “efecto Early”, se
puede tener en cuenta introduciendo el término 1 + , donde VA se denomina tensión Early.
- UE polarizada directamente, UC inversamente (Activa): 𝐼 = 𝛽 · 𝐼 · 1 +
73
Figura 17: Efecto Early del transistor BJT.
Como resultado de la ecuación anterior, todas las rectas de la zona activa cortan al eje horizontal en un punto
con tensión VCE = -VA.
En la zona de saturación ambas uniones se encuentran en polarización directa. Para cada una de las curvas, la
corriente de colector IC resulta ser menor que el correspondiente valor ·IB, siendo el valor de la tensión VCE
muy pequeño.
- UE y UC polarizadas directamente (Saturación): 𝐼 < 𝛽 · 𝐼 · 1 +
La zona de corte se corresponde con una polarización inversa en ambas uniones. Mientras que la corriente de
base es nula en esta zona, la de colector resulta ser ICE0, con un valor positivo aunque próximo a cero.
- UE y UC polarizadas inversamente (Corte): 𝐼 = 0 y 𝐼 = 𝐼 ~0
Figura 18: Zonas de funcionamiento sobre las características estáticas.
Sobre las curvas anteriores se definen varios parámetros característicos:
- Tensión de ruptura de la unión de emisor (VBE Brk). Máxima tensión que soporta esta unión en
polarización inversa.
- Máxima corriente que puede circular por el terminal de base IB max.
- Tensión umbral de la unión de emisor (VBE). Mínima tensión que garantiza una polarización directa
en la unión.
74
- Máxima tensión de saturación en la unión de emisor VBE sat , que es el límite máximo de la tensión
medida en la unión cuando el transistor esté en la zona de saturación.
- Máxima tensión en la unión de colector VCE max , es la máxima tensión que puede aplicarse ente los
terminales de colector y emisor.
- Máxima tensión de saturación entre el colector y el emisor VCE sat , que es el límite máximo de la
tensión medida entre ambos terminales cuando el transistor esté en la zona de saturación.
- Corriente de fuga de la unión de colector ICE0 , es la corriente de colector cuando el transistor esté en
la zona de corte (IB = 0).
- Máxima corriente que puede circular por el terminal de colector IC max.
- Potencia máxima que puede disipar el transistor PCmax.
Los parámetros VBE Brk, IB max , VCE max, IC max , PCmax definen las zonas de funcionamiento seguro del transistor.
2.5. Modelos de gran señal linealizados

Con objeto de poder realizar cálculos manuales, las características estáticas de entrada y salida, representadas
en la Figura 15 y Figura 16, y expresada matemáticamente por las ecuaciones de Ebbers-Moll, pueden ser
linealizadas.
A continuación, se muestran gráficamente las linealizaciones de ambas características en cada una de las tres
situaciones posibles (corte, activa directa y saturación) para un transistor npn.
Corte
Siendo las ecuaciones simplificadas y el modelo eléctrico equivalente los siguientes:
IB IC
IB = 0
CEE B C
VBE < VBE  VBE IB = 0 IC = 0 VCE
IC = 0 E E
CES
75
Activa
IB IC
IB > 0
CEE B ·IB C
VBE = VBE act VBE VCE
IC =  · I B VBE act
E E
CES
VCE > VCE sat
Saturación
IB IC
IB > 0
CEE B VCEsat C
VBE = VBE sat VBE VCE
IC <  · I B VBE s at
E E
CES
VCE = VCE sat
76
Para un transistor pnp las gráficas resultantes son similares a las del npn, teniendo en cuenta que las variables
de tensión son, en este caso, VEB y VEC, y que las referencias de corriente están definidas en sentido contrario.
A continuación, se muestran las ecuaciones las ecuaciones correspondientes a cada estado, junto con el
modelo equivalente eléctrico.
Corte IB IC
IB = 0
CEE B C
VEB < VEB  VEB IB = 0 IC = 0 VEC
IC = 0 E E
CES
Activa IB IC
IB > 0
CEE B ·IB C
VEB = VEB act VEB VEC
IC =  · I B VEB act
E E
CES
VEC > VEC sat
Saturación IB IC
IB > 0
CEE B VECsat C
VEB = VEB sat VEB VEC
IC <  · I B VEB s at
E E
CES
VEC = VEC sat
2.6. Hojas de características

A continuación se comentan las características de catálogo que ofrece el fabricante NXP Semiconductors
para sus transistores BJT npn tipo 2N2222. (Características cedidas por cortesía de NXP Semiconductors)
Entre la información general que el fabricante suministra sobre el producto suele estar:
- Tipo de dispositivo (NPN switching transistor).

- Número de referencia que identifica el tipo concreto de trasnsistor del que se trata (2N2222
y 2N2222A).
- Un par de características que puedan servirnos para descartar o seleccionarlo en una
primera aproximación, como son los valores de tensión, y corriente máximas soportadas por
el dispositivo.
- Tipo de aplicación a la que suele ir destinado (Amplificación lineal y conmutación).
- Descripción del producto mediante un pequeño texto explicativo, una imagen o esquema del
dispositivo e información básica de referencia, tal y como valores máximos de tensión,
corriente, potencia soportados, valores mínimos de ganancia y frecuencia de corte, o
tiempos máximos de apagado del dispositivo.
77
Al igual que en el caso de los diodos, los parámetros de funcionamiento aparecen en diferentes tablas:
- Valores límites o máximos aplicables al dispositivo. Entre los que están las máximas
tensiones aplicables entre cada par de terminales (VCB, VCE y VEB), las máximas corrientes
que pueden ser inyectadas por el colector o la base (IC, ICM e IBM) en diferentes circunstancias
(continua o pulsante), máxima potencia capaz de disipar (Ptot), temperaturas máxima y
mínima de almacenamiento (Tstg), máxima temperatura soportada por las uniones (Tj), así
como el rango de temperaturas de trabajo (Tamb).
- Características térmicas como las resistencias térmicas entre la unión y, el encapsulado o el
ambiente exterior.
78
- Características eléctricas de funcionamiento, entre las que están:

o Las corrientes inversas de saturación definidas en el modelo gobernado por
corrientes de Ebers-Moll (ICB0 e IEB0).
o El intervalo de ganancia de corriente continua en emisor común ( o hFE). Observe
el amplio intervalo de valores donde el fabricante sitúa al dispositivo.
o Valores típicos de tensión aplicables entre los terminales de colector-emisor y base-
emisor, para el funcionamiento en saturación del dispositivo (VCE sat y VBE sat).
o Valores típicos de las capacidades parásitas entre los terminales base- colector y
base-emisor (CC y CE).
o Valores mínimos de frecuencia de corte (fT) y típicos de figuras de ruido (F).
79
- Por último, algunas características dinámicas del dispositivo referidas a su comportamiento

en conmutación. Los tiempos típicos se definen en función de la respuesta del transistor ante
una señal cuadrada de corriente aplicada en el terminal de base.
80
3. Polarización del transistor BJT

Los circuitos de polarización tienen como misión situar a uno o varios dispositivos en unas condiciones de
funcionamiento determinadas, y definidas por el conjunto de tensiones y corrientes del dispositivo. La Figura
19 muestra uno de estos circuitos de polarización aplicado a un transistor npn.
Figura 19: circuito de polarización de Un BJT npn.
El conjunto de ecuaciones establecidas por la configuración del circuito, y por el modelo matemático del
transistor Q1 determina los valores de corriente IB, IC, IE y de tensión VBE, VCE, VBC con los que está trabajando
el transistor. Para calcular estos valores se pueden utilizar varios métodos.
3.1. Resolución mediante el uso del modelo de gran señal

Las ecuaciones correspondientes al circuito eléctrico anterior son
−𝑉 +𝑅 ·𝐼 +𝑉 =0
−𝑉 + 𝑅 · 𝐼 + 𝑉 =0
𝑉 =𝑉 −𝑉
Que junto con las ecuaciones de Ebers-Moll

⁄
𝐼 =𝐼 · 𝑒 − 1 +∝ · 𝐼
81
⁄
𝐼 =∝ · 𝐼 − 𝐼 · 𝑒 −1
𝐼 =𝐼 −𝐼
Permiten hallar los valores de las 6 variables independientes del transistor.
La presencia de exponenciales dentro de algunas ecuaciones dificulta enormemente la resolución manual del
problema. Sin embargo, de un análisis gráfico se pueden extraer algunas conclusiones.
De las ecuaciones anteriores se puede derivar fácilmente la recta de carga del circuito.
1 𝑉
𝐼 =− 𝑉 +
𝑅 𝑅
La expresión anterior corresponde a una recta con pendiente negativa (− 1⁄𝑅 ) y término independiente
(𝑉 ⁄𝑅 ). La recta corta al eje X en VD = VCC y al eje Y en ID = 𝑉 ⁄𝑅 . Si la fuente de tensión tiene un valor VCC
positivo, la recta de carga cortará a la característica estática de salida en el punto A, que se supondrá situado
en la zona activa.
IC
VCC
RC
IC1 A
IB1
IB = 0
VCE1 VCC VCE
Figura 20: Polarización en zona activa de un transistor npn.
El punto A se obtiene suponiendo que la corriente de base es IB1, dando una corriente de colector IC1 y una
tensión colector-emisor VCE1 que cumplen las condiciones de la zona activa.
IC
VCC
RC
B IB2
IC2
A
IB = 0
VCE2 VCC VCE
82
Un aumento de la tensión de la fuente V1 produciría, a su vez, un aumento de la corriente de base IB2. El nuevo
punto de corte con la recta de carga (B) tendría una corriente de colector IC2 mayor, ya que existe
proporcionalidad entre las dos corrientes (IC =  · IB), y una tensión colector-emisor VCE2 menor, debido a que
la caída de tensión en la resistencia RC se ha incrementado. El punto de polarización estaría situado, por tanto,
mucho más cerca de la zona de saturación.
En el caso de que sea la fuente Vcc quien aumente su valor, la corriente de base seguiría siendo la misma IB1.
El desplazamiento de la recta de carga, debido al aumento de la tensión Vcc, daría un nuevo punto de corte
(C) con una tensión colector-emisor VCE más alta, ya que la tensión en la resistencia RC sigue siendo la misma.
En este caso, el punto de polarización se aleja de la zona de saturación.
IC
IC1 A C
IB1
VCC
IB = 0
VCE3 VCE
Por último, un aumento de la resistencia de colector RC trae como consecuencia una disminución de la
pendiente de la recta de carga, mientras que la corriente de base IB1 sigue siendo la misma. En el caso
representado en la Figura 23 se ha supuesto en saturación, dando una corriente IC4 y una tensión VCE4 menores
que en el caso A.
IC
A
IB1
IC4 D
IB = 0
VCE4 VCC VCE
Figura 23: Polarización en zona de saturación de un transistor npn.
3.2. Resolución mediante uso del simulador

El esquemático de la Figura 24 representa el circuito anterior, donde se ha particularizado para unas
alimentaciones de VCC = 10 V y VBB = 5 V, unas resistencias de base RB = 100K y de colector RC = 1,1K, y un
83
transistor npn 2N2222. Las características de catálogo del transistor indican un valor mínimo de 35 para el
parámetro , y unos valores máximos para las tensiones base-emisor y colector-emisor en saturación de 1,3
V y 0,4 V respectivamente.
Parámetro Condiciones Valor

hFE IC = 10 mA
Min 35
() VCE = 10 V
VCEsat IC = 150 mA
Max 0,4 V
IB = 15 mA
VBEsat IC = 150 mA
Max 1,3 V
IB = 15 mA
Figura 24: Circuito a simular.
El punto de polarización del circuito se muestra en la Figura 25a. Las tensiones de base y colector son de VB =
0,68 V y VC = 5,1 V respectivamente y las corrientes de ambos terminales IB = 43,2 A y IC = 4,5 mA. En los
resultados se muestra que el estado del transistor es el de activa (LIN), comprobándose que la tensión colector-
emisor VCE = 5,1 V es mayor que el máximo valor dado por el fabricante para el caso de saturación VCEsat (max)
= 0,4 V.
𝑉 (5,1 𝑉) > 𝑉 (0,4 𝑉)
Por otra parte, se tiene que el valor estimado para el parámetro  es de 104, obtenido de dividir IC por IB.
Los resultados de simulación anteriores corresponden a una situación como la representada en la Figura 20
por el punto de polarización A, donde la tensión colector-emisor es aproximadamente igual a la mitad de la
tensión de alimentación VCC.
Figura 25: Polarización en zona activa.
En el caso de que la fuente de alimentación V1 aumentase a 7V, la corriente de base pasaría a valer IB = 63,1
A. El punto de corte con la recta de carga se desplazaría hacía arriba como en el caso B (Figura 21). La
corriente de colector también se ha incrementado hasta valer IC = 6,5 mA. En cuanto a las tensiones, la de
84
base-emisor ha experimentado un aumento muy pequeño al subir la corriente IB, como cabría esperar de la
característica estática de entrada, mientras que la de colector-emisor ha disminuido.
Figura 26: Variación del punto de polarización al aumentar la corriente de base.

Sin embargo, si la fuente VCC es la que cambia a un valor de 13 V la corriente de base seguirá siendo la misma.
Al permanecer el transistor en activa, la corriente IC prácticamente permanece constante. El único cambio
apreciable es de la tensión VCE, que aumenta prácticamente en la misma cantidad que lo hace la fuente VCC.
IC
4,6 mA A C
43,2 uA
13 V
IB = 0
7,9 V VCE
Figura 27: Variación del punto de polarización al aumentar la tensión de alimentación.
Un aumento en la resistencia de colector RC hasta el valor de 3 K mete al transistor en saturación, ya que el

aumento de la caída de tensión de ésta resistencia provoca una disminución de la tensión VCE.
Figura 28: Variación del punto de polarización al aumentar la resistencia de colector.
85
3.3. Utilización de modelos de gran señal linealizados

Un resultado aproximado se puede conseguir mediante la utilización de los modelos de gran señal
linealizados del transistor BJT. En caso de conocer el estado del transistor, se puede sustituir el
dispositivo en el circuito por su modelo eléctrico equivalente.
En primer lugar se tiene el transistor situado en activa, siendo A el punto de polarización. La sustitución
del transistor por su modelo linealizado da lugar al siguiente circuito.
Supongamos 𝑉 = 0,7 𝑉 y β = 100

5 − 0,7
𝐼 = = 43 μ𝐴
100K
𝐼 = β · 𝐼 = 4,3 m𝐴
43,2 − 43
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 0,46%
43
4,5 − 4,3
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 4,5%
4,3
El error en el cálculo de las corrientes es mayor para el caso de la corriente de colector, ya que se acumula el
cometido en el de la corriente de base y el de la estimación del parámetro . Cuando el valor de la resistencia
de colector se incrementa a 3 K el transistor pasa a saturación, por lo que el modelo a utilizar ahora cambia.
Supongamos 𝑉 = 0,7 𝑉 y 𝑉 = 0,2 𝑉

5 − 0,7
𝐼 = = 43 μ𝐴
100K
10 − 0,2
𝐼 = = 3,26 m𝐴
3
43,2 − 43
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 0,46%
43
3,3 − 3,26
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 1,2%
3,26
Los errores vuelven a ser del mismo orden que en el caso anterior. Sin embargo, dado que el parámetro 
puede tomar valores dentro de un rango muy amplio, los errores dependerán fuertemente de la estimación
que se haga de este parámetro. Si se supone un valor de 150 para el parámetro , el error es ya considerable.
Supongamos 𝑉 = 0,7 𝑉 y β = 150

5 − 0,7
𝐼 = = 43 μ𝐴
100K
𝐼 = β · 𝐼 = 6,45 m𝐴
43,2 − 43
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 0,46%
43
6,45 − 4,5
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 𝐼 (%) = · 100 = 43%
4,5
86
Aun teniendo una buena estimación del parámetro  para un transistor concreto, la influencia de la
temperatura puede provocar una variación de la corriente de colector conforme el dispositivo se va
calentando. Esto suele ser normal en los primeros minutos tras la conexión de la alimentación y posterior
puesta en funcionamiento del circuito.
Para evitar este inconveniente, algunos circuitos incluyen una resistencia en el emisor que realiza una función
de realimentación negativa, compensando así la influencia de la temperatura y estabilizando las corrientes.
Supongamos que el transistor se encuentra en

activa.
V1 = 𝑅 · 𝐼 + 𝑉 + 𝑅 ·𝐼
𝐼 = (β + 1) · 𝐼
(V1 − 𝑉 )
𝐼 =
[𝑅 + 𝑅 · (β + 1)]
β · (V1 − 𝑉 )
𝐼 =β·𝐼 =
[𝑅 + 𝑅 · (β + 1)]
Para valores muy altos de , la expresión que proporciona la corriente de colector tiende al siguiente valor.
(V1 − 𝑉 )
𝐼 =β·𝐼 ~
𝑅
Lo que quiere decir que, en este tipo de circuitos, la dependencia con el parámetro , y por tanto con la
temperatura, es mucho menor que en circuitos donde no existe esta realimentación.
Cuando se desconoce el estado del transistor se seguirán los mismos pasos dados que en el caso de que se
tengan diodos:
a) Se fijan las referencias de tensión y corriente para todos los dispositivos del circuito.
b) Se supone un estado para cada transistor.
c) Se plantean el conjunto de ecuaciones del circuito junto con las ecuaciones de cada transistor
correspondientes a los estados supuestos.
d) Se resuelve el conjunto de ecuaciones y se comprueba la compatibilidad de cada transistor con el
estado supuesto.
e) En caso de que alguno de ellos no sea compatible se vuelve al punto b) y se repite el proceso con otros
estados.
87

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Fundamentos de Electrónica (2º GIERM)

El transistor bipolar de unió n BJT

Figura 1: Modelo eléctrico de fuente de corriente dependiente de corriente.

El transistor es un elemento fundamental en la electrónica actual y ejerce diversas y variadas funciones en

Al finalizar este capítulo, el alumno debe ser capaz de:

2.1. Estructura y símbolo eléctrico.

Emisor Colect or Emisor Colect or

2.2. Efecto transistor y ganancias de corriente

UE / UC Pol. Directa Pol. Inversa

Pol. Directa Saturación Activa

Pol. Inversa Activa inversa Corte

VEB > VEB t VCB < VCBt

Figura 8: Uniones de emisor y colector trabajando como dos diodos polarizados.

VEB > VEB t VCB < VCBt

Figura 9: Uniones de emisor y colector trabajando un transistor polarizado en activa.

VEB > VEB t VCB < VCBt

Figura 10: Consecuencia de un dopado fuerte en el emisor.

𝐼 = 𝐼(𝜙 ) + 𝐼(𝜙 ) (1)

En la práctica se define el siguiente coeficiente de proporcionalidad entre corrientes del transistor:

- Ganancia de corriente continua en base común ∝ =

De ahí se deduce que IC e IE están relacionadas por

Igualmente, IC e IB lo estarán de la siguiente forma

Donde se ha definido el siguiente coeficiente

VEB > VEB t VCB > VCBt

aR·IDC Base aF·IDE

Figura 11: Transistor en saturación.

2.3. Modelos de gran señal de Ebers-Moll

Figura 12: Modelo eléctrico de Ebers-Moll de Transporte.

Las ecuaciones de Ebers-Moll del modelo de Transporte quedarían de la siguiente forma.

Despejando IDE0 e IDC0 de ambas expresiones

Y sustituyendo en las ecuaciones anteriores resulta

Llamando IEB0 e ICB0 a las expresiones (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 y (1 −∝ ·∝ ) · 𝐼 respectivamente, quedan las

Estas últimas ecuaciones se corresponden con el modelo eléctrico de la Figura 13,

Figura 13: Modelo eléctrico de Ebers-Moll Gobernado por Corrientes.

2.4. Curvas características

Figura 14: El transistor BJT como bipuerta.

En la Figura 15 aparece representada la curva característica de entrada, correspondiente a esta última

Figura 15: Característica estática de entrada del transistor BJT.

Figura 16: Característica estática de salida del transistor BJT.

- UE polarizada directamente, UC inversamente (Activa): 𝐼 = 𝛽 · 𝐼 · 1 +

Figura 17: Efecto Early del transistor BJT.

- UE y UC polarizadas directamente (Saturación): 𝐼 < 𝛽 · 𝐼 · 1 +

- UE y UC polarizadas inversamente (Corte): 𝐼 = 0 y 𝐼 = 𝐼 ~0

Figura 18: Zonas de funcionamiento sobre las características estáticas.

Sobre las curvas anteriores se definen varios parámetros característicos:

2.5. Modelos de gran señal linealizados

Siendo las ecuaciones simplificadas y el modelo eléctrico equivalente los siguientes:

2.6. Hojas de características

- Tipo de dispositivo (NPN switching transistor).

- Características eléctricas de funcionamiento, entre las que están:

- Por último, algunas características dinámicas del dispositivo referidas a su comportamiento

3. Polarización del transistor BJT

Figura 19: circuito de polarización de Un BJT npn.

3.1. Resolución mediante el uso del modelo de gran señal

Que junto con las ecuaciones de Ebers-Moll

Permiten hallar los valores de las 6 variables independientes del transistor.

Figura 20: Polarización en zona activa de un transistor npn.

Figura 21: Polarización en zona activa de un transistor npn.

Figura 23: Polarización en zona de saturación de un transistor npn.

3.2. Resolución mediante uso del simulador

Parámetro Condiciones Valor

𝑉 (5,1 𝑉) > 𝑉 (0,4 𝑉)

Figura 25: Polarización en zona activa.

Figura 26: Variación del punto de polarización al aumentar la corriente de base.