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Facultad de ingeniería

Electrónica I

Grupo 4

Laboratorio 1
Características del diodo de unión

POR

Anderson Castro Blanco

CODIGO: 2017119022

21/08/2019
Introducción

Este laboratorio se basa teóricamente en las características de los materiales


semiconductores (intrínsecos) en particular el silicio y germanio; a partir del
dopado de estos materiales se pueden obtener otros dos tipos de materiales
(extrínsecos) uno tipo p con muchos átomos aceptadores y otro tipo n con
muchos átomos donadores. Luego al unir estos dos últimos se obtiene el diodo,
se necesita un voltaje específico para romper la barrera que evita el flujo de
electrones, además existe una manera indicada en la cual se debe aplicar el
voltaje para que esto suceda y aplicado de la manera inversa funciona como un
circuito abierto. Se cuenta con los siguientes materiales: diodos de silicio,
diodos de germanio, resistencia de 270 ohm, un interruptor de un polo a un tiro,
multímetro digital, fuente de alimentación y una protoboard. Se ensamblara a
partir de los materiales, los circuitos de la guía, luego siguiendo los pasos
mencionados en el laboratorio se procederá al montaje del diodo en sus
diferentes posiciones y se variara el voltaje de alimentación, a continuación se
anotara los datos obtenidos.
Resultados

A continuación se presentara la tabla 1.1 de la guía, donde se presenta el voltaje


del diodo 𝑣𝑘 , la corriente en directa 𝐼𝐷 he inversa 𝐼𝑆 del diodo, además de su
resistencia calculada y medida para las dos tipos de polarización directa e
inversa, 𝑟𝐷 y 𝑟𝑠 respectivamente, además de 𝑟𝐵 que es la resistencia másica

paso 𝑣𝑘 𝐼 Resistencia del


diodo

2 0.7v 𝐼𝐷 = 4.9mA 142.857ohm

3,4 -0.7v 𝐼𝑆 = 0A ∞

5 X X Directa: 507ohm
Inversa: 1ohm
11 X X 𝑟𝐵

En la siguiente tabla se muestra como varía la corriente en directa 𝐼𝐷 he inversa


𝐼𝑆 en el diodo al aplicar diferentes voltajes a este en directa e inversa.

Paso 6 Polarización Paso 7 Polarización


𝑣𝑘 𝑉 directa 𝑣𝑘 𝑉 directa
𝐼𝐷 mA 𝐼𝐷 µA

0 0.0 0 -0.0

0.1 0.0 -5 -0.0

0.2 0.0 -10 -0.01

0.3 0.0 -15 -0.01

0.4 0.0 -20 -0.02

0.5 0.1 -25 -0.03

0.6 0.9 -30 -0.03

0.7 5.7 -35 -0.03


0.8 28.1 -40 -0.03

Preguntas:

1) R// Colocamos el multímetro en la función de continuidad, luego


ubicamos las puntales de este, de manera que el diodo se polarizara en
directa y en inversa, así se determinó para estos dos casos las resistencia
respectivas en inversa y directa.
2) R// Para la resistencia en inversa calculamos una resistencia infinita, pero
en el paso 5 nos dio el valor de 1 ohm; para el caso de la resistencia en
directa el valor calculo fue menor que la mitad del valor del paso 5.
3) R// Cuando se polariza en directa y este es mayor o igual a 0.7V para
diodos de silicio.
4) R// Se estabiliza en un valor a medida que el voltaje en inversa aumenta.
5) R// para la polarización directa no se podrían trabajar con voltajes
menores a 0.7 en directa ara el diodo de silicio y para la polarización en
inversa que si se aplica un voltaje demasiado grande podría obtener una
corriente alta y dañar el dispositivo.
6) R// con un multímetro midiendo su resistencia y aquella en que las
puntas del multímetro se ubiquen de manera tal que me dé un valor
relativamente alto lo seria su polarización directa
7) R// se mediría la resistencia de un diodo para determinar su polarización
y a partir de lo dicho anteriormente determinaríamos cual es la punta
positiva ya que esa nos dio un valor alto de resistencia.