Pertemuan Ke-10
1
Ideal Voltage-Controlled Current Source
Representasi :
V22
RL
2
Junction Field Effect Transistor
Simbol : Simbol :
JFET Kanal n JFET Kanal p
3
Junction Field Effect Transistor
4
Junction Field Effect Transistor
JFET pada kondisi Non saturasi (ohmic region)
Berlaku :
W
I D AqN D n E x 2bWqN D n 2bqN D n
L
Dimana :
2b = sisa lebar kanal setelah ada
depletion region
W = lebar
L = Panjang kanal
Pada kondisi ini JFET akan berperilaku seperti resistor yang nilainya
bergantung pada VGS
ID bergantung pada W/L yang disebut sebagai faktor skala arus dari JFET
Rasio perbandingan VDS rDS (ON ) disebut sebagai ON drain resistance ,
ID
6
Junction Field Effect Transistor
JFET pada kondisi breakdown
Nilai tegangan maksimum yang dapat diberikan pada JFET adalah nilai
tegangan minimum yang akan mengakibatkan avalanche breakdown.
Dari karakteristik volt ampere JFET dapat diketahui bahwa untuk nilai reverse
biased VGS yang semakin besar maka kondisi breakdown terjadi untuk nilai VDS
yang lebih rendah.
JFET pada kondisi cutoff
Pada kondisi ini maka JFET akan berperilaku seperti open switch
Pada kondisi tegangan |VGS| > |VP|, maka ID ≈ 0 dan VDS dapat bernilai besar.
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal N
7
Karakteristik Volt Ampere JFET Kanal n
Junction Field Effect Transistor
Karakteristik fungsi transfer VGS dan ID JFET Kanal N:
2
V
I D I DSS 1 GS
Dimana : VP
ID = Arus drain
IDSS = arus drain pada JFET dalam kondisi saturasi dengan terminal Gate dan
Source di hubung singkat (short circuit)
ID
IDSS
VP
-VGS
Silikon
---------
n --------- n Dioksida
(SiO2)
Kanal n
substrat tipe p
9
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Simbol :
D
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe N
(Depletion NMOS)
G substrat
S
Depletion Mosfet tipe P
(Depletion PMOS)
10
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
S G D(+) S G(-) D (+)
body body
Silikon
Dioksida
--------- (SiO2) ---------
n --------- n n --- n
Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p
Silikon
Dioksida
--------- (SiO2) ---------
n --------- n n -- -- -- - - - - - - n
Kanal n Kanal n
substrat tipe p substrat tipe p
12
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Volt Ampere MOSFET kanal N (Depletion NMOS)
W 2 • Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
ID k VDS
L
VGS=+2,0
W
I D k 2VGS VT VDS VDS
L
2
300
+1,5 • Kondisi Saturasi :
250
W
ID k VGS VT I DS
200 Enhancement 2
+1,0
150 L
+0,5 Dimana :
100 k = process parameter
0
-0,5
L = Panjang kanal
50
VGS=-1,0 Depletion W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
1 2 3 4 5 6 VDS (V)
MOSFET :
Jenis : Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai I D
konstan pada kondisi saturasi 13
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Fungsi transfer VGS dan ID Depletion MOSFET kanal N
ID (μA)
Depletion Enhancement
• Kondisi VGS < VT :
300 • ID ≈ 0
250
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0
W
200
150 I
• D k (VGS VT )
2
L
100 Dimana :
IDSS k = process parameter
50
VT L = Panjang kanal
VGS (V) W = Lebar kanal dengan panjang
-3 -2 -1 1 2 3
kanal L
MOSFET:
Depletion MOSFET kanal n (Depletion NMOS)
k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = -2 V
14
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET
Bagan Enhancement MOSFET
S G D S G D
body body
Silikon
Dioksida
L L
Simbol :
D D
B B
G substrat G substrat
S S
Enhancement Mosfet tipe N Enhancement Mosfet tipe P
(Enhancement NMOS) (Enhancement PMOS)
15
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET kanal N (Enhancement PMOS)
B S G (+) D B S G (+) D (+)
(body) (body)
Silikon
Dioksida
--------- ---------
--------- ----
16
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Fungsi Transfer VGS dan ID Enhancement MOSFET kanal n
(Enhancement NMOS)
ID (μA)
• Kondisi VGS < VT :
• ID ≈ 0
300
• Kondisi VGS > VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≥ 0 :
250
W
• I D k (VGS VT )
2
200
150 L
Dimana :
100 k = process parameter
L = Panjang kanal
50
VT W = Lebar kanal dengan panjang
VGS (V) kanal L
1 2 3 4 5 6
Mosfet memiliki :
Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai I D
konstan pada saturasi
17
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
• Kondisi Non Saturasi :
ID (μA)
Ohmic Region Saturation
300
VGS=6,0 W 2
I D k VDS
W
L
I D k 2VGS VT VDS VDS
2
L
250
5,5
• Kondisi Saturasi :
W
VGS VT I DS
200
ID k
50
5,0 2
150
4,5
L
Dimana :
100
4
VGS=2 V k = process parameter
50 3,5 L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang
VGS= 3,0
1 2 3 4 5 6 kanal L
VDS (V)
Mosfet memiliki :
Enhancement MOSFET kanal n (Enhancement NMOS)
k = 20μA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 2 V
Asumsi : channel length modulasi diabaikan sehingga nilai I D
konstan pada saturasi 18
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET
Kanal N (Enhancement NMOS)
Dari bagan dan karakteristik volt ampere dapat diketahui bahwa :
Lapisan inversi (kanal) pada VDS = 0 hanya akan muncul jika VGS > VT. Pada VGS <
VT lapisan inversi tersebut tidak akan tersedia dan ID = 0, sehingga VT adalah serupa
dengan tegangan pinch off pada JFET. Kondisi I D =0 karena VGS < VT adalah kondisi
cut off dari MOSFET.
Pada kondisi non saturasi (ohmic) maka :
(VGS – VT > VDS) atau (VGD = VGS – VDS > VT)
W
I D k 2VGS VT VDS VDS
L
2
Dimana :
n Co
k = process parameter =
2
L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang kanal L
μn = mobilitas elektron
Co = gate capacitance (kapasitansi gerbang) per unit area
19
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Enhancement MOSFET
Kanal n (Enhancement NMOS)
Pada daerah saturasi :
0 < VGS – VT < VDS
ID cenderung konstan dan tidak bergantung pada nilai V DS, dan hanya
bergantung pada tegangan pengendali (VGS – VT) atau :
W
I D k VGS VT I DS
2
L
Garis pembatas daerah ohmic dan saturasi
terjadi pada VDS = VGS – VT dan besar
ID pada tegangan VDS ini adalah :
W 2
W 2 I D k VDS
ID k VDS L
L
20
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA)
-30
• Kondisi VGS < VT ; VDS = VGS-VT ; VDS ≤ 0 :
W
• I D k (VGS VT )
2
-20
20
L
-10 Dimana :
VT k = process parameter
-4 -8 -12 -16 -20
VGS (V) L = Panjang kanal
W = Lebar kanal dengan panjang
kanal L
Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
21
Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)
Karakteristik Enhancement MOSFET kanal P (Enhancement PMOS)
ID (mA) • Kondisi Non Saturasi :
Ohmic Region Saturation
VGS=-20
W
I D k 2VGS VT VDS VDS
L
2
-40
-18 • Kondisi Saturasi :
-30
W
VGS VT I DS
-16
I D k
2
-20 -14
L
-12 Dimana :
-10 -10
VGS=-4 V
k = process parameter
-8 L = Panjang kanal
VGS= -6
VDS (V)
W = Lebar kanal dengan panjang
-10 -20 -30 -40 kanal L
Dari kurva karakteristik dapat dilihat bahwa PMOS serupa dengan NMOS
dengan polaritas VDS dan IDS yang terbalik, dan pembawa muatan dalam
PMOS adalah hole.
22