Electrónica de Potencia III

Disipadores de calor

APUNTES DISIPADORES DE CALOR PARA SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Thyristor Devices Data(Capitulo 8).On semiconductor.http://www.onsemi.com

Power Semiconductor Applications. Philips semiconductor. Tema 7: Thermal management.

http://www.semiconductor.philips.com

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Introducción

Los semiconductores no son ideales, por lo que al manejar corriente

disipan potencia
La disipación de potencia se traduce en un aumento de temperatura
El silicio (Si) pierde sus propiedades semiconductoras por encima
de 150 ºC
Debemos asegurar por diseño que esto no va a suceder

La evacuación de calor desde el interior del dispositivo hasta el

ambiente depende enormemente del encapsulado utilizado

Cada modelo tiene unas características geométricas que le

proporcionan una cierta capacidad de evacuar calor

En caso de que el propio encapsulado no sea suficiente para

evacuar todo el calor, es necesario utilizar algún sistema para
mejorar la transferencia: LOS RADIADORES

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[3_1]
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Encapsulados
D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5

TO 247

B 44

En general, cuanto más grandes son y cuanto más superficie metálica

tienen, más grande es la capacidad de evacuación de calor
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Ejemplo de disipadores

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 Aplicacióón del principio de
Aplicaci
Tj Ta Pd (R jc R cd R d ) analogí
analogía
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Montaje

Rcd Rjc

Rda
Tj Ta Pd (R jc R cd R d )

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 TEMA 3: DISIPACIÓN DE POTENCIA

Equivalente eléctrico

RTHjc RTHca a
j
c
P
Si (W)
P Ta
(W) a
j ambiente
oblea Ta : Temperatura ambiente
c Tensiones = Temperaturas
encapsulado
Corriente = Pérdidas (W)

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 La resistencia térmica unión – encapsulado es baja (0.5 ºC/W)
La resistencia térmica encapsulado- ambiente es alta (50 ºC/W)

RTHjc RTHca
Tca = RTHca·P = 50ºC/W · 1W = 50ºC
(0.5 ºC/W) (50 ºC/W)
c a Tjc = RTHjc·P = 0.5ºC/W · 1W = 0.5ºC
j
Tjc T ca Tj = Ta + Tca + Tjc =
P = 25 + 50 + 0.5 = 75.5 ºC
(1W) Ta
(25 ºC)
Tj < 150 ºC Correcto

La temperatura de la unión es prácticamente la temperatura del encapsulado

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wentre
El salto térmico se produce w w el
. i encapsulado
n a c a p . c yl el ambiente
 Para reducir la temperatura se puede colocar un radiador
Proporcionamos un camino de salida alternativo al calor
Equivale a conectar una resistencia en paralelo con la RTHca

La RTH del radiador debe ser baja en comparación con RTHca

para que sea efectivo
R ·R 5·50
Ejemplo: RTHra = 5 ºC/W R THeq  THca THra  4. 5º C / W
R THca R THra 5 50

RTHjc RTHca
j (0.5 ºC/W) (50 ºC/W) a
Tca = RTHeq·P = 4.5ºC/W · 1W = 4.5ºC
c
Tjc = RTHjc·P = 0.5ºC/W · 1W = 0.5ºC
RTHra
(5 ºC/W) Tj = Ta + Tca + Tjc =
P Ta
(1W) = 25 + 4.5 + 0.5 = 30 ºC
(25 ºC)
Sin radiador, Tj = 75.5ºC
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Rjc=
Rjc=Rthj-
Rthj-mb
mb== Resistencia té
térmica unió
unión-contenedor

T jmax Tc
R jc 
Pd

Curva de reducció
reducción de Potencia. [3_13]

Muestra la potencia máxima que es capaz de disipar el dispositivo en función de la Tª de

la cápsula. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unión contenedor.
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 TEMA 3: DISIPACIÓN DE POTENCIA

Un transistor (2N3055) nos dice el fabricante que puede disipar

un máximo de 116 vatios. Comprobar que disipando 90 vatios no
corremos riesgo de quemar el dispositivo, (no se necesita
disipador). Sabemos que la temperatura de la unión es de 200º C
y Rja de 35º C/W.
Tjmax Ta (200 25)º C
Pdmax(SD)   5W

 R ja 35º C/W
5 vatios es la máxima potencia disipable sin disipador.
disipador
Si consideramos una aleta con una buena resistencia térmica
(0.6ºC/W) y unas resistencias térmicas Rcd, Rjc de 0.12ºC/W y de
1.5ºC/W respectivamente:
Tjmax Ta 200 25
Pdmax   78.8W
R jc R cd R d 1.5 0.12 0.6

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Rcd=Rthmb-h= Resistencia térmica contenedor-disipador
El los semiconductores, la parte metálica suele ser el cátodo o el
drenador del dispositivo
Esto implica que cuando el circuito está funcionando hay tensión en esa
parte metálica
Si unimos directamente el semiconductor al radiador, al haber contacto
eléctrico, el radiador queda conectado al mismo valor de tensión
400 V
400 V

Típicamente, los radiadores son fácilmente

accesibles para el operario
Resulta peligroso que están conectados a tensión

400 V

Hay que interponer una capa aislante

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Unión del contenedor al radiador

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Unión del contenedor al radiador

Atención al sistema de fijación

Un tornillo metálico es una conexión eléctrica.
Se rompe el aislamiento

Se utilizan arandelas de plástico

para evitar el contacto eléctrico

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 Unión del contenedor al radiador
La lámina aislante interpone también una resistencia térmica adicional
Dependiendo del material utilizado, la RTH varía

Mica de espesor 60 m: RTH : 1.4 ºC/W

Mica de espesor 100 m: RTH : 2.2 ºC/W

Alúmina de espesor 250 m: RTH : 0.8 ºC/W

Para mejorar el contacto térmico, se utilizan pastas de silicona que

reducen la resistencia térmica alrededor del 30%

RTHjc RTHca
j a
c Para hacer el cálculo de la
RTHra necesaria se puede
r Radiador despreciar la resistencia del
Aislante propio dispositivo (RTHca )
Ta
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Rcd=
Rcd=Rthmb-
Rthmb-h= Resistencia té
térmica contenedor-
contenedor-disipador
Por tanto esta resistencia térmica depende del tipo de contacto entre
contenedor y disipador y se pueden dar las siguientes combinaciones:

· Contacto directo, RD
· Contacto directo más pasta de silicona, RD+S
· Contacto directo más mica aislante, RD+M
· Contacto directo más mica aislante más pasta de silicona, RD+M+S

El valor de la resistencia Rcd depende bastante del tipo de contacto, a

continuación se ordenan de menor a mayor.

RD+S < RD < RD+M+S < RD+M

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 TEMA 3: DISIPACIÓN DE POTENCIA

Rcd=
Rcd=Rthmb-
Rthmb-h= Resistencia té
térmica contenedor-
contenedor-disipador

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 TEMA 3: DISIPACIÓN DE POTENCIA
Rda=Rd= Resistencia térmica disipador-ambiente
Los radiadores grandes se venden en barras de 1 ò 2 metros
El diseñador debe cortar la longitud que le interesa
La resistencia térmica depende de la longitud
El fabricante proporciona una curva con la RTH de cada perfil en
función de la longitud

Modelos de radiadores
T j Ta
Rd  (R jc R cd )
Pd

La curva es asintótica: a partir de una cierta longitud, por

mucho que la aumentemos no disminuye la RTH 18
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Modelos de radiadores

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Modelos de radiadores

Hay modelos más pequeños adaptados para ciertos

encapsulados: TO-220, TO-247, etc
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Factores que afectan a la RTH

Posición del radiador

La RTH del fabricante se especifica en posición vertical.
En horizontal, el calor se evacua peor.

Se produce un “efecto chimenea”

El propio calor crea una corriente de aire
PEOR ascendente que mejora la refrigeración
En horizontal puede ser un 25% peor
MEJOR
Color del radiador

Cada color tiene un coeficiente térmico distinto

Hay varios colores de radiadores: negro, oro, aluminio
El mejor es el negro

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Factores que afectan a la RTH

Ventilación

Para mejorar la capacidad de evacuación de calor es posible utilizar

ventilación forzada
Con esto se consigue reducir la resistencia termíca

Atención a la dirección del flujo de aire

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CORRECTO w w w . i n a c a p . c l INCORRECTO
 23
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 24
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Cálculo dinámico de radiadores

Hasta ahora hemos supuesto que la potencia disipada era constante

Sin embargo, la potencia instantánea no suele serlo

P(t) PMAX

PMED

Temp
Por tanto, la temperatura estará
variando en torno a un valor medio

¿Qué valor de potencia debo utilizar para el dimensionamiento

del radiador?

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Cálculo dinámico de radiadores

Las pérdidas se producen en la oblea de silicio

Al tener poca masa, su inercia térmica es muy pequeña y puede
cambiar de temperatura rápidamente
El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor
y los cambios de temperatura son mucho más lentos

Para modelar correctamente el comportamiento, se deben incluir

condensadores para simular las inercias de los elementos

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Cálculo dinámico de radiadores
En la práctica, se utiliza un método simplificado
El fabricante proporciona unas curvas de impedancia térmica transitoria

P PMAX ZTHt
D = 0.3
Zt
PMedia

t1
t1
T D = t1/T

Se plantean 2 circuitos:
Tenemos 2 ecuaciones
j c c r con 2 incógnitas:
a
Zt TC ? TC y RTHra
RTHra?

PMAX PMedia Ta

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  R -tC 
T t 2 t 1 R t 
Pd 
1 e t t  Rt Resistencia térmica del grupo Rt Ct

 
 Ct Capacidad térmica del grupo Rt Ct

Temperatura de la unión en función

del pulso aplicado. La temperatura,
aumenta con la duración del pulso,
hasta que se alcanza el régimen
permanente. (Cortesía Motorola)

Z jc (t)
r(t) 
R jc

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 t Z jc (t)
D  on
T r(t) 
Impedancia Térmica normalizada R jc

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Dada la curva de la impedancia té rmica transitoria normalizada en
funció n de la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo
(r(ton,D)) del transistor 2N3716, encontrar el má ximo valor que
alcanzará la temperatura de la unión al aplicar un tren de impulsos.
Datos:

Pd = 40W ton = 10ms t = 50ms Tc = 50º C Rjc = 1.17º C/W

De la curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10ms

obtenemos r(ton,D) = 0.56

D
t on

10ms
0.2 T j Tc r(t on , D) 
R jc 
Pd
t 50ms

T j 50º C 0.56 
1.17º C/W 
40W 76.2º C

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 Diferentes casos
Disipación de potencia continua
Tjmax Tc T j Ta T j Ta
R jc  R ja  Rda  Rjc Rcd
PT(AV) PT ( AV ) PT ( AV )

Funcionamiento discontinuo

Tren de pulsos de corta

duración
T jmax Tc
PTMAX  Tc T j PTMAX Z jc
Z jc
T jMAX Tc PTMAX Z jc 
Ta PT ( AV ) ( Rcd Rda ) PTMAX Z jc

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Un solo pulso de larga y corta duració n

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Otras formas de onda

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Otras formas de onda

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 35
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 36
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 37
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 38
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 39
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 40
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 41
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 Pavg

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Encapsulados característicos

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