DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ANALÓGICOS – EL173

Unidad 1
DIODOS
 Visión del curso

Pensamiento lógico – Pensamiento Crítico Opamps

LKC / LKV
Teoremas
DC y AC

dI L dVC
V  IR VL  L IC  C
dt dt
Leyes lineales
 Visión del curso
Opamps

LKC / LKV
Teoremas
dVC
V  IR VL  L
dI L IC  C DC y AC
dt dt
Leyes lineales

BJT

Diodo Mosfet

Leyes NO lineales

Pensamiento lógico – Pensamiento Crítico

Estudio de componentes no lineales

Se analizarán los siguiente componentes no lineales

• Diodos
• Transistor Mosfet
• Transistor BJT

En el análisis y diseño de circuitos con estos elementos,

primero debemos establecer cómo operan estos componentes
en DC y en AC

Y se combinarán dichos elementos con resistencias y

condensadores formando sistemas electrónicos básicos.
 Mapa referencial del curso
• Diodos
• Transistor Mosfet
• Transistor BJT

Objetivos
Al finalizar la unidad el estudiante:
 Reconoce el modo operativo de los diodos comunes y diodos
zener en configuraciones electrónicas básicas.
 Construye experimentalmente las curvas características de estos
dispositivos.
 Modela experimentalmente a los diodos mediante experimentos
en el laboratorio.
 Diseña bajo criterios ingenieriles y construye fuentes reguladas.
 El Diodo
• Es un dispositivo electrónico de
comportamiento v-i NO lineal.
• Tiene hasta tres modos de
comportamiento eléctrico según los (D)
niveles de voltaje y corriente que hay
entre sus terminales:
vD

 Directa (D) i D  I S (e nVT

 1)
(I)
 Inversa (I) iD = -IS  0A
 Ruptura (R) VZ = VZ0 + izrz (R)

• El diodo común tiene dos estados

de comportamiento: directa e
inversa. Por eso que este
dispositivo es un interruptor ON-
Curva característica v-i del diodo
OFF
 Concepción Ideal del Diodo
 Al aplicarle voltaje negativo, no hay
corriente y se llama inversamente corte
polarizado o que el diodo está en apagado encendido
inversa o corte.
OFF ON
 Al aplicarle una corriente positiva, el
potencial será cero y se dice que
está en directamente polarizado, inversa directa
que conduce o está en directa.

Símbolo del diodo con Comportamiento

sus terminales. del diodo ideal
 Diodo Ideal
 Cuando se usa circuitos
eléctricos con diodos ideales,
se puede estimar el estado de
operación del dispositivo y
luego conocer cómo opera el
circuito.
 En (a) el voltaje en los
terminales del diodo es
positivo, por consiguiente está
en conducción (ON).
 En (b) el diodo se opone al
sentido de la corriente, por lo
cual se encuentra en corte
(OFF).
 Ejemplos de aplicación
Halle la información requerida
de voltajes y corrientes de los
circuitos con diodos
El Rectificador de onda
 Usando al diodo ideal:
 En el semiciclo positivo el diodo está en ON
 En el semiciclo negativo el diodo está en OFF

ON

a) Graficado con método gráfico

OFF

b) Graficado con método analítico

Circuitos Limitadores
 Compuertas Lógicas (tarea)
 Con diodos se pueden
construir compuertas lógicas.
 En (a) cuando se aplica un
voltaje positivo (5V por (b)
ejemplo), la salida mantendrá
ese voltaje.
Entonces el comportamiento
será de una puerta OR
 En (b) al aplicar 0V, la salida (a)
será cero.
Entonces el comportamiento Y  A B C Y  A B  C
será de una puerta AND
 Ejemplos de aplicación (tarea)
Halle la información requerida
de voltajes y corrientes de los
circuitos con diodos
 Estudio de la curva característica de
los diodos de unión
Se analizará el comportamiento del diodo en cada
zona de operación:

 Directa

 Inversa

 Ruptura
 Directa
 Esta en directa cuando v es
positivo. v
 Su ecuación es: i  I S (e nVT
 1)
 IS es corriente de saturación o
corriente de escala porque es
proporcional al área de sección
transversal.
 IS típico 10-9A a 10-15A
 VT es el voltaje térmico cuyo valor
típico es 25mV.
 n depende del material y su
estructura física. 1≤ n ≤ 2
 Para una v<0.5V, la corriente es
muy pequeña.
 Directa
 Los parámetros IS y VT son
dependientes de la
temperatura.
 Como consecuencia la curva
cambia y el voltaje de
conducción se desplaza.
 El desplazamiento producido
es -2mV/ºC.

T k es la constante de Boltzman = 1.38x10-23 J/K

VT  k T es la temperatura en grados Kelvin = °C + 273
q q es la magnitud de la carga eléctrica = 1.609x10-19C
Al reemplazar estas constantes y la temperatura a 27°C, resulta
la cantidad de 25mV
 Análisis de circuitos con diodo en Directa

 La fuente tiene un voltaje mayor al

umbral y esto nos permite verificar
que el diodo está en la zona de
directa.
 Y en todo circuito eléctrico debe
cumplir las leyes de Kirchhoff.
 El procedimiento matemático para Ecuación de Shocktley
la solución de este problema es
aplicando el criterio de la iteración, ID  ISeVD nVT

hasta lograr el valor final del voltaje

y corriente en el diodo Ley de Kirchhoff de Voltajes
VDD  VD
ID 
R
William Bradford Shockley fue el primero que modeló al diodo
 Análisis de circuitos con diodo en Directa

 La resolución gráfica del circuito se obtiene trazando las curvas

característica del diodo y del circuito completo (recta de carga).
 El punto de intersección constituyen los valores de funcionamiento del
diodo. Este es el punto de operación Q.

I D  I S eVD nVT

VDD  VD
ID 
R
 Aproximación de la ecuación de Schockley

Se toma dos valores genéricos del par v-i en el diodo

Se puede deducir la
vD2
siguiente ecuación:
ID2 iD2  I S e nVT I D2
vD1
VD2  VD1  2.3nVT log( )
I D1
iD1  I S e nVT Luego se procede a aplicar
ID1 la iteración entre la LKV y
la ecuación modificada de
Shockley :
VD1 VD2
VDD  VD
I D2 
R I D2
VD2  VD1  2.3nVT log( )
I D1
 Ejemplo de aplicación
Para el circuito mostrado, VDD es 5V,
La resistencia R es 1k.
Se sabe que en el diodo habrá 0.7V
para una corriente de 1mA.

Hallar el punto Q de operación del diodo.

VDD  VD
I D2 
VD = _______ (V) R
Q= I D2
ID = _______ (mA) VD2  VD1  0.1 log( )
I D1

Q proviene de la palabra quiescente = casi quieto

 Inversa
 Se presenta cuando v es
negativo.
 En la figura se representa en
una escala comprimida.
 En esta zona de operación la
curva esta dada por:

i  I S
Donde IS es la corriente de
saturación.
 Ruptura
 Se presenta cuando v
sobrepasa un valor de umbral
conocido como voltaje de
ruptura (VZK).
 La corriente aumenta muy
rápido con respecto al voltaje.
 Para evitar la destrucción del
dispositivo en esta zona, es
conveniente limitar su corriente
a valores apropiados.
 Estos valores apropiados
corresponden a la potencia
disipada y se encuentran en
las hojas de datos
 Aquí operan los diodos Zener
 Diodo Zener

 La característica pronunciada de la región de

ruptura permite usar a los diodos en esta K
región como reguladores de voltaje.
 Sin embargo no cualquier diodo no se puede
trabajar en esta región.
 Los diodos especialmente fabricados para
operar aquí se les conoce como diodos de
ruptura y diodos Zener.
 La polaridad y sentido de la corriente para el
diodo trabajando en la zona Zener se muestra
A
en la figura con el símbolo correspondiente.
Símbolo del
diodo zener
 Modelo del Diodo Zener
 Debajo de IZK la curva es casi una
línea recta.
 El voltaje de Zener se especifica
utilizando una corriente de prueba.
 Se especifica también una potencia
máxima que limita la corriente de
trabajo.
 La curva característica del diodo
zener se puede aproximar a la
ecuación de una recta:

VZ  VZ 0  rz I Z
 Modelo del Diodo Zener
 Las características mostradas en el circuito
nos llevan al modelo equivalente del Zener.
 Este modelo es sólo aplicable cuando se
trabaja en zona Zener.
 La fuente VZO representa la intersección de
la recta tangente a la curva del Zener en el
punto de prueba. Es diferente a VZK.
 Entonces el voltaje del Zener tendrá la
siguiente expresión :

VZ  VZ 0  rz I Z
Ecuación de modelación Simbología equivalente
 Ejemplo de aplicación
Para el circuito de la figura
Los datos del diodo zener son:

VZ=6.8V a IZ = 5mA, rZ=20

Calcule:
a. VO sin carga y a 10V
b. VO, si RL es igual a 2k,
c. Vo, si RL es igual a 0.5k,
d. vo cuando la variación
de V+ es ±1V y RL es 2k
 Modelo Aproximado del Diodo
 El análisis se complica con la curva exponencial, por lo cual se toma
una aproximación lineal por partes. La pendiente de la curva puede
variar dependiendo del intervalo donde se trabaje.
 A partir de la gráfica lineal de puede deducir el modelo equivalente del
diodo

Simbología
Modelación equivalente
 Modelo Simplificado del Diodo
 En ocasiones no es necesario conocer el cambio en la corriente y se
usa un modelo más simple en el cual el voltajes es constante.
 El modelo simplificado se dibujará de la siguiente manera:

Simbología
Modelación equivalente
Modelo a Pequeña Señal

Modelo en DC Modelo en AC
 Circuitos Rectificadores
 La rectificación se usa en una de las etapas de las fuentes de
alimentación para circuitos electrónicos.
 El diagrama de bloques mostrado abajo indica las distintas etapas de
una fuentes de alimentación.
 La carga puede ser cualquier circuito electrónico.
 Los diodos intervienen tanto en la etapa rectificadora como la
reguladora.
El rectificador de media onda
Para la obtención de la señal vo
se puede establecer con:

a) método gráfico
b) método analítico

Método gráfico Método analítico

 El rectificador de onda completa

 Se usa un transformador con

derivación central o toma central.
 Este tipo de rectificador es el usado
para las fuentes de alimentación

Método gráfico Método analítico

 El rectificador tipo puente
 La forma de onda es similar y no necesita un transformador con
derivación central.
 La onda rectificada tiene un amplitud menor debido a la cantidad de
diodos mayor respecto al rectificador de onda completa.
 Rectificador con filtro
 Consideramos el circuito rectificador de media onda y le agregamos
un condensador en paralelo para realizar el filtrado.
 Al inicio el condensador se carga al valor pico de la fuente.
 Al descender el voltaje el condensador se empieza a descargar a
través de R. Esto sucede hasta que el voltaje nuevamente se
incremente y alcance el voltaje en C.
 Rectificador con filtro
 En la figura se muestran la
entrada y salida.
 Se supone siempre que
RC»T. La descarga se
efectúa hasta que la salida
coincide con la entrada.
 Aparece una diferencia de
voltaje Vr llamado Voltaje
Rizo bastante pequeño.
 En esta aplicación el diodo
conduce en un intervalo de
tiempo muy corto.
 Rectificador con filtro
 La aplicación de filtrado usado para media onda también se puede
aplicar para onda completa.
 En este caso el voltaje cae menos que en el de media onda debido
a la mayor frecuencia.
 Por consiguiente el voltaje rizo es menor.
 Cuando los diodos son reales los valores son ligeramente menores
debido al voltaje umbral del diodo.
 Operación Física del Diodo
 El diodo semiconductor es una unión p-n. Se construye en un sólo
cristal de silicio donde se forman la región p y la región n.
 El semiconductor es una estructura que mantiene enlaces covalentes
y a temperaturas suficientemente bajas no tiene electrones libres.
 Cuando el material se encuentra a temperatura ambiente se rompen
algunos enlaces provocando un par llamado electrón-hueco.
 El movimiento de los electrones y huecos puede ser por difusión y
desplazamiento.
 Difusión debido a efectos
térmicos y es al azar.
 Desplazamiento por la
aplicación de un campo
eléctrico.
 Operación Física del Diodo
 Silicio puro, éste
posee valencia 4
 Operación Física del Diodo
 Debido a la
temperatura, el
enlace covalente se
rompe, esto genera
un hueco permitiendo
la conducción
eléctrica
 Operación Física del Diodo
 Al silicio se le
agregan
impurezas, que
no es otra cosa
que adicionar
elementos de
valencia +5
 Esto permite la
circulación de la
corriente en un
sentido
determinado
 Operación Física del Diodo
 Al silicio se le
agregan ahora
impurezas, que
no es otra cosa
que adicionar
elementos de
valencia +3
 Esto permite la
circulación de la
corriente en el
sentido contrario
 Operación Física del Diodo
 Los semiconductores con impurezas son aquellos en los que
predominan uno de los portadores (electrones o huecos).
 Cuando la mayoría de los portadores son electrones el material es del
tipo n.
 Cuando la mayoría de los portadores son huecos el material es del
tipo p.
 Para convertir un semiconductor en tipo n o p es necesario añadir
algunos átomos de otros elementos.
 El fósforo al ser introducido eleva la cantidad de electrones libres por
lo cual se le conoce como donante.
 Cuando se introduce boro en el semiconductor existe una cantidad de
excesiva de huevos resultando ser un aceptante.
 Operación del Diodo
Circuito Abierto
 La corriente de difusión ID es la que
provocan los portadores que migran
de una región a la otra.
 En la vecindad de la unión se forma
una región neutra llamada de
agotamiento donde los portadores
migrados se combinan.
 Aparece un voltaje llamado de
barrera, la cual debe vencerse para
que se provoque la circulación de las
cargas.
 La corriente de desplazamiento IS
es provocada por los portadores
minoritarios que pasan la unión.
 Operación del Diodo
Polarización Inversa
 Para entender el comportamiento
aplicamos una fuente de corriente
en dirección inversa menor que IS.
 Los electrones fluyen del material
n al p a través del circuito externo
y viceversa.
 Esto provoca que la región de
agotamiento se …..
 Entonces aparecerá un voltaje VR
que será el nuevo voltaje de
barrera.
IS  ID  I
 Operación del Diodo
Región de Ruptura
 Aplicamos ahora una corriente mayor a IS y los electrones pasarán del
material n al p y viceversa provocando un ensanchamiento mayor de
la región de agotamiento.
 El voltaje se eleva hasta llegar a un punto donde pueden ocurrir dos
eventos: el efecto Zener y el efecto avalancha.
 El efecto Zener se provoca debido a la intensidad de campo que
rompe enlaces covalentes liberando pares electrón-hueco.
 El efecto Avalancha se provoca cuando los portadores minoritarios
provocan la ruptura de enlaces de los átomos y se multiplican.
 Operación del Diodo
Polarización Directa

 Se aplica ahora una corriente

como se ve en la figura.
 Los huecos y electrones
inyectados en los materiales p y n
provocan una disminución de la
región de agotamiento.
 Esto permite el paso de los
portadores a través de la unión.