@exercicios Simulado Medidas e Materias Eletricos

EXERCÍCIOS DE MEDIDAS E MATERIAS ELETRICOS
Data de entrega 26/04/2019
U1S1
Questão 1
Ainda não respondida
Texto da questão
Podemos avaliar também a resistividade elétrica dos metais (ao invés da
condutividade) e sua influência com a temperatura e concentração de impurezas.
Para temperaturas acima de aproximadamente a resistividade aumenta
linearmente com a temperatura de acordo com em que é a
resistividade à é o coeficiente térmico de resistividade e é a

temperatura do metal em
Avaliando a equação que relaciona a variação da resistividade com a
temperatura, podemos concluir que a relação entre elas é:
Escolha uma:
a. Quadrática
b. Linear
c. Inversa
d. Hiperbólica
e. Não são relacionadas
Questão 2
Texto da questão
A ligação iônica é aquela que acontece entre íons, isto é, um átomo de um
determinado elemento químico carregado negativamente ou positivamente. A
ligação covalente é aquela na qual ocorre o compartilhamento dos elétrons de
átomos adjacentes.
Qual é o tipo de ligação química do cloreto de sódio(NaCl)?
Escolha uma:
a. Ligação iônica
b. Ligação covalente
c. Pontes de hidrogênio
d. Forças de Van der Waals
e. Ligação metálica
Questão 3
Texto da questão
A letra grega denota a resistividade do material (dada em Ω . m ). Outra
propriedade importante, e que também está relacionada com a facilidade de um
determinado material em conduzir corrente, é a condutividade σ (medida em Ω
. m)-1, definida como o inverso da resistividade.
A resistência de um condutor cilíndrico é dada pela segunda lei de Ohm

. Considere um fio de 20Ω de resistência e de 1m comprimento. O que
acontecerá com a resistência se dobrarmos o comprimento deste condutor, isto
é, se o comprimento for 2m
Escolha uma:
a. A resistência não sofrerá alterações
b. A resistência será dividida por quatro
c. A resistência quadruplicará
d. A resistência dobrará
e. A resistência cairá para metade do valor inicial
Questão 1
Texto da questão
A semicondução extrínseca é aquela na qual as propriedades elétricas do
material dependem das impurezas inseridas neste, o que resulta em duas
possibilidades de materiais chamados Tipo n e Tipo p. Para que isso aconteça,
é necessário dopar o material semicondutor com uma impureza.
Um cristal de silício dopado com átomos pentavalentes corresponde à:
Escolha uma:
a. junção p-n.
b. semicondutor tipo p.
c. diodo túnel.
d. diodo Schotky.
e. semicondutor tipo n.
Questão 2
Texto da questão
ρ é a resistividade do material (dada em ). Outra propriedade importante, e
que também está relacionada com a facilidade de um determinado material em
conduzir corrente, é a condutividade (medida em ), definida como o
inverso da resistividade.
Calcule a resistência de um fio de alumínio de 200m de comprimento e 1mm de
raio. Considere que a condutividade do alumínio é

Escolha uma:
a. R=1,73Ω
b. R=1,60Ω
c. R=1,70Ω
d. R=1,68Ω
e. R=1,63Ω
Questão 3
Texto da questão
A letra grega denota a resistividade do material (dada em ). Outra
determinado material em conduzir corrente, é a condutividade σ (medida
em ), definida como o inverso da resistividade.
A tabela a seguir apresenta a condutividade para cinco metais.
Condutividade elétrica à temperatura ambiente para alguns metais.
Assinale a alternativa que apresenta o melhor metal, entre os listados na tabela,

para ser usado como condutor.
Escolha uma:
a.
Aço inoxidável
b.
Platina
c.
Cobre
d.
Aço comum ao carbono
e.
Ferro
U1S2
Questão 1
Texto da questão
Materiais semicondutores não conduzem eletricidade tão bem quanto um
condutor, nem isola eletricamente da mesma forma que um isolante. Assim, por
ter uma característica intermediária entre condutor e isolante, estes materiais
são chamados de semicondutores.
Quais são as classificações dos materiais semicondutores? Escolha a alternativa
que apresenta as opções corretas.
I- Extrínseco tipo p;
II- Extrínseco tipo n;

III- Intrínseco;
IV- Intrínseco tipo n;
V- Intrínseco tipo p.
Escolha uma:
a. IV e V
b. I e III
c. I, II e III
d. I e IV
e. I e II
Questão 2
Texto da questão
possibilidades de materiais chamados Tipo n e Tipo p. Para que isso aconteça é
necessário dopar o material semicondutor com uma impureza.
Analise as alternativas listadas abaixo, e assinale aquela que apresenta
corretamente a substância dopante e o tipo de portador intrínseco (elétron livre
ou buraco). Considere o silício como elemento semicondutor usado.
Escolha uma:
a. Boro e buracos
b. Boro e elétrons livres
c. Arsênio e buracos
d. Índio e elétrons livres
e. Fósforo e buraco
Questão 3
Texto da questão
Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica
que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons
para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de
potencial no material conhecida como tensão Hall

Escolha a alternativa que apresenta uma aplicação prática dos sensores de
efeito Hall.
I- Sensor de velocidade
II- Sensor piezoelétrico
III- Sensor de posicionamento
IV- Sensor de nível
Escolha uma:
a. I e III
b. II e IV
c. Nenhuma das opções
d. I, III e IV
e. Todas as opções
Questão 1
Texto da questão
Alguns materiais apresentam propriedades de condução elétrica intermediárias
entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores.Tais materiais são
denominados de semicondutores.
Analisando as propriedades de materiais semicondutores, nota-se que o número
de elétrons ou lacunas em um semicondutor, cresce com o aumento do número
de átomos de impurezas introduzidas no cristal. Essa técnica, fundamental para
a construção das propriedades semicondutoras do componente, consiste em um
processo químico no qual átomos estranhos são introduzidos na estrutura
cristalina de uma substância específica.
Com o objetivo de tornar um cristal puro de silício em um material semicondutor,
assinale a alternativa que apresenta corretamente o nome dessa técnica.
Escolha uma:
a.
Material tipo n.
b.
Depleção.
c.
Material tipo p.
d.
Impurezas tetravalentes
e.
Dopagem
Questão 2
Texto da questão

Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo
uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que
produz um campo magnético de 0,1T . A mobilidade eletrônica do silício é
e sua condutividade é
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 3
Texto da questão
Nos semicondutores intrínsecos, o comportamento elétrico depende apenas da
estrutura eletrônica do material puro, não necessitando de impurezas. O
contrário ocorre nos semicondutores extrínsecos, nos quais o comportamento
elétrico está intimamente relacionado com as impurezas inseridas.
À temperatura ambiente, as mobilidades dos elétrons e dos buracos para o silício
intrínseco são 0,14 e , respectivamente. Calcule a condutividade e a

resistividade para este material. Considere que o número de portadores
intrínsecos é
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
U1S3]
Questão 1
Texto da questão
Nos semicondutores intrínsecos, o comportamento elétrico depende apenas da
estrutura eletrônica do material puro, não necessitando de impurezas. O
contrário ocorre nos semicondutores extrínsecos, nos quais o comportamento
elétrico está intimamente relacionado com as impurezas inseridas.
À temperatura ambiente, as mobilidades dos elétrons e dos buracos para o silício
intrínseco são 0,14 e , respectivamente. Calcule a condutividade e a

resistividade para este material. Considere que o número de portadores
intrínsecos é
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 2
Texto da questão
Os transistores são dispositivos que possuem duas aplicações básicas: eles
podem trabalhar como chaves eletrônicas e amplificadores. Na primeira
situação, os transistores permitem ou não a passagem de corrente em
determinados momentos da operação de um circuito eletrônico. Este
chaveamento, por não ter contatos móveis, pode ocorrer a velocidades muito
altas. Na segunda aplicação, o transistor pode amplificar um sinal elétrico. O
transistor bipolar de junção que possui duas junções p-n.
Assinale a alternativa que apresenta os nomes corretos dos terminais do
transistor bipolar de junção e uma de suas aplicações.
Escolha uma:
a. Emissor, base e dreno, chave.
b. Emissor, porta e coletor; amplificador de sinais.
c. cátodo e ânodo, chave
d. Emissor, base e coletor; amplificador de sinais.
e. Fonte, porta e dreno; chave.
Questão 3
Texto da questão
Avalie as afirmações abaixo sobre materiais semicondutores e escolha a
alternativa correta.
I - Dopagem é o nome dado ao processo de adição de impurezas em

semicondutores;
II - Impurezas doadoras são aquelas que fornecem um elétron livre ao material
semicondutor;
III - Impurezas receptoras são aquelas que fornecem um buraco ao material
semicondutor;
IV - O silício intrínseco é aquele que passa por processo de dopagem.
Escolha uma:
a. IV.
b.
I, II e III.
c. I e II.
d. Todas as afirmações estão corretas.
e. I, II e IV.
Questão 1
Texto da questão
O transistor foi um dispositivo semicondutor que revolucionou a indústria
eletrônica. A miniaturização de circuitos eletrônicos em circuitos integrados fez
com que ocupassem espaços cada vez menores, diminuindo,
consequentemente, as dimensões de equipamentos eletrônicos.
Chamamos de tamanho do transistor o comprimento do canal formado entre
fonte e dreno para condução, como apresentado na Figura 1. De acordo com a
lei de Moore, o número de transistores por chip dobra a cada 18 meses. Portanto,
em três anos, o tamanho do transistor será:
Escolha uma:
a. Dividido por 3.
b. Multiplicado por 4
c. Dividido por 4.
d. Dividido por 2.
e. Multiplicado por 2.
Questão 2
Texto da questão
Avalie as afirmações abaixo sobre o transistor bipolar de junção (TBJ).
I- São diretamente polarizados quando o cátodo e o ânodo estão ligados nos
terminais negativo e positivo da fonte, respectivamente
II- São construídos com duas junções p-n e podem ser de dois tipos: n-p-n e p-
n-p;
III- A condução de corrente está relacionada com o campo elétrico formado
quando um potencial positivo é aplicado ao terminal porta (gate).
Marque a alternativa que contém todas as afirmações corretas.
Escolha uma:
a. I e II
b. II
c. I e III
d. III
e. I
Dica: Para navegar entre as questões utilize a tecla tab e para navegar entre as
opções da questão utilize as setas.
Questão 3
Texto da questão
Quando um diodo está diretamente polarizado, teremos um fluxo direto para
corrente e, portanto, o diodo conduz. Caso contrário, teremos um fluxo reverso
de corrente, isto é, uma corrente tão pequena que diremos que o diodo parou de
conduzir. Uma outra forma de analisarmos esse comportamento é considerar
que o diodo é uma chave fechada quando diretamente polarizado e uma chave
aberta quando inversamente polarizado.
Analise o circuito abaixo e assinale a alternativa que apresenta a forma de onda
correta da tensão nos terminais do resistor. A fonte de tensão é senoidal.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 1
Texto da questão
Avalie as afirmações abaixo sobre o transistor bipolar de junção (TBJ) e escolha
a alternativa correta.
I- Podem ser usados como amplificadores de corrente;
II- São construídos com duas junções p-n e podem ser de dois tipos: n-p-n e p-
n-p;
III- O transistor NMOS possui substrato feito com material semicondutor
extrínseco tipo n.
Marque a alternativa que contém todas as afirmações corretas.
Escolha uma:
a. I e II
b. III
c. I
d. II
e. I e III
Questão 2
Texto da questão
Podemos avaliar também a resistividade elétrica dos metais (ao invés da
condutividade) e sua influência com a temperatura e concentração de impurezas.
Para temperaturas acima de aproximadamente , a resistividade aumenta
linearmente com a temperatura de acordo com em que é a
resistividade à , é o coeficiente térmico de resistividade e é a

temperatura do metal em
Calcule a resistência para um fio de prata de de comprimento e de
raio à temperatura de Considere que o coeficiente térmico da prata é
e a resistividade da prata à é igual
a
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 3
Texto da questão
Assinale a alternativa que apresenta a condutividade elétrica à temperatura
ambiente do germânio, dopado com átomos de fósforo por metro cúbico, e
o tipo deste material. A mobilidade dos elétrons é .

Escolha uma:
a. e semicondutor extrínseco tipo p
b. e semicondutor extrínseco tipo n
c. e semicondutor extrínseco tipo n
d. e semicondutor intrínseco
e. e semicondutor extrínseco tipo n

Questão 4
Texto da questão

Considere uma chapa de alumínio de 30 mm de espessura, conduzindo uma
corrente de 15 A. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um
campo magnético de 0,9 T. A mobilidade eletrônica do alumínio é e

sua condutividade é
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 5
Texto da questão
A letra grega denota a resistividade do material (dada em ). Outra

determinado material em conduzir corrente, é a condutividade σ (medida em
), definida como o inverso da resistividade.
Calcule a resistência de um fio de alumínio de 500m de comprimento e 2mm de
raio. Considere que a condutividade do alumínio é

Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Unidade 2
U2S1
Questão 1
Texto da questão
A rigidez dielétrica de um material indica qual é o campo elétrico necessário que
deve ser aplicado para produzir uma ruptura em um dielétrico. Este campo
elétrico intenso pode ser criado, por exemplo, por conta de falha no projeto de
um determinado equipamento, no qual não houve cuidado para limitar a
intensidade desses campos.
Considere que a rigidez dielétrica do ar é 30 . Qual é a diferença de

potencial necessária para ocorrer ruptura dielétrica de uma barreira de ar de 2
metros?
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 2
Texto da questão
Ao aplicarmos um campo elétrico a um material dielétrico, teremos um efeito
chamado polarização, que pode ser de três tipos diferentes: eletrônica, iônica e
de orientação. A polarização eletrônica, que ocorre em todos os materiais
dielétricos, é uma pequena deformação da nuvem eletrônica de um átomo
quando aplicamos um campo elétrico externo. Podemos entender isso como
uma carga positiva (núcleo) afastada de uma carga negativa (elétrons) formando
um dipolo elétrico. O segundo caso de polarização é a iônica, que acontece
apenas nos materiais que possuem ligações iônicas. Neste caso, o campo
elétrico externo causará um deslocamento dos cátions e ânions em sentidos
contrários, gerando um momento de dipolo resultante. A última é encontrada em
materiais que possuem momentos de dipolo permanentes. Aqui haverá a rotação
dos momentos de dipolo na direção do campo elétrico aplicado.
Qual é o tipo de polarização que deforma um átomo formando um dipolo elétrico?
Escolha uma:
a. Polarização elétrica.
b. Polarização eletrônica.
c. Polarização iônica.
d. Polarização de orientação.
e. Todas as alternativas.
Questão 3
Texto da questão
Capacitância é a capacidade de armazenar cargas em cada uma das placas ao
aplicarmos uma diferença de potencial. Em um capacitor de placas paralelas, a
capacitância é diretamente proporcional à área das placas e à permissividade
elétrica e inversamente proporcional à distância entre as placas.
Calcule a capacitância de um capacitor de placas paralelas (de área )

separadas por de vácuo.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 1
Texto da questão
Capacitância é a capacidade de armazenar cargas em cada uma das placas, ao
Calcule a permissividade relativa de um material dielétrico usado para construir
um capacitor de placas paralelas de área separadas por uma distância

Este capacitor deverá armazenar uma carga de 3nC sob 100V de
diferença de potencial.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 2
Texto da questão
Capacitância é a capacidade de armazenar cargas em cada uma das placas ao
Calcule a quantidade de cargas armazenadas em um capacitor de placas
paralelas, cujas áreas são quando estão separadas por de
mica e uma tensão de 15V é aplicada em seus terminais.

Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 3
Texto da questão
Encontre uma equação que represente a permissividade relativa de um capacitor
de placas paralelas, em função da polarização, tensão aplicada, permissividade
do vácuo e da distância de separação.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
U2S2
Questão 1
Texto da questão
O efeito piezoelétrico é usado em diversos sensores industriais como, por
exemplo, transdutores de ultrassom, acelerômetros, medidores de nível e etc. O
efeito piezoelétrico pode ser classificado em direto ou inverso, dependendo da
característica dos sinais de excitação e de saída.
Analise as afirmações abaixo sobre o efeito piezoelétrico.
I. O efeito piezoelétrico direto é aquele no qual há conversão de energia
mecânica em elétrica.
II. O efeito piezoelétrico inverso é aquele no qual há conversão de energia
elétrica em mecânica.
III. O efeito piezoelétrico direto é aquele no qual há conversão de energia química
em elétrica.
Assinale a alternativa que apresenta as afirmações corretas sobre o efeito
piezoelétrico.
Escolha uma:
a. I, II e III.
b. III.
c. I e II.
d. II e III.
e. I.
Questão 2
Texto da questão
A Piezoeletricidade é a eletricidade gerada a partir de uma pressão mecânica,
isto é, é uma conversão de energia mecânica em elétrica. Podemos classificar o
efeito piezoelétrico em direto, quando há conversão de energia mecânica em
elétrica, e inverso, quando há conversão de energia elétrica em mecânica.
O efeito piezoelétrico é vastamente utilizado em sensores e transdutores na
engenharia como, por exemplo, transdutores de ultrassom, acelerômetros e
medidores de nível. Avalie os materiais abaixo e escolha a alternativa que
apresenta quais desses materiais são usados na fabricação de sensores.
I. Titanato de bário.
II. Titanato de chumbo.
III. Quartzo.
IV. Silício.
Escolha uma:
a. II e III.
b. I, II, III e IV.
c. III e IV.
d. II e IV.
e. I, II e III.
Questão 3
Texto da questão
A Piezoeletricidade é a eletricidade gerada a partir de uma pressão mecânica,
isto é, é uma conversão de energia mecânica em elétrica. Podemos classificar o
efeito piezoelétrico em direto, quando há conversão de energia mecânica em
elétrica, e inverso, quando há conversão de energia elétrica em mecânica.
Analise as afirmações abaixo sobre aplicações do efeito piezoelétrico.
I. Sensor de nível;
II. Acelerômetro;
III. Buzzer;
IV. Amperímetro.
Assinale a alternativa que apresenta as afirmações corretas sobre o efeito
piezoelétrico.
Escolha uma:
a. I e II.
b. I, II e III.
c. II e III.
d. III e IV.
e. I e IV
Questão 1
Texto da questão
A Piezoeletricidade é muito utilizada na produção de sensores comerciais e no
interior de diversas aplicações tecnológicas. Podemos classificar o efeito
piezoelétrico em direto, quando há conversão de energia mecânica em elétrica,
e inverso, quando há conversão de energia elétrica em mecânica.
Calcule a tensão de saída de um cristal de
quartzo quando uma pressão de 20 psi é

aplicada na sua superfície.
Escolha uma:
a. V = 6,28 V.
b. V = 7,80 V.
c. V = 5,73 V.
d. V = 7,58 V.
e. V=3,41 V.
Questão 2
Texto da questão
Materiais piezoelétricos são usados em diversos sensores comerciais, como
acelerômetros e medidores de nível por ultrassom. Analise os materiais listados
abaixo:
I. Titanato de bário ;
II. Titanato de chumbo );

III. Zirconato de chumbo ( );
IV. Germânio;
V. Silício.
Assinale a alternativa que apresenta as opções corretas de materiais
piezoelétricos.
Escolha uma:
a. I, IV e V.
b. II e V.
c. I e III.
d. I, II e III.
e. I e IV.
Questão 3
Texto da questão
O efeito piezoelétrico é usado em diversos sensores industriais como, por
exemplo, transdutores de ultrassom, acelerômetros, medidores de nível e etc. O
efeito piezoelétrico pode ser classificado em direto ou inverso, dependendo da
característica dos sinais de excitação e de saída.
Considere um medidor de nível em um tanque d’água, que utiliza um sensor
piezoelétrico. O tanque tem 120 m de altura mas a água é controlado para
manter-se de 100 m a 20 m (condições de volume máximo e mínimo,
respectivamente). Calcule a relação entre os tempos necessários para o sensor
receber o sinal de retorno entre as condições de volume máximo e mínimo.
Considere a velocidade do som no ar igual a

Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
U2S3
Questão 1
Texto da questão
As maneiras básicas de aplicação de carga mecânica são: tração, compressão,
cisalhamento e torção. Quando aplicamos uma carga, por exemplo, de tração,
em um corpo de prova teremos deformação deste. Se após retirarmos a carga
de tração o corpo voltar a ter as mesmas dimensões iniciais, diremos que a
deformação foi elástica. Caso o corpo não volte às dimensões iniciais,
classificaremos a deformação como plástica.
Um prisma quadrangular de lado 10 cm e 3 metros de altura suporta uma massa
de 650 kg. Calcule a tensão de engenharia em MPa nesta estrutura.
Considere .
Escolha uma:
a. .
b. .
c. .
d. .
e. .
Questão 2
Texto da questão
em um corpo de prova teremos a deformação deste. Se após retirarmos a carga
Um pilar circular de raio 3 cm e 4 metros de altura suporta uma massa de 2700
kg. Calcule a tensão de engenharia em nesta estrutura.
Considere .
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 3
Texto da questão
em um corpo de prova teremos a deformação deste. Se após retirarmos a carga
Uma barra de alumínio de 4m de comprimento foi tracionada de forma que seu
comprimento real passou a ser 4,001m .Calcule a deformação percentual sofrida
pela barra.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 1
Texto da questão
em um corpo de prova a teremos deformação deste. Se após retirarmos a carga
de tração, o corpo voltar a ter as mesmas dimensões iniciais, diremos que a
Um prisma triangular de lado 10 cm e 3 metros de altura suporta uma massa de
1300 kg. Calcule a tensão de engenharia em MPa nesta estrutura.
Considere .
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 2
Texto da questão
em um corpo de prova teremos a deformação deste, podendo ser classificada
em elástica ou plástica.
Considere dois materiais metálicos hipotéticos usados para construir pilares,
cujos dados de módulo de elasticidade e área estão apresentados na Tabela 1.
A mesma tensão de tração
Tabela 1: Dados dos materiais do exercício.
Material A B
Módulo de elasticidade (GPa) 60 30
Área da seção transversal 10 2
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 3
Texto da questão
A temperatura é o reflexo do grau de agitação das moléculas de determinado
material. Quando a aumentamos em materiais sólidos, verificamos que ocorre
uma expansão nas suas dimensões. Caso contrário, isto é, se abaixarmos a
temperatura o material pode se contrair.
Os coeficientes lineares de expansão térmica do cobre e do alumínio são
e Supondo uma barra de cobre seja submetida a

uma variação de temperatura de 100ºC e que uma barra de alumínio seja ao
dobro de variação de temperatura, qual será a relação entre as variações de
comprimento considerando que os comprimentos iniciais são iguais?

Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 1
Texto da questão
O efeito piezoelétrico ou piezoeletricidade é muito utilizada em aplicações
tecnológicas e na produção de sensores comerciais. Assim, sensores
piezoelétricos, por exemplo, convertem uma pressão mecânica em um sinal de
tensão proporcional a esta.
Calcule a tensão de saída de um sensor de titanato de bário de 3mm de
espessura e quando uma pressão de 15 psi é aplicada na sua

superfície.
Escolha uma:
a. V=4,18V
b. V=4,69
c. V=4,32 V
d. V=3,41V
e. V=3,10V
Questão 2
Texto da questão
Avalie as afirmativas abaixo sobre as propriedades térmicas dos materiais:
I. A expansão térmica ocorre quando aquecemos um material;
II. Materiais metálicos com diferentes coeficientes lineares de expansão térmica
são utilizados na construção de relés de sobrecarga (térmico);
III. Um termopar é um sensor de pressão.
Assinale a alternativa que apresenta as afirmativas corretas.
Escolha uma:
a. I e II
b. I e III
c. I, II e III
d. I
e. II e III
Questão 3
Texto da questão
Um capacitor de placas planas paralelas é construído de forma a ter uma
capacitância Se as placas estão separadas 7mm por de
mica calcule a área das placas e a carga armazenada nestas, quando

uma tensão de é aplicada nos seus terminais.
Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 4
Texto da questão
Quando temos um campo elétrico muito intenso, podemos fornecer energia
suficiente para remover elétrons da banda de valência para a banda de
condução, tornando-os elétrons livres e criando, portanto, uma corrente elétrica.
Isso pode causar danos ao material como, por exemplo, queima de parte do
material de maneira irreversível. A rigidez dielétrica de um material indica qual é
o campo elétrico necessário que deve ser aplicado para produzir uma ruptura em
um dielétrico. Este campo elétrico intenso pode ser criado, por exemplo, por
conta de falha no projeto de um determinado equipamento, no qual não houve
cuidado para limitar a intensidade desses campos.
Calcule a espessura mínima de um isolamento para um cabo de 15kV , se o
material dielétrico possui rigidez dielétrica de

Escolha uma:
a.
b.
c.
d.
e.
Questão 5
Texto da questão
O efeito piezoelétrico inverso é aquele no qual há conversão de energia
________ em energia ________. Alguns materiais usados como sensores
piezoelétricos são o quartzo e os ________ de ________ e de
________ e também o _________ de chumbo

Marque a alternativa que preenche corretamente a afirmativa anterior sobre o
efeito piezoelétrico.
Escolha uma:
a. elétrica, elétrica, zirconato, bário, chumbo, titanato.
b. mecânica, elétrica, zirconato, bário, chumbo, titanato.
c. elétrica, mecânica, titanato, bário, chumbo, zirconato.
d. mecânica, elétrica, titanato, bário, chumbo, zirconato.
e. elétrica, mecânica, zirconato, bário, chumbo, titanato.

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EXERCÍCIOS DE MEDIDAS E MATERIAS ELETRICOS

Data de entrega 26/04/2019

linearmente com a temperatura de acordo com em que é a

resistividade à é o coeficiente térmico de resistividade e é a

A resistência de um condutor cilíndrico é dada pela segunda lei de Ohm

raio. Considere que a condutividade do alumínio é

em ), definida como o inverso da resistividade.

A tabela a seguir apresenta a condutividade para cinco metais.

Condutividade elétrica à temperatura ambiente para alguns metais.

Assinale a alternativa que apresenta o melhor metal, entre os listados na tabela,

II- Extrínseco tipo n;

IV- Intrínseco tipo n;

potencial no material conhecida como tensão Hall

potencial no material conhecida como tensão Hall

intrínseco são 0,14 e , respectivamente. Calcule a condutividade e a

intrínseco são 0,14 e , respectivamente. Calcule a condutividade e a

I - Dopagem é o nome dado ao processo de adição de impurezas em

linearmente com a temperatura de acordo com em que é a

resistividade à , é o coeficiente térmico de resistividade e é a

o tipo deste material. A mobilidade dos elétrons é .

a. e semicondutor extrínseco tipo p

b. e semicondutor extrínseco tipo n

c. e semicondutor extrínseco tipo n

e. e semicondutor extrínseco tipo n

potencial no material conhecida como tensão Hall

campo magnético de 0,9 T. A mobilidade eletrônica do alumínio é e

A letra grega denota a resistividade do material (dada em ). Outra

raio. Considere que a condutividade do alumínio é

Considere que a rigidez dielétrica do ar é 30 . Qual é a diferença de

Calcule a capacitância de um capacitor de placas paralelas (de área )

um capacitor de placas paralelas de área separadas por uma distância

mica e uma tensão de 15V é aplicada em seus terminais.

quartzo quando uma pressão de 20 psi é

II. Titanato de chumbo );

Considere a velocidade do som no ar igual a

kg. Calcule a tensão de engenharia em nesta estrutura.

e Supondo uma barra de cobre seja submetida a

comprimento considerando que os comprimentos iniciais são iguais?

espessura e quando uma pressão de 15 psi é aplicada na sua

mica calcule a área das placas e a carga armazenada nestas, quando

material dielétrico possui rigidez dielétrica de

piezoelétricos são o quartzo e os ________ de ________ e de

________ e também o _________ de chumbo

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piezoelétricos são o quartzo e os de e de

e também o _ de chumbo