UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE-LATACUNGA

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA GENERAL CARRERA: INGENIERÍA AUTOMOTRIZ

NOMBRES: LENIN ANGAMARCA
ALEX MAILA NIVEL: TERCERO NRC: 2399
DAVID PILATASIG
TEMA: CURVA DEL FUNCIONAMIENTO DEL
DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA Y FECHA: 7/6/2019
CIRCUITOS CON DIODOS.

1. Tema
Curva de funcionamiento del diodo en polarización directa y circuitos con diodos.
2. Objetivo General
 Analizar el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa y establecer su
curva de funcionamiento.

3. Objetivos Específicos
 Generar la curva de operación del diodo en polarización directa usando los datos obtenidos
en la práctica realizada.
 Determinar los valores de voltaje y corriente en un circuito de configuración mixta
solicitados en la práctica con el uso de equipos de pruebas y medición.
 Armar una tabla de comparación con errores absolutos, relativos y el uso de estadística
descriptiva para los valores obtenidos.

4. Marco Teórico
4.1. Diodo semiconductor
Un diodo es un dispositivo de dos terminales denominados ánodo y cátodo respectivamente,
que conduce corriente en una sola dirección, por tal razón, es considerado idealmente un
interruptor. La unión p-n es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores
y otros dispositivos. Sus características de funcionamiento son muy similares a las de un
interruptor, se representan por el símbolo y la configuración como se muestra en la figura 1 [1].
Es un dispositivo semiconductor de 2 capas, una de tipo P (terminal ánodo) y la otra de tipo N
(terminal cátodo). Idealmente se comporta como un interruptor, sus principales aplicaciones
son: Circuitos rectificadores y Circuitos de protección de retorno de corriente [2].

Fig. 1. Configuración y símbolo del diodo semiconductor.

Pág. 1 de 43
4.2. Funcionamiento del diodo semiconductor
4.2.1. Diodo sin polarización
En esta situación el diodo no se encuentra polarizado, a temperatura ambiente, los portadores
mayoritarios son empujados desde el extremo a la unión p-n y pasan a una capa opuesta,
formando una zona denominada banda de agotamiento o barrera de potencial como se muestra
en la figura 2 [1].

Fig. 2. Diodo sin polarización.

4.2.2. Diodo en polarización directa

Se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo p y el material n al potencial
negativo, una vez que el potencial de la fuente supere el un voltaje llamado de umbral VF, se
logra vencer la banda de agotamiento y el diodo inicia su conducción, en ese estado, el voltaje
a través del dispositivo es casi constante y la corriente crece en función de la tensión
suministrada por la fuente como se muestra en la figura 3. Para el diodo de silicio VF se
considera aproximadamente de 0.7V y para el de germanio de 0.3V. La corriente de diodo
podrá crecer hasta no superar el consumo máximo establecido por el fabricante [1].

Fig. 3. Diodo en polarización directa.

Pág. 2 de 43
 4.2.3. Diodo en polarización inversa
Básicamente en esta forma de polarización se aplica un voltaje determinado en la unión p-n, de
tal manera que el terminal positivo se encuentra conectada en el material de tipo n y el terminal
negativo en material p, donde el número de iones positivos en la región de agotamiento del
material tipo n se incrementa debido al gran número de electrones libres atraídos por el
potencial positivo del voltaje aplicado. Esta aplicación realiza una ampliación de la banda de
agotamiento siendo demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios como
se muestra en la figura 4.
Sin embargo, existe un valor de potencial establecido por el fabricante llamado voltaje de
ruptura o pico inverso VPI, que una vez superado la energía de las cargas es tan elevada que
logran romper dicha banda, a este estado del diodo se conoce como zona de avalancha, en la
que el voltaje a través del diodo permanece casi constante, pero la corriente se aumenta de
manera abrupta ante mínimos cambios del potencial de la fuente. En el caso de los diodos de
propósito general este no es un estado que al que se pretenda someter al diodo, ya que podría
sufrir daños [1].

Fig. 4. Diodo en polarización inversa

En la figura 5 se indica la curva de funcionamiento del diodo.

Fig. 5. Curva de funcionamiento del diodo de silicio.

Pág. 3 de 43
4.3. Modelos de diodos
4.3.1. Modelo ideal
El modelo ideal de un diodo es la aproximación menos precisa y puede ser representado por un
interruptor simple. Cuando el diodo está polarizado en directa, actúa idealmente como un
interruptor cerrado (prendido), como lo muestra la figura 6a. Cuando el diodo está polarizado
en inversa, idealmente actúa como un interruptor abierto (apagado), como lo ilustra la figura
6b [2].

Fig. 6. Modelo ideal del diodo.

Aunque el potencial de barrera, la resistencia dinámica de polarización en directa y la corriente

de polarización en inversa se desprecian, este modelo es adecuado en la mayoría de las
situaciones de solución de fallas cuando se está tratando de determinar si el diodo está
trabajando apropiadamente. Como se aprecia en la figura 7 la curva característica V-I ideal
ilustra gráficamente la operación de un diodo ideal. Como el potencial de barrera y la resistencia
dinámica de polarización en directa se omiten ya que el diodo tiene un voltaje cero a través de
él cuando está polarizado en directa, como lo indica la parte de la curva sobre el eje vertical
positivo [2].

Fig. 7. Curva de característica V-I ideal.

Pág. 4 de 43
 4.3.2. Modelo aproximado
Este modelo práctico incluye el potencial de barrera. Cuando el diodo está polarizado en
directa, equivale a un interruptor cerrado en serie con una pequeña fuente de voltaje equivalente
(VF) igual al potencial de barrera (0.7 V) con el lado positivo hacia el ánodo, como lo muestra
la figura 8a. Esta fuente de voltaje equivalente representa el potencial de barrera que debe ser
excedido por el voltaje de polarización antes de que el diodo conduzca y no sea una fuente de
voltaje activa. Cuando conduce, aparece una caída de voltaje de 0.7 V a través del diodo.
Cuando el diodo está polarizado en inversa, equivale a un interruptor abierto exactamente como
el modelo ideal, como lo ilustra la figura 8b. El potencial de barrera no afecta la polarización
en inversa, así que no es un factor [2].

Fig. 8. Modelo práctico de un diodo.

La curva característica para el modelo práctico del diodo se muestra en la figura 9. Como el
potencial de barrera está incluido y la resistencia dinámica se omite, se supone que existe un
voltaje a través del diodo cuando está polarizado en directa, como lo indica la parte de la curva
a la derecha del origen [2].

Fig. 9. Curva característica (silicio).

4.3.3. Modelo completo

El modelo completo de un diodo es la aproximación más precisa e incluye el potencial de
barrera, la pequeña resistencia dinámica de polarización en directa (r’d) y la gran resistencia
interna de polarización en inversa (r’R). Cuando el diodo está polarizado en directa, actúa como
un interruptor cerrado en serie con el voltaje de potencial de barrera equivalente (VB) y la
pequeña resistencia dinámica de polarización en directa como lo indica en la figura 10a, en

Pág. 5 de 43
cambio cuando el diodo está polarizado en inversa, actúa como un interruptor abierto en
paralelo con la gran resistencia interna de polarización en inversa (r’R) como lo ilustra la figura
10b. El potencial de barrera no afecta la polarización en inversa, por lo que no es un factor [2].

Fig. 10. Modelo completo de un diodo.

La curva característica para el modelo completo del diodo se muestra en la figura 11. Como el
potencial de barrera y la resistencia dinámica de polarización en directa están incluidos, se
supone que el diodo tiene un voltaje a través de él cuando se polariza en directa. Este voltaje
(VF) se compone del voltaje de potencial de barrera más la pequeña caída de voltaje a través
de la resistencia dinámica, como lo indica la parte de la curva a la derecha del origen. La curva
se inclina porque la caída de voltaje generada por la resistencia dinámica se incrementa a
medida que se incrementa la corriente [2].

Fig. 11. Curva característica V-I.

4.4. Generalidades software usado

Proteus está formado por dos programas: ISIS (Intelligent Schematic Input System) y ARES
(Advanced Routing & Editing Software). La simulación de los circuitos se realiza dentro del
propio módulo de captura de esquemas ISIS, el mismo que tiene todas las características
propias de este tipo de software, y otras específicas que le diferencian del resto. Permite realizar
diseños multi-hoja, diseños jerárquicos, generación de listados de componentes, generación de
netlist en diferentes formatos, etc. Destaca por su: facilidad de uso, calidad de sus esquemas,

Pág. 6 de 43
 control total de la apariencia de los dibujos, uso de plantillas para crear esquemas
personalizados con un estilo propio, fácil creación de nuevos componentes dentro de ISIS,
herramienta visual para asignación de encapsulados a los nuevos componentes, auto-ruteado
de los cables de conexión, componentes con buses para reducir el número de hilos, etc. [3].
Los elementos utilizados en Proteus fueron resistencias, diodos de silicio 1N4007, fuentes,
multímetro de voltaje DC y amperaje DC.

5. Materiales utilizados
TABLA I. MATERIALES UTILIZADOS EN LA PRÁCTICA

Materiales Cantidad Características

Resistencias de:
2.2KΩ,100 Ω, 5 – 1 c/u
1 KΩ, 10KΩ, 120Ω
Diodos de propósito
general serie 1N4007
(Si)
Multímetro de mesa –
Gw Instek GOM 8246
Fuente de alimentación
DC – Gw Instek GPS
4303
Cables para la fuente y el
multímetro.
Protoboard
La resistencia eléctrica es la oposición al paso de la
corriente eléctrica.
Éste diodo es muy usado en el ámbito electrónico
5 como rectificador en fuentes de alimentación y
supresor de picos en bobinas.
Es un instrumento eléctrico portátil para medir
1
directamente magnitudes eléctricas activas
Tiene una regulación lineal estable. Permite regular el
1 voltaje e intensidad
Cables que permiten la conexión y circulación de la
4
corriente.
Es un tablero con orificios que se encuentran
conectados eléctricamente entre sí de manera interna,
1
habitualmente siguiendo patrones de líneas, en el cual
se pueden insertar componentes electrónicos

6. Procedimiento
6.1. Medir la resistencia del diodo en polarización directa (P.D.) y en polarización inversa (P.I.)
como se muestra en la figura 12.

Pág. 7 de 43
 Fig. 12. Medición de la resistencia del diodo en P.D. y en P.I.

 Resistencia en Polarización Directa: 305.7 KΩ

 Resistencia en Polarización Inversa: 9.74 MΩ
Comprobar si el estado del diodo es adecuado:
Los DMM que no disponen de la función de prueba de diodo pueden ser utilizados para
probar un diodo situando el selector de funciones en OHM. Muchos medidores no
disponen de suficiente voltaje en el ajuste OHM para polarizar en directa por completo a
un diodo y la lectura puede ser de varios cientos a varios miles de OHMS. Para la
verificación de polarización en inversa de un diodo bueno, se tendrá una indicación de
fuera de escala tal como “OL” en la mayoría de los DMMs porque la resistencia en inversa
es demasiado alta como para que la mida el dispositivo [2].
En la práctica, se observó que el diodo si estaba en buen estado, ya que la pared de
agotamiento en el diodo en polarización inversa es mayor que en directa, por lo tanto, la
resistencia en polarización inversa es mucho mayor que en polarización directa.

6.2. Armar el circuito de la figura 13 del trabajo preparatorio (se usó una resistencia de 120 Ω)
y mida el voltaje y corriente atreves del diodo con la disposición para el voltímetro y
amperímetro que se muestra en la figura 14, a los valores de voltajes de entrada mostrados
en la tabla 2.

Pág. 8 de 43
 Fig. 13. Circuito 1 en polarización directa.

Fig. 14. Disposición del voltímetro y amperímetro para la medición del Voltaje e Intensidad del Diodo.

TABLA II. VALORES MEDIDOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA

Vin VD ID
0.1V 0.1024 V 1.87 µA
0.2V 0.2113 V 3.65 µA
0.3V 0.3033 V 7.38 µA
0.4V 0.4361 V 23.23 µA
0.5V 0.5135 V 56.97 µA
0.6V 0.5778 V 114.68 µA
0.65V 0.5778 V 130.81 µA
0.7V 0.5975 V 171.96 µA
0.8V 0.6192 V 237.83 µA
0.9V 0.6378 V 315.73 µA
1V 0.6567 V 434.61 µA
1.5V 0.6910 V 3.865 mA
2V 0.7134 V 10.452 mA
3V 0.7371 V 19.953 mA
4V 0.7520 V 25.523 mA
6V 0.7706 V 40.948 mA
8V 0.7838 V 61.65 mA
10V 0.7931 V 79.20 mA

Pág. 9 de 43
 12V 0.7992 V 97.75 mA
14V 0.8026 V 115.70 mA
15V 0.8050 V 124.80 mA
17V 0.8087 V 140.78 mA
18V 0.8160 V 149.56 mA
20V 0.822 V 169.70 mA

6.3. Invierta la polaridad de la fuente como se muestra en la figura 15 del circuito del apartado
anterior (diodo en polarización inversa) y mida el voltaje y corriente atreves del diodo con
la disposición para el voltímetro y amperímetro que se muestra en la figura 14, a los valores
de voltajes de entrada mostrados en la tabla 3.

Fig. 15. Circuito 1 en polarización inversa.

TABLA III. VALORES MEDIDOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA

Vin VD ID
0.1V -0.1398 V -0.97 µA
0.5V -0.5361 V -1.15 µA
1V -1.0242 V -1.20 µA
2V -1.9999 V -1.17 µA
4V -4.0012 V -1.36 µA
6V -6.033 V -1.18 µA
8V -8.039 V -1.35 µA
10V -10.026 V -1.02 µA
12V -12.025 V -1.23 µA
14V -14.087 V -1.23 µA
15V -15.017 V -1.17 µA
17V -17.046 V -1.17 µA
18V -18.075 V -1.31 µA
20V -20.058 V -1.02 µA

Pág. 10 de 43
6.4. Simular el circuito en el programa PROTEUS la figura 13 del trabajo preparatorio (se usó
una resistencia de 120Ω) como se calculó en el trabajo preparatorio la resistencia
adecuada) y simule el voltaje y corriente atreves del diodo con la disposición para el
voltímetro y amperímetro que se muestra en la figura 14, a los valores de voltajes de
entrada mostrados en la tabla 4. Dichos valores pueden ser verificados en la sección de
anexos del presente informe (Desde el anexo 1 hasta el 24).

TABLA IV. VALORES SIMULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA

Vin VD ID
0.1V 0.1 V 0.00 µA
0.2V 0.2 V 0.01 µA
0.3V 0.3 V 0.23 µA
0.4V 0.4 V 3.27 µA
0.5V 0.5 V 41.5 µA
0.6V 0.57 V 279 µA
0.65V 0.59 V 508 µA
0.7V 0.61 V 788 µA
0.8V 0.63 V 1.43 mA
0.9V 0.64 V 2.14 mA
1V 0.65 V 2.88 mA
1.5V 0.69 V 6.78 mA
2V 0.7 V 10.8 mA
3V 0.73 V 19.0 mA
4V 0.74 V 27.2 mA
6V 0.76 V 43.7 mA
8V 0.77 V 60.2 mA
10V 0.78 V 76.8 mA
12V 0.79 V 93.4 mA
14V 0.8 V 110 mA
15V 0.8 V 118 mA
17V 0.8 V 135 mA
18V 0.81 V 143 mA
20V 0.81 V 160 mA

Pág. 11 de 43
6.5. Invierta la polaridad de la fuente como se muestra en la figura 15 y simule el voltaje y
corriente atreves del diodo con la disposición para el voltímetro y amperímetro que se
muestra en la figura 14, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 5. Dichos
valores pueden ser verificados en la sección de anexos del presente informe (Desde el
anexo 25 hasta el 38).

TABLA V. VALORES SIMULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA

Vin VD ID
0.1V -0.1 V -0.00 µA
0.5V -0.5 V -0.00 µA
1V -1 V -0.01 µA
2V -2 V -0.02 µA
4V -4 V -0.04 µA
6V -6 V -0.06 µA
8V -8 V --0.08 µA
10V -10 V -0.10 µA
12V -12 V -0.12 µA
14V -14 V -0.14 µA
15V -15 V -0.15 µA
17V -17 V -0.17 µA
18V -18 V -0.18 µA
20V -20 V -0.20 µA

6.6. Analizar el circuito de la figura 13 del trabajo preparatorio (se usó una resistencia de 120Ω)
y calcule el voltaje y corriente a través del diodo con el modelo práctico o de primera
aproximación, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 6.

TABLA VI. VALORES CALCULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA

Vin VD ID
0.1V 0.1 V 0A
0.2V 0.2 V 0A
0.3V 0.3 V 0A
0.4V 0.4 V 0A
0.5V 0.5 V 0A
0.6V 0.6 V 0A

Pág. 12 de 43
 0.65V 0V 0A
0.7V 0.7 V 0A
0.8V 0.7 V 0.83 mA
0.9V 0.7 V 1.6 mA
1V 0.7 V 2.5 mA
1.5V 0.7 V 6.66 mA
2V 0.7 V 10.83 mA
3V 0.7 V 19.16 mA
4V 0.7 V 27.5 mA
6V 0.7 V 44.16 mA
8V 0.7 V 60.83 mA
10V 0.7 V 77.5 mA
12V 0.7 V 94.16 mA
14V 0.7 V 0.11 A
15V 0.7 V 0.119 A
17V 0.7 V 0.135 A
18V 0.7 V 0.144 A
20V 0.7 V 0.16 A

6.7. Invierta la polaridad de la fuente como se muestra en la figura 15 (se usó una resistencia
de 120Ω) y calcule el voltaje y corriente a través del diodo con el modelo práctico o de
primera aproximación, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 7.

TABLA VII. VALORES CALCULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA

Vin VD ID
0.1V -0.1 V 0A
0.5V -0.5 V 0A
1V -1 V 0A
2V -2 V 0A
4V -4 V 0A
6V -6 V 0A
8V -8 V 0A
10V -10 V 0A
12V -12 V 0A

Pág. 13 de 43
 14V -14 V 0A
15V -15 V 0A
17V -17 V 0A
18V -18 V 0A
20V -20 V 0A

6.8. Arme el circuito de la figura 16 del trabajo preparatorio y mida los parámetros indicados
en la tabla 8.

Fig. 16. Circuito con diodos en conexión mixta.

TABLA VIII. VALORES MEDIDOS PARA EL CIRCUITO EN CONEXIÓN MIXTA

Parámetro I1(mA) I2(mA) I3(mA) I4(mA) I5(mA) V1(v) V2(v)

Valor
26.667 0 24.489 2.1201 -26.676 24.310 21.613
Calculado

6.9. Simule el circuito en el programa PROTEUS el circuito de la figura 16 del trabajo

preparatorio y simule los parámetros indicados en la tabla 9. Dichos valores se pueden
verificar en la sección de anexos del presente informe (anexo 39).

TABLA IX. VALORES SIMULADOS PARA EL CIRCUITO EN CONEXIÓN MIXTA

Parámetro I1(mA) I2(mA) I3(mA) I4(mA) I5(mA) V1(v) V2(v)

Valor
26 0 23.9 2.1 -26 24.3 21.7
Calculado

Pág. 14 de 43
 6.10. Analice el circuito de la figura 16 del trabajo preparatorio y calcule los parámetros
indicados en la tabla 10 con el modelo práctico o de primera aproximación.

TABLA X. VALORES CALCULADOS PARA EL CIRCUITO 2 EN CONEXIÓN MIXTA

Parámetro I1(mA) I2(mA) I3(mA) I4(mA) I5(mA) V1(v) V2(v)

Valor
26.09 0 23.99 2.09 -26.09 24.3 21.69
Calculado

7. Análisis de resultados
Análisis del diodo:
 Resistencia en Polarización Directa: 305.7 KΩ
 Resistencia en Polarización Inversa: 9.74 MΩ

Comprobar si el estado del diodo es adecuado:

Si, ya que la pared de agotamiento en el diodo en polarización inversa es mayor que en directa, por
lo tanto, la resistencia en polarización inversa es mucho mayor que en polarización directa.

7.1. Curvas de funcionamiento del diodo en polarización directa

7.1.1. A partir de los datos obtenidos en la tabla 2 se grafica la curva de funcionamiento
del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 17
de los datos medidos en polarización directa, después de superar el voltaje de umbral
(0,7V), la intensidad del diodo aumenta considerablemente con poca variación de
voltaje.

Pág. 15 de 43
 POLARIZACIÓN DIRECTA MEDIDA
180
160
140
120
ID (mA) 100
80
60
40 ID (mA)
20
0

VD (V)

Fig. 17. Gráfica de polarización directa (medido).

7.1.2. A partir de los datos obtenidos en la tabla 3 se grafica la curva de funcionamiento

del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 18
de los datos medidos en polarización inversa, a medida que aumenta el voltaje, la
intensidad sigue siendo cero y el voltaje del diodo es el mismo que el de la fuente, ya
que el diodo actúa como un interruptor abierto.

POLARIZACIÓN INVERSA MEDIDA

0
-0.2
-0.4
-0.6
ID (μA)

-0.8
ID
-1
-1.2
-1.4
-1.6
VD (V)

Fig. 18. Gráfica de polarización inversa (medido).

7.1.3. A partir de los datos obtenidos en la tabla 4 se grafica la curva de funcionamiento

del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 19
de los datos simulados en polarización directa, después de superar el voltaje de umbral
(0,7V), la intensidad del diodo aumenta considerablemente con poca variación de
voltaje.

Pág. 16 de 43
 POLARIZACIÓN DIRECTA SIMULADO
180
160
140
120
ID (mA)
100
80
60 ID
40
20
0
0.1 0.3 0.5 0.5 0.63 0.65 0.7 0.74 0.77 0.79 0.8 0.81
VD (V)

Fig. 19. Gráfica de polarización directa (simulado).

7.1.4. A partir de los datos obtenidos en la tabla 5 se grafica la curva de funcionamiento

del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 20
de los datos simulados en polarización inversa, a medida que aumenta el voltaje, la
intensidad sigue siendo cero y el voltaje del diodo es el mismo que el de la fuente, ya
que el diodo actúa como un interruptor abierto.

POLARIZACIÓN INVERSA SIMULADO

0
-0.1 -0.5 -1 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -15 -17 -18 -20
-0.05

-0.1
ID (μA)

ID
-0.15

-0.2

-0.25
VD (V)

Fig. 20. Gráfica de polarización inversa (simulado).

7.1.5. A partir de los datos obtenidos en la tabla 6 se grafica la curva de funcionamiento

del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 21
de los datos calculados en polarización directa, después de superar el voltaje de umbral

Pág. 17 de 43
 (0,7V), la intensidad del diodo aumenta considerablemente con poca variación de
voltaje.

POLARIZACIÓN DIRECTA CALCULADO

180
160
140
120
ID (mA)

100
80
60 ID
40
20
0
0.1 0.3 0.5 0.65 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7
VD (V)

Fig. 21. Gráfica de polarización directa (calculado).

7.1.6. A partir de los datos obtenidos en la tabla 8 se grafica la curva de funcionamiento

del diodo en función del voltaje y de la intensidad. Como se muestra en la figura 31
de los datos calculados en polarización inversa, a medida que aumenta el voltaje, la
intensidad sigue siendo cero y el voltaje del diodo es el mismo que el de la fuente, ya
que el diodo actúa como un interruptor abierto.

POLARIZACIÓN INVERSA CALCULADO

1

0.8
ID (mA)

0.6

0.4
ID
0.2

0
-0.1 -0.5 -1 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -15 -17 -18 -20
VD (V)

Fig. 22. Gráfica de polarización inversa (calculado).

Pág. 18 de 43
7.2. Comparación de valores obtenidos de la medición, simulación y cálculos.
7.2.1. Realizar una tabla en donde se incluyan los valores medidos, simulados y calculados
del diodo en polarización directa y generar su grafica que compare dichos valores.

TABLA XI. VALORES MEDIDOS, SIMULADOS Y CALCULADOS PARA EL DIODO EN

POLARIZACIÓN DIRECTA

MEDIDO SIMULADO CALCULADO

Vin (V) VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA)
0.1V 0.0602 0.00001 0.1 0.00 0.1 0
0.2V 0.187 0.00001 0.2 0.00001 0.2 0
0.3V 0.293 0.00012 0.3 0.00023 0.3 0
0.4V 0.392 0.0035 0.4 0.00327 0.4 0
0.5V 0.485 0.04046 0.5 0.0424 0.5 0
0.6V 0.568 0.605 0.57 0.30 0.6 0
0.65V 0.625 0.68 0.59 0.57 0.65 0
0.7V 0.635 1.38 0.61 0.90 0.7 0
0.8V 0.647 1.92 0.63 1.66 0.7 1
0.9V 0.655 2.59 0.65 2.51 0.7 2
1V 0.669 3.53 0.66 3.40 0.7 3
1.5V 0.681 8.61 0.69 8.07 0.7 8
2V 0.707 12.77 0.71 12.9 0.7 13
3V 0.729 22.81 0.73 22.7 0.7 23
4V 0.741 32.39 0.75 32.5 0.7 33
6V 0.765 53.47 0.76 52.4 0.7 53
8V 0.782 74.11 0.78 72.2 0.7 73
10V 0.793 94.52 0.79 92.1 0.7 93
12V 0.803 114.23 0.8 112 0.7 113
14V 0.815 135.48 0.8 132 0.7 133
15V 0.817 150.88 0.81 142 0.7 143
17V 0.819 168.72 0.81 162 0.7 163
18V 0.823 179.23 0.81 172 0.7 173
20V 0.825 203.55 0.82 192 0.7 193

Como se muestra en la figura 23 de los datos medidos, simulados y calculados en

polarización directa, después de superar el voltaje de umbral (0,7V), la intensidad
del diodo aumenta considerablemente con poca variación de voltaje, además, como
se puede observar la curva de funcionamiento no es tan dispersa entre cada
parámetro (valores medidos, simulados y calculados), y esto se puede verificar con
los valores absolutos obtenidos para dichos parámetros en las tablas 14 y 15.

Pág. 19 de 43
 POLARIZACIÓN DIRECTA
250

200
ID (mA)

150
MEDIDO
100
SIMULADO
50
CALCULADO
0
0.4V
0.5V
0.6V
0.65V
0.7V
0.8V
0.9V

1.5V

18V
1V

2V
3V
4V
6V
8V
10V
12V
14V
15V
17V

20V
0.1V
0.2V
0.3V

VD (V)

Fig. 23. Gráfica de polarización directa (medido, simulado y calculado).

7.2.2. Realizar una tabla en donde se incluyan los valores medidos, calculados y simulados
del diodo en polarización inversa y generar su grafica que compare dichos valores.

TABLA XII. VALORES MEDIDOS, SIMULADOS Y CALCULADOS PARA EL DIODO EN

POLARIZACIÓN INVERSA

MEDIDOS SIMULADOS CALCULADOS

Vin (V) VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA)
0.1V 0.1 0 0.1 0 0.1 0
0.5V 0.5 0 0.5 0 0.5 0
1V 1 0 1 0,00001 1 0
2V 2 0 2 0,00002 2 0
4V 4 0 4 0,00004 4 0
6V 6 0 6 0,00006 6 0
8V 8 0 8 0,00008 8 0
10V 10 0 10 0,0001 10 0
12V 12 0 12 0,00012 12 0
14V 14.08 0 14 0,00014 14 0
15V 15 0 15 0,00015 15 0
17V 17.01 0 17 0,00017 17 0
18V 18.08 0 18 0,00018 18 0
20V 20 0 20 0,0002 20 0

Como se muestra en la figura 24 de los datos medidos, simulados y calculados en

polarización inversa, a medida que aumenta el voltaje, la intensidad sigue siendo

Pág. 20 de 43
 cero y el voltaje del diodo es el mismo que el de la fuente y la dispersión entre las
curvas de funcionamiento es mínima, en este caso es posible observar una pequeña
cantidad de intensidad simulada la cual crece verticalmente.

POLARIZACIÓN INVERSA
0.00025

0.0002
ID (mA)

0.00015
MEDIDOS
0.0001
SIMULADOS
0.00005
CALCULADOS
0
0.1V
0.5V

12V
1V
2V
4V
6V
8V
10V

14V
15V
17V
18V
20V
VD (V)

Fig. 24. Gráfica de polarización inversa (medido, simulado y calculado).

7.3. Realizar una tabla con los errores absolutos y relativos del voltaje y la intensidad
para los valores calculados, simulados y medidos para el diodo en polarización
directa e inversa.
7.3.1. A continuación, se define el significado para error absoluto y error relativo para el
posterior análisis de dichos errores en las tablas de voltaje e intensidad del diodo.
 Error Absoluto: Es la diferencia entre el valor de una medida y el valor tomado
como exacto.
 Error relativo: Es el cociente entre el error absoluto y el valor tomado como exacto,
dicho en otras palabras, es una medida del ajuste o diferencia de una magnitud con
respecto al valor real o teórico que dicha magnitud tiene. Se lo expresa en manera
de porcentaje.

7.3.2. Errores absolutos y relativos para el voltaje.

En la tabla 13 se pueden observar los valores de dispersión de voltaje (error
absoluto) en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador,
esta dispersión o error se debe a que cuando calculamos no consideramos que una
resistencia y un diodo pueden variar su valor de operación ya que tiene una
tolerancia dependiendo de las condiciones a las que sean sometidos, además, en lo
cálculos del preparatorio no se considera la resistencia que tienen los cables.
El simulador si considera algunas de las condiciones mencionadas anteriormente,
pero al momento de medir en el laboratorio las condiciones de trabajo varían, esta
sería una razón para que los errores absolutos del laboratorio vs simulador
generalmente sean menores que los errores absolutos de laboratorio vs preparatorio.
En la tabla 13 también se puede observar el porcentaje de la dispersión de voltaje

Pág. 21 de 43
 (error absoluto) con respecto al valor exacto lo cual conformaría al (error relativo)
en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador, dicho en
otras palabras, el error relativo representa que tan dispersa o desviada está una
medida aproximada respecto de la medida exacta, además, si comparamos los
valores de entrada de 0,10 V y de 20 V en cualquier parámetro nos fijaremos que
mientras más se acerque el error absoluto al valor tomado como exacto, mayor será
el error relativo como ocurre para Vin=0,10 V, pero mientras más se aleje el error
absoluto de la medida tomada como exacta, menor será el error relativo (siempre y
cuando el error absoluto no tome valores mayores con signo contrario cuando se
aleja del valor tomado como exacto).

Tabla XIII. TABLA DE ERRORES ABSOLUTOS Y RELATIVOS – VOLTAJES - DIODO EN P.D.

7.3.3. Errores absolutos y relativos para la intensidad.

En la tabla 14 se pueden observar los valores de dispersión de intensidad (error
absoluto) en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador,
la dispersión o error se debe a que cuando calculamos no consideramos que una
resistencia y un diodo pueden variar su valor de operación ya que tiene una
tolerancia dependiendo de las condiciones a las que sean sometidos, además, en los

Pág. 22 de 43
cálculos del preparatorio no se considera la resistencia que tienen los cables. El
simulador si considera algunas de las condiciones mencionadas anteriormente, pero
al momento de medir en el laboratorio las condiciones de trabajo varían, esta sería
una razón para que los errores absolutos del laboratorio vs simulador sean menores
que los errores absolutos de laboratorio vs preparatorio. También, otra razón para
dicha dispersión o desviación de valores es que, teóricamente se dice que un diodo
de silicio en polarización directa (para este caso) no conduce sino a partir de los 0,7
V pero se puede apreciar que realmente si lo hace antes de los 0,7 V pero su valor
es muy muy pequeño (del orden de microamperios y miliamperios) y es por ello que
en las tablas generadas en el programa Excel no podemos observar valores en el
orden de amperios sino hasta que la fuente toma un valor de 15 V.
En la tabla 14 también se puede observar el porcentaje de la dispersión de voltaje
(error absoluto) con respecto al valor exacto lo cual conformaría al (error relativo)
en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador, dicho en
otras palabras, el error relativo representa que tan dispersa o desviada está una
medida aproximada respecto de la medida exacta, además, si comparamos los
valores de ID=0,00000012 (valor exacto, Vin=0,30 V) con E absoluto=
0,00000017(Vin=0,30 V) en el parámetro laboratorio vs simulador nos fijaremos
que mientras más se acerque el error absoluto al valor tomado como exacto, mayor
será el error relativo como ocurre para pero mientras más se aleje el error absoluto
de la medida tomada como exacta, menor será el error relativo (siempre y cuando el
error absoluto no tome valores mayores con signo contrario cuando se aleja del valor
tomado como exacto) como sucede en el caso de ID=0,0000035 (valor exacto,
Vin=0,40 V) con E absoluto=0,00000023(Vin=0,30 V). Pero ¿porque en algunas
ocasiones se puede observar un error relativo igual a 0 y en otras ocasiones un error
relativo igual a 100? Cuando miramos un error relativo igual a cero quiere decir que
la medida exacta con la aproximada es iguale, por lo tanto, no presentan ninguna
desviación. Para el caso en el que se observa un error de dispersión igual a 100
quiere decir que el valor aproximado es el doble en magnitud con respecto al valor
exacto. Si el error relativo es superior al 100 % quiere decir que el valor aproximado
es más del doble en magnitud con respecto al valor exacto.

Pág. 23 de 43
TABLA XIV. TABLA DE ERRORES ABSOLUTOS Y RELATIVOS – INTENSIDADES – DIODO EN P.D.

7.3.4. Valores de dispersión de voltaje.

En la tabla 15 se pueden observar los valores de dispersión de voltaje (error
absoluto) en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador,
como se puede apreciar para la mayoría de los voltajes de entrada (excepto para
Vin=14, 17 y 18 V) y para cualquier parámetro los errores absolutos y relativos
tienen un valor de cero esto se debe a que el voltaje del diodo cuando está en
polarización inversa es igual al de la fuente y esto sucede para todos los casos de
análisis (calculado, simulado, laboratorio), por lo que no habrá un error de
dispersión o desviación entre medida y medida, por lo tanto el error absoluto
también es cero. Para el caso en los que, si tenemos valor absoluto y relativo,
fijémonos que el voltaje medido en el laboratorio es diferente de los demás casos,
por lo que de aquí nace la tercera recomendación en la sección de recomendaciones.

Pág. 24 de 43
TABLA XV. TABLA DE ERRORES ABSOLUTOS Y RELATIVOS – VOLTAJES – DIODO EN P.I.

7.3.5. Valores de dispersión de intensidad.

En la tabla 16 se pueden observar los valores de dispersión de intensidad (error
absoluto) en los parámetros laboratorio vs preparatorio y laboratorio vs simulador,
en este caso realizar el cálculo del error relativo es imposible ya que el error relativo
es el cociente entre el error absoluto y el valor tomado como exacto y observemos
que cualquier valor para ID (laboratorio), que es tomado como valor exacto es igual
a cero, esto ocurre debido a que cuando el diodo se encuentra polarizado en inversa
actúa como un interruptor abierto por lo que no hay paso de corriente y su valor será
de 0 para todo el circuito de la figura 15 ya que es un circuito en serie, sin embargo
en los valores los valores simulados según la tabla 5 existen valores del orden de
microamperios (que en la tabla generada en el programa Excel no son posibles
divisarlos debido a la cantidad de decimales) asumimos que para el circuito de la
figura 15 en cualquier voltaje de Vin indicados en la presente tabla no existen
dispersiones entre medidas (error absoluto igual a cero) por lo que también decimos
que el error relativo es igual a cero.

Pág. 25 de 43
 TABLA XVI. TABLA DE ERRORES ABSOLUTOS Y RELATIVOS – INTENSIDADES –
DIODO EN P.I.

7.4. Tablas de análisis para el circuito mixto.

7.4.1. Realizar una tabla en donde se incluyan los valores medidos, calculados y simulados
del circuito mixto.

TABLA XVII. VALORES MEDIDOS, SIMULADOS Y CALCULADOS PARA EL CIRCUITO MIXTO

PARÁMETRO I1 (mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2 (V)

MEDIDO
26.7 0 24.4 2.21 26.7 24.295 21.583
(exacto)
CALCULADO
25.99 0 23.9 2.09 25.99 24.3 21.6
(aproximado)
SIMULADO
26 0 23.9 2.1 26 24.3 21.7
(aproximado)

Como se muestra en la figura 25 de los datos medidos, calculados y simulados de

las intensidades del circuito de la figura 16, las intensidades de los diodos tienen
resultados casi similares en los tres parámetros analizados.

Pág. 26 de 43
 INTENSIDAD-MEDIDO-CALCULADO-SIMULADO
30
25
20
15
10
5
0
Intensidad 1 Intensidad 2 Intensidad 3 Intensidad 4 Intensidad 5

Medido Calculado Simulado

Fig. 25. Representación de los diferentes valores de intensidad para el circuito mixto.

Como se muestra en la figura 26 de los datos medidos, calculados y simulados de

los voltajes del circuito de la figura 16, los voltajes tienen resultados casi similares
en los tres parámetros analizados.

VOLTAJE-MEDIDO-CALCULADO-SIMULADO
30
25
20
15
10
5
0
Voltaje 1 Voltaje 2

Medido Calculado Simulado

Fig. 26. Representación de los diferentes valores de voltaje para el circuito mixto.

7.4.2. Realizar una tabla en donde se indique la exactitud entre cada medida a partir de los
datos de la tabla 15 para el circuito mixto.

TABLA XVIII. EXACTITUD PARA LAS DIFERENTES INTENSIDADES Y VOLTAJES DEL CIRCUITO
MIXTO

PARÁMETRO I1 I2 I3 I4 I5 V1 V2
EXACTITUD 0.47 0 0.333 0.0767 0.43 0.003 0.0446

Pág. 27 de 43
  Exactitud: La exactitud es la mayor distancia del promedio de una serie de
mediciones con respecto a la medida de referencia o patrón.
Como se puede observar en la tabla 17 los valores medidos, simulados y calculados
tienen una gran exactitud con un margen de error inferior a 1 (en el orden de
unidades enteras)

7.4.3. Cálculos realizados.

Para I1
26.7 + 25.99 + 26
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 26.23
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [26.7 − 26.23] = 0.47

Para I2
0+0+0
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = =0
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [0 − 0] = 0

Para I3
24.4 + 23.9 + 23.9
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 24.067
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [24.4 − 24.067] = 0.333

Para I4
2.21 + 2.09 + 2.1
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 2.133
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [2.21 − 2.133] = 0.0767

Para I5
26.7 + 25.99 + 26
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 26.23
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [26.7 − 26.27] = 0.43

Pág. 28 de 43
Para V1
24.295 + 24.3 + 24.3
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 24.2983
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = 𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [24.295 − 24.2983] = 0.00333

Para V2
21.583 + 21.6 + 21.7
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = = 21.627
3
𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [𝑉𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ]

𝐸𝑥𝑎𝑐𝑡𝑖𝑡𝑢𝑑 = [21.583 − 21.627] = 0.04467

Calcular el error absoluto y relativo para los diferentes valores de intensidades y

voltajes a partir de los datos de la tabla 21 para el circuito mixto

𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [𝑣𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜 − 𝑣𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥𝑖𝑚𝑎𝑑𝑜 ]

𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100
𝑣𝑒𝑥𝑎𝑐𝑡𝑜

Intensidad 1
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [26,7 − 25,99] = 0,71 𝑚𝐴
0,71
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 2,659 %
26,7
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [26,7 − 26] = 0,7 𝑚𝐴
0,7
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 2,621 %
26,7

Intensidad 2
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [0 − 0] = 0 𝑚𝐴
0
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0 %
0
Medido vs Simulado

Pág. 29 de 43
 𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [0 − 0] = 0 𝑚𝐴
0
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0 %
0

Intensidad 3
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [24.4 − 23.9] = 0.5 𝑚𝐴
0.5
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.204 %
24.4
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [24.4 − 23.9] = 0.5 𝑚𝐴
0.5
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.204 %
24.4
Intensidad 4
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [2.21 − 2.09] = 0.12 𝑚𝐴
0.12
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 5,429 %
2.21
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [2,21 − 2,1] = 0,11 𝑚𝐴
0,11
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 4,977 %
2.21

Intensidad 5
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [26,7 − 25,99] = 0.71 𝑚𝐴
0.71
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 2,659 %
26,7
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [26,7 − 2,1] = 0,7 𝑚𝐴
0,7
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 2,621 %
26,7

Pág. 30 de 43
Voltaje 1
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [24,295 − 24,3] = 0,005 𝑉
0,005
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.0205 %
24,295
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [24,295 − 24,3] = 0,005 𝑉
0,005
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.0205 %
24,295

Voltaje 2
Medido vs Calculado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [21,583 − 21,6] = 0,017 𝑉
0,017
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.078 %
21,583
Medido vs Simulado
𝐸𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜 = [21,583 − 21,7] = 0,117 𝑉
0,117
𝐸𝑟𝑒𝑙𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜 = ( ) ∗ 100 = 0.542 %
21,583

Como se puede observar en los cálculos previamente realizados los valores de

dispersión de voltaje e intensidad (error absoluto) en el parámetro medido
(laboratorio) vs calculado (preparatorio) y medido (laboratorio) vs simulado
(simulador), esta dispersión o error se debe a que cuando calculamos no
consideramos que una resistencia y un diodo pueden variar su valor de operación ya
que tiene una tolerancia dependiendo de las condiciones a las que sean sometidos,
además, en los cálculos del preparatorio no se considera la resistencia que tienen los
cables. El simulador si considera algunas de las condiciones mencionadas
anteriormente, pero al momento de medir en el laboratorio las condiciones de trabajo
varían, esta sería una razón para que generalmente los errores absolutos medido vs
simulado sean menores que los errores absolutos de medido vs calculado. También,
otra razón para dicha dispersión o desviación de valores es que, teóricamente se dice
que un diodo de silicio en polarización no conduce sino a partir de los 0,7 V pero se
puede apreciar que realmente si lo hace antes de los 0,7 V como se muestra en la
tabla 14 pero su valor es muy muy pequeño (del orden de microamperios y
miliamperios) y es por ello que en las tablas generadas en el programa Excel no
podemos observar valores en el orden de amperios sino hasta que la fuente toma un
valor de 15 V.

Pág. 31 de 43
 También en los cálculos previamente realizados se puede observar el porcentaje de
la dispersión de voltaje (error absoluto) con respecto al valor exacto lo cual
conformaría al (error relativo) en los parámetros medido (laboratorio) vs calculado
(preparatorio) y medido (laboratorio) vs simulado (simulador), dicho en otras
palabras, el error relativo representa que tan dispersa o desviada está una medida
aproximada respecto de la medida exacta, si nos fijamos en el error absoluto de I1
del parámetro medido vs calculado I1=E absoluto=0,71 mA nos fijaremos que
mientras más se acerque el error absoluto al valor tomado como exacto, mayor será
el error relativo I1=E relativo=2,659 % pero mientras más se aleje el error absoluto
de la medida tomada como exacta, menor será el error relativo (siempre y cuando el
error absoluto no tome valores mayores con signo contrario cuando se aleja del valor
tomado como exacto) como sucede en el caso de I1 en el parámetro medido vs
simulado I1=>E absoluto=0,7 mA con un error relativo igual a I1=E
relativo=2,621%.

8. Conclusiones
• Se llegó a la conclusión de que la curva de la gráfica construida tanto con los valores de la
práctica y el simulador tienen una gran similitud.
• Se determinó que la relación entre la tensión (voltaje) y la corriente (intensidad) del diodo es
exponencial.
• Llegamos a la conclusión de que los valores obtenidos en el simulador son más cercanos a los
valores obtenidos en la práctica.
• Se pudo determinar que cuanto más se acerca el error absoluto de una medida a la medida original
mayor será el error relativo, pero mientras más se aleje el error absoluto de la medida tomada como
exacta, menor será el error relativo (siempre y cuando el error absoluto no tome valores mayores
con signo contrario cuando se aleja del valor tomado como exacto).

9. Recomendaciones
• Una recomendación importante es acerca del uso de los equipos del laboratorio específicamente
en los cables, debemos tener sumo cuidado al momento de usarlos y tener en cuenta que estos no
deben unirse.
• Es necesario que al momento de realizar la práctica en el laboratorio se tenga más de un repuesto
de los accesorios a utilizarse, teniendo en cuenta que deben ser de similares características.
• Una recomendación que es necesaria es que el momento de utilizar cualquier equipo si no se
conoce su funcionamiento, pedir tutorías a una persona que este capacitada para operar dicho
equipo.

Pág. 32 de 43
• Para regular la fuente de alimentación con gran exactitud es recomendable colocar el voltímetro
en paralelo con la fuente y mirar en la pantalla del voltímetro de alta precisión el valor de la fuente.

10. Anexos
ANEXO A. VALORES SIMULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN
DIRECTA. (TABLA 3)

Vin = 0.1V Vin = 0.2V

Vin = 0.3V Vin = 0.4 V

Pág. 33 de 43
Vin = 0.5V Vin = 0.6V

Vin = 0.65V Vin = 0.7V

Vin = 0.8V Vin = 0.8V

Pág. 34 de 43
 Vin = 1V Vin = 1.5V

Vin = 2V Vin = 3V

: Vin = 4V Vin = 6V

Pág. 35 de 43
 Vin = 8V Vin = 10V

Vin = 12V Vin = 14V

Vin = 15V Vin = 17V

Pág. 36 de 43
 Vin = 18V Vin = 20V

ANEXO B. VALORES SIMULADOS PARA EL DIODO EN POLARIZACIÓN

INVERSA. (TABLA 4)

Vin = 0.1V Vin = 0.5V

Pág. 37 de 43
 Vin = 1V Vin = 2V

Vin = 4V Vin = 6V

Vin = 8V Vin = 10V

Pág. 38 de 43
 Vin = 12V Vin = 14V

Vin = 15V Vin = 17V

Vin = 18V Vin = 20V

Pág. 39 de 43
ANEXO C. CIRCUITO CON DIODOS EN CONEXIÓN MIXTA

Circuito Mixto con Diodos

Pág. 40 de 43
ANEXO D. INFORMACIÓN DEL DIODO 1N4007
Anexo D1 ECG Master Replacement Guide

Pág. 41 de 43
Anexo D2 ECG Semiconductors

Pág. 42 de 43
11. Bibliografía

[1] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, México: PEARSON
EDUCACIÓN, 2003.

[2] T. Floyd, Dispositivos electrónicos, México: PEARSON EDUCACIÓN, 2008.

[3] M. Barrón Ruiz, «USO DIDÁCTICO DEL SOFTWARE DE AYUDA AL DISEÑO ELECTRÓNICO
“PROTEUS”,» p. 6, 2004.

Pág. 43 de 43