Semikonduktor

Tipe Material
• Material
- Insulator: konduktivitas rendah, resistivitas tinggi. Sulit
menghantarkan listrik. Contoh: gelas, keramik, plastik

- Kondutor: konduktivitas tinggi, resistivitas rendah. Mudah

menghantarkan listrik. Contoh: tembaga, emas, perak

- Semikonduktor: konduktivitas, resisitivitas, dapat diatur. Dapat

bersifat sebagai kondutor maupun insulator

• Semikonduktor merupakan bahan untuk membuat transistor, dioda,

thyristor, dll

• Bahan semikonduktor yang terutama : Silikon (Si), Germanium (Ge)

 Insulator

Pada material insulator elektron terikat dengan kuat

sehingga dibutuhkan energi yang besar untuk
melepaskannya dari orbitnya

Slide 3
 Konduktor

Material konduktor mempunyai elektron yang tidak

terikat kuat pada orbitnya. Energi yang kecil dapat
membuat elektron tersebut terlepas dan berpindah
dari satu atom ke atom lainnya
Slide 4
 Material Semikonduktor
• Dg
 Silikon Kristal
Silikon mempunyai 4
elektron valensi pada
kulit terluar
Pada kristal atom
Silikon terikat secara
kovalen dengan atom
yang berdekatan
Setiap atom Silikon
membagi 4 elektron
valensinya dengan 4
atom yang berdekatan,
sehingga silikon
mempunyai 8 elektron
pada orbit terluarnya Slide 6
 Elektron Bebas
Pada temperatur
mutlak tidak ada
elektron bebas dalam
silikon kristal,
silikon bersifat
insulator

Elektron dapat
bergerak dan terlepas
dari orbit valensinya
menjadi elektron
bebas jika ada energi
untuk memutuskan
ikatan
Slide 7
 Lubang
Terlepasnya elektron
valensi akan
meninggalkan
kekosongan pada
orbit valensi.
Kekosongan tersebut
disebut lubang (hole)

Slide 8
 Lubang
Lubang bersifat
seperti muatan
positif karena akan
menarik dan
menangkap elektron
bebas
Apabila suatu
elektron mendekati
lubang dan tertarik
kedalamnya, maka
terjadi yang disebut
rekombinasi
(recombination)
Slide 9
 Penambahan Panas

Panas yang bertambah

akan memperbanyak
elektron bebas dan
lubang

Slide 10
 Jenis Semikonduktor
1. Semikonduktor Intrinsik (Intrinsic semiconductor)
- Semikonduktor Intrinsik adalah suatu
semikonduktor murni
- Suatu kristal silikon adalah semikonduktor
intrinsik apabila setiap atom dalam kristal
tersebut merupakan atom silikon

2. Semikonduktor Ektrinsik (Extrinsic semiconductor)

 Semikonduktor Intrinsik
Jika kristal silikon
ditempatkan diantara
plat metalik yang
bermuatan, elektron
akan tertolak dan
bergerak ke kiri
Elektron bebas akan
meninggalkan lubang
yang kemudian akan
terisi oleh elektron
valensi lain yang
tertarik ke dalam
lubang
Slide 12
 Semikonduktor Intrinsik

Semakin besar
panas, semakin kecil
resistansi, semakin
mudah aliran muatan

Slide 13
 Aliran Elektron dan Lubang
• Elektron bebas bergerak dari kanan ke kiri
sedangkan lubang dari kiri ke kanan

• Elektron bebas dan lubang dinamakan

pembawa (carriers), karena membawa
muatan dari satu tempat ke tempat lainnya
 Thermistor
• Thermistor adalah resistor yang sensitif terhadap
panas

• Ketika temperatur rendah bersifat sebagai insulator

dan mempunyai resistansi yang besar

• Ketika dipanaskan, pasangan elektron lubang akan

terjadi, resistansi akan berkurang.

• Aplikasi: thermometer, sensor temperatur, pembatas

arus

Thermistor
Symbol
Slide 15
 Doping
Semikonduktor
intrinsik dapat dibuat
lebih bersifat
konduktor dengan
menambahkan atom
lain (doping).
Suatu semikonduktor
yang di doping
dinamakan
semikonduktor
ekstrinsik (extrinsic
semiconductor)

Slide 16
 Menambah Elektron Bebas
• Menambah jumlah elektron bebas
- Menambahkan atom pentavalen, yang
memiliki 5 elektron bebas pada orbit
valensi.
- Atom pentavalen mis: arsenic, antimony,
phosphorus
- Atom pentavalen akan memberikan
(mendonorkan) sebuah elektron bebas
kepada atom silikon
 Atom Phosphorus

P mempunyai 15
proton dan 15
elektron, 5 elektron
berada pada orbit
terluar

Slide 18
 Semikonduktor Tipe n
Silikon yang didoping
dengan atom pentavalen
disebut Semikonduktor
Tipe n (negatif)
Elektron bergerak ke
kekiri dan lubang
bergerak ke kanan
Elektron merupakan
majority carriers
Lubang merupakan
minority carriers

Slide 19
 Menambah Lubang
• Menambah lubang
- Menambahkan atom trivalent pada atom silikon

- Atom trivalent mempunyai 3 elektron valensi.

Contoh: Alumunium, Boron,Gallium

- Atom trivalent disebut acceptor karena karena

setiap lubang dapat menerima elektron bebas
pada saat rekombinasi
 Atom Boron

Boron mempunyai
5 proton dan 5
elektron
3 elektron berada
pada orbit terluar
Slide 21
 Semikonduktor Tipe-p
Silikon yang didoping t
dengan atom trivalent
disebut semikonduktor
tipe-p (positif)
Lubang merupakan
majority carriers dan
elektron minority
carriers
Lubang bergerak ke
kanan dan elektron
bergerak ke kiri

Slide 22
 Sambungan p-n
Single kristal dengan tipe-p dan tipe-n disambungkan
menjadi kristal p-n. Batas dimana daerah p an n
bertemu dinamakan p-n junction

Slide 23
 p-n Junction
Elektron bebas pada daerah
n akan berpindah melintasi
junction ke daerah p
Elektron pada daerah p
menjadi minority carrier
dan akan mauk ke dalam
lubang.
Lubang akan menghilang
dan elektron bebas akan
menjadi elektron valensi
Semakin lama daerah pada
sambungan tidak
mempunyai carriers lagi.
Daerah kosong ini disebut
lapisan pengosongan
(depletion layer) Slide 24
PROSES GENERASI DAN REKOMBINASI

Proses generasi (timbulnya pasangan elektron-lubang per detik per meter

kubik) tergantung pada jenis bahan dan temperatur.
Energi yang diperlukan untuk proses generasi dinyatakan dalam elektron
volt atau eV. Secara matematik dinyatakan dalam :

En = → tergantung pada jenis bahan

Dimana :
➢ eVG = energi gap (eV)
➢ k = konstanta Boltzmann
➢ T = temperatur oK

Pada bahan semikonduktor, elektron atau lubang yang bergerak cenderung

mengadakan rekombinasi dan menghilang. Laju rekombinasi (R) dalam
pasangan elektron –hole perdetikpermeter kubik → tergantung pada jumlah
muatan yang ada, Secara matematik dinyatakan :

Dimana :
➢ r = konstantan proposionalitas bahan
Dalam keadaan seimbang besar laju generasi = besar laju rekombinasi,
Untuk semikonduktor murni berlaku :

dan

Jika salah satu dinaikkan (melalui proses doping) maka yang lain harus
berkurang, sehingga :

➢ untuk semikonduktor murni berlaku :

➢Untuk semikonduktor tidak murni :

ND = konsentrasi donor
PROSES DIFUSI
Jika kosentrasi doping tidak merata ( non uniform) akan didapat konsentrasi
partikel yang bermuatan tidak merata juga, sehingga kemungkinan terjadi
mekanisme gerakan muatan tersebut melalui difusi.
Misal : adanya gerakan elektron dari sisi yang padat ke sisi yang tidak padat.
Gerakan muatan tersebut menghasilkan “ arus difusi “ besarnya sebanding
dengan gradien konsentrasi (dn/dx), secara matematis dinyatakan dalam :

Dn = konstantate difusi untuk elektron

Dp = konstanta difusi untuk hole

(D = m2 / detik)

Jika

➢ gradien kosentrasi = neg → gerakan elektron dari –x adalah positif menuju +x

➢ gradien kosentrasi = pos → gerakan elektron dari +x adalah positif menuju - x
 Latihan Soal
1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-
p dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 Ω.cm dan mobilitas hole (µp)
1800 cm2 /volt .dtk
2). Sama dengan no.1 tetapi untuk silikon (Si) tipe-n bila resitivitasnya 20
Ω.cm dan mobilitas elektron silikon (µn) 1300 cm2 /volt. Detik

3. Konsentrasi atom Ge adalah 4,41 x 10 22 atom/cm3. Jika tiap 108atomGe

dikotori 1 atom donor, dan µn= 3800 cm2/Vs, tentukan σ.!