ELECTRÓNICA ANALOGICA E INSTALACIONES

ELECTRONICAS
PROF. Jesús Soto C.
Semana 2:
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos, que en su estructura atómica,
tienen una zona prohibida (BAND GAP) intermedia entre un conductor y
un aislante, cuando está en el estado puro se comparta como un
aislante es decir no deja pasar la corriente en grandes intensidades y
para que funcione se le agrega impurezas. Los semiconductores que se
emplean son los de SILICIO y GERMANIO.

Si observamos la última figura al semiconductor se le está agregando

impurezas y toma el nombre de semiconductores dopado, al estar así, a
un semiconductor se puede controlar su corriente de salida.

Mediante esta combinación se puede obtener materiales tipo “P”, y tipo

“N”. Si tuviéramos silicio tipo “P”, seria mediante la combinación con el
boro y si fuera germanio seria con el indio. Para el material tipo “N” de
silicio se combina con el fosforo y para el germanio se combina con
Arsenico. Tal como se muestra en los esquemas siguientes.
 TEORÍA CUALITATIVA DE LA UNIÓN “PN”

En el lado derecho tenemos portadores de tipo “P” con algunos iones

negativos y a la izquierda de la unión portadores tipo “N”, con algunos
iones positivos. Al aplicar un diferencial de potencia con la polaridad
positiva carca al tipo “P” los huecos se desplazan hacia la derecha y los
electrones hacia la izquierda. Como consecuencia del desplazamiento
de esta carga aparece un campo eléctrico de la unión llamado voltaje de
ruptura. (𝑉𝑅 )

El esquema mostrado se llama “diodo de unión” y su terminal en el lado

“P” se llama ánodo (A) y su terminal “N” toma el nombre de cátodo (K).
 EL DIODO DE UNIÓN
Polarización inversa: Al aplicar un diferencial de potencial al diodo
estamos polarizando, como se indica.

La polarización anterior se llama “inversa” y no existe circulación efectiva

de la corriente convencional por la carga, porque la fuente “E” su
polaridad negativa está cerca al ánodo. Solo habrá una pequeña
intensidad de corriente que circula debido a los iones del donador y
aceptador y se le llama corriente inversa de saturación. Se representa
por 𝐼𝑆 o 𝐼𝑂 .

Idealmente el diodo está representado como:

Polarización directa: para que un diodo pueda trabajar

correctamente se le tiene que polarizar directamente y es cuando la
polarización positiva de la fuente está en el lado “P” del diodo y en este
momento hay una efectiva circulación de corriente “𝐼𝐷 ”.
Idealmente seria:

Y su curva

Notar que es en el ideal puro, porque en el diodo de unión tiene una

resistencia y una tensión de ruptura. Si consideramos estos valores su
curva seria.

Curva del diodo:

La curva de un diodo es del tipo exponencial y la ecuación que me

relaciona entre la corriente del diodo 𝐼𝐷 y la corriente inversa de
saturación es la ecuación de SCHOKLEY que es el siguiente.
 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 [𝐸 𝑞𝑉𝐷 ⁄𝑚 𝑘𝑇 − 1]

Dónde:
k = constante de Boltzmann 1.3 𝑥 10−3 𝑗𝑢𝑙⁄𝑜𝑘
E = 2.718
𝐼𝐷 = corriente atraves del diodo en A. (ampere)
𝐼𝑆 = corriente inversa de saturación en A.
m = constante empírica que varía entre 1 y 2.
q = carga del electrón 1.6 𝑥 10−19 𝐶.
𝑉𝐷 = caída de voltaje en el diodo (volt).
T = temperatura en grados KELVIN.

CARACTERÍSTICA PRINCIPAL DEL DIODO DE SILICIO

 Soporta alto voltaje de pico inverso (PIV).

 Soporta alta corriente.
 Soporta alta temperatura.
 Para funcionar requieren una polarización directa de
aproximadamente > 0.7v.


CARACTERÍSTICA PRINCIPAL DEL DIODO DE GERMANIO

 Soporta o tiene un bajo (PIV).

 Soporta poca corriente.
 Soporta baja temperatura.
 Para funcionar requieren una polarización directa de
aproximadamente > 0.3v.