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FECHA DE

UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA EMISION


FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
2019/07/07

FECHA DE
GUÍA DE LABORATORIO VERSION No. 1
REALIZACIÓN
INGENIERÍA ELECTRÓNICA EXTENSIÓN TUNJA 2019/07/07

Asignatura: Electrónica I Código: 8108681


Docente: E-mail:
Robert Alexander Limas Sierra robert.limas@uptc.edu.co
Monitora: E-mail:
Angie Paola Rique Sabogal angie.rique@uptc.edu.co

PRACTICA No. 02
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

1. OBJETIVOS:

A. Analizar el comportamiento y operación DC y AC d los diodos.


B. Conocer las características principales de corriente y tensión de los diodos.
C. Realizar mediciones experimentales del comportamiento de diodos.

2. EQUIPOS Y MATERIALES:

Osciloscopio
Generador de señales
Multímetros
Diodos 1N4001 a 1N4007
Resistencias varias
Condensadores (100uF, 1000uF, etc.) a50V
Caimanes gruesos
Cables
Conectores 3 a 2

3. PLANTEAMIENTO:

Antes de iniciar el desarrollo de la presente guía, verifique e identifique los componentes necesarios,
especialmente el valor de trabajo para los componentes, tales como voltaje, corriente y potencia que
soportan.
4. DESCRIPCIÓN DE LA PRÁCTICA Y REQUERIMIENTOS DE DISEÑO

Identifique el funcionamiento de equipos en especial multímetro, generador y osciloscopio.


Consulte el datasheet de los diodos elegidos con el fin de obtener las principales características como
Voltaje pico corriente en directo, Is, entre otros.

5. CIRCUITOS CON DIODOS


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• PRUEBAS CON MULTÍMETRO


5.1 Verifique el correcto funcionamiento de los diodos 1N4001 a 1N4007, mediante la función de
prueba de diodos del multímetro, tomando esta lectura. Deduzca a que corresponde la lectura del
multímetro cuando los diodos son polarizados en directo e inverso. Repita la misma prueba con
un diodo 1N60.
• PROCEDIMIENTO DE LA PRÁCTICA
5.2 Polarice el circuito de la figura 1 y realice la toma de datos de la corriente y el voltaje del diodo
(polarizado en directo) 1N4007 (u otra referencia), para esto varíe la fuente de voltaje V1 entre
0V y 12V.
5.3 Polarice el circuito de la figura 2 y realice la toma de datos de la corriente y el voltaje del diodo
(polarizado en directo) 1N4007 (u otra referencia), para esto varíe la fuente de voltaje V1 entre
0V y 12V.
5.4 Realice la simulación de los circuitos de las figuras 1 y 2 en ORCAD o similar haciendo un barrido
en DC de la fuente de alimentación.

FIGURA 1. Polarización directa del diodo FIGURA 2. Polarización inversa del diodo

5.5 Realice la curva característica ID vs VD con los datos obtenidos en la experiencia mediante Excel o
alguna otra hoja de cálculo, comparándola con la curva característica realizada matemáticamente
de acuerdo con la función matemática de respuesta de diodo teniendo en cuenta la corriente de
saturación Is de la hoja de datos con Tk 293°k.
5.6 Obtenga el trazo de la curva característica del diodo usando el generador de señales y el
osciloscopio.
5.7 Compare los resultados obtenidos en el punto 5.4, 5.5 y 5.6, para los circuitos de las figuras 1 y 2,
analice y concluya. Recuerde que en el informe se deben anexar las memorias de cálculo mediante
editor de ecuaciones.
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6. RESISTENCIA DEL DIODO


6.1 Sobre las gráficas obtenidas con las mediciones, realice el cálculo de la resistencia de diodo DC
RD, resistencia dinámica o en ac rac y resistencia ac promedio rav, un punto de trabajo en la curva
positiva, compare resultados y formule conclusiones. (NOTA*)

FIGURA 3. Grafica curva característica del diodo y recta de carga.

NOTA: Recuerde que los parámetros necesarios se encuentran en el datasheet y que Is corresponde a la
corriente de portadores minoritarios cuando el diodo es polarizado en inverso la cual varia de 9 a 12 nA o pA
dependiendo de la referencia del diodo.

7. TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSO


7.1 Realice el montaje propuesto en la figura 4, teniendo en cuenta que la fuente de alimentación V1
corresponde al generador de señales con una señal cuadrada de 5Vp y frecuencia de 1kHz, realice
la medición de voltaje de entrada en el generador y voltaje de salida en la resistencia con el
osciloscopio para observar la señal rectificada sobre la resistencia.

FIGURA 4. Circuito rectificador de media onda FIGURA 5. Tiempos característicos del diodo
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7.2 Determine el valor del tiempo de recuperación en inverso, tiempo de almacenamiento y tiempo
de transición, compare con los tiempos establecidos en la hoja de datos, analice y concluya. (Ver
figura 5).

8. INVESTIGACIÓN
a. ¿Qué es el voltaje de pico inverso en un diodo semiconductor?
b. ¿Cuál es el promedio de corriente de los diodos usados en la práctica? ¿De que dependen las
variaciones presentadas?
c. Consulte el tiempo de respuesta de conmutación para los diodos de referencias 1N4000 a
1N4007.
d. ¿Qué es la corriente de portadores minoritarios?

9. PARÁMETROS DE PRESENTACIÓN

El informe debe contener:

a) Portada
b) Resumen
c) Introducción
d) Descripción de actividades realizadas (No copiar texto del procedimiento)
e) Procesamiento de información (Datos obtenidos, tablas, graficas, desarrollos matemáticos,
simulaciones y demás)
f) Análisis de resultados (Comentarios acerca de tendencias en tablas o gráficas)
g) Conclusiones
h) Bibliografía

Para el registro del informe se debe utilizar el formato IEEE doble columna. La extensión del informe
no debe superar 10 PÁGINAS.

Fecha de entrega PRÁCTICA: LA INDICADA EN AULA VIRTUAL


Fecha de entrega INFORME: UNA SEMANA DESPUÉS DE LA PRACTICA

10. BIBLIOGRAFÍA

BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos. Editorial Prentice Hall, 1995.


GUTIÉRREZ, Humberto. Electrónica análoga: teoría y laboratorio. Ed. Humberto Gutiérrez. 1996
MALVINO, Albert Paul. Principios de electrónica. Editorial McGraw-Hill, 1991.
MILLMAN, Jacob. Electrónica integrada. Editorial Hispano Americano, 1986.
RASHID, Muhammad. Microelectronic Circuits Analysis & Design, 2011.

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