“V1” con tecnología FULL GATE CSTBT ™ paralelizada en el interior y tecnología Mirror Emitter para detección de cortocircuitos Artículo cedido por Mitsubishi Electric Europe BV
La seríe V1 es un nuevo módulo de
potencia inteligente (IPM), que se de- www.mitsubishichips.com sarrolla principalmente para aumentar la eficiencia de motores o fuentes de * Nishida Nobuya, alimentación Para este propósito, se * Uota Shiori , han implementado nuevas tecnologías * Yoneyama Rei , como un nuevo chip con tecnología * Tametani Fumitaka, full gate CSTBT ™ y un nuevo circuito *Orita Shoichi , de control dedicado. ** Honsberg Marco, La serie V1 es un módulo de poten- ** Radke Thomas cia que se centra en aplicaciones con kW, y por eso, tiene una gama * Trabajos de dispositivos de 200A/300A/450A para 1200V, y de potencia, Mitsubishi 400A/600A para 600V. La tecnología Electric Corporation, chip y las mejoras estructurales redu- Fukuoka, Japón cen la temperatura de unión efectiva ** Mitsubishi Electric y aumentan la potencia y la capacidad Europe BV, Alemania de ciclos térmicos de esta familia de IPMs, mientras que mantienen amplia- mente la compatibilidad terminal con nal en un IGBT conectado a aun driver El encapsulado pequeño cubre las series de IPMs duales de la serie V externo. Estas características ventajosas módulos de 200A a 450A en 1200V anterior. de la tecnología ya han sido empleadas y de 400A a 600A en 600V. La figura en las series de IPMs “L1 “S1 6 en 1 y 7 1 muestra el interfaz de cinco pines Introducción en 1 para cubrir hasta 150A/1200V y para lado P y N. El conector chapado 300A/600V, pero hasta ahora, no hay en oro es compatible con las ante- Los módulos de potencia inte- soluciones punteras similares para ra- riores generaciones de conectores ligentes (IPM) han sido ampliamen- tios de inversor mayores. El desarrollo IPMs 2 en 1 y emplea terminales de te utilizados para alcanzar un mayor de la serie IPM V1 cierra esta brecha 0,63 mm con forma cuadrada que se grado de integración y para reducir y extiende este rendimiento superior disponen en una capa de 2,54 mm. la complejidad de las funciones de y esta funcionalidad de protección a El encapsulado grande, en la Figura protección y puerta de los usuarios. IPMs duales de 450A/1200V. Los IPM 2, está previsto para un máximo de Durante la última década la tecnolo- duales anteriores de las serie V y S que 600A/1200V y 900A/600V. gía IPM ha experimentado un gran todavía siguen siendo equipados con Figura 2. Encapsulado cambio en términos de funcionalidad chips de tecnología planar se han grande de la serie V1 y funciones de protección. Los IPMs de superado con la tecnología IPM V1. La hoy ayudan a la interfaz fotoacopla- ubicación de los terminales y el encap- dora a reducir las influencias dV/dt y sulado de la serie V1 son compatibles a controlar las oscilaciones de la señal con la serie V. Sin embargo, las estruc- y, con la introducción de la tecnología turas internas difieren en las series V1 y chip full gate (FG) CSTBT ™, el ratio de la serie V. La serie V1 cambió el electro- pérdida/SCSOA trade off se ha ajusta- do principal interno, y ha añadido una do para alcanzar una menor pérdida línea de feedback negativa especial de mientras que se mantiene la robustez cableado en el Emitter del IGBT. SC gracias a un circuito de control integrado (LVIC). El sensado de tem- Ambos diseños, tienen el termi- peratura del chip como parte de la to- nal de control en común y proporcio- pología del IPM permite la protección nan la misma posición no simétrica individual de los chips IGBT. Así, hoy en de baja inducción de los terminales día un módulo de potencia inteligente de potencia. emplea características y ventajas que La Tabla 1 muestra la disposición Figura 1. Encapsulado difícilmente se pueden implementar en del encapsulado pequeño y grande pequeño de la serie V1 una etapa de configuración convencio- de la serie V1.
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tensión también se producirá durante Tabla 1. Disposición de
el encendido y apagado de la fuente la serie IPM V1 de control. Esta operación es normal y el programa controlador del sistema debe tener en cuenta la demora de salida de fallo (tFo).
Sobretemperatura (OT)
El IPM tiene un sensor de tempe-
ratura, que es parte de la superficie de los chips IGBT. Si la temperatura de los chips IGBT supera el nivel de sobretemperatura (OTtrip) el circuito de control interno del IPM protegerá los dispositivos de potencia mediante la desactivación del driver de la puerta Guiado y Protección Suministro de control y haciendo caso omiso de la señal de de Bajo Voltaje (Under entrada de control hasta que la con- La serie V1 tiene chips IGBTs Voltage) dición de sobretemperatura se haya CSTBT ™ de 5 ª generación. Se usan desvanecido. Esta señal de salida de dos CSTBT ™ en paralelo por cada Los circuitos de control internos fallo causada por OT se mantendrá elemento con el fin de alcanzar la del IPM funcionan desde una fuente siempre y cuando la condición de so- deseada capacidad de corriente del aislada de 15V CC. Si, por cualquier bretemperatura exista. Cuando la tem- módulo. Las sofisticadas funcio- razón, el voltaje de esta fuente cae peratura cae por debajo del nivel de nes de protección se integran en por debajo del nivel de tensión es- rearme de sobretemperatura (OTr), y los circuitos de control dedicados. pecificada (UVt), los dispositivos la entrada de control es alta, por ejem- Siguen la misma estrategia de con- de alimentación se apagarán y se plo, correspondiente al modo inactivo trol, como el muy establecido es- generará una señal de fallo. Peque- del IGBT, el dispositivo de energía se tándar industrial de la serie IPM L1 ños problemas técnicos inferiores activará y el funcionamiento normal que previene que los dispositivos en longitud a la especificada tdUV se reanudará en la próxima señal de de potencia se dañen por el mal (<10us) no afectarán al funciona- entrada de “low” (on). funcionamiento del sistema o un miento de la circuitería de control Las anteriores series V de IPMs sobreesfuerzo. Este concepto de y serán ignorados por el circuito de sólo detectaban la temperatura del en- protección se basa en tres funciones protección de bajo-voltaje. Para que capsulado (la temperatura de la placa de protección elementales, como el funcionamiento normal se reanu- base), y una vez que el umbral de tem- el abastecimiento de control bajo de, la tensión de alimentación debe peratura del sensor de temperatura voltaje (UV) que garantiza condi- superar el nivel de rearme de bajo- montado en el sustrato se alcanzaba, ciones adecuadas de guiado de la tensión (UVr). El funcionamiento el CI de control interceptaba la señal puerta del CSTBT™, el exceso de del circuito de protección de bajo- de la puerta y protegía el IGBT. temperatura (OT) que se adquiere directamente en el chip y en el cor- tocircuito (SC) utilizando tecnología Mirror Emitter. La tecnología Mirror Emitter es una tecnología clave para reducir el esfuerzo sobre el IGBT durante un cortocircuito. Mientras que los enfoques convencionales de protección se basan en la de- tección de la desaturación del IGBT, lo que permite una alta disipación durante el cortocircuito, la exclusiva tecnología Mirror Emitter mide una pequeña fracción de la corriente del Colector y utiliza la información de corriente real como criterio para una detección de sobrecorriente / cortocircuito. La figura 3 indica el circuito interno del IPM. Se mues- tra la tecnología Mirror Emitter y la Figura 3. Diagrama de derivación correspondiente. bloques Interno
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Figura 4. Diagrama de Sin embargo, esta protección tér-
tiempos de control y mica madura tiene ciertas desventajas, protección de la serie ya que la adquisición de la temperatura V1 es lejana desde el chip IGBT y también reacciona lentamente a causa de las constantes de tiempo térmicas afectadas de los diferentes esquemas de construc- ción del módulo. Como consecuencia, la información del sensor de temperatura no refleja la temperatura real de la unión y tiene un cierto retraso de tiempo. La protección basada en la temperatura de la placa base puede prevenir de fallos de sobretemperatura causados por el fallo del ventilador o por problemas del debe prevenir que el IGBT sea dañado. los objetivos de pérdida de la anterior lubricante térmico, pero que sólo podría Tal y como se comentó anteriormente, generación de la serie IPM L1 que tam- proporcionar protección insuficiente la tecnología Mirror Emitter, permite bién emplea FG CSTBT ™. en caso de situaciones de bloqueo del monitorizar la corriente que fluye, sien- La conmutación de la serie V1 es rotor o baja frecuencia salida. A pesar do ella misma una imagen del total de ajustada por lo que resulta similar a la de que la protección de la temperatura corriente que en el colector. Así, a nivel serie L1. La Figura 5 revela que, incluso de los últimos IPM puede detectar la de una “pequeña señal” y muy dife- en comparación con ancho de pulso temperatura de un chip de IGBT que ya rente a los métodos convencionales de pequeño, no genera oscilaciones. Al está a nivel de la superficie y protegerlo, detección de desaturación de esfuerzo comparar el perfil de datos de la nue- la ubicación del sensor se llevó a cabo dv / dt, el circuito de control nota niveles va serie IPM V1 con el rendimiento y en el extremo del chip. anormales de corriente y toma acción características de su predecesor, resulta Posteriores investigaciones han de- inmediata. Como consecuencia de una que los avances de más de 13 años en mostrado que se puede observar una detección de cortocircuito, se inicia un la tecnología de chips, han llevado a la diferencia sustancial de temperatura apagado controlado y se genera una importante reducción del rendimiento entre la ubicación del sensor y la tem- salida de error se en un pin especial (Fo) de la pérdida de esta familia de IPM. peratura máxima real de la superficie del de lPM. Dado que la protección SC se Junto con las mejoras de la tecnología chip IGBT, dependiendo de la ubicación ejecuta también en la parte P de los de silicio, las tecnologías de encapsulado del sensor de temperatura en la super- IGBT, también es posible una protec- y fabricación, se ha actualizado para ficie de los chips. Por lo tanto, suponer ción contra defecto de tierra. Además, alcanzar un rendimiento de vanguar- una temperatura compensada desde la serie IPM V1 contiene un feedback dia. En detalle, la capacidad de ciclo la posición del sensor a la temperatura negativo bien afinado en la línea de de potencia de la nueva serie V1, se máxima encontrada, podría haber sido emisor del IGBT, lo que reduce el pico de ha incrementado con la introducción una opción, pero la dependencia de la corriente de cortocircuito. El diagrama de una nueva tecnología en el proceso carga de esta compensación impediría, de tiempos de la función de protección “wire bonding” por desgracia, un nivel de protección se muestra en la Figura 4. Vcc = 600 V, VD = 15V, Tj = 125 ° C de mayor precisión. Idealmente el “hot IC: 100A/div VCE: 200V/div spot” confirmado experimentalmente Características La Tabla 2 contiene la información en el CSTBT ™ debe coincidir con la eléctricas de la antigua sería V mientras que la ubicación del sensor de temperatura. tabla 3 muestra los últimos avances de La nueva serie IPM V1 ha caído en la El comportamiento en conmuta- la serie IPM V1. cuenta de esta posición del sensor de ción, es además de la pérdida de con- Tabla 2. Perfil de datos temperatura más precisa y utiliza chips mutación, una característica importante de la serie V (tecnología CSTBT ™ empleando el sensor de tem- de tecnología IGBT, el estimar el esfuerzo madura) peratura en el centro del chip. de filtrado para ajustarse a las normas EMI. Una prueba de conmutación se ha Cortocircuito (SC) realizado a Vcc = 600 V, VD (alimenta- ción) = 15V, Tj = 125 ° C, condiciones La protección de cortocircuito es de aplicación en la Figura 5. El resultado Tabla 3. Perfil de datos de una característica esencial de las unida- a su vez muestra un buen control en el la serie V1 (nueva familia des modernas. Varias fuentes pueden encendido y apagado evitando oscila- IPM) generar un estado de cortocircuito que ciones y manteniendo al mismo tiempo genera un estrés térmico extraordinario en un IGBT. El cortocircuito o el mal funcionamiento del controlador del sistema que resulta en un disparo puede Figura 5. Forma de onda ser la causa raíz de las condiciones de en la conmutación de la cortocircuito. La función de protección serie V1 de cortocircuito integrada en el IPM,
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Además de las innovaciones des- Simulación de la
critas anteriormente de la detección de pérdida de potencia cortocircuito, la circuitería se ha proba- do más allá de los límites de SCSOA tí- Una simulación de las pérdidas en pica de un IGBT. Presentando el enfoque el funcionamiento del inversor de la serie conservador de la especificación, se ha V1 se llevó a cabo y se comparó con realizado una prueba de corto circuito la serie L que está actualmente en el en un dispositivo en la condiciones Vcc módulo IPM que cubre las gamas de co- = 800V, VD = 16,5 V y Tj, start = rriente de 300A/1200V y 450A/1200V. 125 ° C. El resultado de esta prueba Aunque el IPM de la serie L ya emplea se indica en la Figura 6. Incluso en la CSTBT™ de la quinta generación, la alta temperatura de la unión antes de densidad de corriente de un chip utili- La tecnología Mirror Emitter reduce la Figura 6. Forma de onda la operación de cortocircuito y el alto zado en el IPM de la serie L es inferior presión sobre los chips IGBT en cortocir- de la corriente de cortocir- voltaje de CC, el cortocircuito se apaga a la quinta generación CSTBT ™ de la cuito de manera eficiente y la tecnología cuito de la serie V1 IC: de forma segura. Este rango admisible serie V1. Por otra parte, desde la que de encapsulado y proceso aumenta la 1000A/div VCE:200V/div del parámetro que es pertinente para la superficie de la placa de la serie V1 fiabilidad de la serie IPM V1 de forma el manejo del cortocircuito se especifica es más grande que un solo segmento eficiente. El rendimiento térmico y de como Vcc prot, que indica el máximo de una fase del IPM de la serie L – que pérdidas se ha mejorado sustancialmen- nivel de voltaje de CC- que garantiza proporciona alrededor de un 20% más te y alcanza niveles punteros. un apagado seguro del IPM. de superficie - la elevación de la tem- Este comportamiento excelente de peratura de del encapsulado también Figura 7. Forma de onda cortocircuito es el resultado de la reduc- se reduce y produce una mejora de la de salida de corriente ción de tensión de la puerta del Emitter fiabilidad reflejada en ciclos térmicos y en un control de motor (Vge) que se impone por la configura- de energía. La figura 8 muestra la dis- con las condiciones de la ción de la señal de seguimiento interna posición de 3 piezas de la serie IPM V1 serie V1: Vcc = 600V, Io en el sustrato. Ese tipo de feedback (2 en 1) frente a un IPM de la serie L (6 300Apeak = VD = 15V, fc negativo reduce la tensión de salida en 1). En cuanto al sistema, por ejemplo, = 5 kHz, fo = 60 Hz del conductor y limita eficientemente incluyendo también el disipador de calor el pico de corriente del cortocircuito. en estas consideraciones, este aumento La figura 6 además permite obtener de la superficie de un material alta- información sobre el estrés de los IGBT mente conductor como el cobre de la durante la situación de cortocircuito. placa facilita la transferencia de energía La instantánea disipación de potencia térmica al disipador de calor y reduce los como producto de la tensión colector- efectos de la concentración de calor. emisor (Vce) y la intensidad de corriente Estas dos soluciones para inversores de colector (Ic) es baja en el IPM como de alta potencia se comparan sobre resultado esperado de la información todo en las variaciones de las frecuencias de espejo de la corriente del emisor. El de conmutación. La figura 9 resume el área de sobreposición (Overlap área) del resultado de esta simulación indicando Vce e Ic, por ejemplo, la información de el parámetro clave basado en los mó- la energía disipada del cortocircuito en dulos 300A/1200V. el IGBT, es excepcionalmente pequeña. Referencias Figura 8. Comparación de Esto reduce el aumento de la tempe- Conclusión [1] Nota de aplicación de las series la serie L con la serie V1 ratura de Tj durante el cortocircuito y IPM L1/S1. Página Web de Mitsubis- disminuye el estrés. En etapas normales Una nueva familia de IPMs en en- hi Electric Corporation. http://www. del controlador, esta área de sobreposi- capsulado 2in ha sido desarrollada utili- mitsubishichips.com/Global/products/ ción se mantiene generalmente durante zando la última tecnología full gate (FG). powermod/ unos pocos microsegundos (4ìsec ... 6ìsec) llamándose “blanking time” para evitar la detección errónea de los circui- tos de detección de la desaturación. Por lo tanto, la tensión impuesta a los IGBTs utilizados en las etapas normales de controlador durante un cortocircuito, es mucho mayor que en el diseño de IPM. Por supuesto, esta característica tiene una influencia crucial en la fiabili- dad del sistema. El IPM se ha probado en un sistema de control industrial y Figura 9. Resultados del se ha grabado la forma de onda de cálculo de la pérdida de salida. Los resultados se representan potencia entre la serie L y en la figura 7. la serie V1