Los circuitos SSI fueron cruciales en los primeros proyectos aerospaciales, y viceversa, ya que los programas
espaciales como Apollo o el misil Minuteman necesitaban dispositivos digitales ligeros. El primero motivó y
guió el desarrollo de la tecnología de circuitos integrados, mientras que el segundo hizo que se realizara una
producción masiva.
Estos programas compraron prácticamente la totalidad de los circuitos integrados desde 1960 a 1963, y
fueron los causantes de la fuerte demanda que originó un descenso de los precios en la producción de 1000
dólares la unidad (en dólares de 1960) hasta apenas 25 dólares la unidad (en dólares de 1963). El siguiente
paso en el desarrollo de los circuitos integrados, que tuvo lugar a finales de los 60, introdujo dispositivos que
contenían cientos de transistores en cada chip y fue llamado MSI: Escala de Media Integración (Medium-
Scale Integration).
Económicamente eran circuitos atractivos porque mientras producirlos costaba ligeramente más que los
dispositivos SSI, permitieron fabricar sistemas electrónicos más complejos utilizando placas impresas más
pequeñas, menos trabajo al ensamblarlos (ya que contenían menos chips) y otras ventajas.
Es una integración en alta escala y comprende los chips que contienen de 1001 a 10000 compuertas.
Ejemplos: memorias, unidades aritméticas y lógicas (alu's), microprocesadores de 8 y 16 bits . los Circuitos
Integrados LSI se fabrican principalmente empleando tecnologías i2l, nmos y pmos. Los Cuales estiende
desde 101 a 1000 transistores en un circuito lógico aquello que sirve para diseñar los Decoders,
Multiplexores, y diseños Logicos.
VLSI es la sigla en inglés de Very Large Scale Integration, integración en escala muy grande de 10.001 a
100.000 transistores y comprende los chips que contienen mas de 1000 compuertas ejemplos: micro-
procesadores de 32 bits, micro-controladores, sistemas de adquisición de datos. los Circuitos
Integrados VSLI se fabrican también empleando tecnologías ttl, cmos y pmos.
La integración en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en transistores en circuitos integrados
comenzó en los años 1980, como parte de las tecnologías de semiconductores y comunicación que se estaban
desarrollando.
Los primeros chips semiconductores contenían sólo un transistor cada uno. A medida que la tecnología de
fabricación fue avanzando, se agregaron más y más transistores, y en consecuencia más y más funciones
fueron integradas en un mismo chip. El microprocesador es un dispositivo VLSI.
La primera generación de computadoras dependía de válvulas de vacío. Luego vinieron los semiconductores
discretos, seguidos de circuitos integrados. Los primeros CIs contenían un pequeño número de dispositivos,
como diodos, transistores, resistencias y capacitores (aunque no inductores), haciendo posible la fabricación
de compuertas lógicas en un solo chip. La cuarta generación (LSI) consistía de sistemas con al menos mil
compuertas lógicas. El sucesor natural del LSI fue VLSI (varias decenas de miles de compuertas en un solo
chip). Hoy en día, los microprocesadores tienen varios millones de compuertas en el mismo chip. Hacia
pricipios de 2006 se comercializaban microprocesadores con tecnología de hasta 65 nm, en 2010 se
comercializan chipsets con tecnología de 32 nm.
TECNOLOGIA TTL
Características
Su tensión de alimentación característica se halla
comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se ve un rango
muy estrecho).
Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre 0,2V y 0,8V para el estado L
(bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si bien esta característica le hace
aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL
como FAST, LS, S, etc y últimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco más
de los 250 MHz.
Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a través de circuitos adicionales de
transmisión (no pueden viajar más de 2 m por cable sin graves pérdidas).
Familias TTL
Los circuitos de tecnología TTL se prefijan normalmente con el número 74 (54 en las series militares e
industriales). A continuación un código de una o varias cifras que representa la familia y posteriormente uno de 2 a
4 con el modelo del circuito.
Versiones
A la familia inicial 7400, o 74N, pronto se añadió una versión
más lenta pero de bajo consumo, la 74L y su contrapartida
rápida, la 74H, que tenía la base de los transistores dopada con
oro para producir centros de recombinación y disminuir la vida
media de los portadores minoritarios en la base. Pero el
problema de la velocidad proviene de que es una familia
saturada, es decir, los transistores pasan de corte a saturación.
Pero un transistor saturado contiene un exceso de carga en su
base que hay que eliminar antes de que comience a cortarse,
prolongando su tiempo de respuesta. El estado de saturación se
caracteriza por tener el colector a menos tensión que la base. Entonces un diodo entre base y colector, desvía el
exceso de corriente impidiendo la introducción de un exceso de cargas en la base. Por su baja tensión directa se
utilizan diodos de barrera Schottky. Así se tienen las familias 74S y 74LS, Schottky y Schottky de baja potencia.
Las 74S y 74LS desplazaron por completo las 74L y 74H, debido a su mejor producto retardo·consumo. Mejoras
en el proceso de fabricación condujeron a la reducción del tamaño de los transistores que permitió el desarrollo de
tres familias nuevas: 74F (FAST: Fairchild Advanced Schottky Technology) de Fairchild y 74AS (Advanced
Schottky) y 74ALS (Advanced Low Power Schottky) de Texas Instruments. Posteriormente, National
Semiconductor redefinió la 74F para el caso de búferes e interfaces, pasando a ser 74F(r).
Desde el punto de vista funcional es, básicamente, el encargado de realizar toda operación aritmético-lógica,
de control y de comunicación con el resto de los componentes integrados que conforman un PC, siguiendo el
modelo base de Von Neumann. También es el principal encargado de ejecutar los programas, sean de usuario o
de sistema; sólo ejecuta instrucciones programadas a muy bajo nivel, realizando operaciones elementales,
básicamente, las aritméticas y lógicas, tales como sumar, restar, multiplicar, dividir, las lógicas binarias y
accesos a memoria.
Memorias RAM.
Memorias PROM.
PROM es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital
donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola
vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en
cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.
PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que interconecta las
entradas y cierto número de puertas lógicas.
Otra de las características importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una señal degradada que
acometa una puerta lógica CMOS se verá restaurada a su valor lógico inicial 0 ó 1, siempre y cuando aún esté
dentro de los márgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.
Ventajas e inconvenientes.
Ventajas
La familia lógica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricación de circuitos integrados
digitales:
El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo
MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS sólo experimentará corrientes parásitas. Esto
es debido a que en ninguno de los dos estados lógicos existe un camino directo entre la fuente de
alimentación y el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el
inversor CMOS básico se encuentra en la región de corte en estado estacionario.
Gracias a su carácter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradación de señal
debido a la impedancia del metal de interconexión.
Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar.
La tecnología de fabricación está muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integración muy
altas a un precio mucho menor que otras tecnologías.
Inconvenientes
Debido al carácter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por
duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que
la de otras familias lógicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la estructura CMOS que
entra en conducción cuando la salida supera la alimentación. Esto se produce con relativa facilidad
debido a la componente inductiva de la red de alimentación de los circuitos integrados. El latch-up
produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación que acarrea la destrucción del
dispositivo. Siguiendo las técnicas de diseño adecuadas este riesgo es prácticamente nulo. Generalmente
es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusión con suficiente regularidad, para
asegurarse de que está sólidamente conectado a masa o alimentación.
Según se va reduciendo el tamaño de los transistores, las corrientes parásitas empiezan a ser comparables
a las corrientes dinámicas (debidas a la conmutación de los dispositivos).