Anda di halaman 1dari 35

JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No.

1, (2012) 1-35 1

TRANSISTOR
Emy Aditya, Su’udi, Endarko, Ph.D
Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Jl. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111
E-mail: mfransisca@ymail.com
Abstrak—Percobaan transistor telah selesai dilakukan. dwikutub karena bekerja dengan lebih melibatkan dua muatan
Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengetahui besar yang berbeda, yaitu elektron sebagai pembawa muatan negatif
konstanta penguatan arus/ hFE pada transistor, dan mengetahui dan hole yang berperan sebagai pembawa muatan positif.
karakteristik transistor melalui perbandingan antara IC dan
tegangan antara colector dan emitor (VCE).Transistor
Transistor memiliki tiga buah kaki, yaitu emitor, basis,
merupakan komponen semi konduktor yang bersifat kolektor. Emitor berfungsi untuk menyalurkan muatan, basis
menghantar dan menahan arus listrik. Transistor berdasarkan sebagai tumpuan transistor, dan kolektor akan mengumpulkan
fungsinya terbagi menjadi 2, yaitu BJT dan FET. Dalam muatan yang mengalir.[3]
percobaan ini, transistor yang digunakan adalah BJT. Transistor
mempunyai 2 kegunaan yaitu sebagai saklar dan untuk RC
menguatkan arus, sesuai dengan tujuan dilakukannya percobaan
ini. Transistor yang digunakan dalam percobaan ini adalah RB
BD139. Variasi yang dilakukan hanyalah arus IB. Cara kerja
pada praktikum ini adalah merangkai peralatan yang ada,
mengatur tegangan pada kedua potensiometer di posisi 0 volt,
memutar potensiometer kedua, sampai tegangan pada kolektor
dan emitor menunjukan angka yang diinginkan, ukur arus pada
kolektor dan emitor, catat nilainya, praktikum ini dilakukan
dengan variasi arus pada basis yaitu 5 µA, 10 µA, dan 15 µA.

IB sebesar 5 A adalah 10. Nilai hFE rata-rata untuk IB sebesar 10


Hasil percobaan menunjukkan bahwa nilai hFE rata-rata untuk
Gambar 1. Konsep dasar kerja transistor
A adalah 82. Dan nilai hFE rata-rata untuk IB sebesar 15 A
adalah 186,6667 Serta karakteristik transistor pada percobaan Cara atau dasar kerja transistor adalah seperti yang
ini adalah common emitor (CE). digambarkan pada gambar 1. Terlihat bahwa muatan positif
dari catu daya VBB dialirkan melalui RB masuk ke emitor yang
Kata Kunci—arus, hFE, transistor terbuat dari seminkonduktor jenis p. Oleh karena adanya
panjar maju antara emitor dan basis, pembawa muatan dari
emitor akan tertarik masuk basis dan terus tersapu ke kolektor
I. PENDAHULUAN dan masuk ke hambatan RC. Adanya arus IC pada RC akan
membuat kolektor mempunyai tegangan positif terhadap basis,
P ada masa kini, transistor ada dalam setiap peralatan
elektronika. Maka dari itu, jika memahami dasar kerja
transistor, maka secara tidak langsung kita akan lebih mudah
sehingga sambungan pn antara kolektor dan basis juga akan
mendapat panjar maju.[3]
Transistor NPN dan transistor PNP merupakan transistor
untuk mempelajari cara kerja berbagai peralatan elektronika.
yang terbuat dari semikonduktor tipe p dan semikonduktor
Salah satu kegunaan transistor yaitu dapat digunakan di dalam
tipe n. Pada transistor tipe ini nali pergerakan dari elektronnya
rangkaian untuk memperkuat isyarat, artinya isyarat emah ada
akan lebih tinggi dibandingkan dengan pergerakan muatan
masukan akan diubah menjadi isyarat yang kuat pada
positifnya, sehingga akan memungkinkan sistem beroperasi
keluaran.
dengan arus yang besar dan pada kecepatan yang besar. Arus
Transistor merupakan suatu komponen aktif yang dibuat
pada basis akan dikuatkan oleh kolektor. Jadi transistor NPN
dari bahan semikonduktor. Ada dua macam transistor yang
akan memasuki daerah aktif ketika tegangan yang berada pada
dibagi berdasarkan fungsi, yaitu transistor dwikutub (Bipolar
basis lebih besar lebih tinggi daripada emitor, tanda panah
Junction Transistor-BJT) dan transistor efek medan (Field
yang berada pada kaki emitor dan menuju keluar yang
Effect Transistor-FET). Semikonduktor sendiri terdiri dari dua
menunjukan arah arus konvensional, saat alat mendapatkan
tipe, yaitu tipe p dan tipe n. Ada dua buah bahan penyusun
panjar maju.[3]
transistor, yang sesuai dengan jenis semikonduktor, yaitu
germanium dan silikon.[1] Transistor memiliki kegunaan
untuk memperkuat sinyal masukkan yang lemah, agar sinyal
keluaran yang didapatkan memiliki nilai yang lebih besar,
selain itu juga dapat berfungsi sebagai saklar.[2]
Transistor dwikutub akan mengatur arus dan mempunyai
biasanya impedansi masukan yang kecil, sedangkan transitor Gambar 2. Transistor tipe NPN dan PNP
efek medan akan mengatur tegangan dan mempunyai Transistor PNP merupakan transistor yang memiliki satu
impedansi masukan yang tingi.[1] Diberikan nama transistor lapis semikonduktor tipe n yang berada pada dua bua
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 2

semikonduktor tipe p. Arus yang meninggalkan basis pada dan R2 pada posisi 0 volt. Diputar R1 sehingga pada A1 timbul
node emitor akan dikuatka pada keluaran elektron. Jika dilihat arus IB sebesar variasi yang telah ditentukan. Setelah
dari arusnya, maka transitor PNP akan hidup ketika arus pada didapatkan, diputar juga R2 dan diamati perubahan yang
basis lebih rendah daripada pada emitor. Tanda panah pada terjadi pada A2 dan V. Dilakukan pemutaran 10 kali sesuai
gambar 1, menunjukan arah arus menuju basis.[3] dengan variasi yang telah ditentukan juga. Kemudian, dicatat
Transistor merupakan komponen dasar yang biasanya nilai yang terbaca pada A2 dan V untuk setiap pemutaran R2.
digunakan untuk sistem penguat. Saat digunakan sebagai Kemudia setelah didapatkan data, dibuat juga grafik dari hasil
penguat, transistor harus berada di daerah kerja aktif. Nilai percobaan A2 dan V, dengan A2 terletak pada sumbu y dan V
ambang pada transistor merupakan nilai saat arus mulai pada sumbu x. Percobaan diulangi dengan variasi A1 yang
mengalir pada basis, yang artinya tegangan pada basis telah telah ditentukan.
melebihi potensial barrier minimum. Hasil bagi antara sinyal
output dengan sinyal input inilah yang disebut sebagai faktor
penguatan arus.[4] Dalam penggunaannya transistor dapat
berfungsi sebagai saklar dengan memanfaatkan daerah
penjenuhan atau daerah saturasi, dan daerah penyumbatan atau
cut-off. Pada daerah saturasi nilai resistansi pada
penyambungan kolektor dan emitor akan sama dengan nol di
keadaan standar. Sedangkan pada daerah penyumbatan, nilai
resistensi penyambungan kolektor dan emitor akan sama
dengan tak hingga atau terminal kolektor dan emitter terbuka
yang menyebakan tegangan pada kolektor dan emitor sama Gambar 3. Skema rangkaian alat percobaan
dengan tegangan sumber.[3]
Terdapat 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat Setelah didapatkan data-data dari percobaan, maka
transistor yaitu common-base (CB), common-emmiter (CE) dilakukan pengolahan data hingga didapatkan data yang
dan common-collector (CC). Konfigurasi yang paling banyak diinginkan. Metode pengolahan data adalah menghitung nilai
digunakan sebagai penguat adalah common-emiter karena konstanta penguatan arus (hFE) pada transistor dengan
memiliki penguat arus dan penguat tegangan yang tinggi [4], menggunakan persamaan :
konfigurasi ini menunjukan karakteristik dari transitor
.......................................(1)
dwikutub.
Tulisan ini melaporkan hasil percobaan yang bertujuan Kemudian, dilakukan analisis data percobaan untuk dapat
mengetahui besar konstanta penguatan arus/ hFE pada mengetahui karakteristik transistor melalui perbandingan
transistor, dan untuk mengetahui karakteristik transistor antara IC dan tegangan VCE.
melalui perbandingan antara IC dan tegangan antara colector
dan emitor (VCE). III. HASIL DAN PEMBAHASAN
Dari serangkaian percobaan yang dilakukan, didapatkan
II. METODE data hasil percobaan sebagai berikut :
Alat-alat dan bahan yang digunakan dalam percobaan ini
adalah transistor BD140, VR1 (potensiometer atau variabel Table 1. Nilai Ib dan Vbe pada Percobaan Karakteristik
resistor) 50k, VR2 (potensiometer atau variabel resistor) Transistor
10k, power supply DC sebesar 4 volt, kabel dengan penjepit Percobaan 1
buaya, voltmeter DC, dan dua buah amperemeter DC. Pada No Tegangan (V) A1 (mA)
percobaan ini dilakukan beberapa variasi, yaitu sebanyak 2 1 0.05 0

yaitu 20 A, 35 A, dan 60 A, serta variasi pemutaran R2


variasi. Variasi tersebut adalah variasi A1 atau arus pada VR1
2 0.1 0
yang berkaitan dengan besar V, yaitu sebesar 0,01 volt hingga 3 0.15 0
0,1 volt dengan perubahan kenaikan 0,01 volt. Yang akan 4 0.2 0
diukur dalam percobaan ini A2. Kesemua nilai tersebut akan 5 0.25 0
digunakan dalam perhitungan, yang akan dibahas selanjutnya.
Untuk mengetahui A1, A2, dan V dapat dilihat pada gambar 1. 6 0.3 0
Metode pengambilan data yang harus dilakukan adalah 7 0.35 0
voltmeter DC dan amperemeter DC yang akan digunakan 8 0.4 0
dipastikan terlebih dahulu untuk bisa digunakan dalam
9 0.45 0
percobaan. Selain itu alat dan bahan juga harus disiapkan juga,
sehingga percobaan dapat berjalan dengan lancar. Kemudian, 10 0.5 0.05
setelah semua alat dan bahan siap digunakan, alat dan bahan 11 0.55 0.2
tersebut dirangkai seperti gambar 3. Diatur tegangan pada R1
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 3

12 0.6 0.9 36 0.38 0.05


13 0.65 4 37 0.39 0.05
14 0.7 20 38 0.4 0.05
15 0.75 50 39 0.41 0.05
40 0.42 0.05
Table 4.2. Nilai Ic dan Vce pada Percobaan Karakteristik
Transistor dengan Ib = 5 μA 41 0.43 0.05
Percobaan 2 (A1 42 0.44 0.05
=5μA))
No 43 0.45 0.05
Tegangan A2
(V) (mA) 44 0.46 0.05
1 0.01 0 45 0.47 0.05
2 0.02 0 46 0.48 0.05
3 0.03 0.02 47 0.49 0.05
4 0.06 0.03 48 0.5 0.05
5 0.07 0.04 49 0.51 0.05
6 0.08 0.04 50 0.52 0.05
7 0.09 0.04 51 0.53 0.05
8 0.1 0.04 52 0.54 0.05
9 0.11 0.04 53 0.55 0.05
10 0.12 0.04 54 0.56 0.05
11 0.13 0.046 55 0.57 0.05
12 0.14 0.046 56 0.58 0.05
13 0.15 0.046 57 0.59 0.05
14 0.16 0.046 58 0.6 0.05
15 0.17 0.048 59 0.61 0.05
16 0.18 0.048 60 0.62 0.05
17 0.19 0.048 61 0.63 0.05
18 0.2 0.048 62 0.64 0.05
19 0.21 0.048 63 0.65 0.05
20 0.22 0.048 64 0.66 0.05
21 0.23 0.048 65 0.67 0.05
22 0.24 0.05 66 0.68 0.05
23 0.25 0.05 67 0.69 0.05
24 0.26 0.05 68 0.7 0.05
25 0.27 0.05 69 0.71 0.05
26 0.28 0.05 70 0.72 0.05
27 0.29 0.05 71 0.73 0.05
28 0.3 0.05 72 0.74 0.05
29 0.31 0.05 73 0.75 0.05
30 0.32 0.05 74 0.76 0.05
31 0.33 0.05 75 0.77 0.05
32 0.34 0.05 76 0.78 0.05
33 0.35 0.05 77 0.79 0.05
34 0.36 0.05 78 0.8 0.05
35 0.37 0.05 79 0.81 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 4

80 0.82 0.05 124 1.26 0.05


81 0.83 0.05 125 1.27 0.05
82 0.84 0.05 126 1.28 0.05
83 0.85 0.05 127 1.29 0.05
84 0.86 0.05 128 1.3 0.05
85 0.87 0.05 129 1.31 0.05
86 0.88 0.05 130 1.32 0.05
87 0.89 0.05 131 1.33 0.05
88 0.9 0.05 132 1.34 0.05
89 0.91 0.05 133 1.35 0.05
90 0.92 0.05 134 1.36 0.05
91 0.93 0.05 135 1.37 0.05
92 0.94 0.05 136 1.38 0.05
93 0.95 0.05 137 1.39 0.05
94 0.96 0.05 138 1.4 0.05
95 0.97 0.05 139 1.41 0.05
96 0.98 0.05 140 1.42 0.05
97 0.99 0.05 141 1.43 0.05
98 1 0.05 142 1.44 0.05
99 1.01 0.05 143 1.45 0.05
100 1.02 0.05 144 1.46 0.05
101 1.03 0.05 145 1.47 0.05
102 1.04 0.05 146 1.48 0.05
103 1.05 0.05 147 1.49 0.05
104 1.06 0.05 148 1.5 0.05
105 1.07 0.05 149 1.51 0.05
106 1.08 0.05 150 1.52 0.05
107 1.09 0.05 151 1.53 0.05
108 1.1 0.05 152 1.54 0.05
109 1.11 0.05 153 1.55 0.05
110 1.12 0.05 154 1.56 0.05
111 1.13 0.05 155 1.57 0.05
112 1.14 0.05 156 1.58 0.05
113 1.15 0.05 157 1.59 0.05
114 1.16 0.05 158 1.6 0.05
115 1.17 0.05 159 1.61 0.05
116 1.18 0.05 160 1.62 0.05
117 1.19 0.05 161 1.63 0.05
118 1.2 0.05 162 1.64 0.05
119 1.21 0.05 163 1.65 0.05
120 1.22 0.05 164 1.66 0.05
121 1.23 0.05 165 1.67 0.05
122 1.24 0.05 166 1.68 0.05
123 1.25 0.05 167 1.69 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 5

168 1.7 0.05 212 2.14 0.05


169 1.71 0.05 213 2.15 0.05
170 1.72 0.05 214 2.16 0.05
171 1.73 0.05 215 2.17 0.05
172 1.74 0.05 216 2.18 0.05
173 1.75 0.05 217 2.19 0.05
174 1.76 0.05 218 2.2 0.05
175 1.77 0.05 219 2.21 0.05
176 1.78 0.05 220 2.22 0.05
177 1.79 0.05 221 2.23 0.05
178 1.8 0.05 222 2.24 0.05
179 1.81 0.05 223 2.25 0.05
180 1.82 0.05 224 2.26 0.05
181 1.83 0.05 225 2.27 0.05
182 1.84 0.05 226 2.28 0.05
183 1.85 0.05 227 2.29 0.05
184 1.86 0.05 228 2.3 0.05
185 1.87 0.05 229 2.31 0.05
186 1.88 0.05 230 2.32 0.05
187 1.89 0.05 231 2.33 0.05
188 1.9 0.05 232 2.34 0.05
189 1.91 0.05 233 2.35 0.05
190 1.92 0.05 234 2.36 0.05
191 1.93 0.05 235 2.37 0.05
192 1.94 0.05 236 2.38 0.05
193 1.95 0.05 237 2.39 0.05
194 1.96 0.05 238 2.4 0.05
195 1.97 0.05 239 2.41 0.05
196 1.98 0.05 240 2.42 0.05
197 1.99 0.05 241 2.43 0.05
198 2 0.05 242 2.44 0.05
199 2.01 0.05 243 2.45 0.05
200 2.02 0.05 244 2.46 0.05
201 2.03 0.05 245 2.47 0.05
202 2.04 0.05 246 2.48 0.05
203 2.05 0.05 247 2.49 0.05
204 2.06 0.05 248 2.5 0.05
205 2.07 0.05 249 2.51 0.05
206 2.08 0.05 250 2.52 0.05
207 2.09 0.05 251 2.53 0.05
208 2.1 0.05 252 2.54 0.05
209 2.11 0.05 253 2.55 0.05
210 2.12 0.05 254 2.56 0.05
211 2.13 0.05 255 2.57 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 6

256 2.58 0.05 300 3.02 0.05


257 2.59 0.05 301 3.03 0.05
258 2.6 0.05 302 3.04 0.05
259 2.61 0.05 303 3.05 0.05
260 2.62 0.05 304 3.06 0.05
261 2.63 0.05 305 3.07 0.05
262 2.64 0.05 306 3.08 0.05
263 2.65 0.05 307 3.09 0.05
264 2.66 0.05 308 3.1 0.05
265 2.67 0.05 309 3.11 0.05
266 2.68 0.05 310 3.12 0.05
267 2.69 0.05 311 3.13 0.05
268 2.7 0.05 312 3.14 0.05
269 2.71 0.05 313 3.15 0.05
270 2.72 0.05 314 3.16 0.05
271 2.73 0.05 315 3.17 0.05
272 2.74 0.05 316 3.18 0.05
273 2.75 0.05 317 3.19 0.05
274 2.76 0.05 318 3.2 0.05
275 2.77 0.05 319 3.21 0.05
276 2.78 0.05 320 3.22 0.05
277 2.79 0.05 321 3.23 0.05
278 2.8 0.05 322 3.24 0.05
279 2.81 0.05 323 3.25 0.05
280 2.82 0.05 324 3.26 0.05
281 2.83 0.05 325 3.27 0.05
282 2.84 0.05 326 3.28 0.05
283 2.85 0.05 327 3.29 0.05
284 2.86 0.05 328 3.3 0.05
285 2.87 0.05 329 3.31 0.05
286 2.88 0.05 330 3.32 0.05
287 2.89 0.05 331 3.33 0.05
288 2.9 0.05 332 3.34 0.05
289 2.91 0.05 333 3.35 0.05
290 2.92 0.05 334 3.36 0.05
291 2.93 0.05 335 3.37 0.05
292 2.94 0.05 336 3.38 0.05
293 2.95 0.05 337 3.39 0.05
294 2.96 0.05 338 3.4 0.05
295 2.97 0.05 339 3.41 0.05
296 2.98 0.05 340 3.42 0.05
297 2.99 0.05 341 3.43 0.05
298 3 0.05 342 3.44 0.05
299 3.01 0.05 343 3.45 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 7

344 3.46 0.05 388 3.9 0.05


345 3.47 0.05 389 3.91 0.05
346 3.48 0.05 390 3.92 0.05
347 3.49 0.05 391 3.93 0.05
348 3.5 0.05 392 3.94 0.05
349 3.51 0.05 393 3.95 0.05
350 3.52 0.05 394 3.96 0.05
351 3.53 0.05 395 3.97 0.05
352 3.54 0.05 396 3.98 0.05
353 3.55 0.05 397 3.99 0.05
354 3.56 0.05 398 4 0.05
355 3.57 0.05 399 4.01 0.05
356 3.58 0.05 400 4.02 0.05
357 3.59 0.05 401 4.03 0.05
358 3.6 0.05 402 4.04 0.05
359 3.61 0.05 403 4.05 0.05
360 3.62 0.05 404 4.06 0.05
361 3.63 0.05 405 4.07 0.05
362 3.64 0.05 406 4.08 0.05
363 3.65 0.05 407 4.09 0.05
364 3.66 0.05 408 4.1 0.05
365 3.67 0.05 409 4.11 0.05
366 3.68 0.05 410 4.12 0.05
367 3.69 0.05 411 4.13 0.05
368 3.7 0.05 412 4.14 0.05
369 3.71 0.05 413 4.15 0.05
370 3.72 0.05 414 4.16 0.05
371 3.73 0.05 415 4.17 0.05
372 3.74 0.05 416 4.18 0.05
373 3.75 0.05 417 4.19 0.05
374 3.76 0.05 418 4.2 0.05
375 3.77 0.05 419 4.21 0.05
376 3.78 0.05 420 4.22 0.05
377 3.79 0.05 421 4.23 0.05
378 3.8 0.05 422 4.24 0.05
379 3.81 0.05 423 4.25 0.05
380 3.82 0.05 424 4.26 0.05
381 3.83 0.05 425 4.27 0.05
382 3.84 0.05 426 4.28 0.05
383 3.85 0.05 427 4.29 0.05
384 3.86 0.05 428 4.3 0.05
385 3.87 0.05 429 4.31 0.05
386 3.88 0.05 430 4.32 0.05
387 3.89 0.05 431 4.33 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 8

432 4.34 0.05 476 4.78 0.05


433 4.35 0.05 477 4.79 0.05
434 4.36 0.05 478 4.8 0.05
435 4.37 0.05 479 4.81 0.05
436 4.38 0.05 480 4.82 0.05
437 4.39 0.05 481 4.83 0.05
438 4.4 0.05 482 4.84 0.05
439 4.41 0.05 483 4.85 0.05
440 4.42 0.05 484 4.86 0.05
441 4.43 0.05 485 4.87 0.05
442 4.44 0.05 486 4.88 0.05
443 4.45 0.05 487 4.89 0.05
444 4.46 0.05 488 4.9 0.05
445 4.47 0.05 489 4.91 0.05
446 4.48 0.05 490 4.92 0.05
447 4.49 0.05 491 4.93 0.05
448 4.5 0.05 492 4.94 0.05
449 4.51 0.05 493 4.95 0.05
450 4.52 0.05 494 4.96 0.05
451 4.53 0.05 495 4.97 0.05
452 4.54 0.05 496 4.98 0.05
453 4.55 0.05 497 4.99 0.05
454 4.56 0.05 498 5 0.05
455 4.57 0.05 499 5.01 0.05
456 4.58 0.05 500 5.02 0.05
457 4.59 0.05 501 5.03 0.05
458 4.6 0.05 502 5.04 0.05
459 4.61 0.05 503 5.05 0.05
460 4.62 0.05 504 5.06 0.05
461 4.63 0.05 505 5.07 0.05
462 4.64 0.05 506 5.08 0.05
463 4.65 0.05 507 5.09 0.05
464 4.66 0.05 508 5.1 0.05
465 4.67 0.05 509 5.11 0.05
466 4.68 0.05 510 5.12 0.05
467 4.69 0.05 511 5.13 0.05
468 4.7 0.05 512 5.14 0.05
469 4.71 0.05 513 5.15 0.05
470 4.72 0.05 514 5.16 0.05
471 4.73 0.05 515 5.17 0.05
472 4.74 0.05 516 5.18 0.05
473 4.75 0.05 517 5.19 0.05
474 4.76 0.05 518 5.2 0.05
475 4.77 0.05 519 5.21 0.05
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 9

520 5.22 0.05 564 5.66 0.05


521 5.23 0.05 565 5.67 0.05
522 5.24 0.05 566 5.68 0.05
523 5.25 0.05 567 5.69 0.05
524 5.26 0.05 568 5.7 0.05
525 5.27 0.05 569 5.71 0.05
526 5.28 0.05 570 5.72 0.05
527 5.29 0.05 571 5.73 0.05
528 5.3 0.05 572 5.74 0.05
529 5.31 0.05 573 5.75 0.05
530 5.32 0.05 574 5.76 0.05
531 5.33 0.05 575 5.77 0.05
532 5.34 0.05 576 5.78 0.05
533 5.35 0.05 577 5.79 0.05
534 5.36 0.05 578 5.8 0.05
535 5.37 0.05 579 5.81 0.05
536 5.38 0.05 580 5.82 0.05
537 5.39 0.05 581 5.83 0.05
538 5.4 0.05 582 5.84 0.05
539 5.41 0.05 583 5.85 0.05
540 5.42 0.05 584 5.86 0.05
541 5.43 0.05 585 5.87 0.05
542 5.44 0.05 586 5.88 0.05
543 5.45 0.05 587 5.89 0.05
544 5.46 0.05 588 5.9 0.05
545 5.47 0.05 589 5.91 0.05
546 5.48 0.05 590 5.92 0.05
547 5.49 0.05 591 5.93 0.05
548 5.5 0.05 592 5.94 0.05
549 5.51 0.05 593 5.95 0.05
550 5.52 0.05 594 5.96 0.05
551 5.53 0.05 595 5.97 0.05
552 5.54 0.05 596 5.98 0.05
553 5.55 0.05 597 5.99 0.05
554 5.56 0.05 598 6 0.05
555 5.57 0.05 599 6.01 0.05
556 5.58 0.05 600 6.02 0.05
557 5.59 0.05 601 6.03 0.05
558 5.6 0.05 602 6.04 0.05
559 5.61 0.05
560 5.62 0.05
561 5.63 0.05 Table 4.3. Nilai Ic dan Vce pada Percobaan Karakteristik
562 5.64 0.05 Transistor dengan Ib = 10 μA
Percobaan 2 (A1 (10
No
563 5.65 0.05 μA))
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 10

Tegangan 44 0.44 0.82


A2 (mA)
(V)
45 0.45 0.82
1 0.01 0
46 0.46 0.82
2 0.02 0.02
47 0.47 0.82
3 0.03 0.07
48 0.48 0.82
4 0.04 0.13
49 0.49 0.82
5 0.05 0.18
50 0.5 0.82
6 0.06 0.26
51 0.51 0.82
7 0.07 0.37
52 0.52 0.82
8 0.08 0.42
53 0.53 0.82
9 0.09 0.51
54 0.54 0.82
10 0.1 0.56
55 0.55 0.82
11 0.11 0.64
56 0.56 0.82
12 0.12 0.70
57 0.57 0.82
13 0.13 0.72
58 0.58 0.82
14 0.14 0.74
59 0.59 0.82
15 0.15 0.76
60 0.6 0.82
16 0.16 0.78
61 0.61 0.82
17 0.17 0.79
62 0.62 0.82
18 0.18 0.8
63 0.63 0.82
19 0.19 0.8
64 0.64 0.82
20 0.2 0.8
65 0.65 0.82
21 0.21 0.8
66 0.66 0.82
22 0.22 0.8
67 0.67 0.82
23 0.23 0.8
68 0.68 0.82
24 0.24 0.8
69 0.69 0.82
25 0.25 0.8
70 0.7 0.82
26 0.26 0.8
71 0.71 0.82
27 0.27 0.8
72 0.72 0.82
28 0.28 0.8
73 0.73 0.82
29 0.29 0.82
74 0.74 0.82
30 0.3 0.82
75 0.75 0.82
31 0.31 0.82
76 0.76 0.82
32 0.32 0.82
77 0.77 0.82
33 0.33 0.82
78 0.78 0.82
34 0.34 0.82
79 0.79 0.82
35 0.35 0.82
80 0.8 0.82
36 0.36 0.82
81 0.81 0.82
37 0.37 0.82
82 0.82 0.82
38 0.38 0.82
83 0.83 0.82
39 0.39 0.82
84 0.84 0.82
40 0.4 0.82
85 0.85 0.82
41 0.41 0.82
86 0.86 0.82
42 0.42 0.82
87 0.87 0.82
43 0.43 0.82
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 11

39 0.39 2.9
Table 4.4. Nilai Ic dan Vce pada Percobaan Karakteristik
Transistor dengan Ib = 15 μA 40 0.4 2.9
41 0.41 2.9
Percobaan 2 (12 (15
42 0.42 2.9
μA))
No 43 0.43 2.9
Tegangan
A2 (mA)
(V) 44 0.44 2.9
1 0.01 0.03 45 0.45 2.9
2 0.02 0.12 46 0.46 2.9
3 0.03 0.2 47 0.47 2.9
4 0.04 0.46 48 0.48 2.9
5 0.05 0.6 49 0.49 2.9
6 0.06 0.8 50 0.5 2.9
7 0.07 1 51 0.51 2.9
8 0.08 1.2 52 0.52 2.9
9 0.09 1.6 53 0.53 2.9
10 0.1 1.8 54 0.54 2.9
11 0.11 2 55 0.55 2.9
12 0.12 2.2 56 0.56 2.9
13 0.13 2.4 57 0.57 2.9
14 0.14 2.6 58 0.58 2.9
15 0.15 2.8 59 0.59 2.9
16 0.16 2.8 60 0.6 2.9
17 0.17 2.8 61 0.61 2.9
18 0.18 2.8 62 0.62 2.9
19 0.19 2.8 63 0.63 2.9
20 0.2 2.8 64 0.64 2.9
21 0.21 2.8 65 0.65 2.9
22 0.22 2.8 66 0.66 2.9
23 0.23 2.8 67 0.67 2.9
24 0.24 2.9 68 0.68 2.9
25 0.25 2.9 69 0.69 2.9
26 0.26 2.9 70 0.7 2.9
27 0.27 2.9 71 0.71 2.9
28 0.28 2.9 72 0.72 2.9
29 0.29 2.9 73 0.73 2.9
30 0.3 2.9 74 0.74 2.9
31 0.31 2.9 75 0.75 2.9
32 0.32 2.9 76 0.76 2.9
33 0.33 2.9 77 0.77 2.9
34 0.34 2.9 78 0.78 2.9
35 0.35 2.9 79 0.79 2.9
36 0.36 2.9 80 0.8 2.9
37 0.37 2.9 81 0.81 2.9
38 0.38 2.9 82 0.82 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 12

83 0.83 2.9 127 1.27 2.9


84 0.84 2.9 128 1.28 2.9
85 0.85 2.9 129 1.29 2.9
86 0.86 2.9 130 1.3 2.9
87 0.87 2.9 131 1.31 2.9
88 0.88 2.9 132 1.32 2.9
89 0.89 2.9 133 1.33 2.9
90 0.9 2.9 134 1.34 2.9
91 0.91 2.9 135 1.35 2.9
92 0.92 2.9 136 1.36 2.9
93 0.93 2.9 137 1.37 2.9
94 0.94 2.9 138 1.38 2.9
95 0.95 2.9 139 1.39 2.9
96 0.96 2.9 140 1.4 2.9
97 0.97 2.9 141 1.41 2.9
98 0.98 2.9 142 1.42 2.9
99 0.99 2.9 143 1.43 2.9
100 1 2.9 144 1.44 2.9
101 1.01 2.9 145 1.45 2.9
102 1.02 2.9 146 1.46 2.9
103 1.03 2.9 147 1.47 2.9
104 1.04 2.9 148 1.48 2.9
105 1.05 2.9 149 1.49 2.9
106 1.06 2.9 150 1.5 2.9
107 1.07 2.9 151 1.51 2.9
108 1.08 2.9 152 1.52 2.9
109 1.09 2.9 153 1.53 2.9
110 1.1 2.9 154 1.54 2.9
111 1.11 2.9 155 1.55 2.9
112 1.12 2.9 156 1.56 2.9
113 1.13 2.9 157 1.57 2.9
114 1.14 2.9 158 1.58 2.9
115 1.15 2.9 159 1.59 2.9
116 1.16 2.9 160 1.6 2.9
117 1.17 2.9 161 1.61 2.9
118 1.18 2.9 162 1.62 2.9
119 1.19 2.9 163 1.63 2.9
120 1.2 2.9 164 1.64 2.9
121 1.21 2.9 165 1.65 2.9
122 1.22 2.9 166 1.66 2.9
123 1.23 2.9 167 1.67 2.9
124 1.24 2.9 168 1.68 2.9
125 1.25 2.9 169 1.69 2.9
126 1.26 2.9 170 1.7 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 13

171 1.71 2.9 215 2.15 2.9


172 1.72 2.9 216 2.16 2.9
173 1.73 2.9 217 2.17 2.9
174 1.74 2.9 218 2.18 2.9
175 1.75 2.9 219 2.19 2.9
176 1.76 2.9 220 2.2 2.9
177 1.77 2.9 221 2.21 2.9
178 1.78 2.9 222 2.22 2.9
179 1.79 2.9 223 2.23 2.9
180 1.8 2.9 224 2.24 2.9
181 1.81 2.9 225 2.25 2.9
182 1.82 2.9 226 2.26 2.9
183 1.83 2.9 227 2.27 2.9
184 1.84 2.9 228 2.28 2.9
185 1.85 2.9 229 2.29 2.9
186 1.86 2.9 230 2.3 2.9
187 1.87 2.9 231 2.31 2.9
188 1.88 2.9 232 2.32 2.9
189 1.89 2.9 233 2.33 2.9
190 1.9 2.9 234 2.34 2.9
191 1.91 2.9 235 2.35 2.9
192 1.92 2.9 236 2.36 2.9
193 1.93 2.9 237 2.37 2.9
194 1.94 2.9 238 2.38 2.9
195 1.95 2.9 239 2.39 2.9
196 1.96 2.9 240 2.4 2.9
197 1.97 2.9 241 2.41 2.9
198 1.98 2.9 242 2.42 2.9
199 1.99 2.9 243 2.43 2.9
200 2 2.9 244 2.44 2.9
201 2.01 2.9 245 2.45 2.9
202 2.02 2.9 246 2.46 2.9
203 2.03 2.9 247 2.47 2.9
204 2.04 2.9 248 2.48 2.9
205 2.05 2.9 249 2.49 2.9
206 2.06 2.9 250 2.5 2.9
207 2.07 2.9 251 2.51 2.9
208 2.08 2.9 252 2.52 2.9
209 2.09 2.9 253 2.53 2.9
210 2.1 2.9 254 2.54 2.9
211 2.11 2.9 255 2.55 2.9
212 2.12 2.9 256 2.56 2.9
213 2.13 2.9 257 2.57 2.9
214 2.14 2.9 258 2.58 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 14

259 2.59 2.9 303 3.03 2.9


260 2.6 2.9 304 3.04 2.9
261 2.61 2.9 305 3.05 2.9
262 2.62 2.9 306 3.06 2.9
263 2.63 2.9 307 3.07 2.9
264 2.64 2.9 308 3.08 2.9
265 2.65 2.9 309 3.09 2.9
266 2.66 2.9 310 3.1 2.9
267 2.67 2.9 311 3.11 2.9
268 2.68 2.9 312 3.12 2.9
269 2.69 2.9 313 3.13 2.9
270 2.7 2.9 314 3.14 2.9
271 2.71 2.9 315 3.15 2.9
272 2.72 2.9 316 3.16 2.9
273 2.73 2.9 317 3.17 2.9
274 2.74 2.9 318 3.18 2.9
275 2.75 2.9 319 3.19 2.9
276 2.76 2.9 320 3.2 2.9
277 2.77 2.9 321 3.21 2.9
278 2.78 2.9 322 3.22 2.9
279 2.79 2.9 323 3.23 2.9
280 2.8 2.9 324 3.24 2.9
281 2.81 2.9 325 3.25 2.9
282 2.82 2.9 326 3.26 2.9
283 2.83 2.9 327 3.27 2.9
284 2.84 2.9 328 3.28 2.9
285 2.85 2.9 329 3.29 2.9
286 2.86 2.9 330 3.3 2.9
287 2.87 2.9 331 3.31 2.9
288 2.88 2.9 332 3.32 2.9
289 2.89 2.9 333 3.33 2.9
290 2.9 2.9 334 3.34 2.9
291 2.91 2.9 335 3.35 2.9
292 2.92 2.9 336 3.36 2.9
293 2.93 2.9 337 3.37 2.9
294 2.94 2.9 338 3.38 2.9
295 2.95 2.9 339 3.39 2.9
296 2.96 2.9 340 3.4 2.9
297 2.97 2.9 341 3.41 2.9
298 2.98 2.9 342 3.42 2.9
299 2.99 2.9 343 3.43 2.9
300 3 2.9 344 3.44 2.9
301 3.01 2.9 345 3.45 2.9
302 3.02 2.9 346 3.46 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 15

347 3.47 2.9 391 3.91 2.9


348 3.48 2.9 392 3.92 2.9
349 3.49 2.9 393 3.93 2.9
350 3.5 2.9 394 3.94 2.9
351 3.51 2.9 395 3.95 2.9
352 3.52 2.9 396 3.96 2.9
353 3.53 2.9 397 3.97 2.9
354 3.54 2.9 398 3.98 2.9
355 3.55 2.9 399 3.99 2.9
356 3.56 2.9 400 4 2.9
357 3.57 2.9 401 4.01 2.9
358 3.58 2.9 402 4.02 2.9
359 3.59 2.9 403 4.03 2.9
360 3.6 2.9 404 4.04 2.9
361 3.61 2.9 405 4.05 2.9
362 3.62 2.9 406 4.06 2.9
363 3.63 2.9 407 4.07 2.9
364 3.64 2.9 408 4.08 2.9
365 3.65 2.9 409 4.09 2.9
366 3.66 2.9 410 4.1 2.9
367 3.67 2.9 411 4.11 2.9
368 3.68 2.9 412 4.12 2.9
369 3.69 2.9 413 4.13 2.9
370 3.7 2.9 414 4.14 2.9
371 3.71 2.9 415 4.15 2.9
372 3.72 2.9 416 4.16 2.9
373 3.73 2.9 417 4.17 2.9
374 3.74 2.9 418 4.18 2.9
375 3.75 2.9 419 4.19 2.9
376 3.76 2.9 420 4.2 2.9
377 3.77 2.9 421 4.21 2.9
378 3.78 2.9 422 4.22 2.9
379 3.79 2.9 423 4.23 2.9
380 3.8 2.9 424 4.24 2.9
381 3.81 2.9 425 4.25 2.9
382 3.82 2.9 426 4.26 2.9
383 3.83 2.9 427 4.27 2.9
384 3.84 2.9 428 4.28 2.9
385 3.85 2.9 429 4.29 2.9
386 3.86 2.9 430 4.3 2.9
387 3.87 2.9 431 4.31 2.9
388 3.88 2.9 432 4.32 2.9
389 3.89 2.9 433 4.33 2.9
390 3.9 2.9 434 4.34 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 16

435 4.35 2.9 479 4.79 2.9


436 4.36 2.9 480 4.8 2.9
437 4.37 2.9 481 4.81 2.9
438 4.38 2.9 482 4.82 2.9
439 4.39 2.9 483 4.83 2.9
440 4.4 2.9 484 4.84 2.9
441 4.41 2.9 485 4.85 2.9
442 4.42 2.9 486 4.86 2.9
443 4.43 2.9 487 4.87 2.9
444 4.44 2.9 488 4.88 2.9
445 4.45 2.9 489 4.89 2.9
446 4.46 2.9 490 4.9 2.9
447 4.47 2.9 491 4.91 2.9
448 4.48 2.9 492 4.92 2.9
449 4.49 2.9 493 4.93 2.9
450 4.5 2.9 494 4.94 2.9
451 4.51 2.9 495 4.95 2.9
452 4.52 2.9 496 4.96 2.9
453 4.53 2.9 497 4.97 2.9
454 4.54 2.9 498 4.98 2.9
455 4.55 2.9 499 4.99 2.9
456 4.56 2.9 500 5 2.9
457 4.57 2.9 501 5.01 2.9
458 4.58 2.9 502 5.02 2.9
459 4.59 2.9 503 5.03 2.9
460 4.6 2.9 504 5.04 2.9
461 4.61 2.9 505 5.05 2.9
462 4.62 2.9 506 5.06 2.9
463 4.63 2.9 507 5.07 2.9
464 4.64 2.9 508 5.08 2.9
465 4.65 2.9 509 5.09 2.9
466 4.66 2.9 510 5.1 2.9
467 4.67 2.9 511 5.11 2.9
468 4.68 2.9 512 5.12 2.9
469 4.69 2.9 513 5.13 2.9
470 4.7 2.9 514 5.14 2.9
471 4.71 2.9 515 5.15 2.9
472 4.72 2.9 516 5.16 2.9
473 4.73 2.9 517 5.17 2.9
474 4.74 2.9 518 5.18 2.9
475 4.75 2.9 519 5.19 2.9
476 4.76 2.9 520 5.2 2.9
477 4.77 2.9 521 5.21 2.9
478 4.78 2.9 522 5.22 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 17

523 5.23 2.9 567 5.67 2.9


524 5.24 2.9 568 5.68 2.9
525 5.25 2.9 569 5.69 2.9
526 5.26 2.9 570 5.7 2.9
527 5.27 2.9 571 5.71 2.9
528 5.28 2.9 572 5.72 2.9
529 5.29 2.9 573 5.73 2.9
530 5.3 2.9 574 5.74 2.9
531 5.31 2.9 575 5.75 2.9
532 5.32 2.9 576 5.76 2.9
533 5.33 2.9 577 5.77 2.9
534 5.34 2.9 578 5.78 2.9
535 5.35 2.9 579 5.79 2.9
536 5.36 2.9 580 5.8 2.9
537 5.37 2.9 581 5.81 2.9
538 5.38 2.9 582 5.82 2.9
539 5.39 2.9 583 5.83 2.9
540 5.4 2.9 584 5.84 2.9
541 5.41 2.9 585 5.85 2.9
542 5.42 2.9 586 5.86 2.9
543 5.43 2.9 587 5.87 2.9
544 5.44 2.9 588 5.88 2.9
545 5.45 2.9 589 5.89 2.9
546 5.46 2.9 590 5.9 2.9
547 5.47 2.9 591 5.91 2.9
548 5.48 2.9 592 5.92 2.9
549 5.49 2.9 593 5.93 2.9
550 5.5 2.9 594 5.94 2.9
551 5.51 2.9 595 5.95 2.9
552 5.52 2.9 596 5.96 2.9
553 5.53 2.9 597 5.97 2.9
554 5.54 2.9 598 5.98 2.9
555 5.55 2.9 599 5.99 2.9
556 5.56 2.9 600 6 2.9
557 5.57 2.9 601 6.01 2.9
558 5.58 2.9 602 6.02 2.9
559 5.59 2.9 603 6.03 2.9
560 5.6 2.9 604 6.04 2.9
561 5.61 2.9 605 6.05 2.9
562 5.62 2.9 606 6.06 2.9
563 5.63 2.9 607 6.07 2.9
564 5.64 2.9 608 6.08 2.9
565 5.65 2.9 609 6.09 2.9
566 5.66 2.9 610 6.1 2.9
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 18

611 6.11 2.9 Dari contoh perhitungan tersebut maka bisa didapatkan
nilai pada masing-masing data percobaan kedua yang
612 6.12 2.9
akan disajikan dalam bentuk table.
613 6.13 2.9 Berikut ini hasil perhitungan yang disajikan dalam table
614 6.14 2.9 Tabel Hasil Perhitungan hfe
615 6.15 2.9 Percobaan 2 (A1 (5 μA))
No
616 6.16 2.9 Tegangan (V) A2 (mA) hfe
617 6.17 2.9 1 0.01 0 0
618 6.18 2.9 2 0.02 0 0
619 6.19 2.9 3 0.03 0.02 4
620 6.2 2.9 4 0.06 0.03 6
621 6.21 2.9 5 0.07 0.04 8
622 6.22 2.9 6 0.08 0.04 8
623 6.23 2.9 7 0.09 0.04 8
624 6.24 2.9 8 0.1 0.04 8
625 6.25 2.9 9 0.11 0.04 8
626 6.26 2.9 10 0.12 0.04 8
627 6.27 2.9 11 0.13 0.046 9.2
628 6.28 2.9 12 0.14 0.046 9.2
629 6.29 2.9 13 0.15 0.046 9.2
630 6.3 2.9 14 0.16 0.046 9.2
631 6.31 2.9 15 0.17 0.048 9.6
632 6.32 2.9 16 0.18 0.048 9.6
633 6.33 2.9 17 0.19 0.048 9.6
18 0.2 0.048 9.6
Pada percobaan diatas maka telah didapatkan data 19 0.21 0.048 9.6
percobaan maka selanjutnya dapat dilakukan perhitungan
sebagai berikut: 20 0.22 0.048 9.6
21 0.23 0.048 9.6
4.1.1 Perhitungan Mencari Kontanta Penguat Transistor 22 0.24 0.05 10
(hFE)
Dari data yang diperoleh pada tabel 4.2 sampai 4.4, maka 23 0.25 0.05 10
selajutnya dapat dihitung untuk nilai hFE. Menggunakan 24 0.26 0.05 10
persamaan sebagai berikut: 25 0.27 0.05 10

26 0.28 0.05 10

Contoh perhitungan 27 0.29 0.05 10
Diketahui: 28 0.3 0.05 10

29 0.31 0.05 10

Ditanya: 30 0.32 0.05 10
31 0.33 0.05 10
Jawab:
32 0.34 0.05 10
� 33 0.35 0.05 10
� 34 0.36 0.05 10
35 0.37 0.05 10
4 �� 36 0.38 0.05 10
37 0.39 0.05 10
38 0.4 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 19

39 0.41 0.05 10 83 0.85 0.05 10


40 0.42 0.05 10 84 0.86 0.05 10
41 0.43 0.05 10 85 0.87 0.05 10
42 0.44 0.05 10 86 0.88 0.05 10
43 0.45 0.05 10 87 0.89 0.05 10
44 0.46 0.05 10 88 0.9 0.05 10
45 0.47 0.05 10 89 0.91 0.05 10
46 0.48 0.05 10 90 0.92 0.05 10
47 0.49 0.05 10 91 0.93 0.05 10
48 0.5 0.05 10 92 0.94 0.05 10
49 0.51 0.05 10 93 0.95 0.05 10
50 0.52 0.05 10 94 0.96 0.05 10
51 0.53 0.05 10 95 0.97 0.05 10
52 0.54 0.05 10 96 0.98 0.05 10
53 0.55 0.05 10 97 0.99 0.05 10
54 0.56 0.05 10 98 1 0.05 10
55 0.57 0.05 10 99 1.01 0.05 10
56 0.58 0.05 10 100 1.02 0.05 10
57 0.59 0.05 10 101 1.03 0.05 10
58 0.6 0.05 10 102 1.04 0.05 10
59 0.61 0.05 10 103 1.05 0.05 10
60 0.62 0.05 10 104 1.06 0.05 10
61 0.63 0.05 10 105 1.07 0.05 10
62 0.64 0.05 10 106 1.08 0.05 10
63 0.65 0.05 10 107 1.09 0.05 10
64 0.66 0.05 10 108 1.1 0.05 10
65 0.67 0.05 10 109 1.11 0.05 10
66 0.68 0.05 10 110 1.12 0.05 10
67 0.69 0.05 10 111 1.13 0.05 10
68 0.7 0.05 10 112 1.14 0.05 10
69 0.71 0.05 10 113 1.15 0.05 10
70 0.72 0.05 10 114 1.16 0.05 10
71 0.73 0.05 10 115 1.17 0.05 10
72 0.74 0.05 10 116 1.18 0.05 10
73 0.75 0.05 10 117 1.19 0.05 10
74 0.76 0.05 10 118 1.2 0.05 10
75 0.77 0.05 10 119 1.21 0.05 10
76 0.78 0.05 10 120 1.22 0.05 10
77 0.79 0.05 10 121 1.23 0.05 10
78 0.8 0.05 10 122 1.24 0.05 10
79 0.81 0.05 10 123 1.25 0.05 10
80 0.82 0.05 10 124 1.26 0.05 10
81 0.83 0.05 10 125 1.27 0.05 10
82 0.84 0.05 10 126 1.28 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 20

127 1.29 0.05 10 171 1.73 0.05 10


128 1.3 0.05 10 172 1.74 0.05 10
129 1.31 0.05 10 173 1.75 0.05 10
130 1.32 0.05 10 174 1.76 0.05 10
131 1.33 0.05 10 175 1.77 0.05 10
132 1.34 0.05 10 176 1.78 0.05 10
133 1.35 0.05 10 177 1.79 0.05 10
134 1.36 0.05 10 178 1.8 0.05 10
135 1.37 0.05 10 179 1.81 0.05 10
136 1.38 0.05 10 180 1.82 0.05 10
137 1.39 0.05 10 181 1.83 0.05 10
138 1.4 0.05 10 182 1.84 0.05 10
139 1.41 0.05 10 183 1.85 0.05 10
140 1.42 0.05 10 184 1.86 0.05 10
141 1.43 0.05 10 185 1.87 0.05 10
142 1.44 0.05 10 186 1.88 0.05 10
143 1.45 0.05 10 187 1.89 0.05 10
144 1.46 0.05 10 188 1.9 0.05 10
145 1.47 0.05 10 189 1.91 0.05 10
146 1.48 0.05 10 190 1.92 0.05 10
147 1.49 0.05 10 191 1.93 0.05 10
148 1.5 0.05 10 192 1.94 0.05 10
149 1.51 0.05 10 193 1.95 0.05 10
150 1.52 0.05 10 194 1.96 0.05 10
151 1.53 0.05 10 195 1.97 0.05 10
152 1.54 0.05 10 196 1.98 0.05 10
153 1.55 0.05 10 197 1.99 0.05 10
154 1.56 0.05 10 198 2 0.05 10
155 1.57 0.05 10 199 2.01 0.05 10
156 1.58 0.05 10 200 2.02 0.05 10
157 1.59 0.05 10 201 2.03 0.05 10
158 1.6 0.05 10 202 2.04 0.05 10
159 1.61 0.05 10 203 2.05 0.05 10
160 1.62 0.05 10 204 2.06 0.05 10
161 1.63 0.05 10 205 2.07 0.05 10
162 1.64 0.05 10 206 2.08 0.05 10
163 1.65 0.05 10 207 2.09 0.05 10
164 1.66 0.05 10 208 2.1 0.05 10
165 1.67 0.05 10 209 2.11 0.05 10
166 1.68 0.05 10 210 2.12 0.05 10
167 1.69 0.05 10 211 2.13 0.05 10
168 1.7 0.05 10 212 2.14 0.05 10
169 1.71 0.05 10 213 2.15 0.05 10
170 1.72 0.05 10 214 2.16 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 21

215 2.17 0.05 10 259 2.61 0.05 10


216 2.18 0.05 10 260 2.62 0.05 10
217 2.19 0.05 10 261 2.63 0.05 10
218 2.2 0.05 10 262 2.64 0.05 10
219 2.21 0.05 10 263 2.65 0.05 10
220 2.22 0.05 10 264 2.66 0.05 10
221 2.23 0.05 10 265 2.67 0.05 10
222 2.24 0.05 10 266 2.68 0.05 10
223 2.25 0.05 10 267 2.69 0.05 10
224 2.26 0.05 10 268 2.7 0.05 10
225 2.27 0.05 10 269 2.71 0.05 10
226 2.28 0.05 10 270 2.72 0.05 10
227 2.29 0.05 10 271 2.73 0.05 10
228 2.3 0.05 10 272 2.74 0.05 10
229 2.31 0.05 10 273 2.75 0.05 10
230 2.32 0.05 10 274 2.76 0.05 10
231 2.33 0.05 10 275 2.77 0.05 10
232 2.34 0.05 10 276 2.78 0.05 10
233 2.35 0.05 10 277 2.79 0.05 10
234 2.36 0.05 10 278 2.8 0.05 10
235 2.37 0.05 10 279 2.81 0.05 10
236 2.38 0.05 10 280 2.82 0.05 10
237 2.39 0.05 10 281 2.83 0.05 10
238 2.4 0.05 10 282 2.84 0.05 10
239 2.41 0.05 10 283 2.85 0.05 10
240 2.42 0.05 10 284 2.86 0.05 10
241 2.43 0.05 10 285 2.87 0.05 10
242 2.44 0.05 10 286 2.88 0.05 10
243 2.45 0.05 10 287 2.89 0.05 10
244 2.46 0.05 10 288 2.9 0.05 10
245 2.47 0.05 10 289 2.91 0.05 10
246 2.48 0.05 10 290 2.92 0.05 10
247 2.49 0.05 10 291 2.93 0.05 10
248 2.5 0.05 10 292 2.94 0.05 10
249 2.51 0.05 10 293 2.95 0.05 10
250 2.52 0.05 10 294 2.96 0.05 10
251 2.53 0.05 10 295 2.97 0.05 10
252 2.54 0.05 10 296 2.98 0.05 10
253 2.55 0.05 10 297 2.99 0.05 10
254 2.56 0.05 10 298 3 0.05 10
255 2.57 0.05 10 299 3.01 0.05 10
256 2.58 0.05 10 300 3.02 0.05 10
257 2.59 0.05 10 301 3.03 0.05 10
258 2.6 0.05 10 302 3.04 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 22

303 3.05 0.05 10 347 3.49 0.05 10


304 3.06 0.05 10 348 3.5 0.05 10
305 3.07 0.05 10 349 3.51 0.05 10
306 3.08 0.05 10 350 3.52 0.05 10
307 3.09 0.05 10 351 3.53 0.05 10
308 3.1 0.05 10 352 3.54 0.05 10
309 3.11 0.05 10 353 3.55 0.05 10
310 3.12 0.05 10 354 3.56 0.05 10
311 3.13 0.05 10 355 3.57 0.05 10
312 3.14 0.05 10 356 3.58 0.05 10
313 3.15 0.05 10 357 3.59 0.05 10
314 3.16 0.05 10 358 3.6 0.05 10
315 3.17 0.05 10 359 3.61 0.05 10
316 3.18 0.05 10 360 3.62 0.05 10
317 3.19 0.05 10 361 3.63 0.05 10
318 3.2 0.05 10 362 3.64 0.05 10
319 3.21 0.05 10 363 3.65 0.05 10
320 3.22 0.05 10 364 3.66 0.05 10
321 3.23 0.05 10 365 3.67 0.05 10
322 3.24 0.05 10 366 3.68 0.05 10
323 3.25 0.05 10 367 3.69 0.05 10
324 3.26 0.05 10 368 3.7 0.05 10
325 3.27 0.05 10 369 3.71 0.05 10
326 3.28 0.05 10 370 3.72 0.05 10
327 3.29 0.05 10 371 3.73 0.05 10
328 3.3 0.05 10 372 3.74 0.05 10
329 3.31 0.05 10 373 3.75 0.05 10
330 3.32 0.05 10 374 3.76 0.05 10
331 3.33 0.05 10 375 3.77 0.05 10
332 3.34 0.05 10 376 3.78 0.05 10
333 3.35 0.05 10 377 3.79 0.05 10
334 3.36 0.05 10 378 3.8 0.05 10
335 3.37 0.05 10 379 3.81 0.05 10
336 3.38 0.05 10 380 3.82 0.05 10
337 3.39 0.05 10 381 3.83 0.05 10
338 3.4 0.05 10 382 3.84 0.05 10
339 3.41 0.05 10 383 3.85 0.05 10
340 3.42 0.05 10 384 3.86 0.05 10
341 3.43 0.05 10 385 3.87 0.05 10
342 3.44 0.05 10 386 3.88 0.05 10
343 3.45 0.05 10 387 3.89 0.05 10
344 3.46 0.05 10 388 3.9 0.05 10
345 3.47 0.05 10 389 3.91 0.05 10
346 3.48 0.05 10 390 3.92 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 23

391 3.93 0.05 10 435 4.37 0.05 10


392 3.94 0.05 10 436 4.38 0.05 10
393 3.95 0.05 10 437 4.39 0.05 10
394 3.96 0.05 10 438 4.4 0.05 10
395 3.97 0.05 10 439 4.41 0.05 10
396 3.98 0.05 10 440 4.42 0.05 10
397 3.99 0.05 10 441 4.43 0.05 10
398 4 0.05 10 442 4.44 0.05 10
399 4.01 0.05 10 443 4.45 0.05 10
400 4.02 0.05 10 444 4.46 0.05 10
401 4.03 0.05 10 445 4.47 0.05 10
402 4.04 0.05 10 446 4.48 0.05 10
403 4.05 0.05 10 447 4.49 0.05 10
404 4.06 0.05 10 448 4.5 0.05 10
405 4.07 0.05 10 449 4.51 0.05 10
406 4.08 0.05 10 450 4.52 0.05 10
407 4.09 0.05 10 451 4.53 0.05 10
408 4.1 0.05 10 452 4.54 0.05 10
409 4.11 0.05 10 453 4.55 0.05 10
410 4.12 0.05 10 454 4.56 0.05 10
411 4.13 0.05 10 455 4.57 0.05 10
412 4.14 0.05 10 456 4.58 0.05 10
413 4.15 0.05 10 457 4.59 0.05 10
414 4.16 0.05 10 458 4.6 0.05 10
415 4.17 0.05 10 459 4.61 0.05 10
416 4.18 0.05 10 460 4.62 0.05 10
417 4.19 0.05 10 461 4.63 0.05 10
418 4.2 0.05 10 462 4.64 0.05 10
419 4.21 0.05 10 463 4.65 0.05 10
420 4.22 0.05 10 464 4.66 0.05 10
421 4.23 0.05 10 465 4.67 0.05 10
422 4.24 0.05 10 466 4.68 0.05 10
423 4.25 0.05 10 467 4.69 0.05 10
424 4.26 0.05 10 468 4.7 0.05 10
425 4.27 0.05 10 469 4.71 0.05 10
426 4.28 0.05 10 470 4.72 0.05 10
427 4.29 0.05 10 471 4.73 0.05 10
428 4.3 0.05 10 472 4.74 0.05 10
429 4.31 0.05 10 473 4.75 0.05 10
430 4.32 0.05 10 474 4.76 0.05 10
431 4.33 0.05 10 475 4.77 0.05 10
432 4.34 0.05 10 476 4.78 0.05 10
433 4.35 0.05 10 477 4.79 0.05 10
434 4.36 0.05 10 478 4.8 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 24

479 4.81 0.05 10 523 5.25 0.05 10


480 4.82 0.05 10 524 5.26 0.05 10
481 4.83 0.05 10 525 5.27 0.05 10
482 4.84 0.05 10 526 5.28 0.05 10
483 4.85 0.05 10 527 5.29 0.05 10
484 4.86 0.05 10 528 5.3 0.05 10
485 4.87 0.05 10 529 5.31 0.05 10
486 4.88 0.05 10 530 5.32 0.05 10
487 4.89 0.05 10 531 5.33 0.05 10
488 4.9 0.05 10 532 5.34 0.05 10
489 4.91 0.05 10 533 5.35 0.05 10
490 4.92 0.05 10 534 5.36 0.05 10
491 4.93 0.05 10 535 5.37 0.05 10
492 4.94 0.05 10 536 5.38 0.05 10
493 4.95 0.05 10 537 5.39 0.05 10
494 4.96 0.05 10 538 5.4 0.05 10
495 4.97 0.05 10 539 5.41 0.05 10
496 4.98 0.05 10 540 5.42 0.05 10
497 4.99 0.05 10 541 5.43 0.05 10
498 5 0.05 10 542 5.44 0.05 10
499 5.01 0.05 10 543 5.45 0.05 10
500 5.02 0.05 10 544 5.46 0.05 10
501 5.03 0.05 10 545 5.47 0.05 10
502 5.04 0.05 10 546 5.48 0.05 10
503 5.05 0.05 10 547 5.49 0.05 10
504 5.06 0.05 10 548 5.5 0.05 10
505 5.07 0.05 10 549 5.51 0.05 10
506 5.08 0.05 10 550 5.52 0.05 10
507 5.09 0.05 10 551 5.53 0.05 10
508 5.1 0.05 10 552 5.54 0.05 10
509 5.11 0.05 10 553 5.55 0.05 10
510 5.12 0.05 10 554 5.56 0.05 10
511 5.13 0.05 10 555 5.57 0.05 10
512 5.14 0.05 10 556 5.58 0.05 10
513 5.15 0.05 10 557 5.59 0.05 10
514 5.16 0.05 10 558 5.6 0.05 10
515 5.17 0.05 10 559 5.61 0.05 10
516 5.18 0.05 10 560 5.62 0.05 10
517 5.19 0.05 10 561 5.63 0.05 10
518 5.2 0.05 10 562 5.64 0.05 10
519 5.21 0.05 10 563 5.65 0.05 10
520 5.22 0.05 10 564 5.66 0.05 10
521 5.23 0.05 10 565 5.67 0.05 10
522 5.24 0.05 10 566 5.68 0.05 10
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 25

567 5.69 0.05 10 6 0.06 0.26 26


568 5.7 0.05 10 7 0.07 0.37 37
569 5.71 0.05 10 8 0.08 0.42 42
570 5.72 0.05 10 9 0.09 0.51 51
571 5.73 0.05 10 10 0.1 0.56 56
572 5.74 0.05 10 11 0.11 0.64 64
573 5.75 0.05 10 12 0.12 0.70 70
574 5.76 0.05 10 13 0.13 0.72 72
575 5.77 0.05 10 14 0.14 0.74 74
576 5.78 0.05 10 15 0.15 0.76 76
577 5.79 0.05 10 16 0.16 0.78 78
578 5.8 0.05 10 17 0.17 0.79 79
579 5.81 0.05 10 18 0.18 0.8 80
580 5.82 0.05 10 19 0.19 0.8 80
581 5.83 0.05 10 20 0.2 0.8 80
582 5.84 0.05 10 21 0.21 0.8 80
583 5.85 0.05 10 22 0.22 0.8 80
584 5.86 0.05 10 23 0.23 0.8 80
585 5.87 0.05 10 24 0.24 0.8 80
586 5.88 0.05 10 25 0.25 0.8 80
587 5.89 0.05 10 26 0.26 0.8 80
588 5.9 0.05 10 27 0.27 0.8 80
589 5.91 0.05 10 28 0.28 0.8 80
590 5.92 0.05 10 29 0.29 0.82 82
591 5.93 0.05 10 30 0.3 0.82 82
592 5.94 0.05 10 31 0.31 0.82 82
593 5.95 0.05 10 32 0.32 0.82 82
594 5.96 0.05 10 33 0.33 0.82 82
595 5.97 0.05 10 34 0.34 0.82 82
596 5.98 0.05 10 35 0.35 0.82 82
597 5.99 0.05 10 36 0.36 0.82 82
598 6 0.05 10 37 0.37 0.82 82
599 6.01 0.05 10 38 0.38 0.82 82
600 6.02 0.05 10 39 0.39 0.82 82
601 6.03 0.05 10 40 0.4 0.82 82
602 6.04 0.05 10 41 0.41 0.82 82
42 0.42 0.82 82
Table 4.6 Nilai hFE pada IB 10 μA 43 0.43 0.82 82
Percobaan 2 (A1 (10 μA))
No 44 0.44 0.82 82
Tegangan (V) A2 (mA) hfe
45 0.45 0.82 82
1 0.01 0 0
46 0.46 0.82 82
2 0.02 0.02 2
47 0.47 0.82 82
3 0.03 0.07 7
48 0.48 0.82 82
4 0.04 0.13 13
49 0.49 0.82 82
5 0.05 0.18 18
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 26

50 0.5 0.82 82 4 0.04 0.46 30.66667


51 0.51 0.82 82 5 0.05 0.6 40
52 0.52 0.82 82 6 0.06 0.8 53.33333
53 0.53 0.82 82 7 0.07 1 66.66667
54 0.54 0.82 82 8 0.08 1.2 80
55 0.55 0.82 82 9 0.09 1.6 106.6667
56 0.56 0.82 82 10 0.1 1.8 120
57 0.57 0.82 82 11 0.11 2 133.3333
58 0.58 0.82 82 12 0.12 2.2 146.6667
59 0.59 0.82 82 13 0.13 2.4 160
60 0.6 0.82 82 14 0.14 2.6 173.3333
61 0.61 0.82 82 15 0.15 2.8 186.6667
62 0.62 0.82 82 16 0.16 2.8 186.6667
63 0.63 0.82 82 17 0.17 2.8 186.6667
64 0.64 0.82 82 18 0.18 2.8 186.6667
65 0.65 0.82 82 19 0.19 2.8 186.6667
66 0.66 0.82 82 20 0.2 2.8 186.6667
67 0.67 0.82 82 21 0.21 2.8 186.6667
68 0.68 0.82 82 22 0.22 2.8 186.6667
69 0.69 0.82 82 23 0.23 2.8 186.6667
70 0.7 0.82 82 24 0.24 2.9 193.3333
71 0.71 0.82 82 25 0.25 2.9 193.3333
72 0.72 0.82 82 26 0.26 2.9 193.3333
73 0.73 0.82 82 27 0.27 2.9 193.3333
74 0.74 0.82 82 28 0.28 2.9 193.3333
75 0.75 0.82 82 29 0.29 2.9 193.3333
76 0.76 0.82 82 30 0.3 2.9 193.3333
77 0.77 0.82 82 31 0.31 2.9 193.3333
78 0.78 0.82 82 32 0.32 2.9 193.3333
79 0.79 0.82 82 33 0.33 2.9 193.3333
80 0.8 0.82 82 34 0.34 2.9 193.3333
81 0.81 0.82 82 35 0.35 2.9 193.3333
82 0.82 0.82 82 36 0.36 2.9 193.3333
83 0.83 0.82 82 37 0.37 2.9 193.3333
84 0.84 0.82 82 38 0.38 2.9 193.3333
85 0.85 0.82 82 39 0.39 2.9 193.3333
86 0.86 0.82 82 40 0.4 2.9 193.3333
87 0.87 0.82 82 41 0.41 2.9 193.3333
Table 4.7 Nilai hFE pada IB 15 μA 42 0.42 2.9 193.3333
Percobaan 2 (12 (15 μA)) 43 0.43 2.9 193.3333
No
Tegangan (V) A2 (mA) hfe 44 0.44 2.9 193.3333
1 0.01 0.03 2 45 0.45 2.9 193.3333
2 0.02 0.12 8 46 0.46 2.9 193.3333
3 0.03 0.2 13.33333 47 0.47 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 27

48 0.48 2.9 193.3333 92 0.92 2.9 193.3333


49 0.49 2.9 193.3333 93 0.93 2.9 193.3333
50 0.5 2.9 193.3333 94 0.94 2.9 193.3333
51 0.51 2.9 193.3333 95 0.95 2.9 193.3333
52 0.52 2.9 193.3333 96 0.96 2.9 193.3333
53 0.53 2.9 193.3333 97 0.97 2.9 193.3333
54 0.54 2.9 193.3333 98 0.98 2.9 193.3333
55 0.55 2.9 193.3333 99 0.99 2.9 193.3333
56 0.56 2.9 193.3333 100 1 2.9 193.3333
57 0.57 2.9 193.3333 101 1.01 2.9 193.3333
58 0.58 2.9 193.3333 102 1.02 2.9 193.3333
59 0.59 2.9 193.3333 103 1.03 2.9 193.3333
60 0.6 2.9 193.3333 104 1.04 2.9 193.3333
61 0.61 2.9 193.3333 105 1.05 2.9 193.3333
62 0.62 2.9 193.3333 106 1.06 2.9 193.3333
63 0.63 2.9 193.3333 107 1.07 2.9 193.3333
64 0.64 2.9 193.3333 108 1.08 2.9 193.3333
65 0.65 2.9 193.3333 109 1.09 2.9 193.3333
66 0.66 2.9 193.3333 110 1.1 2.9 193.3333
67 0.67 2.9 193.3333 111 1.11 2.9 193.3333
68 0.68 2.9 193.3333 112 1.12 2.9 193.3333
69 0.69 2.9 193.3333 113 1.13 2.9 193.3333
70 0.7 2.9 193.3333 114 1.14 2.9 193.3333
71 0.71 2.9 193.3333 115 1.15 2.9 193.3333
72 0.72 2.9 193.3333 116 1.16 2.9 193.3333
73 0.73 2.9 193.3333 117 1.17 2.9 193.3333
74 0.74 2.9 193.3333 118 1.18 2.9 193.3333
75 0.75 2.9 193.3333 119 1.19 2.9 193.3333
76 0.76 2.9 193.3333 120 1.2 2.9 193.3333
77 0.77 2.9 193.3333 121 1.21 2.9 193.3333
78 0.78 2.9 193.3333 122 1.22 2.9 193.3333
79 0.79 2.9 193.3333 123 1.23 2.9 193.3333
80 0.8 2.9 193.3333 124 1.24 2.9 193.3333
81 0.81 2.9 193.3333 125 1.25 2.9 193.3333
82 0.82 2.9 193.3333 126 1.26 2.9 193.3333
83 0.83 2.9 193.3333 127 1.27 2.9 193.3333
84 0.84 2.9 193.3333 128 1.28 2.9 193.3333
85 0.85 2.9 193.3333 129 1.29 2.9 193.3333
86 0.86 2.9 193.3333 130 1.3 2.9 193.3333
87 0.87 2.9 193.3333 131 1.31 2.9 193.3333
88 0.88 2.9 193.3333 132 1.32 2.9 193.3333
89 0.89 2.9 193.3333 133 1.33 2.9 193.3333
90 0.9 2.9 193.3333 134 1.34 2.9 193.3333
91 0.91 2.9 193.3333 135 1.35 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 28

136 1.36 2.9 193.3333 180 1.8 2.9 193.3333


137 1.37 2.9 193.3333 181 1.81 2.9 193.3333
138 1.38 2.9 193.3333 182 1.82 2.9 193.3333
139 1.39 2.9 193.3333 183 1.83 2.9 193.3333
140 1.4 2.9 193.3333 184 1.84 2.9 193.3333
141 1.41 2.9 193.3333 185 1.85 2.9 193.3333
142 1.42 2.9 193.3333 186 1.86 2.9 193.3333
143 1.43 2.9 193.3333 187 1.87 2.9 193.3333
144 1.44 2.9 193.3333 188 1.88 2.9 193.3333
145 1.45 2.9 193.3333 189 1.89 2.9 193.3333
146 1.46 2.9 193.3333 190 1.9 2.9 193.3333
147 1.47 2.9 193.3333 191 1.91 2.9 193.3333
148 1.48 2.9 193.3333 192 1.92 2.9 193.3333
149 1.49 2.9 193.3333 193 1.93 2.9 193.3333
150 1.5 2.9 193.3333 194 1.94 2.9 193.3333
151 1.51 2.9 193.3333 195 1.95 2.9 193.3333
152 1.52 2.9 193.3333 196 1.96 2.9 193.3333
153 1.53 2.9 193.3333 197 1.97 2.9 193.3333
154 1.54 2.9 193.3333 198 1.98 2.9 193.3333
155 1.55 2.9 193.3333 199 1.99 2.9 193.3333
156 1.56 2.9 193.3333 200 2 2.9 193.3333
157 1.57 2.9 193.3333 201 2.01 2.9 193.3333
158 1.58 2.9 193.3333 202 2.02 2.9 193.3333
159 1.59 2.9 193.3333 203 2.03 2.9 193.3333
160 1.6 2.9 193.3333 204 2.04 2.9 193.3333
161 1.61 2.9 193.3333 205 2.05 2.9 193.3333
162 1.62 2.9 193.3333 206 2.06 2.9 193.3333
163 1.63 2.9 193.3333 207 2.07 2.9 193.3333
164 1.64 2.9 193.3333 208 2.08 2.9 193.3333
165 1.65 2.9 193.3333 209 2.09 2.9 193.3333
166 1.66 2.9 193.3333 210 2.1 2.9 193.3333
167 1.67 2.9 193.3333 211 2.11 2.9 193.3333
168 1.68 2.9 193.3333 212 2.12 2.9 193.3333
169 1.69 2.9 193.3333 213 2.13 2.9 193.3333
170 1.7 2.9 193.3333 214 2.14 2.9 193.3333
171 1.71 2.9 193.3333 215 2.15 2.9 193.3333
172 1.72 2.9 193.3333 216 2.16 2.9 193.3333
173 1.73 2.9 193.3333 217 2.17 2.9 193.3333
174 1.74 2.9 193.3333 218 2.18 2.9 193.3333
175 1.75 2.9 193.3333 219 2.19 2.9 193.3333
176 1.76 2.9 193.3333 220 2.2 2.9 193.3333
177 1.77 2.9 193.3333 221 2.21 2.9 193.3333
178 1.78 2.9 193.3333 222 2.22 2.9 193.3333
179 1.79 2.9 193.3333 223 2.23 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 29

224 2.24 2.9 193.3333 268 2.68 2.9 193.3333


225 2.25 2.9 193.3333 269 2.69 2.9 193.3333
226 2.26 2.9 193.3333 270 2.7 2.9 193.3333
227 2.27 2.9 193.3333 271 2.71 2.9 193.3333
228 2.28 2.9 193.3333 272 2.72 2.9 193.3333
229 2.29 2.9 193.3333 273 2.73 2.9 193.3333
230 2.3 2.9 193.3333 274 2.74 2.9 193.3333
231 2.31 2.9 193.3333 275 2.75 2.9 193.3333
232 2.32 2.9 193.3333 276 2.76 2.9 193.3333
233 2.33 2.9 193.3333 277 2.77 2.9 193.3333
234 2.34 2.9 193.3333 278 2.78 2.9 193.3333
235 2.35 2.9 193.3333 279 2.79 2.9 193.3333
236 2.36 2.9 193.3333 280 2.8 2.9 193.3333
237 2.37 2.9 193.3333 281 2.81 2.9 193.3333
238 2.38 2.9 193.3333 282 2.82 2.9 193.3333
239 2.39 2.9 193.3333 283 2.83 2.9 193.3333
240 2.4 2.9 193.3333 284 2.84 2.9 193.3333
241 2.41 2.9 193.3333 285 2.85 2.9 193.3333
242 2.42 2.9 193.3333 286 2.86 2.9 193.3333
243 2.43 2.9 193.3333 287 2.87 2.9 193.3333
244 2.44 2.9 193.3333 288 2.88 2.9 193.3333
245 2.45 2.9 193.3333 289 2.89 2.9 193.3333
246 2.46 2.9 193.3333 290 2.9 2.9 193.3333
247 2.47 2.9 193.3333 291 2.91 2.9 193.3333
248 2.48 2.9 193.3333 292 2.92 2.9 193.3333
249 2.49 2.9 193.3333 293 2.93 2.9 193.3333
250 2.5 2.9 193.3333 294 2.94 2.9 193.3333
251 2.51 2.9 193.3333 295 2.95 2.9 193.3333
252 2.52 2.9 193.3333 296 2.96 2.9 193.3333
253 2.53 2.9 193.3333 297 2.97 2.9 193.3333
254 2.54 2.9 193.3333 298 2.98 2.9 193.3333
255 2.55 2.9 193.3333 299 2.99 2.9 193.3333
256 2.56 2.9 193.3333 300 3 2.9 193.3333
257 2.57 2.9 193.3333 301 3.01 2.9 193.3333
258 2.58 2.9 193.3333 302 3.02 2.9 193.3333
259 2.59 2.9 193.3333 303 3.03 2.9 193.3333
260 2.6 2.9 193.3333 304 3.04 2.9 193.3333
261 2.61 2.9 193.3333 305 3.05 2.9 193.3333
262 2.62 2.9 193.3333 306 3.06 2.9 193.3333
263 2.63 2.9 193.3333 307 3.07 2.9 193.3333
264 2.64 2.9 193.3333 308 3.08 2.9 193.3333
265 2.65 2.9 193.3333 309 3.09 2.9 193.3333
266 2.66 2.9 193.3333 310 3.1 2.9 193.3333
267 2.67 2.9 193.3333 311 3.11 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 30

312 3.12 2.9 193.3333 356 3.56 2.9 193.3333


313 3.13 2.9 193.3333 357 3.57 2.9 193.3333
314 3.14 2.9 193.3333 358 3.58 2.9 193.3333
315 3.15 2.9 193.3333 359 3.59 2.9 193.3333
316 3.16 2.9 193.3333 360 3.6 2.9 193.3333
317 3.17 2.9 193.3333 361 3.61 2.9 193.3333
318 3.18 2.9 193.3333 362 3.62 2.9 193.3333
319 3.19 2.9 193.3333 363 3.63 2.9 193.3333
320 3.2 2.9 193.3333 364 3.64 2.9 193.3333
321 3.21 2.9 193.3333 365 3.65 2.9 193.3333
322 3.22 2.9 193.3333 366 3.66 2.9 193.3333
323 3.23 2.9 193.3333 367 3.67 2.9 193.3333
324 3.24 2.9 193.3333 368 3.68 2.9 193.3333
325 3.25 2.9 193.3333 369 3.69 2.9 193.3333
326 3.26 2.9 193.3333 370 3.7 2.9 193.3333
327 3.27 2.9 193.3333 371 3.71 2.9 193.3333
328 3.28 2.9 193.3333 372 3.72 2.9 193.3333
329 3.29 2.9 193.3333 373 3.73 2.9 193.3333
330 3.3 2.9 193.3333 374 3.74 2.9 193.3333
331 3.31 2.9 193.3333 375 3.75 2.9 193.3333
332 3.32 2.9 193.3333 376 3.76 2.9 193.3333
333 3.33 2.9 193.3333 377 3.77 2.9 193.3333
334 3.34 2.9 193.3333 378 3.78 2.9 193.3333
335 3.35 2.9 193.3333 379 3.79 2.9 193.3333
336 3.36 2.9 193.3333 380 3.8 2.9 193.3333
337 3.37 2.9 193.3333 381 3.81 2.9 193.3333
338 3.38 2.9 193.3333 382 3.82 2.9 193.3333
339 3.39 2.9 193.3333 383 3.83 2.9 193.3333
340 3.4 2.9 193.3333 384 3.84 2.9 193.3333
341 3.41 2.9 193.3333 385 3.85 2.9 193.3333
342 3.42 2.9 193.3333 386 3.86 2.9 193.3333
343 3.43 2.9 193.3333 387 3.87 2.9 193.3333
344 3.44 2.9 193.3333 388 3.88 2.9 193.3333
345 3.45 2.9 193.3333 389 3.89 2.9 193.3333
346 3.46 2.9 193.3333 390 3.9 2.9 193.3333
347 3.47 2.9 193.3333 391 3.91 2.9 193.3333
348 3.48 2.9 193.3333 392 3.92 2.9 193.3333
349 3.49 2.9 193.3333 393 3.93 2.9 193.3333
350 3.5 2.9 193.3333 394 3.94 2.9 193.3333
351 3.51 2.9 193.3333 395 3.95 2.9 193.3333
352 3.52 2.9 193.3333 396 3.96 2.9 193.3333
353 3.53 2.9 193.3333 397 3.97 2.9 193.3333
354 3.54 2.9 193.3333 398 3.98 2.9 193.3333
355 3.55 2.9 193.3333 399 3.99 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 31

400 4 2.9 193.3333 444 4.44 2.9 193.3333


401 4.01 2.9 193.3333 445 4.45 2.9 193.3333
402 4.02 2.9 193.3333 446 4.46 2.9 193.3333
403 4.03 2.9 193.3333 447 4.47 2.9 193.3333
404 4.04 2.9 193.3333 448 4.48 2.9 193.3333
405 4.05 2.9 193.3333 449 4.49 2.9 193.3333
406 4.06 2.9 193.3333 450 4.5 2.9 193.3333
407 4.07 2.9 193.3333 451 4.51 2.9 193.3333
408 4.08 2.9 193.3333 452 4.52 2.9 193.3333
409 4.09 2.9 193.3333 453 4.53 2.9 193.3333
410 4.1 2.9 193.3333 454 4.54 2.9 193.3333
411 4.11 2.9 193.3333 455 4.55 2.9 193.3333
412 4.12 2.9 193.3333 456 4.56 2.9 193.3333
413 4.13 2.9 193.3333 457 4.57 2.9 193.3333
414 4.14 2.9 193.3333 458 4.58 2.9 193.3333
415 4.15 2.9 193.3333 459 4.59 2.9 193.3333
416 4.16 2.9 193.3333 460 4.6 2.9 193.3333
417 4.17 2.9 193.3333 461 4.61 2.9 193.3333
418 4.18 2.9 193.3333 462 4.62 2.9 193.3333
419 4.19 2.9 193.3333 463 4.63 2.9 193.3333
420 4.2 2.9 193.3333 464 4.64 2.9 193.3333
421 4.21 2.9 193.3333 465 4.65 2.9 193.3333
422 4.22 2.9 193.3333 466 4.66 2.9 193.3333
423 4.23 2.9 193.3333 467 4.67 2.9 193.3333
424 4.24 2.9 193.3333 468 4.68 2.9 193.3333
425 4.25 2.9 193.3333 469 4.69 2.9 193.3333
426 4.26 2.9 193.3333 470 4.7 2.9 193.3333
427 4.27 2.9 193.3333 471 4.71 2.9 193.3333
428 4.28 2.9 193.3333 472 4.72 2.9 193.3333
429 4.29 2.9 193.3333 473 4.73 2.9 193.3333
430 4.3 2.9 193.3333 474 4.74 2.9 193.3333
431 4.31 2.9 193.3333 475 4.75 2.9 193.3333
432 4.32 2.9 193.3333 476 4.76 2.9 193.3333
433 4.33 2.9 193.3333 477 4.77 2.9 193.3333
434 4.34 2.9 193.3333 478 4.78 2.9 193.3333
435 4.35 2.9 193.3333 479 4.79 2.9 193.3333
436 4.36 2.9 193.3333 480 4.8 2.9 193.3333
437 4.37 2.9 193.3333 481 4.81 2.9 193.3333
438 4.38 2.9 193.3333 482 4.82 2.9 193.3333
439 4.39 2.9 193.3333 483 4.83 2.9 193.3333
440 4.4 2.9 193.3333 484 4.84 2.9 193.3333
441 4.41 2.9 193.3333 485 4.85 2.9 193.3333
442 4.42 2.9 193.3333 486 4.86 2.9 193.3333
443 4.43 2.9 193.3333 487 4.87 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 32

488 4.88 2.9 193.3333 532 5.32 2.9 193.3333


489 4.89 2.9 193.3333 533 5.33 2.9 193.3333
490 4.9 2.9 193.3333 534 5.34 2.9 193.3333
491 4.91 2.9 193.3333 535 5.35 2.9 193.3333
492 4.92 2.9 193.3333 536 5.36 2.9 193.3333
493 4.93 2.9 193.3333 537 5.37 2.9 193.3333
494 4.94 2.9 193.3333 538 5.38 2.9 193.3333
495 4.95 2.9 193.3333 539 5.39 2.9 193.3333
496 4.96 2.9 193.3333 540 5.4 2.9 193.3333
497 4.97 2.9 193.3333 541 5.41 2.9 193.3333
498 4.98 2.9 193.3333 542 5.42 2.9 193.3333
499 4.99 2.9 193.3333 543 5.43 2.9 193.3333
500 5 2.9 193.3333 544 5.44 2.9 193.3333
501 5.01 2.9 193.3333 545 5.45 2.9 193.3333
502 5.02 2.9 193.3333 546 5.46 2.9 193.3333
503 5.03 2.9 193.3333 547 5.47 2.9 193.3333
504 5.04 2.9 193.3333 548 5.48 2.9 193.3333
505 5.05 2.9 193.3333 549 5.49 2.9 193.3333
506 5.06 2.9 193.3333 550 5.5 2.9 193.3333
507 5.07 2.9 193.3333 551 5.51 2.9 193.3333
508 5.08 2.9 193.3333 552 5.52 2.9 193.3333
509 5.09 2.9 193.3333 553 5.53 2.9 193.3333
510 5.1 2.9 193.3333 554 5.54 2.9 193.3333
511 5.11 2.9 193.3333 555 5.55 2.9 193.3333
512 5.12 2.9 193.3333 556 5.56 2.9 193.3333
513 5.13 2.9 193.3333 557 5.57 2.9 193.3333
514 5.14 2.9 193.3333 558 5.58 2.9 193.3333
515 5.15 2.9 193.3333 559 5.59 2.9 193.3333
516 5.16 2.9 193.3333 560 5.6 2.9 193.3333
517 5.17 2.9 193.3333 561 5.61 2.9 193.3333
518 5.18 2.9 193.3333 562 5.62 2.9 193.3333
519 5.19 2.9 193.3333 563 5.63 2.9 193.3333
520 5.2 2.9 193.3333 564 5.64 2.9 193.3333
521 5.21 2.9 193.3333 565 5.65 2.9 193.3333
522 5.22 2.9 193.3333 566 5.66 2.9 193.3333
523 5.23 2.9 193.3333 567 5.67 2.9 193.3333
524 5.24 2.9 193.3333 568 5.68 2.9 193.3333
525 5.25 2.9 193.3333 569 5.69 2.9 193.3333
526 5.26 2.9 193.3333 570 5.7 2.9 193.3333
527 5.27 2.9 193.3333 571 5.71 2.9 193.3333
528 5.28 2.9 193.3333 572 5.72 2.9 193.3333
529 5.29 2.9 193.3333 573 5.73 2.9 193.3333
530 5.3 2.9 193.3333 574 5.74 2.9 193.3333
531 5.31 2.9 193.3333 575 5.75 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 33

576 5.76 2.9 193.3333 620 6.2 2.9 193.3333


577 5.77 2.9 193.3333 621 6.21 2.9 193.3333
578 5.78 2.9 193.3333 622 6.22 2.9 193.3333
579 5.79 2.9 193.3333 623 6.23 2.9 193.3333
580 5.8 2.9 193.3333 624 6.24 2.9 193.3333
581 5.81 2.9 193.3333 625 6.25 2.9 193.3333
582 5.82 2.9 193.3333 626 6.26 2.9 193.3333
583 5.83 2.9 193.3333 627 6.27 2.9 193.3333
584 5.84 2.9 193.3333 628 6.28 2.9 193.3333
585 5.85 2.9 193.3333 629 6.29 2.9 193.3333
586 5.86 2.9 193.3333 630 6.3 2.9 193.3333
587 5.87 2.9 193.3333 631 6.31 2.9 193.3333
588 5.88 2.9 193.3333 632 6.32 2.9 193.3333
589 5.89 2.9 193.3333 633 6.33 2.9 193.3333
590 5.9 2.9 193.3333
Dari analisa data yang didapat dari pengambilan data
591 5.91 2.9 193.3333
pada praktikum transistor ini, maka dapat dibuat tiga buah
592 5.92 2.9 193.3333 grafik perbandingan antara I C dan VCE dan satu buah grafik
593 5.93 2.9 193.3333 perbandingan Ib dan VBE.
594 5.94 2.9 193.3333
595 5.95 2.9 193.3333 Perbandingan IB dan VBE
596 5.96 2.9 193.3333 60
597 5.97 2.9 193.3333
598 5.98 2.9 193.3333 50
599 5.99 2.9 193.3333 40
600 6 2.9 193.3333
30
601 6.01 2.9 193.3333
602 6.02 2.9 193.3333 20
603 6.03 2.9 193.3333
10
604 6.04 2.9 193.3333
605 6.05 2.9 193.3333 0
0.05

0.15

0.25

0.35

0.45

0.55

0.65

0.75
0.4
0.1

0.2

0.3

0.5

0.6

0.7
606 6.06 2.9 193.3333
607 6.07 2.9 193.3333
Gambar 4 1. Grafik Perbandingan IB dan VBE
608 6.08 2.9 193.3333
609 6.09 2.9 193.3333 Nilai beta menunjukkan perbandingan antara IC, yaitu
610 6.1 2.9 193.3333 arus keluar yang diukur pada kolektor dengan IB, yaitu arus
masuk yang diatur dari basis. Terlihat bahwa, arus pada
611 6.11 2.9 193.3333
kolektor lebih kecil daripada aris pada basis. Hal tersebut
612 6.12 2.9 193.3333 terjadi karena adanya potensial barrier pada transistor yaitu
613 6.13 2.9 193.3333 sebesar 0,7 volt. Angka tersebut didapatkan berdasarkan jenis
614 6.14 2.9 193.3333 bahan semikonduktor transistor yaitu silikon. Sehingga, arus
yang masuk terhalang oleh potensial barrier pada transistor
615 6.15 2.9 193.3333 BD140 tersebut. Dari data-data tersebut dapat dibuat dalam
616 6.16 2.9 193.3333 bentuk grafik, yang disajikan dalam gambar berikut :
617 6.17 2.9 193.3333
618 6.18 2.9 193.3333
619 6.19 2.9 193.3333
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 34

A1=5 A
transistor, dan untuk mengetahui fungsi dari transistor. Pada
grafik yang dihasil dari grafik 4.1 merupakan grafik
0.06 karakteristik IB terhadap VBE, grafik ini menunjukkan bahwa
IB yang dihasilkan pada saat nilai tegangan sambungan emitor
0.05
basis (VBE) terus diperbesar pada awalnya Ib relatif konstan.
0.04 Namun pada saat VBE mencapai nilai 0,55 V, nilai IB mulai
A2 (mA)

0.03 bertambah bersamaan dengan bertambahnya nilai V be. Hal ini


sesuai jika dikaitkan pada teori karakteristik transistor bjt npn,
0.02
A1= 5 μA bahwa besar Ib tergantung pada besarnya tegangan sambungan
0.01 emitor basis (Vbe). Pada awal kenaikan Vbe, nilai Ib adalah nol
0 karena pada saat Vbe dialirkan, diperlukan energi untuk
memindahkan elektron dari pita valensi terlebih dahulu
1.75

3.47
0.01
0.46
0.89
1.32

2.18
2.61
3.04

4.33
4.76
5.19
5.62
3.9
sehingga pada saat elektron sudah terpindahkan, baru terjadi
tegangan (V) kenaikan arus Ib. Energi tersebut adalah energi yang
dinamakan potensial barrier.
Gambar 4 2. Grafik Perbandingan nilai IC = 5 pada VCE Pada grafik 4.2 sampai 4.4, dari ketiga grafik tersebut
memiliki bentuk yang sama yaitu pada awal penambahan nilai

A1=10 A
tegangan sambungan emitor kolektor (Vce), besar Ic juga terus
bertambah. Namun pada saat Vce mencapai nilai 0,2 V nilai
Ic mulai konstan bersaamaan dengan besar Vce terus
1 bertambah. Besar nilai Ic pada saat konstan dapat dinamakan
batas maksimal Ic. Adapun jika dari ketiga grafik tersebut
0.8 dibandingkan batas maksimal Ic pada saat Ib sebesar 5
A2 (mA)

0.6 adalah 0,05 mA, untuk Ib sebesar 10 batas maksimal Ic


adalah 0,082 mA, dan pada saat Ib sebesar 5 batas
0.4 maksimal Ic sebesar 3 mA. Dari hasil tersebut menujukkan
0.2 A1=10 μA bahwa nilai Ic tergantung pada besar Ib. Jikanilai Ib bertambah
maka Ic yang dihasilkan juga besar.
0 Hal sesuai dengan teori yang ada bahwa setiap ada
0.13

0.61
0.01
0.07

0.19
0.25
0.31
0.37
0.43
0.49
0.55

0.67
0.73
0.79
0.85

kenaikan arus Ib, akan diikuti kenaikan arus Ic. oleh sebab
itulah kenap transistor digunakan sebagai penguat karena
tegangan (V) prinsip yang di pakai didalam transistor sebagai penguat yaitu
arus kecil pada basis dipakai untuk mengontrol arus yang lebih
besar yang diberikan ke kolektor melalui transistor tersebut.
Gambar 4 3 Grafik Perbandingan nilai IC = 10A pada VCE Dari sini bisa kita lihat bahwa fungsi dari transistor adalah
hanya sebagai penguat ketika arus basis akan berubah.
A1=15 μA Perubahan arus kecil pada basis inilah yang dinamakan
3.5 dengan perubahan besar pada arus yang mengalir dari kolektor
ke emitter. Adapun besar nilai penguatan pada pada percobaan
3
ini terdapat pada tabel hasil percobaan di atas yaitu hfe untuk Ib
2.5 5 adalah 10, hfe untuk Ib 10 adalah 82, dan hfe untuk Ib
15 adalah 193,333. Dari besar hfe yang dihasilkan
A2 (mA)

2 menujukkan bahwa nilai hfe juga dipengaruhi oleh besar arus


1.5 Ib.
Transistor BD140 ini mempunyai karakteristik Common
1 Series1 emitor, karena emitor ditanahkan. Sehingga sesuai dengan
0.5 teori yang ada bahwa dapat digunakan sebagai penguat arus
yang tinggi. Pada rangkaian common-emitor (CE), kaki
0
emitor dimiliki oleh gerbang input dan gerbang output,
0.47
0.01

0.93
1.39
1.85
2.31
2.77
3.23
3.69
4.15
4.61
5.07
5.53
5.99

gerbang input merupakan gerbang basis emitor, sedangan


tegangan (V) gerbang output adalah gerbang kolektor dan emitor. Jika kita
berikan suatu tegangan pada gerbang basis emitor, maka pada
basis akan mengalir arus. Yang berarti memiliki karakteristik
Gambar 4 4 Grafik Perbandingan nilai IC = 15A pada VCE dioda dengan panjar majunya, arus pada basis yang mengalir
sebagai fungsi dari tegangan basis emitor yang disebut sebagai
Percobaan karakteristik transistor dilakukan bertujuan karakteristik masukkan dari transistor.
untuk mengetahui besar konstanta penguatan arus hFE pada
transistor, mengetahui pengaruh VCE tehadap IC., untuk
mengetahui potensial barrier pada sambungan BE dalam
JURNAL TRANSISTOR Vol. 1, No. 1, (2012) 1-35 35

IV. KESIMPULAN

kesimpulan bahwa nilai hFE rata-rata untuk IB sebesar 5 A


Dari serangkaian percobaan tersebut didapatkan

adalah 10. Nilai hFE rata-rata untuk IB sebesar 10 A adalah


82. Dan nilai hFE rata-rata untuk IB sebesar 15 A adalah
186,6667.. Serta karakteristik transistor pada percobaan ini
adalah common emitor (CE).

DAFTAR PUSTAKA
Penulis mengucapkan terima kasih kepada Dosen pengampu mata
kuliah Elektronika Dasar 2, Bapak Endarko, Ph.D dan asisten
laboratorium Elektronika Dasar 2 pada percobaan Transistor yaitu
Su’udi yang telah membantu penulis dalam menyelesaikan
percobaan ini, sehingga percobaan ini dapat berjalan dengan lancar.
.

DAFTAR PUSTAKA
[1] Bishop, Owen. 2011. “Electronics: A First Course”. USA: Elsevier,
LTD.
[2] Sastra, Kusuma Wijaya. “Dasar Elektronika 1.” Jakarta: UI.
[3] Sutrisno. 1986. “Elektronika Teori dan Penerapannya jilid 1.” Jakarta:
ITB.
[4] Classroom, Kilowatt. 1998. “Introductions of Transistors.” LCC.