Anda di halaman 1dari 109

BAB

1
STRUKTUR KRISTAL

Fisika Zat Padat membahas struktur benda padat dan susunan atom internalnya,
termasuk yang berkaitan dengan sifat-sifat fisis materi. Untuk dapat memahami materi
tersebut, pertama dibahas secara khusus stuktur internal kristal.
Beberapa definisi penting dan konsep indeks Miller pada bab 1 perlu dikuasai
sebelum mempelajari bab berikutnya. Selain itu dalam bab ini juga dibahas berbagai
susunan atom dalam kristal, operasi-operasi simetri, serta beberapa contoh struktur kristal
sederhana.

1.1 Periodesitas Susunan Atom-Atom Kristal

Zat padat mempunyai bentuk dan volume yang tetap pada suhu dan tekanan yang
bersesuaian. Suatu benda disebut homogen dalam arti fisika apabila mempunyai susunan
yang sama dalam setiap unsur volumenya. Zat padat dapat diklasifikasikan menjadi kristal
dan amorf. Disebut sebagai kristal apabila mempunyai susunan atom yang sangat rapi dan
tertib, sebaliknya bila susunan atomnya tidak teratur maka disebut sebagai amorf. Sebuah
kristal meskipun homogen tetapi anisotrop yaitu sifat fisika maupun sifat kimia ke berbagai
arah berbeda. Atom-atom pada amorf seperti gelas atau aspal meskipun letaknya tidak
teratur sifat-sifatnya ke semua arah adalah sama. Satu lagi perbedaan antara kristal dan
amorf yaitu kristal mempunyai titik lebur tertentu sedangkan amorf jika dipanaskan akan
berangsur-angsur menjadi lunak sampai cair dengan tidak menunjukkan titik lebur yang
tertentu.
Sebagian besar zat padat mempunyai atom-atom yang tersusun teratur dan rapi,
sehingga pengetahuan tentang kristal merupakan dasar mempelajari zat padat. Keteraturan
atom-atom pada kristal tersusun sedemikian sehingga membentuk suatu pola tertentu. Pola
dasar tersebut dapat ditempati atom, ion atau molekul yang kompleks.
Kristal ideal mempunyai keteraturan atau pengulangan pola dasar sampai tak
terhingga batasnya ke segala arah, sehingga tidak mungkin kita dapatkan di alam.
2

Periodesitas inilah yang menentukan sifat-sifat khas suatu kristal. Suatu benda dengan
perulangan pola yang terdapat di dalam seluruh tubuhnya disebut sebagai kristal tunggal.
Kristal tunggal dalam ukuran kecil (diameter < 0.1 mm) disebut kristalit, sedangkan
kumpulan kristalit yang membentuk pola tertentu disebut sebagai polikristal. Gambaran
kristal tunggal, polikristal, dan amorf dapat dilihat pada gambar1.1.

(a) (b) (c)

Gambar 1.1 (a) Kristal tunggal. (b) Polikristal. (c) Amorf.

Kristal dan Kekisi


Bila pola dasar suatu kristal diganti dengan titik maka diperoleh titik-titik dalam
ruang yang teratur posisinnya. Pola dasar yang demikian ini disebut sebagai kekisi kristal.
Titik-titik kekisi tersebut dapat ditempati atom, ion atau molekul yang kompleks. Sehingga
dapat pula dikatakan bahwa kristal adalah kekisi yang titiknya telah ditempati atom, ion,
atau molekul.

Sel Satuan dan Sel Primitif


Pada kristal tiga dimensi ada suatu volume berbentuk paralelepipedum yang
dibatasi ketiga vektor satuan translasinya. Volume yang dibatasi ketiga vektor tersebut
disebut sel satuan kristal (gambar 1.2). Sedangkan pada kristal dua dimensi sel satuannya
akan berbentuk suatu luasan. Gambar 1.3 berikut ini memperlihatkan sel-sel satuan kristal
dalam dua dimensi. Perhatikanlah!

Gambar 1.2 Sel satuan dengan vektor-vektor satuan a, b, dan c


3

a1 a2

b1 b2
b3

a3

b4

a4

a5

b5

Gambar 1.3 Sel satuan primitif dan non primitif.

Demikian pula untuk kristal tiga dimensi bila dalam sel satuan hanya ada satu titik
maka disebut sel satuan primitif dan disebut sel satuan non primitif bila lebih dari satu titik.
Sedangkan cara untuk mendapatkan sel primitif adalah seperti yang diperlihatkan gambar
1.4. Pertama, gambar garis yang menghubungkan ke semua tetangga terdekat dari titik
kekisi yang dipilih. Kedua, pada setiap titik tengah garis tersebut gambarlah garis
normalnya. Volume terkecil yang dibentuk oleh garis-garis normal itu merupakan sel
primitif Wigner-Seitz.

Gambar 1.4 Sel Wigner-Seitz


4

Volume sel satuan dengan vektor-vektor translasi: a = a1 i + a2 j + a3 k,


b = b1 i + b2 j + b3 k dan
c = c1 i + c2 j + c3 k.
dapat ditentukan dengan rumusan Vsel = a . b x c . Sehingga:

a1 a2 a3
Vsel = b1 b2 b3 (1.1)
c1 c2 c3

1.2 KRISTAL TIGA DIMENSI

Sifat lain yang penting pada kristal adalah operasi simetri yaitu bila dilakukan
tindakan (operasi) pada suatu kristal akan menghasilkan suatu keadaan baru yang tidak
berbeda dari keadaan sebelumnya. Operasi simetri yang harus dimiliki kristal adalah
operasi translasi, selain itu dapat juga memiliki operasi rotasi atau refleksi.

Operasi Translasi
Suatu operasi dimana kristal digeser sejajar (ditranslasikan) ke beberapa arah
tertentu dan diperoleh keadaan yang tepat sama dengan keadaan sebelum kristal digeser.
Secara matematis dituliskan suatu vektor translasi T dalam ruang:
T = n1a + n2b + n3c (1.2)
dengan : n1, n2, n3 adalah bilangan bulat dan a, b, c adalah vektor satuan translasi yang
saling ortogonal dan ortonormal. Untuk menggambarkan translasi dalam bidang
(2 dimensi) digunakan:
T = n1a + n2b (1.3)
Operasi translasi dapat pula diberlakukan hanya sepanjang garis lurus (1 dimensi),
sehingga:
T = n1a (1.4)
Bila pada kristal berdimensi satu diberlakukan operasi translasi T = 5a berarti setiap atom
akan bergeser 5 tempat ke kanan. Karena diperoleh susunan yang tidak berbeda dengan
susunan sebelumnya maka dikatakan bahwa titik kristal adalah ekivalen.

Operasi Rotasi
Rotasi adalah putaran melalui porosnya yang tegak lurus dengan bidang kristal dan
melalui titik kristal sebesar  derajat. Pada kristal terdapat 3 unsur simetri yaitu: bidang
simetri, sumbu simetri, dan pusat simetri. Bidang simetri adalah bidang yang membagi
5

suatu kristal dalam dua bagian yang setangkup. Sumbu simetri adalah sumbu tempat kristal
berputar pada sudut putar tertentu untuk berhimpit lagi seperti semula. Sedangkan pusat
simetri adalah titik yang dapat dilalui garis yang memotong permukaan kristal pada jarak
yang sama dari kedua arah.
Suatu kristal dapat memiliki lebih dari satu bidang simetri atau sumbu simetri,
tetapi hanya mempunyai satu pusat simetri. Di alam, banyak kristal yang tidak punya pusat
simetri, hal ini disebabkan karena pertumbuhannya berbeda-beda pada kedua ujungnya.
Operasi rotasi pada kristal ternyata hanya terbatas pada 5 harga , yaitu: 0o, 60o,
90o, 120o, dan 180o. Disebut sebagai sumbu heksad atau simetri putar enam untuk  =60o,
sumbu tetrad atau simetri putar empat untuk  =90o, sumbu triad atau simetri putar tiga
untuk  =120o, dan sumbu diad atau simetri putar dua untuk  =180o. Sebutan tersebut
360 o
berhubungan dengan sudut putar sebesar ( ), dengan n sebagai identitas nama.
n
Buktikan bahwa operasi rotasi kristal terbatas hanya pada 5 harga  !
Selain kelima rotasi murni masih ada operasi rotasi yang dimiliki kristal, yaitu
rotasi yag disusul inversi atau roto-inversi. Jadi operasi rotasi yang mungkin dimiliki
kristal ada 10 terdiri dari: (1) rotasi murni dengan  = 0o, 60o, 90o, 120o, dan 180o dan (2)
roto-inversi dengan  = 0o, 60o, 90o, 120o, dan 180o.

Tujuh Sistem Kristal dan Empat belas Kekisi Bravais


Bentuk sel satuan kristal ditentukan oleh vektor sel satuan a, b, c serta besarnya
sudut , ,  yang dibatasi oleh vektor-vektor satuan tersebut. F Seitz telah membuktikan
bahwa ke-10 unsur simetri membatasi besar dan arah vektor a, b dan c pada 7 susunan
tertentu yang kemudian dinamakan Tujuh Sistem Kristal. Apabila sel satuan diisi atom
(bola keras) dengan tidak merusak unsur simetrinya maka didapatkan suatu kekisi Bravais.
Frankenheim dan Bravais telah membuktikan bahwa ketujuh sistem kristal memiliki 14
kekisi Bravais. (Tabel 1.1).
Kubus sederhana tersusun atas atom-atom yang hanya terdapat pada titik pojok
1
kubus. Jumlah atom dalam setiap sel satuan adalah  8 = 1 atom, sehingga disebut
8
sebagai sel primitif.
Kubus berpusat badan (bcc) selain ke-8 atom yang berada di pojok juga terdapat
pula atom di pusat kubus, sehingga ada 2 atom dalam setiap sel satuannya. Sedangkan pada
kubus berpusat sisi (fcc) selain ke-8 atom dipojok (jumlahnya 1 atom) juga terdapat atom
6

1
di ke-6 titik pusat muka kubus (ada  6 = 3 atom), sehingga terdiri dari 4 atom dalam
2
setiap sel satuannya. Karena kubus berpusat badan dan kubus berpusat sisi keduanya
mengandung lebih dari 1 atom dalam setiap sel satuannya maka dikatakan mempunyai sel
non primitif.
Pada dasarnya semua kekisi Bravais yang non primitif mempunyai sel primitif yang
bentuknya tidak lagi seperti yang sesungguhnya. (Lihat Sel Wigner-Seitz). Keempat belas
kekisi Bravais dapat dilihat paga gambar 1.5.

Tabel 1.1
Tujuh Sistem Kristal dan 14 Kekisi Bravais

No Sistem Kristal Sumbu & Sudut Kekisi Bravais Contoh


1 Kubik a=b=c Kubus Sederhana (KS) Cu, Ag, Fe
 =  =  = 900 Kubus berpusat Sisi (KPS) NaCl, Na
Kubus berpusat Badan (KPB) CsCl

2 Tetragonal a=b  c Tetragonal Sederhana beta-Sn


 =  =  = 900 Tetragonal berpusat badan TiO2

3 Ortorombik a  b  c Ortorombik Sederhana Ga


 =  =  = 900 Ortorombik berpusat Sisi
Ortorombik berpusat Badan Fe3C
Ortorombik berpusat Dasar

4 Monoklin a  b  c Monoklin Sederhana CaSO4.2H2O


 =  = 900   Monoklin berpusat Dasar Gipsum

5 Triklin a  b  c Triklin K2Cr2O7


      900
6 Trigonal a=b=c Trigonal As, Sb, Bi
 =  =   900,
dan < 1200
7 Hexagonal a=b  c
Hexagonal Mg, Zn, Sd, NiAs
 =  = 900, dan
 = 1200
7

Kekisi Kubus Sederhana Kubus berpusat Badan Kubus berpusat Sisi

Tetragonal Sederhana Tetragonal berpusat badan

Ortorombik Sederhana O. berpusat dasar O. berpusat badan O. Berpusat Sisi

Monoklin Sederhana Monoklin berpusat Dasar

Triklin

Trigonal

Hexagonal

Gambar 1.5 Empat belas kekisi Bravais


8

Titik-titik kekisi pada kristal dapat ditempati ion, atom atau molekul. Ion, atom,
atau molekul itu dapat dianggap sebagai bola-bola keras yang menyusun diri sedemikian
rupa sehingga diperoleh susunan yang terpadat. Hal ini dapat terjadi apabila setiap bola
menyentuh bola lain sebanyak mungkin. Pandanglah ke-3 kekisi Bravais dalam sistem
kubus. Dalam setiap sel satuan ke-3 kubus itu jumlah dan jari-jari atom untuk a satuan
panjang sisi besarnya berbeda-beda. Jumlah atom, jumlah tetangga terdekat dan jari-jari
atom setiap sel satuannya dapat ditentukan berdasar ilustrasi gambar 1.6 berikut:

Gambar 1.6 Struktur kristal kubus

Sedangkan kepadatan kekisi dinyatakan sebagai daya hasil penjejalan (packing


effisiency) yang didefinisikan sebagai:

volumeatom dalamselsa tuan


APF = ()
volume sel satuan

Tentukan daya hasil penjejalan yang terpadat dari ke-3 kekisi Bravais tersebut !

1.3 Indeks Miller Bidang Kristal

Orientasi bidang-bidang kristal ditentukan oleh tiga titik dalam bidang yang dikenal
sebagai indeks Miller dengan notasi: (h k l). Sebelum menentukan indeks Miller suatu
bidang kita harus tahu letak titik-titik potong sumbu dengan sumbu koordinat. Oleh karena
itu diberikan cara-cara menyatakan letak titik dan arah vektor terlebih dahulu.

Posisi Titik
Posisi titik dinyatakan oleh tiga bilangan (tanpa koma, tanpa kurung). Setelah
menentukan letak koordinat titik tersebut maka posisi titik dinyatakan dengan
menghilangkan vektor-vektor satuannya.
9

c Misalnya: Koordinat titik P adalah 2a,


2
P
3
2
b, dan 2c, maka posisi P = 2 3
2
2.

1
2 b

Arah Vektor
Arah vektor dinyatakan oleh tiga bilangan dengan notasi v = [u v w].

c Proyeksi v ke sumbu koordinat a, b dan c


2 adalah 2a, 3 b dan 2c. Hilangkan a, b dan
P 2

v 1 c, kemudian jadikan tiga bilangan bulat ter-


2
b kecil. Sehingga arah vektor v = [4 3 4].
a Jika arahnya negatip maka di atas bilangan
yang bersangkutan diberi garis.

Indeks Miller
c
Suatu bidang memotong sumbu di titik 2a,
2
3
2
b, dan 2c, dengan menghilangkan a, b, c

b dan membalikkan bilangannya menjadi


a 3/2 ½ 2/3 ½ , kemudian mencari bilangan bulat
2
terkecilnya maka Indeks Miller bidang
tersebut abalah: (3 4 3)

Jika suatu parameter negatif, maka di atas indeks Miller yang bersangkutan diberi
garis. Jika indeks Miller 0, maka parameter yang bersangkutan sebanding, sehingga bidang
kristal sejajar sumbu yang bersangkutan.
Pada sistem hexagonal terdapat empat sumbu, sehingga bidang kristal dapat
dinyatakan dengan empat indeks Miller yaitu: (h k i l). Indek i tidak bebas, tetapi
bergantung pada h dan k dengan hubungan: -i = h + k. Ada kalanya i diganti dengan titik,
10

sehingga bidang kristal dinyatakan dengan (h k . l), sebagai contoh (1 1 .0). Buktikan
bahwa –i = h + k!.
Jarak Pisah Antara Dua Bidang Kristal yang Berdekatan
Jarak pisah antara dua bidang keristal (h k l) yang berdekatan dinyatakan dengan
lambang dhkl. Untuk tiap sistem memiliki rumus tersendiri. Untuk sistem ortorombik
misalnya,
1
d hkl = . (1.6)
2 2 2
h k l
  +  + 
a b c
Untuk sistem kubik adalah:
1
dhkl = . (1.7)
h2 + k 2 + l 2
Buktikanlan kedua rumus persamaan tersebut!.
Sedangkan untuk sistem-sistem lainnya adalah sebagai berikut:
Tetragonal :
1
dhkl = (1.8)
h2 + k 2 l
( 2
) + ( )2
a c
Hexagonal:
1
dhkl = (1.9)
4 h + hk + k 2
2
l
( 2
) + ( )2
3 a c
Trigonal:
a 2 (1 − 3 cos 2  + 2 cos 3  )
dhkl = (1.10)
(h 2 + k 2 + l 2 ) sin 2  + 2(hk + kl + hl )(cos 2  − cos  )

Monoklin:
1
dhkl = (1.11)
1 h 2 k 2 sin 2  l 2 2hl cos 
( + + 2− )
sin 2  a 2 b2 c ac
Triklin:
V
dhkl = (1.12)
s11h + s22 k + s33l + 2s12 hk + 2s23 kl + 2s13 hl
2 2 2

dengan: V = volume sel satuan


s11 = b2 c2 sin2 s12 = a b c2 (cos cos - cos)
11

s22 = b2 c2 sin2 s23 = a2 b c (cos cos - cos)


s33 = b2 c2 sin2 s13 = a b2 c (cos cos - cos)
1.4 Struktur Kristal Sederhana

Disini akan dibahas beberapa struktur kristal yang banyak digunakan: struktur
NaCl, CsCl, hexagonal close-packed (hcp), intan dan ZnS. Sebagaimana telah diketahui
bahwa titik-titik kekisi pada kristal ditempati ion, atom atau molekul. Dengan anggapan
bahwa ion, atom atau molekulnya sebagai bola keras maka bola-bola keras ini akan
menyusun dirinya sedemikian rupa sehingga memperoleh susunan yang terpadat. Hal ini
dapat terjadi jika setiap bola menyentuh bola lain sebanyak mungkin.

Struktur Natrium Clorida (NaCl)


Struktur ini terbentuk dari dua kekisi fcc yang satu diduduki ion Na+ dan yang lain
diduduki ion Cl- yang tergeser sejauh ½ a dalam arah (100) dari kekisi fcc yang pertama.
Lihat gambar 1.7a. Terdapat 4 satuan NaCl dalam tiap satuan kubus dengan posisi sebagai
berikut:
Na : 0 0 0; ½ ½ 0; ½ 0 ½; 0½½
Cl : ½ ½ ½ 0 0 ½; 0 ½ 0; ½00
Yang memiliki struktur ini antara lain: LiH, NaCl, KCl, PbS, AgBr, MgO, MnO, dan KBr.

(a) (b)

Gambar 1.7 (a) Struktur NaCl. (b) Struktur CsCl.

Struktur Cesium Clorida (CsCl)


Struktur ini terdiri dari kekisi kubus sederhana yang mengandung ion jenis pertama
3
dan kekisi kubus sederhana kedua berisi ion jenis lain tergeser a dalam arah (1 1 1).
2
12

3
Setiap ion mempunyai tetangga terdekat 8 ion berlainan jenis dengan jarak a seperti
2

terlihat pada gambar 1.7b. Molekul CsCl yang terdiri dari ion Cs+ dan ion Cl- terletak pada
posisi:
Cs+ : 0 0 0
Cl-: ½ ½ ½ .
Beberapa kristal yang berstruktur CsCl adalah: BeCu, AlNi, CuZn, CuPd, Ag Mg,
LiHg, Nh4Cl, TlBr, CsCl, dan TlI.

Struktur Hexagonal Close-packed (hcp)


Struktur hcp mempunyai daya hasil penjejalan sebesar 74%. Jika pada lapisan B
dalam sistem hcp pada gambar 1.8 terdapat bola-bola identik, maka setiap bola ini
menyentuh 3 bola pada lapisan A diatasnya, menyentuh 3 bola pada lapisan A dibawahnya
serta 6 bola pada lapisan B itu sendiri. Sehingga setiap bola menyentuh 12 bola lain.
Lapisan A, B, A, B, …
Struktur hcp memiliki sel primitif kekisi hexagonal dengan basis dua atom (gambar
8
1.8b). Perbandinga c/a adalah sebesar , buktikanlah!. Contoh kristalnya adalah: He, Be,
3

Mg, Ti, Zn, Cd, Co, Y, Zr, Gd, dan Lu.

(a) (b)

Gambar 1.8 (a) Pola lapisan struktur hcp. (b) Sel primitif hcp.

Struktur Intan
Struktur intan berbentuk tetrahedron yaitu limas sisi empat beraturan seperti terlihat
pada gambar 1.9a. Setiap atom tepat menyentuh 4 atom lainnya. Dalam sebuah satuan
13

kubus terdapat 8 atom dengan posisi: 000; ¼ ¼ ¼; ½ ½ 0; ¾ ¾ ¼; ½ 0 ½; ¾ ¼ ¾; 0 ½ ½;


dan¼ ¾ ¾ seperti terlihat pada gambar 1.9b. Jarak tetangga terdekat adalah ¼ diagonal
kubus, sehingga jari-jari bola adalah 1/8 diagonal kubus. Dengan daya hasil penjejalan
34% (buktikan!) maka struktur intan merupakan struktur yang tidak padat. Adapun
contohnya adalah: C (intan), Ge (germanium), Si (silicon) dan Sn (Timah putih).

(a) (b)

Gambar 1.9 (a) Tetrahedron. (b) Struktur intan

Struktur ZnS
Struktur ZnS sama seperti struktur intan, yaitu mengganti tempat 4 buah C dengan
4 buah Zn dalam sel kubik (gambar 1.10). Terdapat 4 molekul ZnS dalan satu sel kubik
dengan koordinat:
Zn : ¼ ¼ ¼ ; ¼ ¾ ¾ ; ¾ ¼¾ ; ¾ ¾¼
S : 0 0 0; 0½½; ½0½; ½ ½ 0.
Molekul yang berstruktu ZnS adalah: CuF, CuCl, ZnS, ZnSe, SiC, CdS, InAs, dan InSb.

Gambar 1.10 Struktur ZnS


BAB

2
KEKISI BALIK

Pada bab ini dipelajari bagaimana menentukan struktur kristal. Suatu hal yang
mustahil bagi kita untuk dapat melihat susunan atom dalam kristal dengan mata telanjang.
Hal ini dapat kita pahami mengingat kepekaan mata manusia terhadap cahaya rata-rata
pada panjang gelombang 600 nm, sedangkan atom mempunyai ukuran dalam orde (1-10)
Ǻ atau (0.1-1) nm. Sehingga struktur kristal dapat ditentukan dengan mempelajari pola
difraksi berkas radiasi yang dijatuhkan pada kristal. Ada tiga macam radiasi yang dapat
digunakan yaitu: sinar-X, netron, dan elektron. Namun yang dibahas dalam bab ini hanya
pada difraksi sinar-X.
Karena pola difraksi kristal yang terekam merupakan peta dari kekisi balik kristal,
maka bab ini diberi judul kekisi balik. Konsep difraksi dan kekisi balik ini merupakan
dasar untuk memahami konsep vibrasi kekisi pada bab 4.

2.1 Difraksi Sinar-X

Susunan atom dalam kristal dapat kita runut dengan menggunakan partikel dengan
panjang gelombang de Broglie 1 Ǻ. Partikel-partikel itu adalah: netron, elektron, dan
sinar-X. Karena baik netron, elektron, ataupun sinar-X ternyata menunjukkan gejala yang
sama ketika digunakan sebagai berkas penembak saat percobaan, maka hanya dibahas
difraksi sinar-X pada bab ini.

Hukum Bragg.
Bila atom-atom pada kristal ditumbuk oleh partikel yang ukurannya seorde dengan
ukuran atom, maka partikel tersebut akan dipantulkan dengan sudut yang tidak dapat
dipastikan arahnya. Sehingga yang terjadi adalah peristiwa hamburan atau difraksi.
Dengan menganggap kristal sebagai pusat-pusat hamburan yang menempati titik-titik
kekisi, kita dapat menentukan dhkl sebagai berikut.
16

A (hkl)

dhkl
C D (hkl)
B

Gambar 2.1 Hamburan sinar-X pada kristal

Gambar 2.1 adalah model hamburan dengan memandang kristal sebagai kumpulan
bidang-bidang kristal. Agar terjadi interferensi maksimum maka beda jalan yang ditempuh
oleh berkas-berkas sinar adalah merupakan kelipatan bulat dari panjang gelombangnya. Ini
berarti:
Beda jalan = n, n = 1,2,3,… (2.1)
Dengan  adalah panjang gelombang dan n adalah bilangan bulat positif. Beda jalan antara
berkas 1 dan 2 dalam gambar adalah
CB + BD = n
atau
2d hkl sin  = n (2.2)
Bilangan bulat n = 1, 2, 3,… menentukan orde refleksi Bragg.

Produksi Sinar-X
Sinar-X adalah gelombang elektromagnetik dengan panjang gelombang berorde 1
Ǻ. Sinar-X dibangkitkan dalam tabung hampa sinar-X (Gambar 2.2). Pemanasan pada
filamen di katoda mengakibatkan elektron keluar dari katoda. Elektron ini akan dipercepat
oleh sumber tegangan tinggi menuju logam anoda.

Gambar 2.2 Pembangkit Sinar-X


17

Ada dua kejadian saat elektron dengan kecepatan tinggi sampai di anoda yaitu:
a. Radiasi kontinyu.
Interaksi elektron berkecepatan tinggi dengan elektron-elektron luar dari atom
bahan anoda yang akan mengalami perlambatan, sehingga mengeluarkan radiasi.
Setiap muatan yang mengalami percepatan atau perlambatan akan mengeluarkan
radiasi yang beragam panjang gelombangnya. Karena proses bremsstrahlung dapat
dialami elektron berulang kali maka spektrumnya bersifat kontinyu.

elektron
E

E’<E
bremsstrahlung

Gambar 2.3 Proses bremsstrahlung

b. Radiasi diskrit
Interaksi elektron berkecepatan tinggi dengan elektron-elektron dalam (kulit K) dari
atom bahan anoda berupa tumbukan tak lenting sempurna, akan mengakibatkan
elektron-K terlepas dari kulitnya sehingga atom berada dalam keadaan tereksitasi dan
bersifat tidak stabil. Dalam waktu 10-8 sekon akan terjadi pengisian kembali
kekosongan itu oleh elektron-elektron dari kulit-kulit yang lebih luar. Perpindahan
elektron dari kulit luar ke kulit dalam ini akan disertai pancaran radiasi dengan panjang
gelombang tertentu atau diskrit. Penamaan radiasinya mengikuti kaidah seleksi untuk
dipol listrik.
Radiasi yang dihasilkan transisi ke kulit K disebut K K K dst. Sedangkan , ,
dan  menunjukkan tempat asal kulit elektron yang bertransisi, berturut-turut L, M, dan
N. Panjang gelombangnya dihitung dengan menggunakan rumus:
hc
 = (2.3)

Intensitas radiasi yang terjadi tergantung kepada kemungkinan transisi yang bersangkutan.
Sebaliknya, kemungkinan transisi ditentukan oleh makin kecilnya ‘loncatan’ dalam energi.
Jadi:
18

IK > IK

3p5/2 3p3/2
M 3p3/2 3p1/2
3s1/2

III 2p1/2 - 0.933


L II 2p1/2 - 0.955
I 2s1/2 - 1.098

2s1/2 - 9.990

Gambar 2.4 Skema tingkat energi

2.2 Vektor-Vektor Kekisi Balik

Vektor-vektor kekisi balik didefinisikan dari:


a 2 x a3
b1 = 2π
a1 .a 2 x a 3

a 3 x a1
b 2 = 2π (2.4)
a1 .a 2 x a 3

a1 x a 2
b 3 = 2π
a1 .a 2 x a 3
dengan a1, a2, a3 vektor-vektor primitif kekisi kristal, sedangkan b1, b2, b3 vektor-vektor
kekisi baliknya. Karena vektor kekisi balik tegak lurus terhadap dua vektor kekisi
primitifnya, maka b1, b2, b3 bersifat
b i .a j = 2 ij (2.5)

dengan ij =1 jika i = j dan ij = 0 jika i ≠ j.


Dari definisi di atas dapat disimpulkan bahwa setiap struktur kristal memiliki dua
kekisi yaitu kekisi primitif kristal (a1, a2, a3) dan kekisi balik (b1, b2, b3). Vektor-vektor
satuan kekisi primitif berdimensi [L], sedangkan kekisi balik [1/L].
19

Konsep kekisi balik sangat berguna di dalam fisika zat padat. Salah satunya adalah
dalam difraksi sinar-X, sebagai syarat terjadinya difraksi maksimum. Syarat ini tidak boleh
bertentangan dengan hukum Bragg. Untuk membuktikan pernyataan itu diperlukan dua
sifat kekisi balik yaitu:
a. Ghkl // dhkl
2
b. Ghkl =
d hkl
dengan Ghkl = hb1 + kb2 + lb3 adalah vektor translasi kekisi balik, sedangkan h, k, dan l
adalah bilangan bulat.

2.3 Hamburan Pada Kristal

Pola interferensi yang dikemukakan oleh Bragg tidak dapat kita saksikan secara
langsung dengan mudah. Hal ini bukan berarti kegagalan tafsiran Bragg, tetapi karena
keadaan kristal riil, dimana setiap titik kekisi yang ditempati atom disitu juga terdapat
sejumlah Z elektron yang membentuk awan muatan kontinyu. Selain itu atom-atom yang
tersusun dalam sel satuan ternyata sel satuannya tidak selalu berupa sel primitif, sehingga
sinar-X hasil difraksi pada kristal yang diterima detektor merupakan hasil interferensi dari
tiga kawasan:
a. interferensi kawasan atom, diperhitungkan melalui faktor hamburan atom fa
b. interferensi kawasan sel satuan, dengan faktor struktur geometris F
c. interferensi kawasan kristal, dengan faktor struktur kekisi S.
Ketiga faktor di atas dapat dihitung dengan ketentuan bahwa interferensi yang dihasilkan
berasal dari pusat hamburan berupa titik, seperti diperlihatkan pada gambar 2.5. Dan faktor
interferensi sistem N pusat hamburan dihitung berdasarkan rumus:


N
 
ir j .k
f = fe e (2.6)
j =1

  
k k k

ko 2

ko

Gambar 2.5 Pusat hamburan, (a) hamburan titik (b) vektor gelombang.
20

Faktor Hamburan Atom fa


N
Untuk sejumlah  elektron dalam suatu atom faktor hamburan atomiknya adalah:
j =1

e
N
 
ir j .k
fa = (2.7)
j =1

N
Karena distribusi muatan di dalam atom merupakan fungsi kontinyu maka tanda  harus
j =1

diganti dengan
  (r)dV , sehingga persamaan (2.7) lebih tepat menjadi:

  
fa =  (r )e ir .k dV (2.8)
Vatom

dengan (r) adalah rapat muatan dalam atom dan dV adalah elemen volume. Persamaan
(2.8) mempunyai arti fisis bahwa interferensi dalam kawasan atom selalu terjadi atau tidak
pernah nol untuk semua jenis atom.

Faktor Struktur Kekisi S dan Geometri F


Penerapan persamaan (2.6) pada seluruh pusat hamburan yang ada pada kristal
akan menghasilkan faktor hamburan kristal fkr sebesar:


N 

f kr = e ir .k (2.9)
 =1


N

dengan N = jumlah atom dalam kristal dan rl = vektor posisi elektron. Ternyata dapat

dipecah-pecah mengingat elektron dalam kristal tidak berdiri sendiri-sendiri melainkan


merupakan bagian dari suatu struktur. Dengan kata lain, elektron yang berada dalam
kawasan atom juga berada dalam sel satuan membentuk kristal (gambar 2.6). Sehingga:

   
r = R t +  s + rj (2.10)

dengan: rj = vektor posisi elektron dalam atom ke-j

s = vektor posisi atom dalam sel satuan ke-s



Rt = vektor posisi sel satuan ke-t.
Substitusi persamaan (2.10) ke (2.9) dapat dikondisikan menjadi:

 
  
f kr = e iRt .k fa.e i s .k (2.11)
t s
21

 
  
dengan F = fa s .e i s .k adalah faktor struktur geometri dan S = e iRt .k adalah faktor
s t

struktur kekisi.


rj

s


r

Rt

Gambar 2.6 Posisi elektron dalam kristal

Bila kita menghitung S, akan menghasilkan syarat maksimum dari Van Laue.
Adakah kesesuaian syarat Van Laue dengan hukum Bragg? Tahun 1912 Laue melakukan
eksperimen untuk membuktikan keteraturan susunan kristal. Dengan mengarahkan sinar-X
pada kristal dan menggunakan film sebagai detektor yang diletakkan dibelakangnya,
ternyata didapatkan noda hitam pada film di beberapa tempat. Dari tempat noda-noda itu
maka dapat ditentukan jarak-jarak atom dalam kristal karena bercak noda menunjukkan
terpenuhinya syarat maksimum pola difraksi. Syarat supaya di suatu arah terjadi
maksimum adalah:
a(cos − cos o ) = h. (2.12)

dengan: a jarak kekisi,  sudut datang, o sudut difraksi dan h adalah bilang bulat.
Generalisasi persamaan (2.12) untuk kekisi 3D pada sistem kubus akan menghasilkan:

cos  − cos  o = h1
a

cos  − cos  o = h2 (2.13)
a

cos  − cos  o = h3
a

Setelah mengkuadratkan dan menjumlahkan persamaan (2.13) maka akan didapatkan


persamaan:
22


sin  = h1 + h2 + h3
2 2 2
(2.14)
2a
dengan 2 adalah sudut antara sinar masuk dan sinar defraksi.

Perbandingan Metode Laue dan Bragg


Arah suatu maksimum pada tafsiran Laue ditentukan oleh tiga tingkat h1h2h3
sedangkan tafsiran Bragg oleh tingkat n dan indeks Miller dhkl dari bidang pantul kekisi.
Bila dipersuaikan maka ketiga besaran tigkat lenturan Laue sama dengan ketiga indeks
bidang pemantul pada Bragg, sehingga: h1 = nh ; h2 = nk dan h3 = nl . Dapat pula
dituliskan sebagai:
h1 : h2 : h3 = h : k : l (2.15)

Buktikan persamaan 2.15.

Analisis Kualitatif
Dalam penurunan hukum Bragg dan syarat maksimum Van Laue dapat
disimpulkan bahwa difraksi maksimum ditentukan oleh adanya satu pusat hamburan dalam
sel satuan, jadi sel satuan bersifat primitip. Bagaimana bila sel satuannya bersifat non
primitip atau di dalamnya terdapat lebih dari 1 pusat hamburan bahkan lebih dari 1 atom?
Pada kasus ini harus diperhitungkan interferensi dalam kawasan sel dan atom. Oleh karena
itu rumus yang digunakan adalah:



F= fa s .e i s .k
s

dengan:
   
δ s = u s a + vs b + ws c dan
   
k = hA + kB + lC .
Sehingga rumusnya menjadi:



    
Fhkl = fa s . exp i[(u s a + v s b + ws c).(hA + kB + lC)] atau
s

Fhkl =  fa .exp[2i(u h + v k + w l )] .
s
s s s s (2.16)
23

Bila Fhkl = 0 berarti bahwa bidang-bidang (hkl) di dalam struktur kristal itu tidak
menghasilkan difraksi. Intensitas yang semestinya ada menurut hukum Bragg, ternyata
hilang. Hilangnya beberapa garis difraksi ditentukan oleh struktur kristal yang
bersangkutan. Kita dapat mempelajari pola garis-garis difraksi yang hilang dan yang
tampak untuk menentukan struktur kristal, sehingga rumus ini dapat digunakan sebagai
dasar Analisis Kualitatif dengan XRD.
Sebagai contoh akan dilakukan analisis berdasarkan Fhkl pada kristal yang
berbentuk kubus dengan 3 kekisi Bravaisnya.
1. Kristal kubus sederhana. Jumlah atom dalam sel satuannya hanya 1 dengan posisi
atom pada 000, maka:
Fhkl = fa exp(ush+vsk+wsl)
= f.
Jadi, semua bidang (hkl) akan menghasilkan difraksi maksimum karena tidak
pernah berharga nol.
2. Kristal kubus pusat badan. Jumlah atom setiap sel satuan 2 yang terletak pada
posisi 000 dan ½ ½ ½ . Bila kedua atom sejenis maka fa1 = fa2 = f, sehingga:

 fa . exp[2i(u h + v k + w l )]
2

Fhkl = s s s s
s =1

= f + f ei(h+k+l)
= f (1+ ei(h+k+l)).
Karena (h+k+l) adalah bilangan bulat maka:
Fhkl = 0 bila (h+k+l) = ganjil yang menunjukkan bahwa pada bidang ini tidak
tejadi difraksi.
Fhkl = 2f bila (h+k+l) = genap yang berarti terjadi maksimum pada bidang (hkl).
3. Kristal kubus pusat sisi. Jumlah atom dalam setiap selnya ada 4 dengan posisi 000,
½ ½ 0, ½ 0 ½ , dan 0 ½ ½ . Untuk menyederhanakan persoalan diasumsikan
atomnya sejenis sehingga fa1 = fa2 = fa3 = fa4 = f.

 fa . exp 2i(u h + v k + w l )
4

Fhkl = s s s s
s =1

= f [1 + ei(h+k) + ei(h+l) + ei(k+l)]


Dengan demikian maka:
24

Fhkl = 0 bila salah satu diantara hkl merupakan bilangan ganjil sedangkan yang dua
lainnya genap, atau sebaliknya dua diantaranya bilangan ganjil sedangkan
yang ketiga genap. Dapat juga dikatakan bahwa Fhkl = 0 bila h, k, dan l
berupa bilangan bulat campuran
Fhkl = 4f harga maksimum dicapai bila h, k, dan l bukan berupa bilangan bulat
campuran, melainkan ketiga-tiganya genap atau ganjil.

Menentukan Struktur Kristal


Kita juga dapat menyelidiki struktur kristal kubus berdasarkan perumusan Bragg
dengan cara berikut. Maksimum yang terjadi pada suatu arah sedemikian sehingga
n
persamaan (2.2) dapat dituliskan kembali dalam bentuk : d hkl = . Sehingga pada
2 sin 
tingkatan n yang sama rumusnya menjadi:
1 1 1
d100 : d110 : d111 = : : . (2.17)
sin  100 sin  110 sin  111

Untuk menguji persamaan (2.17) ini, maka perlu dihitung perbandingan jarak
antara bidang-bidang 100, 110 dan 111 pada kekisi kubus sederhana, kekisi kubus pusat
badan dan kekisi pusat sisi berdasarkan struktur kekisinya sebagai berikut.

1. Kekisi kubus sederhana

1 1
d100 : d110 : d111 = a : a 2 : a 3
2 3
1 1
d100 : d110 : d111 = 1 : 2: 3
2 3
d100 : d110 : d111 = 1 : 0.707 : 0.578

2. Kekisi kubus pusat sisi


1 1 1
d100 : d110 : d111 = a: a 2: a 3
2 4 3
1 2
d100 : d110 : d111 = 1 : 2: 3
2 3
d100 : d110 : d111 = 1 : 0.707 : 1.155
25

3. Kekisi kubus pusat badan

1 1 1
d100 : d110 : d111 = a: a 2: a 3
2 2 6
1
d100 : d110 : d111 = 1 : 2 : 3
3
d100 : d110 : d111 = 1 : 1.414 : 0.578

Data berikut ini adalah produk tabulasi berdasarkan sudut maksimum yang terjadi
dari hasil eksperimen metode Bragg dengan sample NaCl. Bagaimana menentukan struktur
kristal NaCl dengan memanfaatkan data ini?

Tabel 2.1 Hasil eksperimen sample NaCl

 (o)
(hkl)
n=1 n=2 n=3
100 5.9 11.8 18.2
110 8.4 17 -
111 5.2 10.4 -

Kita coba menghitung untuk n = 1


1 1 1
d100 : d110 : d111 = : :
sin 5.9 sin 8.4 sin 5.2 o
o o

d100 : d110 : d111 = 1 : 0.706 : 1.133


ini hampir mendekati
d100 : d110 : d111 = 1 : 0.707 : 1.155
Jadi kekisi NaCl merupakan kekisi kubus pusat sisi. Cobalah menghitung kembali dengan
n yang lain! Kemudian bandingkan hasilnya!
26

SOAL-SOAL

1. Suatu kekisi mempunyai vektor-vektor translasi sebagai berikut:


a = 2a(i + j)
b = 2a(j + k)
c = 2a(i + k)
Tentukanlah : a) Volume sel satuan.
b) Volume kekisi balik!

2. Kristal dalam sistem kubus dengan a = 2,62 Å. Berapakah sudut defraksi yang
disebabkan oleh bidang-bidang (100), (200) dan (300) apabila digunakan sinar-X
berpanjang gelombang 1,5 Å ? Jelaskan kesimpulan dari hasil-hasil tersebut!

3. Berkas elektron dengan energi 150 eV dipakai dalam eksperimen difraksi pada cuplikan
Ni berbentuk serbuk. Bila diketahui bahwa Ni berstruktur fcc (a = 3,25 Å). Berapakah
sudut Bragg terkecil akan menghasilkan refleksi maksimum ?
BAB

3
IKATAN KRISTAL

Zat padat berdasarkan susunan atomnya dapat diklasifikasikan atas kristal dan
amorf. Sebuah kristal mempunyai susunan atom yang teratur sehingga dapat berbentuk
kubus, tetragonal atau bentuk lainnya. Pada umumnya suatu kristal terdiri dari lebih dari
satu atom sehingga merupakan zat atau benda yang lebih stabil dibandingkan dengan atom-
atom penyusunnya. Kestabilan kristal disebabkan adanya gaya-gaya ikat antar atom.
Gaya ikat antar atom dapat dijelaskan melalui konsep energi. Sehingga nilai dari
gaya ini sebanding dengan besarnya energi ikat kristal yang lazim didefinisikan sebagi
energi yang diperlukan untuk memisahkan atom-atomnya. Lima macam ikatan kristal yang
akan dibahas pada bab ini, yaitu: ikatan ionik, ikatan kovalen, ikatan logam, ikatan van der
Waals, dan ikatan hirogen.

3.1 Macam-Macam Ikatan Kristal

Ikatan Ionik
Pada ikatan ionik, sebuah atom memberikan atau menerima satu atau beberapa
elektron dari atom lain sehingga atom-atom itu masing-masing menjadi ion. Ion-ion ini
akan mengikat satu sama lain dengan gaya elektrostatik atau gaya Coloumb. Dua jenis
struktur dalam kristal ionik, yaitu NaCl dengan struktur fcc dan CsCl dengan struktur bcc.

Gambar 3.1 Ikatan ionik NaCl dan CsCl


29

Pada molekul NaCl, ion Na mengikat diri pada ion Cl. Bagaimana atom Na dapat
menjadi Na+ dan atom Cl menjadi ion Cl- dalam kristal garam dapur? Setiap atom
cenderung ingin memiliki konfigurasi elektron seperti gas mulia yang sangat stabil, yaitu
dengan kulit luar tertutup atau sub kulit penuh. Maka atom 11Na dan 17Cl yang mempunyai
konfigurasi elektron:
11Na = 1s2 2s2 2p6 3s1

17Cl = 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5

akan memperoleh struktur gas mulia dengan jalan berikut. Na harus melepaskan sebuah
elektron pada kulit terluar dan menjadi ion Na+ , sedangkan Cl memerlukan sebuah
elektron pada kulit terluar dan menjadi ion Cl-. Sehingga Na+ dan Cl- saling mengikat
secara ionik. Disini terjadi penyerahan total elektron dari atom yang satu ke atom yang
lain. Dan ikatan cukup kuat sehingga mempunyai titk lebur yang tinggi. Interaksi ioniknya
dibahas dalam sub bab tersendiri diakhir bab ini.

Ikatan Kovalen
Ikatan kovalen terjadi pada kristal Ge, Si, Sn dan intan. Disini tidak ada pihak yang
menyerahkan elekron, yang ada adalah saling bertukar atau meminjamkan elektron. Dalam
kristal germanium, silicon, timah dan intan setiap atomnya memiliki 4 tetangga terdekat
yang secara bersama-sama membentuk limas bersisi empat beraturan (tetrahedron
beraturan). Kristal intan tersusun atas atom-atom karbon C yang ingin memperoleh struktur
seperti gas mulia Ne. Oleh karena itu C memerlukan 4 elektron lagi di kulit terluarnya.
Kekurangan elektron tersebut dipenuhi dengan menggunakan bersama 4 elektron dari 4
karbon yang lain. Kristal dengan jenis ikatan ini menjadi sangat kuat sehingga mempunyai
titik lebur tinggi.

Gambar 3.2 Ikatan kovalen


30

Ikatan Logam
Atom-atom logam mempunyai sedikit elektron pada kulit terluar yang mudah
melepaskan diri dan bergerak bebas. Elektron-elektron yang bergerak bebas ini
berkelakuan seperti kabut bermuatan negatip. Interaksi elektrostatik antara ion-ion positip
logam dengan muatan negatip gas elektron inilah yang menyebabkan logam tersebut
terikat. Ikatan semacam ini disebut ikatan logam.
Gerak bebas elektron di dalam logam mengakibatkan hantaran listrik atau hantaran
panas yang sangat baik, sedemikian sehingga daya hantar listrik atau daya hantar panas
dalam logam sangat bergantung pada kemampuan elektron berpindah diantara susunan
atom pada kristal. Berbeda dengan ikatan ionik atau kovalen yang terikat pada atom-atom
pasangannya.

: atom

: elektron

Gambar 3.3 Ikatan logam

Ikatan Van der walls


Ikatan Van der Walls merupakan ikatan antara atom-atom dengan gaya Van der
Walls. Ikatannya amat lemah, sehingga dapat diputuskan pada suhu rendah. Ikatan ini
terjadi pada gas mulia yang mempunyai kulit terluar penuh, sehingga tidak dapat mengikat
secara ionik atau kovalen. Tetapi ternyata gas mulia dapat dicairkan pada suhu yang amat
rendah. Ini membuktikan bahwa pada gas mulia masih terdapat gaya tarik menarik antara
atom-atomnya. Gaya apakah ini?
Gaya Van der Walls antara dua molekul yang berjarak r, berbanding lurus dengan
1/r2. Ini berarti bahwa gaya akan mengecil dengan cepat jika jaraknya bertambah. Ikatan
Van der Walls disebabkan adanya aksi dan reaksi dwi kutub (dipol) atom atau molekul.
Ikatan tersebut dapat terjadi pada molekul berkutub (polar) yang memiliki momen dwi
kutub listrik permanen atau dapat pula terjadi pada molekul yang bukan merupakan dwi
kutub permanen. Mekanismenya dapat dijelaskan sebagai berikut.
31

(a) (b)

Gambar 3.4 Ikatan Van der Walls molekul polar (a) molekul polar
(b) molekul polar saling tarik menarik

(a) (b)

Gambar 3.5 Ikatan Van der Walls molekul polar dan molekul bukan polar
(a) molekul polar dan molekul bukan polar
(b) molekul polar menarik molekul yang terkutubkan

(a) (b)

(c) (d)

Gambar 3.6 Ikatan Van der Walls molekul bukan polar


(a) dan (c) fluktuasi distribusi muatan pada molekul yang
berdekatan
(b) dan (d) molekul yang terkutubkan saling tarik menarik

Pada umumnya molekul-molekul yang bukan polar merupakan dwi kutub


permanen elektronnya sendiri bergerak terus menerus sehingga pada suatu saat bagian
molekul itu memiliki kelebihan elektron. Jika beberapa molekul yang tidak terkutub saling
berdekatan, distribusi muatan akan berfluktuasi sehingga cenderung untuk bergeser
32

bersamaan. Molekul-molekul yang mula-mula tidak berkutub pada suatu saat dapat
menjadi berkutub karena berdekatan dan akhirnya saling tarik menarik.

Ikatan Hidrogen
Ikatan hidrogen adalah ikatan antara atom hidrogen dengan atom yang sangat
elektronegatip. Jika hidrogen diikat oleh atom O yang sangat elektronegatip, maka akan
terbentuk dwi kutub yang kuat. Ikatan hidrogen ini sejenis dengan ikatan Van der Walls
yang kekuatannya lebih besar dari ikatan Van der Walls tetapi lebih kecil dari ikatan ionik
atau ikatan kovalen.
Pada umummnya ikatan hidrogen terjadi pada senyawa yang berisi atom yang
sangat elektronegatip (N, O dan F) menjadi senyawa H2O, HF dan sebagainya. Walaupun
molekulnya netral tetapi ternyata mempunyai ujung negatip dan ujung positip. Sebagai
contoh adalah molekul HF yang mempunyai pasangan elektron tidak terbagi sama pada
ujung H dan ujung F. Ujung F lebih bersifat negatip karena F merupakan unsur yang
sangat elektronegatip. Perbedaan keelektronegatipan antara F dan H adalah cukup besar
sehingga atom H dalam molekul HF merupakan kutub positip dan F kutub negatip. Kutup
positip HF yang satu tarik menarik dengan kutub negatip molekul HF yang lain dengan
gaya elektrostatik

-

+
H H +
H -

- F F
+

Gambar 3.7 Ikatan hidrogen molekul HF

3.2 Teori Born-Madelung tentang Ikatan Ionik

Di dalam kristal ionik, titik-titik kekisi terisi oleh ion positip dan ion negatip
dengan distribusi muatan yang dianggap sebagai bola-bola keras. Dapat dipastikan bahwa
antara muatan-muatan tersebut terdapat interaksi. Born-Madelung merumuskan interaksi
antar ion sebagai berikut:
33

B e2
U = n  (3.1)
r 4 o r
dengan: B = tetapan zat, e = muatan ion,  = tetapan Madelung, dan rij = jarak antara ion
ke-i dan ke-j. Suku pertama persamaan (3.1) merupakan energi potensial gaya tolak-
menolak yang ditimbulkan aksi prinsip larangan Pauli, sedangkan suku kedua adalah
energi potensial kristal ionik berasal dari energi potensial listrik ion.
BAB

4
DINAMIKA KEKISI

Untuk membantu memahami bab ini disarankan agar mahasiswa menguasai fisika
atom, termodinamika dan mekanika statistik. Selain itu dianjurkan mengingat kembali
matematika terutama pada segi persamaan deferensial, kalkulus, fungsi khas, dan
probabilitas. Ini diperlukan sekali dalam memahami dinamika kekisi.
Berbagai ragam getaran kekisi dalam zat padat dibahas dalam bab ini khususnya
diturunkan dari kristal satu dimensi. Sedangkan sifat termal zat padat didekati dengan
pendekatan teoritik melalui model Einstein dan model Debye. Diberikan pula hasil
percobaan pengukuran kapasitas panas zat padat sebagai fungsi temperatur untuk
menunjukkan kesesuaiannya terhadap teori sebelumnya. Mudah-mudahan bab ini dapat
berguna dalam memahami secara baik sifat termal zat padat.

4.1 Gelombang Elastik

Kita telah mempelajari struktur kristal pada tiga bab terdahulu dengan menganggap
bahwa atom-atom yang menduduki titik kekisi dalam keadaan diam. Akan tetapi pada suhu
di atas 0oK atom-atom tersebut berosilasi di sepanjang kedudukan setimbangnya. Vibrasi
kekisi dari zat padat yang mempunyai susunan atom-atom secara diskrit dengan jumlah
sangat besar bahkan dapat dikatakan tak terbatas jangkauannya, dapat diperhitungkan
dengan asumsi bahwa zat padat merupakan medium kontinu. Dengan demikian vibrasinya
akan berupa gelombang elastik dengan panjang gelombang sangat besar.
Solusi yang tepat untuk penjalaran gelombang di atas adalah:
u = Ae i ( kx−t ) (4.1)
2
dengan k = ,  adalah frekuensi gelombang dan A adalah amplitude gelombang.

Hubungan antara frekuensi dan bilangan gelombang dapat dirunut dari fase gelombang
persamaan (4.1) menghasilkan
36

 = vs k 4.2


dapat juga dijadikan dalam bentuk v s = seperti definisi yang sering digunakan dalam
k
teori gelombang dengan vs adalah kecepatan.

4.2 Fonon

Kuantisasi energi gelombang elastik dari vibrasi kekisi ternyata merupakan energi
elastik dari gelombang bunyi. Ini merupakan analogi foton sebagai kuantum energi dari
gelombang elektromagetik. Kuantum energi di dalam vibrasi kekisi disebut sebagai fonon.
Sehingga dapat dikatakan pula bahwa gelombang bunyi dalam kristal adalah tersusun dari
fonon-fonon. Energi fonon besarnya :
E =  (4.3)

Di dalam kristal atom-atom tersusun sedemikian teraturnya dalam arah 3 dimensi,


sehingga gerakan atom pada kedudukan setimbangnya tidak sukar untuk disebut sebagai
vibrasi kekisi yang sangat berperan dalam pembentukan energi pada kristal. Ragam
(modus) getarannya akan sangat menentukan sifat termal zat padat.

Modus Getaran Kekisi


Konsep fonon sebagai gelombang vibrasi kekisi merupakan getaran kolektif dalam
suatu bahan. Gejala tersebut dapat digambarkan secara sederhana dalam kristal satu
dimensi dengan syarat batas pada gambar 4.1.

us-1 us us+1

Gambar 4.1 Kristal 1-D dengan syarat batas biasa

Kristal dengan atom identik sebanyak N+1 buah membentuk rantai lurus dimana
kedua ujungnya tetap. Panjang rantai dapat pula digantikan dengan L = Na , dengan a
adalah jarak dua atom atau disebut vektor translasi. Agar didapatkan penyelesaian yang
eksak, maka digunakan pula pendekatan harmonik dalam merumuskan persamaan-
persamaan geraknya.
37

Dalam pendekatan harmonik didefinisikan  sebagai konstanta gaya antar atom dan
us sebagai notasi pergeseran dari atom ke-s, sehingga gaya total pada atom ke-s berasal dari
atom s+1 adalah
Fs =  {(us +1 - us ) + (us-1 - us )} (4.4)

Persamaan gerak dari atom s menurut hukum Newton:

d 2u s
m =  (u s +1 + u s −1 − 2u s ) (4.5)
dt 2

dengan m adalah massa atom.


Persamaan (4.5) merupakan bentuk persamaan gerak untuk semua atom. Untuk
mencari penyelesaian us, kita ambil bentuk umum gelombang dengan frekuensi  dan
vektor gelombang k = 2/ yang berjalan pada arah-x dengan syarat batas kedua ujung
tetap uo = 0 dan uN = 0 adalah sebagai:
u s ( xs ) = Ae i ( kxs −t ) (4.6)

Sehingga pergeseran u s = Ae i ( ksa−t ) , u s +1 = Ae i[ k ( s +1) a −t ] , dan u s −1 = Ae i[ k ( s −1) a −t ] . Setelah

disulihkan ke persamaan (4.5) didapatkan


m 2 = − [e ika + e −ika − 2] (4.7)

Dengan identitas 2cos ka = eika + e-ika, maka didapatkan hubungan dispersi (k) dari
2
2 = (1 − cos ka)
m
atau
4 ka
= sin( ) (4.8)
m 2

(k)

m = 2  m

k
-/a /a

Gambar 4.2 Relasi dispersi vibrasi kekisi 1-D


38

Ini menunjukkan bahwa setiap k memberikan harga  tertentu. Dapat pula dilukiskan
dalam bentuk grafik seperti yang ditunjukkan oleh gambar 4.2.
Dengan adanya syarat batas uo = 0 dan uN = 0, maka harga k yang diperkenankan
berubah secara diskrit. Nilai-nilai k yang memenuhi (ragam getaran vibrasi kekisi) disebut
nilai eigen kn, sedangkan frekuensi yang diperbolehkan disebut frekuensi eigen.
Kemungkinan nilai eigen dan panjang gelombangnya ditentukan berdasarkan:
Syarat batas: uo = 0 dan uN = 0, sehingga untuk s = N
Solusinya menjadi : u N = Ae i ( kNa−t ) = 0

Ini akan dipenuhi jika kNa = n, dengan n = 0, 1, 2.. bilangan kuantum.
Sehingga
n n
kn = = dengan L = Na
Na L
Sedangkan panjang gelombang ditentukan dari hubungan:
2 2 L
n = = (4.9)
kn n

untuk n = 0, maka ko = 0 dan o = tak terdefinisi



n = 1, maka k1 = dan o = 2L
L
2
n = 2, maka k 2 = dan o = L
L
… … … 2a L

n = N, maka k N = dan N=2a
a
Jadi untuk sejumlah N+1 atom ada N-1 ragam vibrasi kekisi yang mungkin terjadi.
Pada n=0 jelas tak terdefinisi panjang gelombangnya, sedangkan pada n=N panjang
gelombang N = 2a merupakan panjang gelombang terpendek yang dapat terjadi namun
pada ragam ini semua atom berada pada keadaan diam hingga tak dapat disebut terjadi
gelombang.

Spektrum Vibrasi Kristal Monoatom 1-D dengan Syarat Batas Periodik


Susunan kristal yang teratur dengan periodik, sebagai dasar untuk menggunakan
syarat batas periodik dalam pendekatan perhitungan agihan frekuensi vibrasi kekisi.
Gambaran kristal idealnya dapat dilihat pada gambar 4.3. Kristal sejarak L disambungkan
hingga tersusun tak terhingga.
39

L=Na L=Na

Gambar 4.3 Syarat batas periodik

Ternyata solusi agihan frekueni relasi dispersinya sama dengan persamaan (4.8).
Buktikan! Bedanya hanya pada pemakaian syarat batas saja, yaitu:
u( sa + L ) = u sa (4.10)

Sehingga nilai eigen k ditentukan dari hubungan:


e ikL = 1 atau kL = n(2 ) (4.11)
dengan n=0,  1,  2,  3… Disini n dengan tanda (-) disertakan dengan makna fisis
bahwa gelombang dapat berjalan dalam arah yang berlawanan. Ini yang membedakan dari
syarat batas biasa. Jadi :
2
kn = n (4.12)
L
Nilai eigen kn yang mungkin atau ragam getaran yang diperbolehkan ditentukan oleh n
dengan tidak melupakan batas daerah Brillouin :
2 
n max = (4.13)
L a

N
karena L=Na, maka didapat : nmax =  . Sehingga nilai n dapat ditentukan sebagai
2
berikut :

N N
ada ada
2 2
N N
n=− n=0 n=
2 2

 
k=− k =0 k=
a a
L = Na

Gambar 4.4 Ragam vibrasi yang diperkenankan


40

N N
Dari gambar 4.4 pada keadaan n = − dan n = akan memberikan panjang gelombang
2 2
 = 2a yang menggambarkan gelombang stasioner, sedangkan pada keadaan n = 0
memberikan 0 =  yang berarti tidak ada getaran.

Jadi jumlah nilai eigen kn yang menggambarkan adanya ragam getaran gelombang
N N
stasioner menjadi: (2 x ) − 1 = N − 1 macam, yaitu = 1,  2,....... + . Dan fonon yang
2 2
dinyatakan sebagai gelombang kekisi mempunyai ragam getaran sesuai dengan kn yang
merupakan gelombang kekisi terkuantisasi.

Vibrasi Kristal Dwiatom 1-D

us-1 a us vs us+1 vs+1


vs-1

Gambar 4.5 Rantai kristal dwiatom

Persamaan gerak kristal 1-D dari berbagai macam partikel diformulasikan dengan
membentuk suatu kelompok yang berisi p buah atom. Kristal dengan N kelompok memiliki
Np jumlah atom. Akan ada sejumlah p persamaan gerak untuk mencari solusi relasi
dispersinya.
Persamaan-persamaan gerak suatu kelompok yang terdiri dari 2 jenis atom dengan
massa berbeda ( m1 dan m2) dengan m1>m2 dapat dinyatakan sebagai:
m1 (d2 us /dt2 ) = (vs + v s-1 - 2 us)
dan (4.14)
m2 (d vs /dt ) = (us+1 + us - 2 vs)
2 2

dengan us, vs, masing-masing merupakan simpangan zarah bermassa m1 dan m2. Dan
dengan mengambil penyelesaian umum gelombang yang berbentuk:
u(x) = A ei(t −kx),
dan (4.15)
(t −kx)
v(x) = B ei

maka didapatkan harga-harga us1 dan vs1 setelah disulihkan ke persamaan (4.14) dalam
persamaan-persamaan berikut:
41

2m1u = - v[1 + e-ika + 2u],


dan (4.16)
2m2v = - u[1 + e-ika + 2v].

Kemudian persamaan (4.16) dapat disederhanakan menjadi


[2m1 - 2] u +  [1 + e-ika] v = 0,
dan (4.17)
 [1 + e ] u + [ m2 - 2] v = 0
-ika 2

yang merupakan dua persamaan serbasama dengan dua peubah dan akan mempunyai
penyelesaian non trivial apabila:
2 − m1 2 −  [1 + e ika ]
=0 (4.18)
−  [1 + e ika ] 2 − m2 2
Sehingga melalui ekspansi sederhana diperoleh
m1m24 -2 (m1 + m2)2 + 22(1-cos ka) = 0. (4.19)
Untuk mendapatkan hasil yang eksak, diambil harga-harga istimewa dari ka dalam
syarat batas periodik. Pada ka yang relatif kecil berlaku cos ka  1- k2a2/2 + ...... , sehingga
kedua akarnya berharga
2  2 [1/m1 + 1/m2] (cabang optik) (4.20)
2   / [2 (m1 + m2)] k2 a2 (cabang akustik) (4.21)
sedangkan untuk ka =   kedua akarnya berharga
2 = 2/m1; 2 = 2/m2 (4.22)

Bentuk grafik relasinya diperlihatkan pada gambar 4.6:


Terlihat adaya dua lengkungan dispersi atau adanya dua cabang yaitu cabang optik

 2 2
dan cabang akustik. Daerah frekuensi pada k = antara dan disebut “gap”
2a m2 m1

atau daerah larangan yang artinya dalam keadaan demikian kekisi tidak dapat meneruskan
gelombang (gelombang terpadamkan). Perbedaan cabang optik dan cabang akustik dapat
dijelaskan pada daerak k0 atau >>. Uraikanlah perbedaan tersebut dengan mengambil
harga k=0?
42

1
  1 1  2
2  + 
  m1 m 2 
(k)

optik
2
m2
frekuensi terlarang

2
m1

akustik

k
− 
2a 2a

Gambar 4.6 Grafik Relasi Dispersi Kekisi Dwiatom

Generalisasi untuk Kristal 3-D


Perluasan persamaan gerak untuk koordinat umum 3-D menjadi lebih kompleks.
Kita bahas detailnya secara kualitatif dengan mengabaikan penyelesaian secara matematis.
Logikanya kita kembangkan dari solusi dalam kasus 1 dimensi.
Persamaan gerak kekisi bravais monoatomik yang setiap sel satuannya hanya terdiri
dari satu atom dapat dirumuskan seperti halnya pada persamaan (4.5). Dengan bentuk
penyelesaian umum persamaan gelombang 3-D untuk gelombang datar:
u s (rs ) = Ae i (k..rs −t ) (4.23)

dengan k merupakan arah penjalaran gelombang dan rs adalah posisi vektor atom ke-s.
Vektor A merupakan amplitudo yang mempunyai arah sama dengan arah vibrasi
atom. Sehingga vektor ini bila dipolarisasikan akan menjadi gelombang longitudinal untuk
A sejajar dengan k, atau gelombang transversal untuk A tegak lurus k. Jadi akan ada 1
gelombang longitudinal dan 2 gelombang transversal dalam vibrasi kekisi 3-D.
Bila kita substitusikan persamaan 4.23 dalam persamaan geraknya, maka akan
didapatkan 3 persamaan simultan yang melibatkan Ax, Ay dan Az sebagai komponen A.
Persamaan-persamaan tersebut dapat ditulikan dalam persamaan sekuler dalam bentuk
43

matriks yang analog seperti persamaan (4.18) dengan matriks 3x3. Akar-akar persamaan
ini menghasilkan tiga relasi dispersi yang berbeda seperti gambar 4.7. Ketiga cabang
dimulai dari titik asal nol, yang mengindikasikan bahwa semuanya merupakan cabang
akustik. Sehingga dalam vibrasi kekisi monoatom 3-D akan ada 1 cabang longitudinal
akustik (LA) dan 2 cabang transversal akustik (TA) relasi dispersi. Prediksikan ada berapa
macam relasi dispersi dalam kekisi dwiatom 3-D. Lukiskan pula gambarnya!

(k)

LA

TA

TA

Gambar 4.7 Cabang relasi dispersi kristal monoatom 3-D

4.3 Kapasitas Termal

Atom-atom pada bahan zat padat tidaklah diam akan tetapi bergetar pada
kedudukan setimbangnya. Energi yang ditimbulkan akibat getaran tersebut sangat berperan
dalam menentukan sifat termal (kapasitas panas) zat padat khususnya untuk bahan yang
bersifat isolator non magnetik. Sedangkan kontribusi lainnya berupa konduksi elektron
terjadi pada bahan logam, dan keberaturan magnetik terjadi pada bahan magnet.
Dalam perumusannya energi dalam U zat padat merupakan fungsi temperatur T,
sedangkan kapasitas termal pada volume tetap didefinisikan sebagai:
U
Cv = (4.24)
T
Menurut hasil eksperimen Dulong-Petit Cv tidak tetap terhadap perubahan temperatur. Cv
untuk kebanyakan zat padat pada suhu tinggi (suhu kamar dan diatasnya) mendekati

3R = 5.97 kkal .
kmol 0 K
Secara fisika klasik vibrasi ini dapat dipahami dengan memperhitungkan tiga
derajat kebebasan terhadap sumbu-sumbu koordinat x, y, dan z. Energi tiap derajat
44

1 1
kebebasan adalah kT yang merupakan total energi potensial kT dan energi kinetis kT .
2 2
Sedangkan total energi dalam untuk 1 mol zat padat pada suhu T yang mengandung NA
atom adalah:
U = 3N A kT = 3RT (4.25)
Sehingga Cv = 3R . Teori klasik ini mempunyai kelemahan yaitu beberapa zat padat

ringan ternyata C v  3R , seperti: Boron ( Cv = 3.34 kal ), Berelium (


mol 0 K

C v = 3.85 kal ) dan karbon ( C v = 1.46 kal ). Gejala perubahan Cv terhadap


mol 0 K mol 0 K
temperatur dikembangkan lagi oleh Einstein dan Debye yang diuraikan dalam sub bab
berikut.

Teori Einstein
Einstein merumuskan Cv secara kuantum dengan asumsi bahwa atom-atom kristal
sebagai vibrator yang bergetar bebas satu sama lain di sekitar kedudukan setimbangnya.
Seakan-akan di dalam 1 mol terdapat NA buah atau yang bebas dan hanya terikat pada titik
setimbang tersebut.
Energi rata-rata tiap vibrator adalah:
hf
E= (4.26)
e hf / kT
−1
Sehingga total energi dalam untuk 1mol zat padat adalah:
3 N A hf
U = 3N A E =
e hf / kT − 1
sedangkan besarnya kapasitas termal atau kalor jenis:

U
2
 hf  e hf / kT
Cv = = 3R  hf / kT (4.27)
T  kT  e −1
2
( )
Pada suhu tinggi hf  kT :
hf
e hf / kT  1 +
kT
x2 x3
(karena e = 1 + x +
x
+ + ... ).
2! 3!
Dan bila disubstitusikan ke persamaan (4.26) akan menghasilkan E  kT . Untuk
pendekatan ini kita akan mendapatkan Cv  3R sebagaimana yang dihasilkan oleh Dulong-

Petit.
45

Pada suhu rendah hf  kT :

e hf / kT  1
Sehingga
E  hfe − hf / kT
dan
 hf 
U = 3N A E  3RT  e − hf / kT
 kT 
sehingga

U
2
 hf 
Cv = = 3R  e −hf / kT .
T  kT 
Oleh karena itu Cv akan mendekati nol pada suhu-suhu rendah. Dan apabila T → 0 maka
Cv mendekati nol secara eksponensial.
Teori Einstein diuji secara eksperimen oleh Nernst. Dalam eksperimen pada suhu-
suhu rendah, Nernst mendapatkan Cv tidak mendekati nol secara eksponensial melainkan
sebanding dengan pangkat tiga suhu mutlaknya (Cv ~ T3). Disinilah letak kelemahan teori
Einstein.

Cv

3R

Eksp

Einstein

Gambar 4.8 Grafik Cv terhadap perubahan temperatur model Einstein dan eksperimen

Teori Debye
Terhadap kelemahan teori Einstein, Debye berusaha memperbaiki dengan asumsi
bahwa antara titik-titik kesetimbangan atom kristal seolah-olah dihubungkan oleh pegas,
sehingga getarannya terikat oleh pegas sebagaimana yang telah dibahas dalam vibrasi
kekisi. Jadi suatu gangguan dalam arah A akan menyebabkan keseluruhan sistem bola
46

atom bergetar, aspek inilah yang terlewatkan perhatiannya oleh Einstein. Disini Debye
merumuskan panas jenis dengan memandang vibrator benar-benar bergetar di dalam suatu
rangkaian.
Rangkaian tersebut dapat bergetar secara transversal maupun secara longitudinal.
Dan dengan menganggap zat padat sebagai benda elastik kontinu, maka energinya dapat
dipandang berada di dalam gelombang elastik homogen, analog dengan gelombang
elektromagnetik dalam kotak yang mempunyai energi kuantum. Kuantum energi vibrasi
dalam zat padat ini disebut fonon dan bergerak dengan kecepatan suara.
Bila kristal mengandung sejumlah N atom, dalam koordinat 3-D maka sistem
tersebut mempunyai 3N derajat kebebasan. Osilasinya akan mempunyai 3N ragam vibrasi
yang masing-masing vibrator mempunyai frekuensi tertentu. Sehingga energi totalnya
sistem tersebut:

 E =  e
3N 3N

U = n
hf
 (4.28)
n =1 n =1
hf / kT
−1

Bentuk tersebut oleh Debye disederhanakan dengan pendekatan dari bentuk diskrit ke
dalam bentuk kontinu pada tahun 1912 sehingga menjadi bentuk integral:

 
  e
hf
U= g ( f )df (4.29)
hf / kT
− 1
0

dengan g(f) adalah rapat keadaan. Pemikiran ini didasarkan atas kenyataan bahwa ragam
frekuensi di dalam kristal sesuai dengan rambatan gelombang bunyi yang merupakan
gelombang elastik berfrekuensi rendah. Dalam hal ini panjang gelombang bunyi sangat
besar dibandingkan dengan jarak atom (  a ) . Sehingga kediskritan susunan atom dalam
kristal dapat diabaikan dan menggantikannya menjadi medium elastik yang homogen.
Untuk volume V:
1 1
g ( f ) = 4f 2 ( 3
+ 3
) (4.30)
VL VT
fD

ditentuan oleh Debye bahwa:


 g ( f )df = 3N , dengan f
0
D adalah frekuensi Debye.

Sehingga diperoleh:
4 3 1 1
f D ( 3 + 3 ) = 3N (4.31)
3 VL VT
47

Bila persamaan (4.30) dan (4.31) disubstitusikan ke persamaan (4.29), maka energi
totalnya menjadi:
 T


T4 x3
U = 9N Ak dx (4.32)
3 e x −1
0

hf hf
dengan x = dan  = D .  disini juga bermakna sebagai temperatur Debye.
kT k
Rumusan kalor jenis Debye diturunkan dari persamaan (4.32) terhadap fungsi
temperatur pada volume konstan. Besarnya:

 T


x3
Cv = 9 R4( ) 
T 1
3
dx − ( )  T (4.33)
 e −1
x
T e −1
0

 hf
Pada T tinggi maka sangat kecil dan karena x = maka x juga kecil, sehingga:
T kT
  1  1
e T  1 +  ( ) T ( ) 1
T T e −1 T 
1+ −1
T
x3 x3
e  1+ x
x
   x2
e −1 1+ x −1
x

 T  T
1 
 
x3
dan dx  x 2 dx  ( ) 3
ex −1 3 T
0 0

T 1 
C v  9 R4( ) 3 ( ) 3 − 1]  9 R( − 1)  3R
4
didapatkan
 3 T 3
yang berharga sama dengan hasil perhitungan Dulong-Petit.

  1
Pada suhu rendah →  , sehingga ( )  T dapat ditiadakan dan
T T e −1
 T 
4
 
x3 x3
dx  dx 
ex −1 ex −1 15
0 0

 4 2 4 R 3
C v  9 R4( ) 3 −
T
diperoleh ] T
 15 5 3
3
Dengan demikian teori Debye dapat membuktikan bahwa Cv sebanding dengan T pada
suhu rendah. Hasil ini sesuai dengan hasil eksperimen.
48

Cv

3R

Debye

Einstein

Gambar 4.9 Perbandingan model Einstein dan Debye


BAB

5
ELEKTRON DALAM LOGAM I
(MODEL ELEKTRON BEBAS)

Elektron ditemukan oleh JJ Thomson pada tahun 1897. Elektron bermuatan listrik
negatip dan besarnya terkuantisasi. Kristal logam digambarkan bahwa ion-ion kristal
melakukan getaran termal di sekitar kedudukan setimbangnya, sedangkan elektron bebas
melakukan gerak termal di antara ion-ion kristal.
Pada awal bab ini dijelaskan model elektron bebas. Kemudian digambarkan
bagaimana elektron membawa arus dalam medan listrik. Selanjutnya dibahas panas jenis
elektron dan prinsip larangan Pauli. Dikembangkan pula konsep tingkat Fermi dan
permukaan Fermi serta gambaran tentang konduksi listrik dan konduksi termal dalam
logam. Terakhir, dibahas pengaruh medan magnet pada gerakan elektron bebas, khususnya
tentang resonansi cyclotron dan pengukuran efek Hall.

5.1 Elektron Konduksi

Untuk memahami konsep elektron konduksi dapat ditinjau gas Na yang terdiri atas
kumpulan atom-atom bebas, masing-masing atom mempunyai 11 elektron yang
mengelilingi intinya. Sepuluh elektron berada pada struktur stabil yang mengisi kulit
pertama dan kedua (orbit Bohr) dan sebuah elektron valensi pada kulit ketiga (kulit
terluar). Elektron valensi ini berperan dalam menentukan sifat kimia Na.

Elektron 3s

inti

Gambar 5.1 Orbital 3s dalam sodium padatan yang saling tumpang tindih
51

Atom-atom Na secara bersama membentuk logam seperti ditunjukkan pada gambar


5.1, yang mana dalam keadaan padatan dua atom saling tumpang-tindih (overlap). Elektron
valensi dapat berpindah dari satu ion ke ion tetangganya, dan seterusnya. Elektron-elektron
yang bergerak ini disebut elektron valensi dalam atom bebas yang selanjutnya menjadi
elektron konduksi dalam zat. Dinamakan elektron konduksi karena elektron-elektron
tersebut membawa arus listrik ketika diberikan medan listrik luar. Elektron konduksi
berperan dalam menentukan sifat logam.
Jumlah elektron konduksi dapat dihitung dari valensi logam dan kerapatannya. Pada
Na, jumlah elektron konduksi sama dengan jumlah atomnya, demikian halnya untuk logam
nobel Cu, Ag, Au (monovalent). Pada logam divalent seperti Be, Mg, Zn dan Cd, jumlah
elektronnya dua kali jumlah atomnya. Jika kerapatan zat padat m, bilangan Avogadro NA
dan M’ adalah berat atom, maka konsentrasi atomnya adalah (m /M )NA dan konsentrasi
elektronnya (jumlah elektron per satuan volume) :
m N A
n = Zv (5.1)
M'
dengan Zv adalah valensi atom.

5.2 Gas Elektron-Bebas

Dalam model elektron-bebas, elektron konduksi diasumsikan benar-benar bebas,


kecuali karena potensial pada permukaan (gambar 5.2), yang mempunyai pengaruh
“confining” elektron ke bagian dalam spesimen. Menurut model ini, elektron konduksi
bergerak di sekitar bagian dalam spesimen tanpa tumbukan, kecuali kadang-kadang
mengalami pemantulan pada permukaan, seperti halnya molekul-molekul dalam gas ideal.
Oleh karena itu dikatakan sebagai gas elektron-bebas. Interaksi antar elektron konduksi
tersebut adalah lemah.
V

Logam Vakum

x
0
Gambar 5.2 Potensial dalam model elektron bebas
52

5.3 Konduktivitas Listrik

Konduksi listrik dalam logam berkaitan dengan hukum Ohm


I = V/R (5.2)
dengan I adalah arus, V perbedaan potensial dan R hambatan kawat. Hukum Ohm dapat
dinyatakan dalam bentuk yang tidak bergantung pada panjang (L) dan penampang (A)
kawat.
L
J =
I
,  =
V
dan R= (5.3)
A L A
dengan J adalah rapat arus (arus per satuan luas),  medan listrik dan  resistivitas listrik.
Kebalikan dari resistivitas disebut konduktivitas (  ).
1
 = (5.4)

Substitusi (5.3) dan (5.4) dalam (5.2) didapatkan
J = (5.5)
adalah bentuk hukum Ohm yang akan digunakan dalam pembahasan selanjutnya.
Arus listrik ditimbulkan karena gerakan elektron konduksi di bawah pengaruh
medan. Elektron konduksilah yang menimbulkan arus karena ion-ion terletak dan
bervibrasi di sekitar titik tempat kekisi. Jumlah total translasinya nol, dan oleh karenanya
ion-ion tidak menyumbangkan arus. Tinjau gerakan sebuah elektron konduksi dalam
medan listrik. Medan mendesak elektron dengan suatu gaya -e. Terdapat pula gaya
gesekan karena tumbukan elektron dengan medium yang diam. Kita asumsikan gaya
gesekan ini mempunyai bentuk – m*v/, dengan v adalah kecepatan elektron dan 
konstanta yang dinamakan “waktu tumbukan”. Dengan menggunakan hukum Newton, kita
dapatkan
dv v
m* = − e − m * (5.6)
dt 
m* adalah massa efektif elektron. Dapat kita lihat bahwa efek tumbukan ini seperti halnya
dalam gaya gesekan atau gaya viskous, yaitu cenderung mengurangi kecepatan hingga nol.
dv
Pada solusi steady-state dimana = 0 akan diperoleh
dt
e
v=−  (5.7)
m
53

v adalah kecepatan steady-state elektron, berlawanan dengan . karena muatan elektron


negatip
Kecepatan elektron dapat dibedakan menjadi dua. Kecepatan elektron pada
persamaan (5.7) disebut kecepatan hanyut (drift velocity). Sedangkan kecepatan atau
kelajuan yang lebih tinggi karena gerak random elektron dinamakan kecepatan random
(random velocity). Pada gas umum, elektron mempunyai gerak random ketika tanpa medan
listrik. Hal ini dikarenakan pada kenyataannya elektron senantiasa bergerak disekitarnya
dan kadang-kadang terhambur sehingga berubah arahnya. Gerak random tidak
menyumbang arus, walaupun terdapat medan listrik. Perbedaan antara gerak random dan
hanyut elektron ditunjukkan pada gambar 5.3. Keduanya dinyatakan sebagai vr dan vd
dimana vd <vr.

Drifting .
electrons
(a) (b)

Gambar 5.3 (a) Medan listrik diberikan pada kawat logam. (b) Gerak random
vs gerak hanyut elektron. Lingkaran merepresentasikan pusat-
pusat hamburan

Rapat arus dapat dihitung dari (5.7). Oleh karena muatan persatuan volume (- ne) dan
masing-masing elektron mempunyai kecepatan hanyut seperti (5.7), selanjutnya jumlah
muatan yang mengalir per satuan luas per satuan waktu adalah:

 e  ne 
2
J = ( − ne) vd = ( − ne)  −    =   (5.8)
 m  m
Arus searah dengan medan. Bandingkan (5.8) dengan hukum Ohm (5.5) akan diperoleh
konduktivitas yang dinyatakan :
ne 2
 = (5.9)
m
Tampak bahwa konduktivitas bertambah ketika n makin besar, karena pada saat N atau
konsentrasinya bertambah akan terdapat pembawa arus yang lebih besar.  adalah waktu
54

antara dua tumbukan berurutan (free lifetime) atau disebut juga waktu relaksasi (relaxation
time). Jika  adalah waktu antara dua tumbukan berurutan, dapat ditulis pula
l
 = (5.10)
vr
dengan l adalah jarak dua tumbukan berurutan dan vr adalah kecepatan random, sehingga
ne 2 l
 =  (5.11)
m vr

5.4 Pengaruh Temperatur pada Resistivitas

Konduktivitas listrik logam bervariasi terhadap temperatur. Variasi ini biasanya


dinyatakan dalam  sebagai fungsi T. Gambar 5.4 menunjukkan kurva pengamatan untuk
Na. Pada T  0K,  mempunyai nilai konstan yang rendah; sedangkan pada temperatur
lebih tinggi  bertambah. Pada awalnya pertambahannya secara perlahan tetapi kemudian
bertambah secara linier dengan T. Perilaku linier tersebut berlangsung hingga temperatur
mencapai titik lelehnya.

 10-2  10-2
 (T)/ , 290oK)

 (T)/ , 290oK)

5 21

3 14

2
7
1

0 6 10 14 18 22 0 20 40 60 80 100
o o
T, K T, K

(a) (b)

Gambar 5.4 Resistivitas  (T) /  (290K) sebagai fungsi T untuk Na pada daerah temperatur
rendah (a) dan pada temperatur tinggi (b).  (290K)  2,10 x 10-8 ohm-m.

Karena  =  -1, dengan menggunakan (5.9) dapat dituliskan


m 1
= 2 (5.12)
ne 
55

Pada kenyataannya 1/ adalah probabilitas elektron terhambur per satuan waktu. Misal,
 = 10-14 s, artinya 1014 elektron mengalami tumbukan dalam setiap detiknya.
Elektron mengalami tumbukan karena adanya ketidak-sempurnaan kekisi kristal logam.
Dalam hal ini ketidak-sempurnaan kekisi dapat diklasifikasikan menjadi dua, yaitu:
a) Vibrasi kekisi (fonon) dari ion-ion disekitar posisi kesetimbangannya karena eksitasi
termal ion-ion.
b) Ketidak-sempurnaan statik, seperti adanya ketakmurnian atau cacat kristal. Sebagai
contoh dipilih ketakmurnian. Probabilitas elektron yang terhambur oleh fonon dan
ketakmurnian ditambahkan, yang mana dua mekanisme tersebut diasumsikan saling
bebas. Oleh karenanya dapat dituliskan
1 1 1
= + (5.13)
  ph i
yang mana suku pertama pada sisi kanan adalah fonon dan suku kedua karena
ketakmurnian (impurity). Substitusi (5.13) dalam (5,12) diperoleh
m 1 m 1
 =  i +  ph (T ) = + (5.14)
ne2  i ne2  ph

 terbagi dalam dua suku, yaitu i karena hamburan oleh ketakmurnian (yang tidak
bergantung T ) disebut resistivitas residual, sedangkan ph(T) karena hamburan oleh
fonon besarnya bergantung temperatur dan disebut resistivitas ideal, merupakan
resistivitas spesimen murni.
Pada temperatur rendah, hamburan oleh fonon diabaikan karena amplitudo osilasi
sangat kecil; ph → , ph → 0 dan oleh karenanya  = i konstan. Kondisi ini sesuai
dengan gambar 5.4. Pada saat T bertambah, hamburan oleh fonon menjadi lebih efektif,
dan ph(T) bertambah, demikian pula  bertambah. Ketika T menjadi cukup besar,
hamburan oleh fonon menjadi dominan dan  = ph(T). Pada temperatur tinggi, ph(T)
bertambah secara linier terhadap T dan sesuai dengan gambar 5.4. Pernyataan dimana 
terbagi dalam dua suku, yaitu i tidak bergantung T dan ph(T) bergantung temperatur
dikenal dengan hukum Matthiessen seperti dinyatakan pada (5.14).
Selanjutnya akan dibahas hubungan antara i dengan konsentrasi ketakmurnian Ni.
Untuk menjelaskan hubungan tersebut digunakan teori kinetik gas dengan asumsi bahwa
tumbukan yang terjadi serupa dengan bola keras. Pertama, tinjau tumbukan antara elektron
dengan ketakmurnian. Dari (5.11) dapat dituliskan
56

li
i = (5.15)
vr
dengan li adalah mean free part untuk tumbukan dengan ketakmurnian. Jika penampang
lintang hamburan ketamurnian adalah i yang merupakan luasan atom ketakmurnian,
kemudian menggunakan argumen dari teori kinetik gas, dapat dituliskan
li  i ni = 1

1
atau li = (5.16)
ni  i

Substitusi (5.15) dan (5.16) dalam (5.14) dapat ditentukan besarnya i. Dapat dilihat bahwa
i sebanding dengan ni (konsentrasi ketakmurnian).
Perhitungan ph lebih sulit, tetapi persamaan serupa (5.15) dan (5.16) masih
memenuhi, yang dapat dituliskan
1
l ph = (5.17)
nion  ion

dengan Nion adalah konsentrasi ion logam dalam kekisi dan ion adalah penampang lintang
hamburan per ion. ion tidak ada hubungannya dengan geometri penampang lintang ion.
Jika jarak deviasi dari kesetimbangannya x, maka rerata penampang lintang hamburan
sekitar
 ion    x 2  (5.18)

dengan  x 2  adalah rerata dari x2 . Nilai  x 2  dapat diperkirakan sebagai berikut. Jika
ion merupakan sebuah osilator harmonik (telah dibahas pada bab sebelumnya), rerata
energi potensial sama dengan setengah energi totalnya :
1 
k  x 2  =  E  =  / kT (5.19)
2 e −1

yang mana kita menggunakan formula dari energi kuantum osilator. Frekuensi  adalah
frekuensi Einstein atau Debey. Jika temperatur Debey  sehingga  = k dan apabila ini
disubstitusikan dalam (5.14) dapat dituliskan
   1
 ph (T ) =    / T (5.20)
 k M e −1
dimana M adalam massa ion. Untuk T  , dapat dituliskan
 2 T
 ph (T ) = (5.21)
k M 
57

tampak linier terhadap T dan sesuai dengan hasil eksperimen.


Pada temperatur rendah, pers (5.20) memperkirakan bahwa ph(T) akan berkurang
secara eksponensial sebagai e-/T. Akan tetapi pada kenyataannya teramati berkurang
sebagai T 5. Alasan ketidak-sesuaian ini karena menggunakan model Eisntein, yang mana
gerak ion-ion tetangganya diperlakukan saling bebas. Ketika hubungan antara gerak ionik
5
diperhitungkan seperti dalam teori vibrasi kekisi Debey, diperoleh hubungan T yang
sesuai dengan hasil pengamatan.

5.5 Kapasitas Panas Elektron Konduksi

Dalam model elektron-bebas, elektron konduksi diperlakukan sebagai partikel bebas


yang mematuhi hukum mekanika klasik, elektromagnetik, dan mekanika statistik. Dari
pembahasan sebelumnya tampak adanya kesulitan dalam perlakuan tumbukan dalam
model ini, dan juga bagaimana seharusnya menambahkan konsep kuantum agar supaya
model tersebut tetap dipertahankan. Kesulitan lainnya timbul dalam hubungannya dengan
kapasitas panas elektron konduksi.
Besarnya kapasitas panas per mol untuk elektron konduksi pada model Drude –
Lorentz dapat dihitung sebagai berikut. Dari teori kinetik gas diketahui bahwa partikel
bebas dalam kesetimbangan pada temperatur T mempunyai rerata energi 3/2 kT. Rerata
energi per mol adalah
3  3
 E = NA  kT  = RT (5.22)
2  2

dengan NA adalah bilangan Avogadro dan R = NA k.


Kapasitas panas elektron Ce = E / T . Karena itu

3
Ce = R  3 kal/mol K (5.23)
2

Kapasitas panas total dalam logam, termasuk fonon, kemudian dapat dituliskan
C = Cph + Ce (5.24)
Yang pada temperatur tingggi, mempunyai nilai
3
C = 3R + R = 4,5 R  9 kal/mol K (4.25)
2

Eksperimen pada kapasitas panas dalam logam menunjukkan bahwa C adalah sangat
mendekati 3R pada T tinggi, seperti untul kasus insulator. Pengukuran akurat dalam mana
kontribusi elektron pada kapasitas panas total menunjukkan bahwa Ce lebih rendah dari
58

nilai klasikal 3/2 R dengan faktor sekitar 10-2. Untuk menjelaskan ketidak-cocokan ini,
selanjutnya digunakan konsep kuantum.

Energi elektron dalam logam adalah terkuantisasi menurut mekanika kuantum.


Gambar 5.5(a) menunjukkan tingkat energi kuantum. Elektron dalam logam menempati
tingkat-tingkat energi tersebut menurut prinsip kuantum yaitu prinsip larangan Pauli (Pauli
exclusion principle), yang mana tingkat-tingkat energi dapat mengakomodasi paling
banyak dua elektron, satu dengan spin up dan lainnya dengan spin down. Kemudian dalam
pengisian tingkat energi, dua elektron menempati tingkat terendah, dua lebihnya pada
tingkat berikutnya, dan seterusnya hingga semua elektron dalam logam terakomodasi
seperti ditunjukkan dalam gambar 5.5(a). Energi tingkat tertinggi yang ditempati
dinamakan tingkat energi Fermi (Fermi energy level) atau singkatnya tingkat Fermi
(Fermi level) saja. Perhitungan tingkat Fermi akan dilakukan pada sub-bab berikutnya.
Nilai energi Fermi dalam logam sekitar 5 eV.
Situasi yang digambarkan berlaku dalam logam pada T = 0K. Ketika temperatur
sangat rendah, sistem elektron mempunyai banyak jumlah energi berdasarkan prinsip
larangan Pauli. Seandainya tidak ada prinsip larangan tersebut, semua elektron akan masuk
dalam tingkat terendah, dan total energi sistem akan diabaikan. Hal ini sesuai dengan
pernyataan dalam mekanika klasik, bahwa saat T → 0K semua gerak berhenti, dan
energinya lenyap. Pernyataan ini jelas tidak dapat diterapkan pada elektron konduksi.

F(E)

1 T = 0oK

EF

T  0oK

0 E
EF

(a) (b)

Gambar 5.5 (a) Penempatan tingkat energi menurut prinsip larangan Pauli. (b)
Fungsi distribusi f(E) sebagai fungsi E, pada T = 0K dan T  0K.
59

Distribusi elektron diantara tingkat-tingkat energi biasanya digambarkan oleh fungsi


distribusi, f(E), yang didefinisikan sebagai probabilitas bahwa tingkat energi E ditempati
oleh elektron. Kemudian jika suatu tingkat energi dengan pasti tidak ditempati elektron,
f(E) = 0, dan apabila dengan pasti terisi penuh, f(E) = 1. Pada umumnya, f(E) mempunyai
nilai antara nol dan satu.
Sesuai dengan pembahasan sebelumnya, fungsi distribusi untuk elektron pada T=
0K dapat dituliskan dalam bentuk
1, E  EF
f (E) =  (5.26)
0, EF  E

semua tingkat energi di bawah EF terisi secara sempurna, dan semua tingkat di atas EF
benar-benar kosong. Fungsi ini diplot pada gambar 5.5(b), yang menunjukkan adanya
diskonstinuitas pada energi Fermi.
Ketika sistem dipanasi (T  0K), energi termal mengeksitasi elektron. Tetapi energi
ini tidak terbagi sama untuk semua elektron, seperti halnya dalam kasus klasik, karena
elektron terletak di bawah tingkat Fermi EF tidak dapat menyerap energi. Jika elektron
menyerap energi, mereka akan berpindah ke tingkat lebih tinggi yang siap ditempati, dan
disini prinsip larangan Pauli dilanggar. Energi yang diserap elektron secara termal adalah
berorder kT (= 0,025 eV pada temperatur ruang), yang jauh lebih rendah dari EF yang
berorder 5 eV. Oleh karena itu hanya elektron dekat dengan tingkat Fermi yang dapat
tereksitasi, karena tingkat di atas EF adalah kosong, dan ketika elektron berpindah ke
tingkat lebih tinggi tidak ada pelanggaran prinsip larangan. Jadi hanya sebagian kecil
elektron yang mampu tereksitasi secara termal, dan ini dapat menjelaskan panas jenis
(kapasitas panas) listrik pada logam yang nilainya rendah.
Fungsi distribusi f(E) pada temperatur T  0  K diberikan oleh
1
f (E) = ( E − E F ) / kT
(5.27)
e +1
dikenal dengan distribusi Fermi-Durac. Fungsi ini juga diplot dalam gambar 5.5(b), yang
menunjukkan bahwa secara substansi sama seperti distribusi pada T = 0K, kecuali ketika
sangat dekat dengan tingkat Fermi, dimana beberapa elektron tereksitasi dari bawah EF
pindah di atas EF. Bagaimana kalau energinya di atas EF ?
Fungsi distribusi (5.27) dapat digunakan untuk menghitung energi termal dan
kapasitas panas elektron, tetapi merupakan pekerjaan yang rumit, sebagai gantinya dicari
pendekatan yang baik dengan rumusan matematika yang minim. Apabila hanya elektron
60

dalam daerah kT dari tingkat Fermi yang tereksitasi, kita dapat simpulkan bahwa hanya
sebagian kT/EF dari elektron yang dipengaruhi. Oleh karena itu jumlah elektron yang
tereksitasi per mol sekitar NA(kT/EF), dan masing-masing elektron menyerap energi kT,
selanjutnya bahwa energi termal per mol diberikan secara pendekatan dengan
N A (kT ) 2
E = (5.28)
EF

dan panas jenis Ce = E / t adalah

kT
Ce = 2 R (5.29)
EF
Kita lihat bahwa panas jenis elektron berkurang dari nilai menurut pandangan klasik, yang
berorder R, dengan faktor kT/EF. Untuk EF = 5 eV dan T = 300K, faktor tersebut adalah
1/200, merupakan pengurangan yang cukup besar bila dibandingkan dengan eksperimen.
Selanjutnya temperatur Fermi TF, yang kadang-kadang digunakan dalam konteks
ini, didefinisikan EF = kTF, dan panas jenis dapat dituliskan sebagai
T
Ce = 2 R
TF

Besarnya TF berkaitan dengan EF = 5 eV adalah 60.000K. Jadi agar supaya panas jenis
elektron dalam zat padat sesuai nilai klasik, zat padat harus dipanaskan hingga temperatur
setara dengan TF. Tetapi ini tidak mungkin terjadi karena zat padat akan meleleh dan
menguap. Pada semua temperatur praktis, panas jenis elektron jauh di bawah nilai klasik.
Kesimpulan lain yang menarik dari (5.29) adalah bahwa kapasitas panas elektron Ce
merupakan fungsi linier dari temperatur. Ini tidak seperti kapasitas panas kekisi CL, yang
konstan pada temperatur tinggi, dan sebanding dengan T 3 pada temperatur rendah.
Perhitungan yang teliti dari kapasitas panas elektronik menghasilkan nilai
2 kT
Ce = R (5.30)
2 EF
yang dengan jelas ordenya sama besar dengan persamaan (5.29).

5.6 Permukaan Fermi

Elektron dalam logam bergerak dalam keadaan random, karena itu elektron
dipandang sebagai partikel bebas, energi elektron sepenuhnya berupa energi kinetik dan
dituliskan
61

1
E = m•v 2
2

dengan v adalah laju partikel. Sekarang kita masukkan konsep ruang kecepatan (velocity
space), dengan sumbu koordinat vx, vy dan vz. Masing-masing titik dalam ruang
merepresentasikan kecepatan unik, baik besar maupun arahnya.
Pandang elektron konduksi dalam ruang kecepatan. Elektron ini mempunyai
kecepatan yang berbeda, dan karena kecepatan ini random, titik-titik mewakili elektron
mengisi ruang secara merata seperti ditunjukkan gambar 5.6. Sebagai catatan bahwa, di
bagian luar bola semua titik-titik kosong. Radius bola ini adalah kecepatan Fermi vF, yang
berkaitan dengan energi Fermi dengan hubungan
1
E= m • v F2 (5.31)
2

vy
Bola Permukaan
Fermi Fermi

vx
0

Gambar 5.6 Permukaan Fermi dan bola Fermi

Alasan mengapa semua titik-titik di luar bola kosong adalah bahwa mereka berkaitan
dengan energi yang lebih besar dari EF, yang tidak ditempatinya pada T = 0K, seperti
telah dibahas pada sub bab 5.5. Semua titik-titik dalam bola penuh dengan sempurna. Bola
ini diketahui sebagai bola Fermi (Fermi sphere), dan permukaannya sebagai permukaan
Fermi.
Permukaan Fermi sangat penting dalam membahas fenomena zat padat, contohnya
pada sifat transport tidak cukup besar dipengaruhi oleh temperatur. Ketika temperatur
ditingkatkan, relatif hanya beberapa elektron tereksitasi dari dalam keluar permukaan
Fermi, dan ini mempunyai pengaruh yang kecil. Selanjutnya permukaan Fermi adalah
bebas, permanen dan diharapkan seperti karakteristik dari logam yang nyata.
Nilai energi Fermi ditentukan utamanya oleh konsentrasi elektron. Pada konsentrasi
elektron maksimum, tingkat energi tertinggi diperlukan untuk mengakomodasi semua
62

elektron (didasarkan gambar 5.5), dan EF mempunyai nilai yang tinggi. Besarnya EF
dituliskan (akan dibahas pada bab berikutnya):
2
EF = (3 2 n) 2 / 3 (5.32)
2m 
Jika nilai n = 1028 m-3 disubstitusikan akan menghasilkan nilai EF ~ 5 eV, sesuai dengan
pernyataan sebelumnya.

5.7 Konduktivitas Listrik

Konduktivitas listrik pada subbab 5.3 telah dibahas dengan landasan teori klasik.
Bagaimana jika dihitung dengan menggunakan permukaan Fermi ? Tinjau gambar 5.7,
pada saat tanpa medan listrik, bola Fermi berpusat pada titik pusat koordinat (gambar
5.7a). Elektron semuanya bergerak random sehingga sistem dalam keadaan nol, karena
untuk setiap elektron bergerak dengan kecepatan v, terdapat elektron lain yang
kecepatannya – v sehingga jumlah dua arus tersebut adalah nol. Selanjutnya arus total
diabaikan karena arus elektron saling meniadakan.

vy vy

Pergeseran
Bola Fermi

vx vx
0 0

(a) (b)

Gambar 5.7 (a) Bola Fermi dalam kondisi setimbang. (b) Pergeseran bola Fermi
karena medan listrik

Kondisinya berubah ketika diberikan medan listrik luar. Jika medan listrik dalam
arah-x positip, masing-masing elektron mempunyai kecepatan hanyut vd = -(e/m*),
seperti diberikan pada (5.7). Bola Fermi bergeser ke arah kiri seperti ditunjukkan gambar
5.7(b). Walaupun pergeserannya sangat kecil, dan kebanyakan elektron masih saling
meniadakan satu sama lain, namun terdapat daerah yang tetap tidak netral yaitu daerah
63

bulan sabit berbayang dalam gambar. Elektron dalam daerah tersebut yang menghasilkan
arus.
Marilah kita tinjau besarnya rapat arus. Sebagian elektron yang tetap tak-terimbangi
secara pendekatan adalah vd / vF. Konsentrasi elektron ini adalah N(vd / vF), dan karena
masing-masing elektron kecepatannya mendekati – vF, rapat arus diberikan oleh
J  − en(vd / vF )(−vF ) = N e vd

substitusi vd = − (e / m ) diperoleh

n e 2 F
J = 
m
dengan F adalah waktu tumbukan elektron dengan bola Fermi. Selanjutnya diperoleh
konduktivitas listrik:
n e 2 F
 = (5.33)
m*
persis sama seperti hasil yang diperoleh secara klasik, kecuali bahwa  diganti dengan F.
Ekspansi persamaan (5.33), yang hanya merupakan penurunan secara aproksimasi, dapat
dikuatkan dengan analisis statistik yang lebih luas dan akurat.
Gambaran nyata dari konduksi listrik cukup berbeda dari klasik seperti yang telah
dibahas pada subbab 5.4, yang diasumsikan bahwa arus dibawa sama oleh semua elektron,
masing-masing bergerak dengan kecepatan vd sangat kecil. Arus dalam kenyataannya,
dibawa oleh hanya beberapa elektron, semua bergerak dengan kecepatan tinggi. Kedua
pendekatan menghasilkan hasil sama, tetapi yang terakhir lebih akurat. Ini dapat dilihat
dari kenyataan bahwa hanya terdapat parameter waktu tumbukan untuk elektron pada
permukaan Fermi, F, nampak dalam persamaan (5.32) untuk .
Jika kita substitusikan F = lF/vF dalam (5.32), akan diperoleh
n e 2 lF
 = *
m vF
Kuantitas pada sisi kanan yang bergantung pada temperatur adalah mean free part lF. Jika
lF ~ 1/T pada temperatur tunggi, seperti kita lihat pada subbab 5.5, selanjutnya  ~ 1/T atau
 ~ T, sesuai dengan yang telah dibahas sebelumnya untuk resistivitas listrik.
Pentingnya permukaan Fermi dalam fenomena transport sekarang tampak jelas.
Ketika arus dibawa oleh elektron terletak dekat permukaan Fermi, fenomena ini sangat
peka pada sifat, bentuk dan lainnya dari permukaan ini. Elektron bagian dalam tidak
relevan dengan proses konduksi yang dibahas. Pada dasarnya jawaban sama diperoleh
64

secara klasik seperti mekanika kuantum (dengan menyesuaikan yang tepat waktu
tumbukan), mendorong kita untuk menggunakan prosedur kasik yang sederhana.
5.8 Konduktivitas Termal dalam Logam

Ketika ujung-ujung kawat logam berbeda temperatur, panas mengalir dari ujung
yang panas ke dingin. Eksperimen dasar menyatakan bahwa arus panas Q yaitu jumlah
energi termal persatuan luas persatuan waktu adalah sebanding dengan gradien temperatur,
dT
Q = −K
dx
dengan K adalah konduktifitas termal. Pada insulator, panas sepenuhnya dibawa oleh
fonon, tetapi dalam logam panas mungkin diangkut oleh keduanya elektron dan fonon.
Konduktivitas K oleh karenanya sama dengan penjumlahan dua kontribusi tersebut.
K = Ke + Kph
Dimana Ke dan Kph didasarkan pada elektron dan fonon. Pada logam, kontribusi elektron
sangat melebihi dari fonon, karena konsentrasi elektron tinggi, besarnya Kph~10-2 Ke.
Selanjutnya konduktivitas fonon dapat diabaikan dalam sub-bahasan berikut ini.
Proses fisika dari konduksi panas yang dilakukan elektron diilustrasikan pada
gambar 5.8. Elektron pada ujung panas (sebelah kiri) berjalan dalam semua arah, tetapi
sebagian tertentu berjalan kekanan dan membawa energi menuju ujung dingin. Dengan
cara serupa, sebagian elektron tertentu pada ujung dingin (sebelah kanan) berjalan ke kiri,
dan membawa energi ke ujung panas. Arus elektron dalam arah yang berlawanan besarnya
sama tetapi karena pada ujung panas energi lebih tinggi dibanding reratanya pada sebelah
kanan, maka total energi diangkut hampir sepenuhnya oleh elektron dekat tingkat Fermi,
karena di bawah tingkat tersebut kontribusinya saling meniadakan satu sama lainnya.
Tampak bahwa elektron pada permukaan Fermi mempunyai peran penting dalam
fenomena transport.

T2 T2  T1 T1

EF

Gambar 5.8 Dasar fisika untuk konduktivitas termal. Elektron


pada sisi kiri membawa energi ke arah kanan
65

Besarnya konduktivitas K dapat dituliskan


1   2 nk 2T 
K =   vF lF
3  2 E F 

dengan catatan bahwa


1  2
EF = m vF
2
dan bahwa lF/vF = F, selanjutnya dapat disederhanakan untuk K
 2 nk 2T  F
K= (5.34)
3m 
Susbtitusi nilai-nilai parameter listrik didapatkan K ~ 50 cal/mK.s. Tabel 5.1 memberikan
nilai pengukuran dari K untuk beberapa logam dan menunjukkan adanya kesesuaian antara
teori dan eksperimen.
Jika  = ne2F/m*, rasio K/T diberikan oleh

1  k 
2

L=   (5.35)
3 e 
dengan L adalah bilangan Lorentz, karena ia hanya bergantung pada konstanta
universal k dan e, sehingga sama untuk semua logam. Nilai numeriknya adalah 5,8 x 10-9
cal-ohm/sK2. Kesimpulan ini dipercayai bahwa konduktivitas listrik dan termal
berhubungan erat, karena baik arus listrik maupun arus termal keduanya dibawa oleh
elektron. Tabel 5.1 menunjukkan daftar bilangan Lorentz untuk logam berbeda. dan
tampak mendekati nilai yang diperkirakan.

Tabel 5.1 Konduksi termal dan Bilangan Lorentz (temperatur kamar)

Unsur Na Cu Ag Au Al Cd Ni Fe
K, cal/m K-s 33 94 100 71 50 24 14 16
L, cal-ohm/s-K 52x10-9 5.4 5,6 5,9 4,7 6,3 3,7 5,5

5.9 Gerak dalam Medan Magnet

Resonansi cyclotron
Gambar 5.9 mengilustrasikan fenomena resonansi cyclotron. Medan magnet
diberikan pada lembaran logam yang menyebabkan elektron bergerak melingkar
berlawanan arah jarum jam pada bidang normal tegak lurus medan magnet.
66

Frekuensi gerak cyclotron, dinamakan sebagai frekuensi cyclotron,


eB
wc = (5.36)
m
Jika disubstitusikan nilai massa elektron bebas, diperoleh
c
c = = 2,8 B GHz
2
dengan B dalam kilogauss. Misal B = 1 kG, frekuensi cyclotron adalah  c = 2,8 GHz, yang

merupakan frekuensi pada daerah gelombang mikro.


elektron

B

Sinyal c

Gambar 5.9 (a) Gerak cyclotron , (b) Koefesien absorpsi sebagai fungsi 

Andaikan sinyal elektromagnetik melewati lembaran logam dalam arah sejajar B


seperti tampak pada gambar. Medan listrik dari sinyal bekerja pada elektron, dan beberapa
energi dalam sinyal terserap. Laju penyerapan terbesar ketika frekuensi sinyal sama dengan
frekuensi cyclotron:
 = c (5.37)
Hal ini terjadi karena pada kondisi tersebut masing-masing elektron bergerak selaras
dengan seluruh gelombang putar, dan oleh karena itu penyerapan berlangsung terus
melalui lingkaran. Persamaan (5.37) berlaku untuk kondisi resonansi cyclotron. Pada sisi
lain, ketika persamaan (5.37) tidak terpenuhi, elektron dalam fase gelombang hanya
melalui sebagian lingkaran, dan selama waktu tersebut elektron menyerap energi dari
gelombang. Pada sisa lintasan lingkaran, elektron keluar fase dan mengembalikan energi
pada gelombang. Bentuk kurva penyerapan atau absorpsi sebagai fungsi frekuensi
ditunjukkan pada gambar 5.9(b).
67

Resonansi cyclotron biasanya digunakan untuk mengukur massa elektron dalam


logam dan semikonduktor. Frekuensi cyclotron ditentukan dari kurva absopsi dan nilai
tersebut disubstitusikan pada (5.36) untuk menghitung massa efektif. Akurasi m*
bergantung pada akurasi e dan B.

Efek Hall
Efek Hall merupakan suatu cara pengukuran eksperimental sifat listrik yang
dilaporkan oleh E.H. Hall (1879). Dalam membahas efek Hall digunakan pendekatan
sederhana menurut model elektron bebas klasik.
Pada balok (gambar 5.10) bekerja dua medan luar yang saling tegak lurus, yaitu kuat
medan listrik x dengan arah sumbu-x, dan medan induksi magnetik Bz dalam arah sumbu-

z. Karena pengaruh medan x, akan ada arus listrik Ix yang searah dengan x. Andaikan
bahwa elektron merupakan pembawa arus, maka pengaruh medan Bz akan menyebabkan
elektron melalui lintasan tidak dalam arah vx, akan terjadi melengkung ke bawah. Elektron
akan berkumpul di bagian bawah balok logam. Dengan demikian terciptalah medan listrik
karena tumpukan elektron di bagian bawah, dan kekurangan elektron di bagian sebelah
atas balok. Kondisi ini menimbulkan medan listrik y. Apabila keadaan sudah stasioner y

berharga tetap dan elektron bergerak dalam arah vx. Medan listrik y inilah yang diukur
dan kemudian memberikan informasi mengenai elektron konduksi di dalam logam.

x
+++++++++++++++++++
y
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - vx

Bz

Gambar 5.10 Medan Hall dan Efek Hall

Besarnya gaya yang dialami pada elektron adalah :


F=-e[+vxB]
Dalam keadaan setimbang gaya dalam arah y adalah nol, jadi :
68

Fy = 0
Fy = - ey + e vx Bz
Sehingga
y = vx Bz (5.38)
Besar rapat arus adalah
Jx = - Nevx
Darimana diperoleh harga konstanta Hall
y 1
RH = =− (5.39)
J x Bz Ne
dengan N adalah konsentrasi elektron konduksi dan e adalah harga muatan elementer.
Apabila y, Jx dan Bz diketahui, maka akan diperoleh keterangan mengenai besarnya
konsentrasi elektron N. Elektron bermuatan negatip sehingga konstanta Hall berharga
negatip. Sebaliknya apabila konstanta Hall positip pembawa muatannya hole (bermuatan
positip) yang akan dibahas pada bab berikutnya. Jadi tanda dari RH menunjukkan jenis
pembawa muatannya, hal ini penting pada kasus semikonduktor. Seabagai contoh,
konstanta Hall untuk Zn dan Cd keduanya positip menunjukkan bahwa arus dalam material
tersebut pembawa muatannya adalah hole (Tabel 5.2).

Tabel 5.2 : Konstanta Hall (volt m3/amp weber pada temperatur ruang)

Li Na Cu Ag Au Zn Cd Al

-1,7 x 10-10 - 2,50 - 0,55 - 0,84 - 0,72 +0,3 +0,6 - 0,30

5.10 Pancaran Termionik

Ketika logam dipanaskan, elektron dipancarkan dari permukaannya, fenomena


tersebut dikenal sebagai pancaran termionik. Sifat ini diterapkan dalam tabung vakum,
dalam mana katoda logam dipanaskan agar supaya dapat mensuplai elektron yang
diperlukan untuk operasioanal tabung vakum.
Gambar 5.11 menunjukkan skema tingkat energi untuk elektron dalam logam
menurut model elektron-bebas. Pada T = 0K, semua tingkat terisi hingga tingkat Fermi
EF, di atasnya semua tingkat kosong. Elektron pada EF tidak dapat lepas dari logam karena
kehadiran penghalang energi pada permukaan. Tinggi dari penghalang ini ditunjukkan oleh
69

 dikenal sebagai fungsi kerja (work function). Fungsi kerja dari berbagai logam besarnya
bervariasi, pada umumnya sekitar 1,5 - 5 eV.

logam elektron
vakum

EF

Gambar 5.11 Pancaran termionik

Pada T = 0 K, tidak ada elektron yang dapat lepas dari logam. Tetapi pada saat
temperatur dinaikkan, Tingkat di atas EF mulai ditempati karena adanya transfer elektron
dari bawah EF. Ketika tingkat di atas penghalang yaitu ketika energinya lebih tinggi (EF +
 ), populasinya menjadi bertambah. Elektron dalam tingkat terakhir ini sekarang
mempunyai energi yang cukup untuk melampau penghalang, dan mereka teramati
melakukan pancaran dari permukaan.
Rapat arus untuk elektron yang dipancarkan dapat dihitung dengan menggunakan
distribusi Maxweel-Boltzman karena elektron-elektron yang terlibat dalam proses pancaran
semuanya di atas tingkat Fermi sehingga mereka dapat digambarkan sangat akurat dengan
distribusi tersebut (subbab 5.5). Besar rapat arus dinyatakan dalam persamaan :
1/ 2
 m  

 2
J x = − e n   v x e −m vx / 2 kT dvx
 2 kT  v xo


dengan v xo = 2( E F +  ) / m  
1/ 2
. Dengan melakukan integrasi selanjutnya dapat dituliskan

dalam bentuk :
J x = AT 2 e − / kT (5.40)

dengan A =m ek 2 / 2 2  3 . Nilai numerik dari A adalah 120 amp/cm2 K2. Persamaan
(5.40) dikenal sebagai persamaan Richardson-Dushman. Dari persamaan tersebut tampak
bahwa pertambahan arus bergantung pada temperatur. Ketika   kT, rapat arus
70

bertambah secara eksponensial terhadap temperatur. Tabel 5.3 memberikan fungsi kerja
dari beberapa logam yang ditentukan dari pengukuran emisi termionik.

Tabel 5.3 : Fungsi kerja berbagai logam , eV

W Ta Ni Ag Ca Pt
4,5 4,2 4.6 4.8 1.8 5,3
BAB

6
ELEKTRON DALAM LOGAM II
(PITA ENERGI DALAM ZAT PADAT)

Dalam bab sebelumnya telah dibahas tentang gerak elektron dalam zat padat,
menggunakan model elektron bebas. Model ini sangat sederhana karena potensial kristal
diabaikan. Tetapi potensial ini tidak dapat sepenuhnya diabaikan jika untuk menjelaskan
hasil eksperimen secara kuantitatif. Selain itu beberapa pengaruh tidak dapat dijelaskan
sama sekali tanpa penggunaan potensial tersebut dalam perhitungan.
Dalam bab ini dibahas pengaruh potensial kristal pada sifat elektronik zat padat.
Pembahasan di awali dengan model teori pita energi, dilanjutkan dengan model Kronig-
Penney yang menghasilkan konsep celah pita energi (bandgap) zat padat. Sebagai
konsekuensi model ini, terakhir dibahas perbedaan antara logam, insulator, semikonduktor
dan semilogam.

6.1 Model Teori Pita Energi

Teori pita energi zat padat mengandaikan (model) asumsi-asumsi sebagai berikut
tentang elektron dalam kristal;
a. Terdapat energi potensial periodik V (r )  0 di dalam kristal dengan keberkalaan kisi
kristal.
b. Fungsi gelombang Ψ (r ) dibuat berdasarkan kisi yang sempurna.
c. Teori pita energi dikembangkan sebagai teori elektron tunggal dimana ditelaah perilaku
satu elektron di bawah pengaruh potensial periodik V (r ) yang merepresentasikan
semua interaksi, baik dengan ion-ion kristal, maupun semua elektron yang lain.
d. Teori elektron tunggal, berarti dapat dipergunakan persamaan Schrodinger untuk satu
elektron:
73

2
−  2 Ψ (r ) + V (r ) Ψ (r ) = E Ψ (r ) (6.1)
2m 0

dengan ketentuan bahwa pengisian electron state yang diperoleh menganut distribusi
Fermi-Dirac.
Bloch mempelajari bentuk-bentuk solusi untuk persamaan Schrodinger elektron
yang berada dalam potensial berkala. Metode Bloch menelaah suatu kristal linier dengan
ion-ion identik yang berjarak a. Untuk elektron bebas dimana V(x)  0, fungsi
gelombangnya dituliskan :

Ψ ( x ) = e ikx (6.2)
Sehingga untuk elektron dalam potensial berkala dapat dituliskan fungsi gelombang yang
serupa sebagai berikut:

Ψ ( x ) = e ikx U k ( x ) (Teorema Bloch) (6.3)

dimana Uk(x) merupakan fungsi yang tidak berubah cepat terhadap x. Teorema Bloch ini
hanya menyatakan sifat (x), tidak menyelesaikan persamaan Schrodinger untuk elektron
dalam suatu zat padat.

6.2 Model Kronig – Penney

Model Kronig – Penney (1930) menelaah perilaku elektron dalam kristal linier
sederhana yang memberikan ciri-ciri yang pokok tentang perilaku elektron dalam potensial
periodik. V(x) mempunyai perioda (a + b), dengan perincian potensial sebagai berikut:
a) V = 0 di daerah 0  x  a
b) V = Vo di daerah – b  x  0

V(x)

ion
Vo

x
-b 0 a (a+b) (2a+b)

Gambar 6.1 Sumur potensial periodik pada model Kronig-Penney.


74

Persamaan Schrodinger untuk elektron tunggal adalah sebagai berikut:

 2 d 2Ψ
− = E Ψ ( x) , di daerah 0  x  a (6.4)
2m o dx 2

 2 d 2Ψ
− + Vo Ψ ( x) = E Ψ ( x) , di daerah – b  x  0 (6.5)
2m o dx 2

Dalam hal ini dibatasi pada solusi dengan energi E < Vo. Untuk dapat menelaah selanjutnya
kita bataskan dua besaran riil  dan  :
2 mo E 2mo (Vo − E )
2  2 dan 2  (6.6)
 2
Teorema Bloch pada (6.3) dapat diterapkan dengan solusi berbentuk :

Ψ ( x) = e ikxU k ( x)
sehingga persamaan Schrodinger di atas dapat dituliskan
d 2U k dU k
2
+ 2ik + ( 2 − k 2 ) U k = 0 ; 0xa (6.7)
dx dx

d 2U k dU k
2
+ 2ik − ( 2 − k 2 ) U k = 0 ; –b  x  0 (6.8)
dx dx

yang mempunyai solusi

U1 = A e i ( − k ) x + B e i ( + k ) x (6.9)

U 2 = C ei ( − k ) x + D ei ( + k ) x (6.10)
dengan A, B, C dan D tetapan. Tetapan tersebut harus dipilih sedemikian rupa sehingga
memenuhi syarat kontinuitas pada x = 0 :
U 1 (0) = U 2 (0) dan U 1' (0) = U 2' (0) (6.11)
dan juga memenuhi syarat batas periodik
U 1 (a) = U 2 (−b) dan U 1' (a) = U 2' (−b) (6.12)
Perangkat empat persamaan (6.9) sd (6.12) di atas memberikan solusi hanya apabila
determinan dari koefisien A, B, C dan D sama dengan nol.
Penyelesaian determinan tersebut mempersyaratkan bahwa:
 2 − 2
sinh  b sin  a + cosh  b cos a = cos k (a + b ) (6.13)
2
75

Untuk lebih sederhananya, Kronig-Penney mengambil keadaan dimana potensial


penghalang (tinggi Vo dan lebar b) merupakan fungsi , dengan Vo menuju ∞ , dan b
menuju nol, tetapi Vo b berhingga. Untuk syarat determinan sama dengan nol, menjadi
 m oV o b 
 2  sin a + cosa = cos ka (6.14)
   
 moVo b 
dengan batasan P =   , persamaan tersebut menjadi
  
2

sin a
P + cos a = cos ka (6.15)
a
secara grafis ditunjukkan pada gambar 6.2 .

P
Gambar 6.2 Sketsa dari sin a + cosa sebagai fungsi dari αa
a
(untuk P = 3/2)

Dalam grafik gambar 6.2, lengkung yang terlihat menggambarkan


P
sin a + cosa (sebagai fungsi dari αa)
a
dan pula tertera dengan garis putus-putus:
- harga maksimum yang dapat dimiliki oleh cos ka, harganya = + 1
- harga minimumnya yang dapat dimiliki oleh cos ka, harganya = -1
sehingga secara grafis dapat diperoleh daerah-daerah αa untuk mana ada solusi (daerah
diperkenankan) untuk:
P
sin a + cosa = cos ka
a
dan daerah-daerah di mana tidak ada solusinya.
76

Daerah untuk mana:


P
sin αa + cos αa = cos ka
αa
tidak mempunyai solusi, dinamakan daerah terlarang, daerah dimana persamaan
Schrodinger tidak memberikan solusi. Energi yang sesuai dengan daerah αa yang terlarang
itu, merupakan pula harga energi yang terlarang.

Dari gambar dapat ditarik kesimpulan:


a. Spektrum energi elektron terdiri dari beberapa pita energi (daerah energi) yang
diperkenankan dan beberapa yang terlarang
b. Lebar pita energi yang diperkenankan bertambah lebar dengan meningkatnya harga αa,
jadi dengan energi yang meningkat.
c. Lebar pita energi tertentu yang diperkenankan mengecil apabila P bertambah, artinya
mengecil apabila “energi ikatan” makin naik.
Apabila P → ∞ , maka hanya ada solusi apabila sin αa = 0; artinya αa =  n

 2 2
karena E= ,
2m o

 2 2
maka En = 2
n2 , (apabila P → ∞) (6.16)
2m o a
ini sama dengan energi partikel dalam bentuk kontak potensial.

Apabila P = 0, maka cos αa = cos ka, atau α = k, sehingga:

2k 2
E = , (apabila P → 0) (6.17)
2m o
ini adalah energi elektron bebas.
d. Ketidak-sinambungan dalam lengkung E = E(k) terjadi pada harga:
cos ka = 1 atau –1 (lihat grafik)
jadi artinya apabila
π
k =n ; n = 1, 2, 3 (6.18)
a
Visualisasi dari ramalan model Kronig-Penney tentang harga energi yang dapat dimiliki
elektron dalam medan potensial yang periodik, satu dimensional ditunjukkan pada gambar
6.3. Bandingkan dengan pita energi untuk elektron bebas V(x) !
77

Model Kronig-Penney telah meramalkan adanya pita-pita untuk harga energi


elektron yang bergerak dalam potensial berkala satu dimensional.

Gambar 6.3 Plot energi sebagai fungsi bilangan-gelombang untuk


potensial Kronig-Penney, dengan P = 3/2

6.3 Logam, Insulator dan Semikonduktor


Zat padat dapat diklasifikasikan berdasarkan konduktivitas listriknya dalam dua
kelas besar yaitu logam dan insulator. Logam atau konduktor adalah zat padat dalam mana
arus listrik mengalir karena medan listrik luar. Sebaliknya, medan listrik luar tidak
menghasilkan arus listrik dalam insulator. Perbedaan antara konduktor dan insulator dapat
ditinjau dari pengisian electron states dalam pita energi yang diperkenankan.
Skema energi elektron E terhadap bilangan-gelombang k, untuk model Kronig-
Penney ditujukkan pada gambar 6.4. Grafik E = E(k) tersebut digambarkan dalam skema
suatu zona tereduksi (reduzed zone scheme) dengan daerah Brillouin pertama:
 
−  k +
a+b a +b
Grafik E = E(k) tersebut memperlihatkan daerah-daerah harga energi elektron yang
diperkenankan dan daerah-daerah terlarang bagi harga energi elektron.
Daerah-daerah kerja energi yang diperkenankan sesungguhnya merupakan electron
states (eigen states) yang tersedia bagi elektron dalam kristal. Apakah electron states
78

tersebut memang dihuni oleh elektron masih bergantung dari jumlah elektron dan statistika
elektronnya. Ada dua hal dimana medan listrik luar tidak menghasilkan arus listrik netto
elektron dalam kristal, yaitu apabila (i) pita energi yang diperkenankan sama sekali tidak
dihuni oleh elektron; (ii) pita energi yang diperkenankan terisi penuh dengan elektron,
artinya semua electron states yang ada terisi dengan elektron.

E(k)

k
− /(a-b) 0 + /(a+b)

Gambar 6.4 Grafik E = E(k) digambarkan dalam skema zona tereduksi (reduzed
zone scheme) dengan daerah Brillouin pertama

Andaikan suatu pita energi yang diperkenankan, dimana setiap electron state
 
dengan −  k + terisi dengan elektron. Jika terdapat medan listrik 
a+b a +b

memberikan pengaruh pada distribusi kecepatan elektron v. Rapat arus elektron untuk pita
energi tersebut adalah
j = − no ev
dengan no adalah jumlah elektron per volume dalam pita yang bersangkutan dan v adalah
kecepatan rata-rata elektron yang besarnya adalah

v
1
v = i
no V i

dengan V adalah volume seluruh kristal dan vi kecepatan masing-masing elektron dengan
penjumlahan melingkupi semua elektron dalam pita energi. Selajutnya dapat dituliskan
79

v
e
j =− i (6.19)
V i

Andaikan bahwa pita energi yang dibahas seperti dalam sketsa pada gambar 6.5.
kecepatan kelompok (group velocity) elektron dituliskan
d
vg =
dk
karena E =   , maka
1 dE
vg = (6.20)
 dk
vg adalah kecepatan kelompok elektron, besarnya berkaitan dengan kemiringan fungsi
E = E(k). Fungsi E = E(k) adalah simetris terhadap sumbu k = 0, artinya
E(k) = E(−k) (6.21)
Untuk setiap harga k diperoleh suatu harga vg (6.20) , yang sama besar harganya tetapi
berbeda tanda aljabarnya dengan harga vg di (−k). Oleh karena itu apabila pita energinya
sepenuhnya diisi oleh elektron, maka setiap harga vg tertentu ditiadakan oleh harga vg

(− k). Jadi, untuk suatu pita energi yang penuh elektron (full band) besarnya v
i
i = 0.

Dengan memperhatikan (6.19) terlihat bahwa rapat arus sama dengan nol, untuk suatu pita
energi yang kosong (tidak dihuni elektron) atau suatu pita energi yang penuh elektron.
Selanjutnya dapat dinyatakan bahwa hanya pita energi yang hanya sebagiannya terisi
elektron (atau sebagiannya kosong) dapat memberikan sumbangan pada arus listrik.

E(k)

k
− /a’ 0 + /a’

Gambar 6.5 : Skema pita energi


80

Pernyataan di atas diterapkan pada suatu bahan, misalnya Na. Karena pita energi
bagian dalam 1s, 2s, 2p semua terisi penuh, mereka tidak menyumbangkan arus. Sekarang
kita hanya memperhatikan pita terpuncak (pita valensi). Pada Na, pita valensinya adalah
pita 3s, yang dapat mengakomodasi 2 Ne elektron, dimana Ne adalah total jumlah sel
satuan. Na mempunyai kisi Bravais bcc, setiap sel mempunyai satu atom, yang
menyumbang satu elektron valensi (atau 3s). Oleh karenanya total jumlah elektron valensi
adalah Ne, dan elektron ini menghuni pita, hanya setengahnya terisi, seperti ditunjukkan
pada gambar 6.6(a). Jadi sodium (Na) berperilaku seperti logam karena pita valensinya
hanya terisi sebagian.

Gambar 6.6 : Distribusi elektron dalam pita energi (a) logam, (b) insulator,
(c) semikonduktor, dan (d) semilogam

Dengan cara serupa, dapat disimpulkan bahwa logam alkali lainnya seperti Li, K
dan lainnya juga menunjukkan sifat logam karena pita valensinya berurutan adalah 2s, 4s
dan lainnya, hanya sebagian penuh. Logam nobel Cu, Ag, Au berperilaku seperti
konduktor dengan alasan yang sama. Jadi dalam Cu, pita valensi (pita 4s) hanya setengah
penuh, karena setiap sel dalam struktur fcc menyumbang hanya satu elektron valensi.
Sebagai contoh untuk insulator yang baik adalah intan (karbon). Disini puncak pita
energi berasal dari hibridisasi keadaan (state) atomik 2s dan 2p, yang memperlebar jarak
antara dua pita yang terpisahkan oleh celah pita energi Eg (gambar 6.6b). Karena pita ini
timbul dari keadaan s dan p, dan karena sel satuan disini mengandung 2 atom, maka setiap
pita ini dapat mengakomodasi 8 Nc elektron. Sekarang dalam intan setiap atom
menyumbang 4 elektron, menghasilkan 8 elektron valensi tiap sel. Jadi pita valensi disini
terisi penuh, dan intan merupakan insulator.
81

Ada material yang berada pada posisi tengah antara logam dan insulator. Jika celah
antara pita valensi dan pita di atasnya kecil, kemudian elektron mudah tereksitasi secara
termal ke pita berikutnya. Kedua pita menjadi hanya terisi sebagian dan keduanya
menyumbangkan arus listrik. Material ini dinamakan semikonduktor. Contohnya Si dan
Ge, dengan besarnya celah pita energi Eg berurutan sekitar 1 dan 0,7 eV. Sebaliknya celah
pita energi intan adalah 7 eV. Dapat dikatakan, suatu material berperilaku sebagai
semikonduktor pada temperatur kamar ketika Eg < 2 eV. Konduktivitas semikonduktor
sangat kecil dibandingkan dengan logam, tetapi masih lebih besar beberapa orde
dibandingkan insulator.
Beberapa material tidak terdapat celah pita energi, atau antara dua pita energinya
saling tumpang tindih, material tersebut dinamakan semilogam (gambar 6.6d). Contohnya
adalah Bi, As, Sb dan Sn putih.
Material dengan jumlah elektron valensi tiap sel satuannya ganjil merupakan
logam, karena jumlah elektron genap akan mengisi pita secara penuh. Tetapi ketika
jumlahnya genap, suatu material mungkin sebagai insulator atau logam, bergantung pada
pitanya terpisah atau saling tumpang tindih.
82
BAB

7
SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor merupakan material yang menarik dibandingkan material padatan


lainnya. Dalam bab ini dibahas sifat-sifat fisis semikonduktor, dilajutkan dengan
penjelasan kegunaan sifat tersebut dalam operasioanl devais praktis. Pembahasan diawali
dengan struktur kristal semikonduktor dilanjutkan dengan struktur pita energi. Kemudian
dibahas prosedur untuk menghitung jumlah elektron dan hole, merupakan partikel yang
bertanggung jawab sebagai pembawa arus listrik. Semikonduktor yang digunakan jarang
dalam keadaan murni, tetapi biasanya didoping dengan ketakmurnian dari luar, sehingga
dibahas pula pengaruh ketakmurnian pada penyediaan elektron dan hole.
Sifat penting semikonduktor lainnya yang dibahas adalah konduktivitas listrik,
pengaruh medan magnet (efek Hall) dan sifat optik. Terakhir dibahas contoh devais
semikonduktor seperti persambungan p-n, transistor p-n dan laser.

7.1 Sruktur Kristal

Material semikonduktor diklasifikasikan berdasarkan pada posisinya dalam tabel


periodik unsur kimia. Semikonduktor elemental group IV yaitu C (intan), Si, Ge dan -Sn
semuanya terletak pada golongan keempat dalam tabel periodik. Semikonduktor elemental
(Si, Ge, C) mempunyai struktur kristal intan (diamond). Struktur intan mempunyai kekisi
fcc dengan komposisi dua atom identik, masing-masing atom dikelilingi oleh empat atom
tetangga dekatnya, membentuk tetrahedron teratur. Gambar 7.1 menunjukkan ikatan
tetrahedral dalam Si.

Si

Si

Gambar 7.1 Ikatan tetrahedral dalam Si. Bulatan kecil padat merepresentasikan
elektron yang membentuk ikatan kovalen

azwar anas
84

Semikonduktor lainnya adalah semikonduktor kompon group III-V yang terdiri dari
unsur golongan III dan V dari tabel periodik. Contohnya adalah GaAs, InSb, GaP, InAs,
GaSb, dan lainnya. Struktur kristal semikonduktor ini adalah zincblende, serupa dengan
struktur intan tetapi dua atom yang membentuk basis kekisinya berbeda. GaAs mempunyai
basis kekisi fcc dengan dua atom Ga dan As. Masing-masing atom dikelilingi oleh empat
atom lainnya dari jenis berlawanan, dan atom-atom tersebut membentuk tetrahedron teratur
seperti dalam struktur intan. Gambar 7.2 menunjukkan ikatan tetrahedral dalam GaAs.
Kompon III-V mempunyai karakter polar. Karena muatan ion-ionnya berlawanan,
memungkinkan kekisinya terpolarisasi ketika diberikan medan listrik. Perpindahan ion-ion
tersebut dapat menambah konstanta dielektrik material tersebut.

As

Ga

Gambar 7.2 Ikatan tetrahedral dalam GaAs.

Kelas lain dari semikonduktor yang juga menarik adalah group II-VI seperti CdS
dan ZnS. Kompon ini juga mempunyai struktur zincblende dengan ikatan kovalen dan
mempunyai karakter polar yang lebih kuat dari III-V. Selain itu terdapat pula kelas
semikonduktor kompon IV-VI, contohnya PbTe.

7.2 Struktur Pita Energi

Semikonduktor seperti yang dibahas pada subbab sebelumnya mempunyai pita


energi tertinggi dihuni elektron, dinamakan pita valensi, terisi penuh pada T = 0oK, tetapi
celah (jurang) di atas pita tersebut sempit, sehingga elektron mungkin tereksitasi secara
termal pada temperatur ruang dari pita valensi menuju pita berikutnya yang lebih tinggi
yang dinamakan pita konduksi. Pada umumnya celah pita energi Eg bahan semikonduktor
kurang dari 2 eV. Ketika elektron tereksitasi menyeberangi celah pita energi, dasar pita
konduksi (CB) dihuni elektron, dan ujung pita valensi (VB) terdapat hole. Kedua pita
sekarang hanya terisi sebagian dan akan membawa arus listrik jika diberikan medan listrik.
Konduktivitas semikonduktor lebih rendah dibandingkan konduktivitas logam.
85

Struktur pita dari semikonduktor secara sederhana ditunjukkan dalam gambar 7.3.
Energi pita konduksi (CB) mempunyai bentuk
2k 2
Ec (k ) = E g + (7.1)
2me*

dengan k adalah vektor gelombang dan me* massa efektif elektron. Eg adalah celah pita

energi. Tingkat energi-nol dipilih terletak pada puncak pita valensi (VB). Sedangkan
energi pita valensi (VB) pada gambar 7.3 boleh dituliskan sebagai berikut
2k 2
Ev (k ) = − (7.2)
2mh*

dengan mh* adalah massa efektif hole. (Karena VB mempunyai bentuk terbalik, maka

massa elektron pada puncak VB negatippsama dengan − mh* , tetapi massa hole positip).

Parameter struktur pita adalah massa elektron dan hole, me dan mh, dan celah pita energi Eg.
Besarnya celah pita energi semikonduktor berubah karena temperatur, tetapi perubahannya
kecil. Kenaikan temperatur menyebabkan volume kristal bertambah sehingga konstanta
kekisinya berubah dan selanjutnya akan mempengaruhi struktur pita energinya. Besarnya
celah pita energi juga dapat berubah karena adanya pengaruh tekanan yang akan
menginduksi perubahan konstanta kekisi. Besarnya energi gap berbanding terbalik dengan
kuadrat konstanta kisi (by Richard Dalven).

Pita konduksi

Eg
E=0 0
k

Pita valensi

Gambar 7.3 Struktur pita enegi dalam semikonduktor

7.3 Konsentrasi Pembawa muatan : Semikonduktor Intrinsik


86

Dalam semikonduktor, elektron dan hole bertindak sebagai pembawa muatan


(carrier), partikel ini yang bertanggung jawab untuk membawa arus listrik. Untuk
menentukan jumlah pembawa muatan, diperlukan pengetahuan tentang mekanika statistik,
seperti fungsi distribusi Fermi-Dirac (FD)
1
f (E) = ( E − E F ) / k BT
(7.3)
e +1
Fungsi tersebut memberikan probabilitas tingkat energi E yang dihuni oleh elektron pada
temperatur T. Fungsi tersebut diplot sebagai fungsi E dalam gambar 7.4.

f(E)
T 2 > T1

1
T = 0oK
T2
T1

Tail region

0 E
EF

Gambar 7.4 Fungsi distribusi Fermi-Dirac

Di sini dapat dilihat bahwa ketika temperatur bertambah, daerah di bawah tingkat
Fermi EF yang tidak dihuni elektron menjadi lebih panjang, yang menandakan bahwa
energy state bertambah tinggi ketika temperatur dinaikkan, karena penambahan temperatur
meningkatkan energi sistem. Catatan, pada temperatur berapapun harga f(E) = ½ pada
tingkat Fermi (E = EF), yang artinya probabilitas dimana tingkat Fermi dihuni elektron
selalu sama dengan setengah.
Dalam semikonduktor, daerah ekor (tail) dari distribusi FD menarik diperlajari.
Pada daerah (E – EF) >> kBT tetap memenuhi dan oleh karena itu suku satu dalam
penyebut persamaan (7.3) dapat diabaikan. Distribusi FD kemudian dapat dituliskan dalam
bentuk
f ( E ) = e E F / k BT e − E / k BT (7.4)
Konsentrasi elektron dalam CB dapat dihitung sebagai berikut. Jumlah keadaan
(state) dalam rentang energi (E, E + dE) sama dengan ge(E)dE, dimana ge(E) adalah rapat
keadaam elektron. Jika masing-masing keadaan mempunyai probabilitas untuk dihuni
elektron f(E), maka jumlah elektron yang ditemukan dalam rentang energi tersebut sama
87

dengan f(E) ge(E)dE. Konsentrasi elektron dalam CB dihitung dengan integral pada pita
energi


Ec 2
n= f (E ) g e ( E )dE (7.5)
Ec 1

dengan Ec1 dan Ec2 adalah pita atas dan bawah seperti ditunjukkan dalam gambar 7.5.
Besarnya rapat keadaan adalah
3/ 2
1  2me 
g e (E) =   ( E − E g )1 / 2 (7.6)
2 2   2 
dengan tingkat energi-nol dipilih terletak pada bagian atas VB. Sehingga ge(E) dapat
dihilangkan untuk E < Eg, dan terbatas hanya untuk Eg > E seperti ditunjukkan pada
gambar 7.5(c).

E E
Ec2
Pita Elektron ge(E)
konduksi
Ec1 Ec1 Ec1

EF

Ev1 Ev1 Ev1


Hole
gh(E)
Pita valensi
Ev2 1 f(E) g(E)
(a) (b) (c)

Gambar 7.5 (a) Pita konduksi dan valensi. (b) Fungsi distribusi. (c) Rapat
keadaan elektron dan hole

Substitusi f(E) dan ge(E) dalam persamaan (7.5) dilanjutkan penyelesaian integral,
diperoleh
3/ 2
m k T  − E g / k BT
n = 2  e B 2  e E F / k BT e (7.7)
 2  
dengan cara yang sama dapat ditentukan besarnya konsentrasi hole
3/ 2
m k T  − E g / k BT
p = 2  h B 2  e E F / k BT e (7.8)
 2  
88

Konsentrasi elektron dan hole pada kenyataannya adalah sama, karena elektron dalam CB
melakukan eksitasi menyeberangi celah pita energi, dan masing-masing elektron tereksitasi
menciptakan hole pada VB. Karena itu
n=p (7.9)
Jika harga n dan p dari persamaan (7.7) dan (7.8) dalam (7.9) diperoleh persamaan yang
hanya mengandung EF dan solusinya adalah

1 3 m 
EF = E g + k B T log  h  (7.10)
2 4  me 
Substitusi (7.8) dalam (7.7) diperoleh
3/ 2
 k T  − E g / k BT
n = 2  B 2  ( me m h ) 3 / 4 e (7.11)
 2  
Konsentrasi elektron n bertambah sangat cepat secara eksponensial dengan bertambahnya
temperatur. Pada saat temperatur dinaikkan, jumlah elektron tereksitasi yang menyeberangi
celah pita energi bertambah dengan cepat. (Kondisi ini dapat divisualisasi dengan
mengingat kembali bahwa saat temperatur dinaikkan, ekor dari distribusi FD dalam CB
menjadi lebih panjang, dan lebih banyak keadaan ditempati elektron dalam pita ini).
Gambar 7.6 adalah plot dari log n sebagai fungsi 1/T. Kurva merupakan sebuah
3/2
garis lurus dengan kemiringan (slope) sama dengan (− Eg/2kB). (Kebergantungan T
dalam (7.9) sangat lemah dibandingkan dengan kebergantungan eksponensial). Dari
besarnya slope tersebut dapat diperkirakan besarnya celah pita energi Eg bahan Ge.

1017

1016
n, cm-3

1015

1014

1013

1012
2,0 2,5 3,0 3,5 4
1/T

Gambar 7.6 Konsentrasi elektron n sebagai fungsi 1/T dari Ge.


89

Misal Eg = 1 eV, me = mh = mo dan T = 300oK, maka besarnya n  1015


elektron/cm3, merupakan nilai yang umum dijumpai berkaitan dengan konsentrasi
pembawa muatan dari semikonduktor.
Persamaan (7.9) juga berlaku untuk konsentrasi hole, karena n = p. Konsentrasi
pembawa yang dibahas di atas didasarkan pada semikonduktor murni. Penambahan
elektron atau hole (sebagai impurities atau ketakmurnian) menjebabkan bahan menjadi
tidak murni. Material murni mempunyai konsentrasi elektron dan hole yang sama,
dikatakan sebagai semikonduktor intrinsik. Artinya, konsentrasi ditentukan oleh sifat
intrinsik semikonsuktor itu sendiri. Sedangkan ketika material mengandung sejumlah besar
ketidak-murnian baik berupa elektron maupun hole dinamakan semikonduktor ekstrinsik.
Misal Si didoping dengan As. Atom-atom As (sebagai ketakmurnian) menempati
beberapa titik tempat kekisi yang ditempati oleh atom-atom Si. Atom As mempunyai lima
elektron, empat elektron menempati ikatan tetrahedron Si dan elektron kelima tidak dapat
masuk dalam ikatan tersebut sehingga menjadi bebas bermigrasi dalam kristal sebagai
elektron konduksi, elektron masuk dalam CB. Ketakmurnian sekarang jelas merupakan ion
positip As+ (karena kehilangan satu elektron). Hasil total menunjukkan bahwa
ketakmurnian As menyumbang elektron ke CB semikonduktor, dengan alasan ini
ketakmurnian bervalensi lima tersebut dinamakan donor. Elektron diciptakan tanpa
melalaui generasi hole. Sebaliknya ketika Si didoping dengan Ga yang mempunyai tiga
elektron, dalam ikatan tetrahedron Si akan kekurangan satu elektron membentuk suatu
kekosongan atau hole. Ketakmurnian bervalensi tiga tersebut dinamakan akseptor.

7.4 Statistik Semikonduktor

Semikonduktor biasanya mengandung keduanya donor dan akseptor. Elektron


dalam CB dapat diciptakan dengan eksitasi termal interband atau dengan ionisasi termal
donor. Hole dalam VB mungkin dibangkitkan oleh eksitasi interband atau dengan eksitasi
termal elektron dari VB kedalam tingkat akseptor. Elektron mungkin turun dari tingkat
donor ke tingkat akseptor. Gambar 7.7 menunjukkan berbagai proses di atas.
90

Pita konduksi (CB)

Donor

Akseptor

Pita valensi (VB)

Gambar 7.7 Berbagai kemungkinan proses elektronik dalam semikonduktor

Daerah Intrinsik
Konsentrasi pembawa dalam daerah instrinsik terutama ditentukan oleh transisi interband
karena induksi termal. Konsekuensinya, pendekatan yang baik adalah
n=p (7.12)
Pada kasus tersebut, konsentrasi pembawa muatan seperti telah ditentukan sebelumnya
3/ 2
 k T  − E g / 2 k BT
n = p = ni = 2 B 2  ( me m h ) 3 / 4 e (7.13)
 2  
Persamaan ini dikenal sebagai konsentrasi intrinsik, dilambangkan dengan ni.
Daerah intrinsik diperoleh ketika doping ketakmurnian dalam jumlah kecil. Jika Nd
adalah konsentrasi donor dan Na adalah konsentrasi akseptor, persyaratan untuk kondisi
intrinsik adalah
ni  (Nd − Na) (7.14)
Karena ni bertambah cepat dengan kenaikan temperatur, kondisi intrinsik menjadi lebih
baik pada temperatur tinggi. Semua semikonduktor, dalam kenyataannya menjadi intrinsik
pada temperatur cukup tinggi.

Derah Ekstrinsik
Ketika konsentrasi doping ~ 1015 cm-3, jumlah pembawa yang diberikan oleh ketakmurnian
cukup besar untuk merubah konsentrasi intrinsik pada temperatur ruang. Pada
kenyataannya sumbangan ketakmurnian seringnya melebihi pembawa yang diberikan oleh
eksitasi interband. Ketika ini terjadi, sampel berada dalam daerah ekstrinsik. Terdapat dua
tipe daerah ekstrinsik yang berbeda. Pertama terjadi ketika konsentrasi donor sangat besar
melebihi konsentrasi akseptor, yaitu ketika Nd  Na. Karena energi ionisasi donor cukup
91

kecil, semua donor pada dasarnya terionisasi dan elektron menuju ke pita konduksi (CB).
Oleh karena itu pendekatan yang baik adalah
n = Nd (7.15)
Konsentrasi hole pada kondisi di atas adalah kecil. Untuk menghitung konsentrasi
ini dapat dilakukan sebagai berikut. Jika persamaan (7.7) dan (7.8) dikalikan
3
 k T 
np = 4  B 2  (me mh ) 3 / 2 e − E g / k BT (7.16)
 2  
np tidak bergantung pada EF, hanya bergantung pada temepratur. Berdasarkan (7.13) dan
dengan asumsi bahwa (7.16) juga berlaku pada daerah intrinsik, maka dapat dituliskan
np = ni2 (7.17)

persamaan tersebut mempunyai arti, jika tidak terjadi perubahan temperatur, hasil kali np
adalah konstan, tidak bergantung jumlah doping. Jika konsentrasi elektron ditambah,
dengan memvariasikan jumlah doping, konsentrasi hole berkurang dan sebaliknya.
Ketika dopingnya tipe donor, n  Nd, menurut (7.17), konsentrasi hole adalah
ni2
p= (7.18)
Nd

Untuk daerah ekstrinsik dimana ni Nd, dan oleh karenanya p Nd = n. Jadi konsentrasi
elektron jauh lebih besar dari hole. Semikonduktor yang mana n  p disebut
semikonduktor tipe-n. Pembawa muatan mayoritasnya adalah elektron (donor).
Tipe daerah ekstrinsik lainnya adalah ketika Na Nd , dopingnya berupa akseptor.
Analogi dengan pembahasan sebelumnya
p  Na (7.19)
yaitu, semua akseptor terionisasi. Konsentrasi elektron yang jumlahnya kecil diberikan
ni2
n= (7.20)
Na

Semikonduktor yang mana pn disebut semikonduktor tipe-p. Pembawa muatan


mayoritasnya adalah hole (akseptor).

Ekstrinsik Intrinsik

Nd

Freeze-out
0 T
92

Gambar 7.8 Variasi konsentrasi elektron n terhadap temperatur dalam


semikonduktor tipe-n

Pada saat temperatur tinggi, donor (dan akseptror) semuanya diasumsikan


terionisasi dan ini juga berlaku untuk temperatur ruang. Tetapi ketika temperatur rendah,
elektron jatuh dari CB menuju tingkat donor dan konduktivitas bahan berkurang. Kondisi
ini dinamakan freeze-out, sedangkan elektron mengalami “frozen” pada titik tempat
ketakmurnian. Temperatur pada kondisi freeze-out dapat diperkirakan dengan Ed ~ kBT
yaitu sekitar 100oK. Variasi konsentrasi elektron dengan temepratur dalam semikonduktor
tipe-n ditunjukkan pada gambar 7.8.

7.5 Konduktivitas Listrik; Mobilitas

Elektron dan hole keduanya berkontribusi pada arus listrik. Untuk memudahkan
pembahasan akan ditinjau satu jenis tipe pembawa muatan yaitu elektron atau tipe-n.
Ketika medan listrik diberikan, elektron hanyut berlawanan dengan medan dan membawa
arus listrik. Konduktivitas listriknya dapat dituliskan
ne 2 e
e = (7.21)
me

dengan  e adalah waktu-hidup (lifetime) elektron. Dalam fisika semikonduktor sering

digunakan koefesien transport lainnya yaitu mobilitas, yang didefinisikan sebagai berikut:
Kecepatan hanyut (drift) elektron dalam medan listrik boleh dituliskan seperti
e e
ve = −  (7.22)
me
(Tanda negatip karena muatan negatip pada elektron). Mobilitas elektron didefiniskan
sebagai rasio ve /  , yaitu kecepatan persatuan kuat medan listrik

e e
e = (7.23)
me
Waktu-hidup elektron yang panjang dan massanya yang kecil menyebabkam mobilitas
elektron lebih tinggi dibandingkan mobilitas hole.
93

Sekarang dapat ditentukan konduktivitas listrik dalam suku mobilitas. Berdasarkan


(7.21) dan (7.23) dapat dituliskan
 e = ne e (7.24)

menunjukkan bahwa  e sebanding dengan  e . Sedangkan konduktivitas hole dapat

dituliskan
pe 2 h
h = = pe h (7.25)
mh

dengan  h adalah mobilitas hole.


Hole

Elektron

Gambar 7.9 Aliran elektron dan hole saat diberikan medan listrik

Ketika diberikan medan listrik, elektron mengalir berlawanan dengan medan dan
hole mengalir searah medan seperti ditunjukkan gambar 7.9. Arus dari dua pembawa
muatan (elektron dan hole) dijumlahkan, dan konsekuensinya konduktivitas juga demikian
 = e + h
elektron dan hole keduanya menyumbangkan arus. Dalam suku mobilitas dapat dituliskan
 = ne e + pe h (7.26)

Konsentrasi pembawa n dan p tidak sama jika sampel didoping. Kemungkinan salah satu
pembawa lebih dominan bergantung pada semikonduktor tipe-n atau tipe-p. Untuk
semikonduktor dalam daerah intrinsik dimana n = p , persamaan (7.26) menjadi
 = ne(  e +  h ) (7.27)

dengan n = ni adalah konsentrasi intrinsik

Konduktivitas bergantung pada temperatur. Kita pandang semikonduktor dalam


daerah intrinsik. Konduktivitasnya dinyatakan dalam persamaan (7.27). Dalam situasi ini
konsentrasi n bertambah secara eksponensial dengan temperatur seperti dinyatakan dalam
persamaan (7.11), sehingga konduktivitas dapat ditulis
94

− Eg / 2 k BT
 = f (T )e (7.28)
dengan f(T) adalah fungsi yang bergantung lemah pada temperatur, yaitu polinomial.
(Fungsi bergantung pada mobilitas dan massa efektif partikel). Jadi konduktivitas
bertambah secara eksponensial dengan temperatur karena faktor eksponensial dalam
(7.11). Perilaku seperti ditunjukkan kurva pada gambar 7.10.
Persamaan (7.28) digunakan untuk menentukan celah pita energi dalam
semikonduktor, jika dilakukan logaritma pada kedua sisi persamaan, dapat dituliskan
Eg 1
log  = log f (T ) −
2k B T

Plot log  sebagai fungsi 1/T menghasilkan garis lurus (slope), −Eg/2kB, menentukan
besarnya celah pita energi. (Kebergantungan temperatur yang lemah f(T) diabaikan).
Dahulu ini digunakan sebagai prosedur baku untuk menentukan celah pita energi
semikonduktor. Akan tetapi akhir-akhir ini celah pita energi sering diukur dengan metode
optik karena dipandang lebih praktis.

Gambar 7.10 Konduktivitas Si  sebagai fungsi 1/T dalam daerah intrinsik

Ketika material bukan dalam daerah intrinsik, konduktivitas diberikan dalam


persamaan (7.26). Dalam kasus ini kebergantungan  pada temperatur biasanya tidak
sekuat seperti di atas. Konduktivitas material ekstrinsik tipe-n adalah:
95

 e = ne e
Mobilitas elektron juga bergantung pada temperatur. Hal ini dikarenakan waktu-
hidup elektron atau waktu tumbukan elektron bervariasi dengan kenaikan temperatur.
Hubungan anatara konduktivitas dan mobilitas dinyatakan dalam
ele
e =
me v r
dengan le adalah jalan bebas rata-rata (mean free part) elektron dan vr adalah kecepatan
randomnya. Dari teori kinetik gas terdapat hubungan yang terkait dengan laju rata-rata
elektron
1 3
=
2
me v r
k bT
2 2
jadi
ele
e = 1/ 2
(7.29)
m e ( k B T )1 / 2
Tampak bahwa penggunaan statistika distribusi elektron menunjukkan bahwa mobilitas
bergantung dengan faktor T − 1 / 2 . Jalan bebas rata-rata le juga bergantung temperatur seperti
halnya dalam logam. le ditentukan oleh mekanisme tumbukan yang dilakukan elektron.
(Mekanisme ini merupakan tumbukan elektron dengan fonon, secara termal menyebabkan
vibrasi kekisi, dan tumbukan dengan ketakmurnian). Pada temperatur tinggi, tumbukan
dengan fonon lebih dominan, le berbanding terbalik dengan temperatur yaitu le ~ T − 1 .
Dalam kasus ini mobilitas bervariasi sebagai  c  T − 3 / 2 . Gambar 7.11 menunjukkan
kasus ini untuk Ge.
96

Gambar 7.11 Mobilitas e sebagai fungsi T. Kurva putus-putus merepresentasikan


hamburan fonon murni; angka dalam kurung menyatakan
konsentrasi donor.

7.6 Efek Hall


Pada sub-bab 5.9.2 telah dibahas efek Hall untuk pembawa muatan tunggal, dimana
telah diperoleh konstanta Hall untuk elektron adalah
1
Re = − (7.30)
ne
Konstanta Hall untuk hole dapat dituliskan
1
Rh = (7.31)
pe
tanda posistip berkaitan muatan positip dari hole.

Gambar 7.12 Efek Hall dalam semikonduktor yang mempunyai dua pembawa
muatan. Simbol e adalah elektron dan h adalah hole

Sebuah medan listrik x diberikan pada arah-x dan bersamaan diberikan medan
magnet Bz dalam arah-z (tegak lurus kertas). Karena adanya x, elektron hanyut ke sisi kiri
dan hole ke sisi kanan. Karena gerakan elektron, medan magnet menghasilkan gaya
Lorenzt sehingga membelokan pembawa muatan. Pembelokan elektron dan hole arahnya
berlawanan karena muatannya berlawanan seperti ditunjukkan pada gambar 7.12 ,
sehingga terjadi penumpukan total muatan di permukaan bagian bawah. Sebaliknya,
muatan yang besarnya sama dan berlawanan terkumpul di bagian atas permukaan. Sebagai
akibatnya dihasilkan medan listrik pada arah-y, disebut medan Hall, H. Besarnya medan
Hall dapat dihitung sebagai berikut. Misal gaya Lorents bekerja pada elektron.
97

FLe = − e( v e x B) = + eve Bz
dimana ve adalah kecepatan hanyut (drift) elektron. Gaya FLe dalam arah-y. (Karena ve
negatip, gaya FLe menuju ke bawah, yaitu ke arah-y negatip.) Gaya ini ekivalen dengan
medan Lorentz
 Le = − ve B z (7.32)

bekerja pada elektron. (Tanda minis karena persamaan sebelumnya dibagi dengan –e,
muatan elektron). Karena Je = - neve, persamaan di atas boleh juda dituliskan
J e Bz
 Le =− (7.33)
ne
dengan Je adalah bagian arus yang dibawa oleh elektron.
Dengan cara yang sama dapat dituliskan
J h Bz
 Lh =− (7.34)
pe
Total rapat arus dalah arah-y adalah
J y = ne e  Le + pe h  Lh + (ne e + pe h )  (7.35)
H

Tetapi arus ini lenyap, karena partikel tidak dibolehkan mengalir dalam arah-y pada
permukaan sampel. Oleh karenanya Jy = 0, dan menghasilkan persamaan selanjutnya untuk
menentukan medan Hall H. Ingat bahwa konstanta Hall R didefinisikan sebaga R = H/JxB.
Substitusi (7.33), (7.34) ke dalam (7.35) dan dengan Je = [ne/( ne + ph)] Jx dan Jh = Jx -
Je, mengahsilkan
p h2 − n e2
R= (7.36)
e(n e + p h ) 2
Menurut persamaan (7.36), konstanta Hall boleh berharga negatip, positip atau nol,
bergantung pada konsentrasi dan mobilitas pembawa muatannya. Konstanta Hall selain
digunakan untuk menentukan konsentrasi pembawa muatan dapat juga digunakan untuk
menentukan mobilitas
 e =  e Re (7.37)

untuk material semikonduktor tipe-n. Dengan cara yang sama dapat pula untuk hole dalam
material tipe-p. Jadi mobilitas hole dan elektron dapat ditentukan dari pengukuran
konduktivitas listrik dan konstanta Hall. Hasil kali  R dinamakan mobilitas Hall,  H .

7.7 Sifat Optik: Proses Absorpsi


98

Proses absorpsi yang terpenting adalah transisi elektron dari pita valensi ke pita
konduksi (gambar 7.13), proses ini dinamakan absorpsi fundamental. Dalam absorpsi
fundamental, sebuah elektron mengabsorpsi foton kemudian loncat dari pita valensi
menuju pita konduksi. Energi foton harus lebih besar atau sama dengan besar celah pita
enegi Eg
  ( E g / h) (7.38)

Seringnya  o  ( E g / h) dinamakan sebagai absorption edge.

Perhitungan koefesien absorpsi untuk absorpsi fundamental memerlukan


manipulasi kuantum. Pada dasarnya, radiasi yang datang sebagai perturbasi pada elektron
state dalam pita valensi dan pita konduksi. Selanjutnya koefesien absorpsi dituliskan
(Blatt, 1968)
 d = A(h − E g )1 / 2 (7.39)

Pita konduksi

Eg

Pita valensi

Gambar 7.13 Proses absorpsi fundamental dalam semikonduktor

dengan A adalah konstanta yang terkait dengan sifat pita energi, dan Eg adalah celah pita
energi. Koefesien absorpsi bertambah secara parabolik dengan frekuensi di atas
fundamental edge (gambar 7.14a) . (  d = 0 untuk   o ). Koefesien absorpsi GaAs

dalam gambar 7.14b konsisten dengan analisis ini. Persamaan (7.39) telah digunakan
untuk mengukur celah pita energi dalam semikonduktor. Eg secara langsung dihubungkan
dengan frequency edge, Eg = ho. Metode ini sekarang merupakan prosedur baku untuk
menentukan besarnya celah pita energi menggantikan metode terdahulu yang didasarkan
metode konduktivitas karena metode optik ini lebih akurat. Metode optik ini juga
99

mengungkapkan lebih rinci tentang struktur pita energi dari pada metode konduktivitas.
Perlu dicatat bahwa koefesien absorpsi yang diasosiasikan dengan absorpsi fundamental
mempunyai nilai yang besar, sekitar 104 cm-1. Jadi absorpsi dapat terukur apabila
sampelnya tipis (agar transmisinya terukur).
Proses absorpsi yang terjadi pada kajian di atas disebut direct-gap semiconductor.
Disini dasar pita konduksi terletak pada k = 0, langsung di atas puncak pita pita valensi
(lihat gambar 7.13). Elektron dekat puncak pita valensi dapat langsung transisi vertikal ke
keadaan dekat dasar pita pita konduksi, sesuai dengan kaidah seleksi. Contoh
semikonduktor tersebut adalah GaAs, InSb, GaN dan kompon III-V dan II-VI lainnya.

Gambar 7.14 Koefesien absorpsi d sebagai fungsi h dalam semikonduktor.


(b) Koefesien absorpsi  sebagai fungsi h dalam GaAs.

Selain itu tedapat pula indirect-gap semiconductor, yang mana dasar pita
konduksi tidak terletak pada titik pusat 0 (origin) (gambar 7.15). Contohnya pada Si dan
Ge. Si mempunyai dasar pita konduksi dalam arah [100] dan Ge [111]. Pada kasus ini,
elektron tidak dapat melakukan transisi langsung dari puncak pita valensi ke dasar pita
konduksi karena akan melanggar kaidah seleksi momentum (kf = ki). Transisi masih
mungkin berlangsung, tetapi dengan proses dua-tahap. Elektron mengabsorpsi foton dan
fonon secara bersamaan. Foton memberikan energi yang diperlukan, sedangkan fonon
memberikan memberikan momentum yang diberikan. (Energi fonon hanya sekitar 0,05 eV,
terlalu kecil bila dibandingkan energi foton yaitu sekitar 1 eV. Tetapi momentum fonon
cukup besar).
100

Perhitungan koefesien indirect-gap absorption lebih rumit dibandingkan direct


absortion. Blatt (1968) memberikan bentuk
 i = A' (T )(h − E g ) 2 (7.40)

dengan A’(T) adalah konstanta yang terkait dengan parameter pita energi dan temperatur.
(Parameter temperatur karena kontribusi fonon untuk proses transisi). Perlu dicatat bahwa
i bertambah sebagai pangkat dua dari (h - Eg), lebih cepat dari pada pangkat setengah
pada d. Dengan demikian metode optik dapat digunakan untuk membedakan
semikonduktor direct-gap dan indirect-gap. (bandingkan dengan metode konduktivitas!).
Gambar 7.15(b) menunjukkan spektrum absorpsi untuk Ge.

Gambar 7.15 (a) Semikonduktor indirect-gap (b) Koefesien absorpsi sebagai


fungsi h dalam Ge.

7.8 Devais Semikonduktor

Prinsip-prinsip fisika dan perilaku semikonduktor telah dibahas pada subbab


sebelumnya. Kini akan dibahas aplikasi dari prinsip-prinsip tersebut untuk devais
elektronik. Keberhasilan pengembangan devais elektronik tersebut, khususnya transistor,
telah menjadikan material semikonduktor menjadi menarik untuk dikembangkan. Dalam
subbab ini diberikan beberapa contoh aplikasi semikonduktor yang dibahas secara ringkas;
antara lain persambungan p-n, transistor dan laser. Pembahasan lebih rinci termasuk
transistor efek medan (FET) diberikan pada mata kuliah Fisika dan Teknologi
Semikonduktor.
101

7.8.1 Persambungan p-n

Persambungan p-n dibuat dari kristal tunggal semikonduktor yang mana ada dua
daerah berbatasan, yaitu tipe-n dan tipe-p. Daerah n didoping dengan ketakmurnian donor
dan daerah p dengan ketakmurnian akseptor. Konsentrasi donor dan akseptor adalah Nd
dan Na. Ketika persambungan p-n terbentuk, pembawa muatan bebas (keduanya elektron
dan hole) melakukan difusi menyeberangi persambungan. Elektron mengalir dari sisi
persambungan n menuju p, sedangkan hole mengalir sebaliknya. Oleh karena aliran
muatan, sisi p memperoleh potensial kontak negatip −o relatif terhadap sisi n.
Persambungan p-n diperlihatkan pada gambar 7.16. Nilai otensial kontak o adalah

k BT N N 
o = log  d 2 a 
 (7.41)
e  ni 

Gambar 7.16 (a) Daerah deplesi pada persambungan p-n. (b) Diagram pita
energi persambungan p-n

Persambungan p-n dapat betindak sebagai penyearah (rectifier). Hubungan arus-


tegangan mempunyai bentuk
( )
I = I o e eVo / k BT − 1
102

dengan Vo adalah tegangan bias. Ketika tegangan ini arahnya maju (bias maju), Vo0,
( )
maka e eVo / k BT  1, dan oleh karena itu

(
I  I o e eVo / k BT ) (7.41)

Arus bertambah cepat dengan bertambahnya tegangan. Karakteristik arus-tegangan pada


persambungan p-n ditunjukkan pada gambar 7.17. Tetapi untuk bias mundur, Vo 0 ,
(e eVo / k BT
)  1, dan
I = − Io (7.42)

Sekarang arusnya kecil, dan tidak bergantung pada tegangan.

Gambar 7.17 Karakteristik arus-tegangan pada persambungan p-n

7.8.2 Transistor Persambungan


Dari semua devais semikonduktor, yang paling banyak digunakan adalah transistor,
yaitu untuk industri telekomonikasi dan teknologi komputer. Salah satu transistor yang
sering digunakan adalah jenis transistor persambungan atau dinamakan pula transistor
bipolar. Gambar 7.18 mengilustrasikan konsep dasar operasi trasnistor persambungan,
transistor p-n-p.
103

Gambar 7.18 Konstruksi dasar transistor persambungan p-n-p

Transistor persambungan merupakan struktur dari dua persambungan yang


dihubungkan secara back-to-back. Emiter adalah bagian yang diberikan biasmaju dan
kolektor diberikan bias mundur. Emiter memasukkan pembawa muatan minoritas ke dalam
basis. Pembawa muatan berdifusi melalui basis dan diterima eleh kolektor. Ketika sinyal
listrik diberikan pada emiter, bersamaan dengan pembawa muatan melalui basis dan
kolektor, dan penguatan sinyal diperoleh pada resistor beban yang dimasukkan ke dalam
rangkaian kolektor. Tegangan gain adalah
dVl  Rl I e
= (7.43)
dVe k B T / e

Gain dapat ditingkatkan dengan menambah nilai parameter  ( efesiensi injeksi pembawa
muatan) dan mengurangi ketebalan lapisan basis.

7.8.3 Laser Semikonduktor

Pada dasarnya laser semikonduktor bekerja seperti laser gas. Ketika cahaya (
  E g ) melewati semikonduktor, mengalami absorpsi yang kuat dekat band egde.

Absorpsi menyebabkan transisi interband antara pita valensi dan pita konduksi. Penguatan
terjadi jika populasi pita valensi dan pita konduksi dekat band edge dibalik (inversi).
Gambar 7.19 mengilustrasikan ide tersebut. Andaikan bahwa material didoping konsentrasi
tinggi dengan ketakmurnian tipe-p dan tipe-n sehingga pembawa muatan bebas
mempunyai distribusi degenerasi, dengan energi Fermi EFc dan EFv dalam dua pita energi.
(Distribusi ini bukan merupakan satu kesetimbangan, karena ia meluruh dengan cepat, dan
karena itu memungkinkan terjadi perbedaan antara dua tingkat quasi-Fermi tersebut).
Distribusi seperti ini cenderung menghasilkan penguatan karena elektron yang distimulasi
oleh sinyal, membuat transisi dari pita konduksi menuju ke keadaan kosong (hole) pada
puncak pita valensi dan memancarkan foton (emisi koheren) dengan frekuensi  Eg/h
selama proses berlangsung. Laser lebih efektif terjadi dalam semikonduktor direct band
gap karena persyaratan kekekalan momentum. Kondisi yang diperlukan untuk penguatan
pada laser adalah
(EFc − E Fv )   (7.45)
104

Gambar 7.19 (a) Susunan populasi inversi dalam semikonduktor . (b) Peningkatan
populasi inversi dalam persambungan doping tinggi.
BAB

8
SIFAT DIELEKTRIK ZAT PADAT

Dalam bab ini dibahas sifat dielektrik dari zat padat dan fase zat lainnya. Sifat ini
dapat memberikan informasi berkaitan dengan sifat fisis maupun struktur material.
Pembahasan diawali dengan konsep dipole listrik, momen listrik dan polarisasi.
Selanjutnya dikaji hubungan antara konstanta dielektrik dengan sifat polarisasi molekul
dalam zat. Terakhir dibahas dua sifat penting yang berhubungan dengan polarisabilitas
yaitu sifat piezoelektrisitas dan ferroelektrisitas.

8.1 Dipole listrik, Momen Listrik dan Polarisasi

Konsep penting yang perlu diketahui dalam bab ini adalah dipole listrik dan momen
listrik. Tinjau dipole listrik yang dihasilkan oleh dua buah muatan yang besarnya sama
tetapi berlawanan jenis muatannya, yaitu q dan –q seperti ditunjukkan pada gambar 8.1.
Momen dipole ini didefinisikan sebagai
p = qd (8.1)
dengan d adalah vektor jarak dari muatan negatip menuju ke muatan postip. Momen listrik
merupakan hasil kali salah satu muatan dengan jarak antara dua muatan tersebut.

p
_
+
d +q
-q

Gambar 8.1 Sebuah dipole listrik antara muatan –q dan q


yang berjarak d

Sebuah dipole listrik menghasilkan medan listrik, yang besarnya dapat dihitung
dengan menerapkan hukum Coulomb. Medan dari dipole diberikan dalam persamaan:

3(p • r ) r − r 2 p
 =
1
(8.2)
4 o r5
106

Medan dinyatakan dalam momen p dan r yaitu vektor yang menghubungkan dipole ke titik
medan. Dalam menurunkan (8.2) di atas diasumsikan bahwa r » d , yang artinya bahwa
(8.2) tersebut berlaku hanya untuk titik yang terletak jauh dari dipole. Dalam atom dan
molekul kondisi ini terpenuhi karena besarnya d berorde diameter atom.
Ketika sebuah dipole ditempatkan dalam medan listrik eksternal, ia berinteraksi
dengan medan tersebut. Medan menghasilkan torsi pada dipole yang dinyatakan dengan
τ =p ε (8.3)

dengan  adalah medan yang diterapkan. Besarnya torsi adalah  = p sin , dengan 
adalah sudut antara arah medan dan arah momen, dan arah  adalah cenderung membawa
dipole menuju arah sejajar dengan medan.


q
+

d 

_
-q

Gambar 8.2 Torsi dihasilkan pada suatu dipole oleh medan listrik . Vektor q dan -
q merepresentasikan dua buah gaya yang dihasilkan oleh medan pada
titik muatan dari dipole listrik.

Interaksi antara dipole dan medan dapat pula dinyatakaan dalam energi potensial.
Energi potensial dipole dinyatakan dalam persamaan berikut
V = p •  = - p cos  , (8.4)
Energi potensial dipole bergantung pada  (sudut orientasi) dan besarnya bervariasi antara
- p (ketika dipole sejajar dengan medan) dan p (ketika dipole berlawanan arah dengan
medan).
Dalam membahas material dielektrik, pada umumnya dibahas tentang polarisasi P
dari suatu material, yang didefinisikan sebagai momen dipole per satuan volume. Jika
jumlah molekul persatuan volume adalah N, dan jika masing-masing mempunyai momen
p, dengan asumsi bahwa semua momen molukuler terletak dalam arah yang sama maka
besarnya polarisasi dapat diberikan dalam bentuk persamaan :
P=Np (8.5)
107

Ketika suatu medium terpolarisasi, sifat elektromagnetiknya berubah, yang dapat


dinyatakan dalam persamaan:
D = o ε+P (8.6)

dengan D adalah vektor perpindahan (displacement) listrik dan  adalah medan listrik
dalam medium. Vektor perpindahan D hanya bergantung pada sumber eksternal yang
menghasilkan medan eksternal, dan tidak dipengaruhi oleh polarisasi medium. Selanjutnya
apabila medan eksternal adalah o yaitu medan diluar dielektrik, memenuhi persamaan:

D = o εo (8.7)
Jika (8.7) dibandingkan dengan (8.6) diperoleh
1
 = o − P (8.8)
o
menunjukkan bahwa efek polarisasi adalah memodifikasi medan dalam medium. Pada
umumnya menunjukkan adanya pengurangan medan. Mengapa ?
Persamaan (8.6) pada umumnya dituliskan dalam bentuk
D = =o r  (8.9)

dengan konstanta dilektrik relatifnya adalah



r = (8.10)
o
mengungkapkan sifat dari suatu medium. Semua karakteristik dielektrik dan optik dari
suatu zat mengandung konstanta tersebut. Kita dapat memperoleh banyak informasi
tentang suatu medium dengan mengukur konstanta dielektriknya. Konstanta dilektrik
relatif r dapat digunakan sebagai referensi karena lebih sederhana sehingga jarang
digunakan konstanta dielektrik aktual  = o r .
Gambar 8.3 menunjukkan prosedur sederhana untuk mengukur konstanta dielektrik.
Pelat kapasitor dihubungkan dengan batere yang memberi muatan pada pelat. Ketika tidak
terdapat dielektrik di dalam kapasitor, medan listrik yang dihasilkan oleh muatan adalah
o, besarnya dapat ditentukan dengan mengukur perbedaan potensial Vo dalam kapasitor
dengan menggunakan hubungan
Vo
o = (8.11)
L
dengan L adalah jarak antara kedua pelat. Jika lembaran dielektrik sekarang dimasukkan
dalam pelat, medan o menginduksi polarisasi medium dan selanjutnya memodifikasi
108

medan pada nilai baru . Besarnya medan baru ini dapat ditentukan dengan mengukur
perbedaan potensial baru V dengan voltmeter, dan menggunakan hubungan
 = V/L (8.12)
Dengan membandingkan persamaan (8.9) dan (8.10), konstanta dielektrik dapat dinyatakan
dalam suku yang mengandung medan o dan  dengan hubungan

r =  o /  (8.13)

Selanjutnya dari persamaan (8.11) dan (8.12) diperoleh


r = Vo / V (8.14)

Konstanta dielektrik dapat diperoleh dengan mengukur perbedaan potensial dalam


kapasitor, dengan dan tanpa kehadiran zat dielektrik.

Pelat  Dielektrik
kapasitor

_ _ _
+ + +

_ _ _
+ + +

_ _ _
+ + +

_ _ _
+ + +

Gambar 8.3 Setup eksperimental sederhana untuk pengukuran konstanta


dilektrik. (Catatan polarisasi molekul dalam zat padat ).

8.2 Konstanta Dielektrik dan Polarisabilitas

Polarisasi medium merupakan penjajaran momen molekular yang dihasilkan oleh


medan, karenanya masuk akal jika diasumsikan bahwa momen molekular sebanding
dengan medan, sehingga dapat dituliskan
p =  (8.15)
dengan konstanta  disebut polarisabilitas molekul.
Polarisasi P sekarang dapat dituliskan sebagai berikut
P = N (8.16)
109

Apabila disubstitusikan dalam persamaan (8.6) menghasilkan

 N 
D = o ε o + N = o 1 +   (8.17)
 o 

Bandingkan hasil tersebut dengan persamaan (8.9), salah satunya diperoleh


 N 
r = 1 +   (8.18)
 o 
yang memberikan konstanta dielektrik mengandung suku polarisabilitas.
Suseptibilitas listrik  dari medium didefinisikan dengan hubungan
P = o   (8.19)

yang menghubungkan polarisasi terhadap medan. Dengan membandingkan persamaan ini


dengan (8.16), diperoleh bahwa suseptibilitas dan polarisabilitas berhubungan satu sama
lain dengan
N
χ = (8.20)
o
Persamaan (8.18) dapat dituliskan dalam bentuk lebih sederhana
r = 1 + χ (8.21)
Persamaan (8.18) dapat juga dinyatakan dalam suku kerapatan medium dengan catatan
bahwa N = NA/M, dimana  adalah kerapatan medium, M adalah masa molar dan NA
adalah bilangan Avogadro. Jadi
r = 1 + (  N A /  o M )  (8.22)

Persamaan ini menunjukkan bahwa r bertambah secara linier dengan kerapatan dan baik
diterapkan pada gas, yang mana kerapatannya dapat bervariasi pada rentang yang lebar.
Akan tetapi hasil eksperimen menunjukkan bahwa (8.18) dan (8.22) kurang baik
diterapkan pada cairan atau padatan. Akar permasalahannya terletak pada (8.15). Hal ini
menunjukkan bahwa medan yang beraksi pada polarisasi molekul kemungkinan bukan
hanya medan . Selanjutnya jika medan yang mempolarisasikan sungguh berbeda dari ,
persamaan (8.15) dapat diganti dengan
p =   lokal (8.23)

dengan  lokal didefinisikan sebagai medan yang menyebabkan terjadinya polarisasi, juga
disebut medan lokal.
110

Untuk menghitung lokal harus menghitung total medan yang beraksi pada dipole,
medan tersebut adalah karena medan eksternal seperti pada dipole lainnya dalam suatu
sistem. Lorentz membuat suatu model, dipole dipandang sebagai sebuah bola berongga
degan radius R yang cukup besar sehingga matrik yang terletak diluarnya boleh
diperlakukan sebagai medium kontinum sepanjang menyangkut dipole. (gambar 8.4).
Medan lokal yang beraksi pada dipole sentral dihitung dengan penjumlahan
 lokal = o + 1 + 2 + 3 (8.24)

dengan o adalah medan eksternal, 1 medan karena polarisasi muatan-muatan yang


terletak pada permukaan eksternal dari sampel, 2 medan karena polarisasi muatan-muatan

yang terletak pada permukaan bola Lorentz, dan 3 medan karena dipole yang terletak
dalam bola. Sebagai catatan bahwa bagian medium antara bola dan permukaan eksternal
tidak memberikan konstribusi.

Gambar 8.4 (a) Prosedur untuk menghitung medan lokal (b) Prosedur
untuk menghitung 2

Perhitungan secara rinci untuk menentukan besarnya medan o, 1, 2 dan 3 dapat
dipelajari pada referensi 2 hal 378 – 381, yang memberikan
1
1 = − P (8.25)
o
1
2 = P (8.26)
3 o

3 = 0 (8.27)

Jika berbagai medan tersebut disubstitusikan dalam (8.24) diperoleh


111

2
 lokal =  o − P (8.28)
3 o
Bandingkan dengan persamaan (8.8) diperoleh
1
 lokal =  + P (8.29)
3 o

menunjukkan bahwa  lokal lebih besar dari , artinya molekul-molekul terpolarisasi lebih
efektif daripada seperti yang dibahas sebelumnya. Persamaan (8.29) dikenal dengan
hubungan Lorentz.
Perbedaan antara  yang diketahui sebagai medan Maxwell, dan medan Lorentz 
lokal dapat dijelaskan sebagai berikut. Medan  adalah besaran makroskopis seperti halnya
medan rata-rata dari sejumlah molekul (gambar 8.5). Medan ini yang digunakan dalam
persamaan Maxwell untuk gambaran makroskopis dari media dielektrik. Pada kondisi ini
medan  adalah konstan melalui medium.
Sedangkan medan Lorentz lokal adalah medan mikroskopis yang besarnya fluktuasi
secara cepat dalam medium. Seperti ditunjukkan dalam gambar, medan ini cukup besar
ketika berada pada titik tempat molekul, dan molekul mengalami polarisasi secara efektif
dibandingkan dalam medan rata-ratanya .

Gambar 8.5 Perbedaan antara medan Maxwell dan medan lokal lokal.
(bulat padat merepresentasikan molekul-molekul)

Selanjutnya akan dihitung besarnya konstanta dielektrik. Polarisasi menurut (8.23)


dan (8.16) diberikan oleh
P = N  lokal (8.30)

dengan dihubungkan pers (8.29), menghasilkan


112

 
 
N
P=   (8.31)
 N 
1 − 
 3 o 
Sebagai catatan bahwa pada kenyataannya penyebut dari persamaan di atas nilainya kurang
dari satu sehingga meningkatkan polarisasi. Peningkatan ini dikarenakan adanya koreksi
medan lokal. Jika hasil (8.31) disubstitusikan (8.16) dan (8.17), konstanta dielektrik dapat
dinyatakan sebagai berikut
2
1+ N
3 o
r = (8.32)
N
1−
3 o
Bahaslah persamaan (8.32) apabila diterapkan pada gas dan bandingkan jika diterapkan
pada cairan atau padatan !
Persamaan (8.32) seringnya ditulis dalam bentuk
r − 1 N
= (8.33)
r + 2 3 o
dikenal dengan hubungan Clausius – Mosotti. Persamaan tersebut dapat juga dituliskan
dalam persamaan
M  r − 1  N A
  = (8.34)
ρ  r + 2  3 o
yang menunjukkan bahwa polarisabilitas  boleh ditentukan dari besaran terukur M,  dan
r . Suku pada sisi kanan (dan pada sisi kiri) dari persamaan di atas diketahui sebagai
polarisabilitas molar.
Selanjutnya untuk mengenal sumber dan jenis polarisabilitas dapat dipelajari dalam
referensi 2 halaman 381 – 402.

8.3 PIEZOELEKTRISITAS

Pada sub-bab ini dibahas fenomena yang berkaitan dengan polarisasi ionik. Istilah
piezoelektrisitas didasarkan pada kenyataan bahwa ketika kristal suatu material mengalami
strain, dihasilkan medan listrik dalam material tersebut. Besarnya medan listrik dapat
diukur melalui perbedaan potensial pada sampel. Efek sebaliknya dapat diamati pula yaitu
ketika diberikan medan listrik dapat menghasilkan strain pada material. Efek piezoelektrik
113

sering digunakan untuk mengkonversi energi listrik menjadi energi mekanik dan sebalikya.
Material tersebut digunakan sebagai transduser. Berikan contohnya!
Tinjauan mikroskopis dari piezoelektrisitas terletak pada pergeseran muatan ionik
dalam kristal. Pada saat tidak hadirnya strain, distribusi muatan pada titik tempat kisi
adalah simetris, sehingga medan listrik internal besarnya nol. Tetapi ketika kristal
mengalami strain, muatan-muatan bergeser. Jika perubahan distribusi muatan tidak jauh
dari simetris, kemudian total polarisasi yang bersamaan dengan medan listriknya
bertambah. Medan ini yang menentukan dalam efek piezoelektrik.
Suatu material dapat bersifat piezoelektrik jika sel satuannya tidak mempunyai pusat
inversi. Gambar 8.6a menunjukkan hal tersebut, dan menunjukkan pula bahwa jika pusat
inversi hadir, ia tetap bertahan setelah distorsi dan konsekuensinya polarisasi menjadi nol.
Akan tetapi ketika tidak terdapat pusat inversi seperti ditunjukkan pada gambar 8.6b,
distorsi menghasilkan suatu polarisasi.

Gambar 8.6 Kristal dengan pusat inversi menunjukkan tidak adanya efek
piezoelektrik. (b) Efek piezoelektrik dalam kuarsa

Tabel 8.1: Beberapa contoh kristal piezoelektrik

Kristal Formula kimia Kekuatan relative


Rochelle salt NaKC4H4O6.4H2O sangat kuat
ADP NH4H2PO4 Kuat
KDP KH2PO4 Sedang
Α-quartz SiO2 Lemah
114

8.4 FERROELEKTRISITAS

Suseptibilitas ionik sering dinyatakan kurang sensitif terhadap perubahan temperatur.


Meskipun ini betul untuk banyak material, tetapi terdapat sekelompok material yang
menunjukkan suatu tanda yang berbeda dari aturan tersebut yaitu material ferroelektrik.
Dalam material ini, konstanta dielektrik statik berubah dengan temperatur menurut
hubungan
C
r = B + , T > TC (8.35)
T − TC
dengan B dan C konstanta yang bergantung pada temperatur. Hubungan ini dikenal sebagai
hukum Currie – Weiss, dan parameter C dan TC disebut sebagai konstanta Currie dan
temperatur Currie.
Perilaku ini berlaku untuk rentang temperatur T > TC.. Pada rentang T < TC , material
mengalami polarisasi spontan (spontaniously polarized) yaitu polarisasi listrik yang terjadi
tanpa bantuan medan eksternal. Fase transisi terjadi pada temperatur TC. Di atas
termperatur transisi, material dalam fase paraelektrik, dalam mana dipole elementer dari
sel satuan dalam kristal terorientasi secara random. Konstanta dielektrik diberikan oleh
(8.35), yang bentuknya digambarkan dalam gambar 8.7a. Di bawah temperatur transisi,
dipole elementer beriteraksi satu dengan lainnya dan meningkatkan medan internal, yang
juga menaikkan dipole. Arah medan dan polarisasi terletak dalam orientasi tertentu dalam
kristal. Gambar 8.7b menunjukkan variasi polarisasi spontan Ps dengan temperatur untuk T
< TC. Polarisasi ini bertambah secara gradual ketika temperaturnya lebih rendah.

r Ps

T T
0 TC 0 TC

Gambar 8.7 Konstanta dielektrik r sebagai fungsi temperatur dalam material


ferroelektrik. (b) Polarisasi spontan Ps sebagai fungsi temperatur
dalam zat erroelektrik.