Junction Transistor

(Revision with Ques.)

02.04.2019

[1 ]
[2 ]
[3 ]
[4 ]
[5 ]
[6 ]
[7 ]
[8 ]
 BJT FET

BJT (bipolar junction transistor ) is the FET (field effect transistor) is a uni-
bipolar device polar device

Its operation depends on both majority Its operation depends on majority

charge carriers and minority charge charge carriers which may be holes or
carriers. electrons

It is the current control device. It is the voltage controlled device.

It is more noisy It is less noisy

Its frequency variations affect its It has high frequency response

performance.

It is temperature dependent device. It has good thermal stability

[9 ]
 It is bigger in size than FET It is smaller in size than BJT.

It has more gain. It has less gain

Its switching time is medium. Its switching time is fast

These are preferred for low current These are preferred for low voltage
applications. applications.

It requires small amount of current to They requires small amount of voltage

keep on to keep on

It consumes more power It consumes less power.

It is a Non-symmetrical Device It is a Symmetrical Device.

Major Current flow due to Diffusion of Major current flow due to Drift of
charge carrier charge carriers.

Automatically controlled switches, TTL Low Noise Amplifier

circuits, amplifiers, current drivers etc.
Buffer Amplifier

Chopper

Multiplexer etc.

1.

Choose the correct statement

a) MOSFET has positive temperature coefficient (TC) whereas BJT has negative TC
MOSFET में सकारात्मक तापमान गुणाांक (TC) होता है जबकक BJT में नकारात्मक तापमान
गुणाांक (TC) होता है
b) Both MOSFET and BJT have positive TC
MOSFET और BJT दोनों में सकारात्मक तापमान गण
ु ाांक (TC) होता है
c) Both MOSFET and BJT have negative TC
MOSFET और BJT दोनों में नकारात्मक तापमान गुणाांक है

[10 ]
 d) MOSFET has negative TC whereas BJT has positive TC
MOSFET में नकारात्मक तापमान गुणाांक TC है जबकक BJT में सकारात्मक तापमान गुणाांक TC है

2.

Choose the correct statement

a) Both MOSFET and BJT are voltage controlled devices.

MOSFET और BJT दोनों वोल्टे ज ननयांत्रित डिवाइस हैं
b) Both MOSFET and BJT are current controlled devices.
MOSFET और BJT दोनों धारा ननयांत्रित डिवाइस हैं
c) MOSFET is a voltage controlled devices whereas BJT is a current controlled devices
MOSFET एक वोल्टे ज ननयांत्रित उपकरण है जबकक BJT एक धारा ननयांत्रित उपकरण है
d) MOSFET is a current controlled devices whereas BJT is a voltage controlled devices
MOSFET एक धारा ननयांत्रित उपकरण है जबकक BJT एक वोल्टे ज ननयांत्रित उपकरण है

3.

Secondary breakdown occurs in

Secondary breakdown होता है

a) MOSFET but not in BJT

b) Both MOSFET and BJT

c) BJT but not in MOSFET

d) None of these

4.

How can the channel width in a junction field effect transistor be controlled?
एक जांक्शन क्षेि प्रभाव ट्ाांजजस्टर में चैनल की चौडाई को कैसे ननयांत्रित ककया जा सकता है ?

a) By two back-biased p-n junctions

दो बैक-बायस्ि पी-एन जांक्शनों द्वारा
b) By the length of the source
स्रोत की लांबाई द्वारा

[11 ]
 c) By the length of the drain
Drain की लांबाई द्वारा
d) By the length of both the source and the drain
स्रोत और drain दोनों की लांबाई से

5.

The internal resistance of a current source used in the model of a BJT while analyzing a
circuit using BJT is
BJT का उपयोग करते हुए एक सककिट का ववश्लेषण करते हुए BJT के मॉिल में उपयोग ककए जाने वाले धारा स्रोत
का आांतररक प्रनतरोध है

a) Very high

b) Very low

c) Zero

d) Of the order of a few mega-ohms

6.

The diffusion potential across a p-n junction

पी-एन जांक्शन के diffusion potential क्षमता

a) Decreases with increasing doping concentration

बढ़ती िोवपांग concentration के साथ घट जाती है
b) Increases with decreasing doping concentration
िोवपांग concentration में कमी के साथ बढ़ता है
c) Does not depend on doping concentration
िोवपांग एकाग्रता पर ननभिर नह ां करता है
d) Increases with increasing in doping concentration
िोवपांग concentration में ववृ ि के साथ बढ़ता है

7.

A long specimen of p-type semiconductor material

पी-प्रकार अधिचालक सामग्री का एक लांबा नमन
ू ा

[12 ]
 a) Is positively charged
सकारात्मक रूप से चाजि ककया होता है
b) Is electrically neutral
ववद्युत रूप से उदासीन होता है
c) Has an electrical field directed along its length
इसकी लांबाई के साथ एक ववद्यत
ु क्षेि ननदे शशत है
d) Acts as a dipole
एक द्ववध्रव
ु ीय के रूप में कायि करता है

8.

In a unbiased p-n junction, zero current implies that

एक unbiased पी-एन जांक्शन में , शून्य धारा का तात्पयि है

a) The potential barrier has disappeared.

सांभाववत अवरोध गायब हो गया है
b) Number of holes diffusing from n-side equals the number of electrons diffusing from n-
side to p-side
एन-साइि से ववसरण वाले छे दों की सांख्या एन-साइि से पी-साइि तक ववसरण वाले इलेक्ट्ॉनों की
सांख्या के बराबर होती है
c) No carrier across the junction.
जांक्शन के पार कोई वाहक नह ां
d) Total current crossing the junction from p-side to n-side equals the total current crossing
the junction from n-side to p-side
पी-साइि से एन-साइि तक जांक्शन को पार करने वाला कुल करां ट, एन-साइि से पी-साइि तक जांक्शन को पार
करने के कुल करां ट के बराबर होता है

9.

The depletion capacitance CJ of an abrupt p-n junction with constant doping on either side
varies with reverse bias VR as

दोनों तरफ ननरां तर िोवपांग के साथ एक अचानक पी-एन जांक्शन के घटता समाई सीजे के रूप में ररवसि पूवािग्रह वीआर
के साथ शभन्न होता है

[13 ]
a) CJ ∝VR

b) CJ∝ VR-1
1
c) CJ ∝VR −
2
1
d) CJ∝ 𝑉𝑅 3

10.

The static characteristic of an adequately forward biased p-n junction is a straight line, if the
plot is of

पयािप्त रूप से अग्र अशभनत पी-एन जांक्शन की स्थैनतक ववशेषता एक सीधी रे खा है , यदद प्लाट ननम्न के
त्रबच है -

a) log I Vs logV

b) log I Vs V

c) I Vs logV

d) I Vs V

11.

Silicon diode is less suited for low voltage rectifier operation because
शसशलकॉन िायोि कम वोल्टे ज रे जक्टफायर ऑपरे शन के शलए कम अनक
ु ू ल है क्योंकक
a) It can withstand high temperatures
यह उच्च तापमान का सामना कर सकता है
b) Its reverse saturation current is low
इसका ररवसि सांतजृ प्त current कम है
c) Its cut-in voltage is high
इसका कट-इन वोल्टे ज अधधक है
d) Its breakdown voltage is high
इसका ब्रेकिाउन वोल्टे ज अधधक है

12.

[14 ]
In a transistor, the forward bias across the base emitter junction is kept constant and the
reverse bias across the collector base junction is increased. Neglecting the leakage across
the collector base junction and the depletion region generation current, the base current will
एक ट्ाांजजस्टर में , बेस एशमटर जांक्शन को forward bias के साथ जस्थर रखा जाता है और कलेक्टर बेस
जांक्शन को reverse bias पर रख कर बढ़ाया जाता है । कलेक्टर बेस जांक्शन leakage current और
अवछय परत में उत्पन्न होने वाल धरा को को नगण्य मानते हुए, आधार धारा होगी
a) Increase
b) Decrease
c) Remain constant
d) None of these

13.

Two identical FETs, each characterized by the parameters gm and rd are connected in
parallel. The composite FET is then characterized by the parameters
दो समान FET, प्रत्येक की ववशेषता gm और rd समानाांतर में जड
ु े हुए हैं। समग्र FET तो मापदां िों द्वारा
ववशेषता है
𝑔𝑚
a) and 2rd
2
𝑔𝑚 𝑟𝑑
b) and
2 2
𝑟𝑑
c) 2gm and
2

d) 2gm and 2𝑟𝑑

14.

Thermal runaway in a transistor biased in the active region is due to

सकिय क्षेि में biased ट्ाांजजस्टर में थमिल रनवे के कारण होता है
a) Heating of the transistor
ट्ाांजजस्टर का ताप
b) Changes in 𝛽 which increases with temperature
𝛽 में पररवतिन जो तापमान के साथ बढ़ता है
c) Base emitter voltage VBE which decreases with rise in temperature
बेस एशमटर वोल्टे ज VBE जो तापमान में ववृ ि के साथ घटता है
d) Change in reverse collector saturation current due to rise in temperature

[15 ]
 तापमान में ववृ ि के कारण ररवसि कलेक्टर सांतजृ प्त current में बदलाव

15.

The ‘Pinch-off’ voltage of JFET is %V. Its “Cut-off” voltage is

JFET का 'वपांच-ऑफ' वोल्टे ज 5 V है । इसका "कट-ऑफ" वोल्टे ज है
a) (5.0)1/2 V
b) 2.5 V
c) 5.0 V
d) (5.0)3/2 V

16.
Which of the following effects can be caused by a rise in temperature?
तापमान में ववृ ि के कारण ननम्नशलखखत में से कौन सा प्रभाव हो सकता है ?
a) Increase in MOSFET Current (IDS)
MOSFET करां ट में ववृ ि (IDS)
b) Increase in BJT current (IC)
बीजेट करां ट में ववृ ि (IC)
c) Decreases in BJT current (IC)
BJT करां ट (IC) में कमी
d) None

17.

The MOSFET can be used as

MOSFET के रूप में इस्तेमाल ककया जा सकता है
a) Current controlled capacitor.
करां ट ननयांत्रित सांधाररि
b) Voltage controlled capacitor.
वोल्टे ज ननयांत्रित सांधाररि
c) Current controlled inductor.
करां ट ननयांत्रित inductor करनेवाला
d) Voltage controlled inductor
वोल्टे ज ननयांत्रित inductor

18.

[16 ]
Which one of the following statements is not correct?
ननम्नशलखखत में से कौन सा कथन सह नह ां है ?
a) Reverse saturation current in a BJT Approximately doubles for every 100C rise in
temperature.
तापमान में हर 10 ० C की ववृ ि के शलए BJT में लगभग सांतजृ प्त धारा दोगुनी होती है ।
b) The reverse resistance of a junction diode increase with increase in temperature.
तापमान में ववृ ि के साथ एक जांक्शन िायोि का ररवसि प्रनतरोध बढ़ जाता है ।
c) Reverse saturation current of a silicon diode is much smaller than that of a
germanium diode.
एक शसशलकॉन िायोि का Reverse saturation current जमेननयम िायोि की तुलना में बहुत कम
होता है ।
d) The cut-in voltage of silicon diode is larger than that of germanium.
शसशलकॉन िायोि का कट-इन वोल्टे ज जमेननयम से बडा होता है ।

19.

A FET
एक FET

a) Incorporates a forward-biased junction.

फॉरविि-बायस्ि जांक्शन को शाशमल करता है ।
b) Uses a high – concentration emitter junction.
एक उच्च साांद्रता वाले उत्सजिक जांक्शन का उपयोग करता है ।
c) Depends on the variation of a magnetic field for its operation.
इसके सांचालन के शलए एक चब
ुां कीय क्षेि की शभन्नता पर ननभिर करता है ।
d) Depends on the variation of the depletion layer width with reverse voltage for its
operation.
अपने ऑपरे शन के शलए ररवसि वोल्टे ज के साथ अवछय परत की शभन्नता पर ननभिर करता है ।

20.

Thermal runway is not possible in FET because, as the temperature of FET increases

थमिल रनवे, FET में सांभव नह ां है क्योकक FET का तापमान बढ़ाने के साथ -
a) The drain current increases.
b) The mobility increases.

[17 ]
c) The mobility decreases.
d) The trans-conductance Increases

21.

How is an N-channel junction field effect transistor operated as an amplifier?

एक एम्पल फायर के रूप में एन-चैनल जांक्शन क्षेि प्रभाव ट्ाांजजस्टर कैसे सांचाशलत होता है
a) With a forward bias gate- source junction.
गेट- सोसि जांक्शन अग्र अशभनत बायस के साथ
b) With a reverse bias gate-source junction.
एक ररवसि बायस गेट-सोसि जांक्शन के साथ
c) With an open gate – source junction
एक खल
ु े गेट - स्रोत जांक्शन के साथ
d) With a shorted gat-source junction.
एक शॉटि गेट-सोसि जांक्शन के साथ

22.

The extremely high input impedance of MOSFET is primarily because of

MOSFET का अत्यांत उच्च इनपटु प्रनतबाधा मख्
ु य रूप से है

a) Absence of its channel

इसके चैनल की अनप
ु जस्थनत
b) Depletion of current carriers
धारा वाहकों की कमी
c) Extremely small leakage current of its gate capacitor
इसके गेट सांधाररि में अत्यांत स्माल leakage current के कारण
d) + ve VGS

23.

The lower turn off time of MOSFET when compared to BJT can be attributed to which one
of the following?

[18 ]
BJT की तुलना में MOSFET के ननचले समय को बांद करने का श्रेय ननम्न में से ककसे ददया जा सकता है ?

a) Input impedance
इनपुट प्रनतबाधा
b) Positive temperature coefficient
सकारात्मक तापमान गुणाांक
c) Absence of minority carriers
अल्पसांख्यक वाहकों की अनुपजस्थनत
d) On-state resistance
ऑन-स्टे ट प्रनतरोध

24.

In a MOSFET, the transfer characteristics can be used to determine which of the following
device parameters?
MOSFET में , स्थानाांतरण ववशेषताओां का उपयोग ननम्न में से ककस उपकरण के मापदां िों को ननधािररत
करने के शलए ककया जा सकता है ?
a) Threshold voltage and output resistance
थ्रेसहोल्ि वोल्टे ज और आउटपट
ु प्रनतरोध
b) Transconductance and output resistance
ट्ाांसकांिक्शन और आउटपुट प्रनतरोध
c) Threshold voltage and trans-conductance
थ्रेसहोल्ि वोल्टे ज और ट्ाांसकांिक्शन
d) Trans-conductance and channel length modulation parameters
ट्ाांसकांिक्शन और चैनल लांबाई मॉड्यूलेशन पैरामीटर

25.

The drain current of a MOSFET in saturation is given by ID = K(VGS – VT)2 where K is a

constant. The magnitude of the trans-conductance gm is
सांतजृ प्त में एक MOSFET की नाल वतिमान ID = K ( VGS - VT) 2 द्वारा द गई है जहाां K एक जस्थराांक
है । Trans-conductance g m का पररमाण है
K(VGS −VT )2
a)
𝑉𝐷𝑆

[19 ]
b) 2K(VGS – VT)

𝐼𝐷
c)
𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝐷𝑆

K(VGS −VT )2
d)
𝑉𝐺𝑆

26.

Field effect transistor uses ______ to control the shape.

फील्ि इफेक्ट ट्ाांजजस्टर आकार को ननयांत्रित करने के शलए ______ का उपयोग करता है
a) electric field
b) magnetic field
c) current distribution
d) voltage distribution

27.

Field effect transistors are known as

क्षेि प्रभाव ट्ाांजजस्टर के रूप में जाना जाता है
a) unipolar device
b) bipolar device
c) tripolar device
d) multipolar device

28.

In FET, the charge carrrier enters the channel through

FET में ,चाजि कैररयर चैनल के माध्यम से प्रवेश करता है
a) source
b) drain
c) gate
d) nodes

29.

A JFET is a ………… driven device

JFET एक ………… सांचाशलत डिवाइस है

[20 ]
 A. current
B. voltage
C. both current and voltage
D. none of the above

30.

The gate of a JFET is ………… biased

एक JFET का गेट……… बायस्ि होता है -

A. reverse
B. forward
C. reverse as well as forward
D. none of the above

31.

In a p-channel JFET, the charge carriers are …………..

एक p- चैनल JFET में , आवेश वाहक हैं ………… .

A. electrons
B. holes
C. both electrons and holes
D. none of the above

32.
When drain voltage equals the pinch-off-voltage, then drain current …………. with the
increase in drain voltage
जब ड्रेन वोल्टे ज वपांचवोल्टे ज के बराबर होता है -ऑफ-, तो ड्रेन करां ट ………ड्रेन वोल्टे ज में ववृ ि के साथ
A. decreases
B. increases
C. remains constant
D. none of the above

33.
Which internally connected region is heavily doped with an impurity by forming double
PN junctions in JFET?

[21 ]
 JFET में िबल पीएन जांक्शन बनाने के शलए आांतररक रूप से जुडा क्षेि कौन सा होता है ?

a. Source
b. Drain
c. Gate
d. Channel

34.

The passage of majority charge carriers from source to drain terminal takes place through
the channel only after an application of
स्रोत से लेकर ड्रेन टशमिनल तक के बहुसांख्यक प्रभार वाहकों को एक एप्ल केशन के बाद ह चैनल के
माध्यम से पाररत ककया जाता है

a. Drain to Source Voltage (VDS)

b. Gate to Source Voltage (VGS)
c. Gate to Gate Voltage (VGG)
d. Drain to Drain Voltage (VDD)

35.

JFET is considered as a voltage controlled device because ______.

FET को वोल्टे ज ननयांत्रित उपकरण माना जाता है क्योंकक ______

a. gate current is controlled by drain voltage

b. drain current is controlled by gate voltage
c. gate current is controlled by source voltage
d. drain current is controlled by source voltage

36.

FET is a voltage controlled device.

FET एक वोल्टे ज ननयांत्रित उपकरण है

[22 ]
a) True
b) False

37.

Which of the following statement is true about FET?

ननम्नशलखखत में से कौन सा कथन FET के बारे में सह है ?

A) It has high output impedance

इसमें उच्च आउटपट
ु प्रनतबाधा है
B) It has high input impedance
इसमें उच्च इनपुट प्रनतबाधा है
C) It has low input impedance
इसमें कम इनपुट प्रनतबाधा है
D)It does not offer any resistance
यह कोई प्रनतरोध पेश नह ां करता है

38.
Comparing the size of BJT and FET, choose the correct statement?
BJT और FET के आकार की तुलना करके, सह कथन चन ु ें ?
a) BJT is larger than the FET
BJT FET से बडा है
b) BJT is smaller than the FET
BJT FET से छोटा है
c) Both are of same size
दोनों एक ह आकार के हैं
d) Depends on application
प्रयोग पर ननभिर करता है

39.

[23 ]
What is the main advantage of FET which makes it more useful in industrial applications?
FET का मुख्य लाभ क्या है जो इसे औद्योधगक अनुप्रयोगों में अधधक उपयोगी बनाता है ?
a) Voltage controlled operation
b) Less cost
c) Small size
d) Semiconductor device

40.

For a FET when will maximum current flows?

FET के शलए अधधकतम करां ट प्रवाह कब होगा?
a) Vgs = 0V
b) Vgs = 0v and Vds >= |Vp|
c) VDS >= |Vp|
d) Vp = 0

41.

The Shockley equation is __________________

a) ID = (1 – Vgs/Vp)2
b) ID = IDSS (1 – Vgs/Vp)2
c) ID = IDSS (1 – Vgs/Vp)1
d) ID = IDSS (1 + Vgs/Vp)2

42.

What is the value of drain current when Vgs=pinch off voltage?

Vgs=pinch off voltage समय ड्रेन करां ट का मान क्या है ?

a) 0A
b) 1A
c) 2A
d) Cannot be determined

43.

[24 ]
To use FET as a voltage controlled resistor, in which region it should operate?
FET को वोल्टे ज ननयांत्रित प्रनतरोध के रूप में उपयोग करने के शलए, इसे ककस क्षेि में काम करना चादहए?

a) Ohmic region
b) cut off
c) Saturation
d) cut off and saturation

44.

For an n-channel FET, What is the direction of current flow?

n-channel FET के शलए धारा की ददशा क्या होगी?
a) Source to drain
b) Drain to source
c) Gate to source
d) Gate to drain

45.

For a p-channel FET, What is the direction of current flow?

p- channel FET में धारा की ददशा क्या होगी ?

a) Source to drain
b) Drain to source
c) Gate to source
d) Gate to drain

46.

Which of the following can be considered to be an advantage of FET amplifier as compared

to BJT amplifier?
BJT एम्पल फायर की तुलना में ननम्नशलखखत में से ककसको FET एम्पल फायर का लाभ माना जा सकता
है ?
A – Higher input impedance
B – Good bias stability
C – Higher gain-bandwidth product

[25 ]
D – Lower noise figure
Select the correct answer using the codes given below
Codes:
a) A, B and C
b) A, B and D
c) B, C and D
d) A, C and D

47.

The action of JFET in its equivalent circuit can be represented as which of the following?
इसके समतुल्य पररपथ में JFET की किया को ननम्न में से ककसके रूप में दशािया जा सकता है ?
a) Current controlled current source
b) Current controlled voltage source
c) Voltage controlled current source
d) Voltage controlled Voltage source

48.

FET amplifier does not obey the law of conservation of energy.

FET एम्पल फायर रजाि के सांरक्षण के कानून का पालन नह ां करता है

a) True
b) False

49.

What will happen if gate voltage applied is positive ?

क्या होगा अगर गेट पर धनात्मक ववभव का प्रयोग ककया जाए?
a) Device burns
b) More current flows
c) Nothing happens
d) Current remains the same

50.

[26 ]
How does a FET behave when the I-V characteristics are to the left of pinch off for an n
channel FET?
FET कैसे व्यवहार करता है अगर I-V characteristics वपांच ऑफ ववभव के बायीां ओर हो?
a) Voltage controlled resistor
b) Amplifier
c) Switch
d) Diode

51.

For a n-channel FET, what is the condition of Vgs for which the current becomes zero?
एक n-channel FET के शलए, Vgs की जस्थनत क्या है जजसके शलए धारा शून्य हो जाता है ?
a) 0
b) 100V
c) Vp
d) Infinite

52.

For a FET having IDSS=2mA Vgs=2V and Vp=-1V, What is the value of source current?

FET के शलए IDSS = 2mA Vgs = 2V और Vp = -1V, स्रोत करां ट का मान क्या है ?

a) 9mA
b) 18mA
c) 3mA
d) 1mA

53.

Find the current through gate if the FET was given with gate to source voltage =10V and
drain to source voltage =20V, the pinch off voltage was -2V and ID=2mA.

गेट के माध्यम से करां ट ज्ञात करें यदद FET को गेट से स्रोत वोल्टे ज = 10V और स्रोत वोल्टे ज से ड्रेन
वोल्टे ज = 20V में ददया गया था, वपांच ऑफ ववभव -2V और ID = 2mA हो

[27 ]
a) 10mA
b) 20mA
c) 0mA
d) 2mA

54.

For low value of VDS, the JFET behaves like a __________

VDS के कम मान के शलए, JFET एक __________ की तरह व्यवहार करता है

a) Voltage Variable Resistor

b) Constant Voltage Device
c) Amplifier
d) Switch

55.

Where does the transfer curve lie for a p- channel FET?

p- चैनल FET के शलए स्थानाांतरण वि कहाां जस्थत है ?
a) First quadrant
b) Second quadrant
c) Third quadrant
d) Fourth quadrant

56.

Where does the transfer curve lie for a n- channel FET?

n- चैनल FET के शलए स्थानाांतरण वि कहाां जस्थत है ?
a) First quadrant
b) Second quadrant
c) Third quadrant
d) Fourth quadrant

57.

[28 ]
A FET is biased at ID = IDSS/4, at this point the value of transconductance is
__________________ (ID=10mA, Vp=-5V).
a) 1mA/V
b) 8mA/V
c) 3mA/V
d) 4mA/V

58.

What will be the value of rd, if two identical FETs are connected in parallel?
दो समान FET समानाांतर में जुडे हुए हैं, तो rd का मान क्या होगा?
a) Doubles
b) Reduces to half
c) 0
d) Infinite

59.

What will be the value of trans conductance if two Identical FETs are connected in parallel?
यदद दो समान तरह की FET समानाांतर में जुडे हैं, तो ट्ाांस कांिक्ट का मान क्या होगा?
a) Doubles
b) Reduces to half
c) 0
d) Infinite

60.

What is trans-conductance?
ट्ाांस-कांिक्ट क्या है ?
a) Ratio of change in drain current to change in collector current
ड्रेन धारा में बदलाव से कलेक्टर धारा में बदलने का अनुपात
b) Ratio of change in drain current to change in gate to source voltage
ड्रेन धारा और गेट से सोसि वोल्टे ज का अनुपात
c) Ratio of change in collector current to change in drain current
कलेक्टर धारा और ड्रेन धारा का अनप
ु ात
d) Ratio of change in collector current to change in gate to source voltage
कलेक्टर धारा और गेट से सोसि वोल्टे ज का अनुपात

[29 ]
61.

The slope obtained in VGS vs ID was 0.002. What is the value of gm?
VGS बनाम ID में प्राप्त ढलान 0.002 था। gm का मान क्या है?
a) 1
b) 2
c) 0.002
d) 0

62.

Which of the following is an expression for gm0?

ननम्नशलखखत में से कौन gm0 के शलए एक अशभव्यजक्त है ?

a) gm0 = IDSS/Vp
b) gm0 = 2IDSS/|Vp|
c) gm0 = IDSS/5Vp
d) gm0 = IDSS/2Vp

63.
Find the maximum value of gm for FET with IDSS=10mA, Vp=-2V, VGS=5V?
IDSS = 10mA, Vp = -2V, VGS = 5V के साथ FET के शलए gm का अधधकतम मान ज्ञात कीजजए
a) 10mS
b) 20mS
c) 1mS
d) 0

64.
A FET has IDSS=4ID and gm0 = 10mS then gm = _________________________
एक FET में IDSS=4ID और gm0 = 10mS है तो gm = _________________________

a) 10mS
b) 20mS
c) 5mS
d) 14mS

[30 ]
65.
Which of the following are ture for h-parameters of transistors?
a) They are real numbers at audio frequencies.
b) They are easy to measure.
c) they vary widely with temperature.
Select the correct answer using the codes given below:

a) 1 and 2 only
b) 2 and 3 only
c) 1 and 3 only
d) 1, 2 and 3.

66.

The main factor which differentiates a D-MOSFET from an E-MOSFET is the absence of
a) Electrons
b) Insulated gate
c) P-N junctions
d) Channel

67.
Which of the following is not valid in case of FETs?
a) It has fast switching time
b) It has high input impedance
c) It has low voltage gain
d) It is a voltage controlled device.

68.
The depletion mode MOSFET acts mostly as
a) A resistor
b) A current source
c) A JFET
d) An enhancement MOSFET.

69.
In saturation region JFET acts like a

[31 ]
a) Switch
b) Short circuit
c) Bipolar device
d) Resistance

70.
Which of the following statements in correct-

a) An N-channel JFET is doped with a pentavalent impurity which gives rise to a channel
current consisting of holes

b) JFET operates only in enhancement mode

c) For an N-channel JFET, the drain voltage has to be positive with respect to the source

d) MOSFET operates in depletion mode only.

71.
Resistance of FET
a) Increases with increase of temperature
b) Is independent of temperature.
c) Increases with decrease of temp4erature
d) None of the above.

72.
In a transistor, the base current is generally 5 percent of the emitter current.

(Yes / No)

73.
The common emitter input resistance changes significantly with base voltage.

(Yes/ NO)

74.
D.C. load line of a transistor is drawn between two points called cut off point and Saturation
point.

75.

[32 ]
In an N-channel JFET, the channel is the narrowest under zero gate bias condition. (Yes /
No)

76.
A BJT is very sensitive to radiations where as FET is relatively immune to it.

(Yes / NO)

77.

How is an N-channel junction field effect transistor operated as an amplifier?

a) With a forward bias gate- source junction.

b) With a reverse bias gate-source junction.

c) With an open gate – source junction.

d) With a shorted gat-source junction.

78.
Consider the following devices:
a) BJT in CB mode.
b) BJT in CE mode.
c) JFET.
d) MOSFET.
The Correct sequence of these devices in increasing order of their input impedances is:
a) 1, 2, 3, 4.
b) 2,1,3,4
c) 2,1,4,3
d) 1,3,2,4.

[33 ]
\

[34 ]