Anda di halaman 1dari 4

T3: Memoria Interna y Memoria Caché

Por:

1. …
2. …
3. …
4. …
1. Memoria Interna

1.1 Memoria RAM

A. Organización y Estructura:
El elemento básico que tiene la memoria RAM es la celda de memoria, estas
comparten ciertas propiedades como:
 Presentan dos estados, estables o semiestables, que pueden utilizarse
para representar el 0 o el 1 en binario.
 Puede escribirse en ella para fijar su estado.
 Pueden leerse para detectar su estado.
 En la RAM es posible tanto leer datos como escribir rápidamente
nuevos datos en ella, esto es que tanto la lectura como la escritura se
ejecutan mediante señales eléctricas.
 Es Volátil (Es un tipo de memoria que, al no recibir electricidad, pierde
la información que contiene rápidamente).
 Una RAM debe estar siempre alimentada, si esta pierda la alimentación
se pierden los datos.
 Pueden utilizarse como almacenamiento temporal.
 Las dos formas tradicionales de RAM utilizadas por los computadores
son la DRAM Y SRAM.
B. Tipos de Memoria RAM
 DRAM – RAM DINAMICA: Una RAM dinámica esta hecha con celdas que
almacenan los datos como cargas eléctricas en condensadores. La
presencia o ausencia de carga en un condensador se interpretan como
el uno o el cero binarios. Ya que los condensadores tienen una
tendencia natural a descargarse. Las RAM dinámicas requieren periodos
para memorizar los datos, el termino dinámica hace referencia a que la
carga almacenada se pierda, incluso manteniéndola siempre
alimentada.
Es un dispositivo esencialmente analógico, se usa para almacenar un
solo bit (0 ò 1), esto es que el condensador puede almacenar cualquier
valor dentro de un rango y su comparación con un valor umbral
determina si dicha carga de interpreta como un 0 o un 1.

 SRAM – RAM ESTATICA: Es un dispositivo digital basado en los mismos


elementos que se usan en un procesador(Semiconductores, capaz de
mantener las datos mientras siga alimentada), en una RAM estática, los
valores binarios se almacenan utilizando configuraciones de puertas
que forman biestables (flip – flops, multivibrador capaz de permanecer
en uno de dos estados posibles durante un tiempo indefinido en
ausencia de perturbaciones).
Una RAM estática mantendrá sus datos en tanto se mantenga
alimentada.
C. Organización Avanzada DRAM
Uno de los puntos más críticos de un sistema que utiliza procesadores es la
interfaz con la memoria principal interna, esta interfaz es el camino mas
importante en el computador. El chip DRAM tradicional esta limitado tanto por
su arquitectura interna como su interfaz con el bus de memoria del procesador.
 DRAM – SINCRONA: También representada por SDRAM, este
intercambia datos con el procesador de forma sincronizada con una
señal de reloj externa, funcionando a la velocidad tope del bus
procesador, sin imponer estados de espera.
En una DRAM típica, el procesador presenta las direcciones y niveles de
control a la memoria, indicando que los datos de una posición de
memoria concreta deben bien escribirse o leerse.
Con el acceso síncrono, la DRAM, introduce y saca datos bajo el control
de reloj del sistema, luego el procesador cursa la información de
instrucción y de dirección, que es detenida por la DRAM, luego este
responderá después de un cierto numero de ciclos del reloj, entre tanto
el procesador puede realizar sin riesgo otras tareas mientras la SDRAM
está procesando la petición.
La SDRAM emplea un modo de ráfagas para eliminar los tiempos de
establecimiento de dirección y de precarga de las líneas de fila y de
columna posteriores al primer acceso.
Funciona cuando transfiere bloques largos de datos en serie tal como
en aplicaciones de procesamiento de textos, hojas de cálculo y
multimedia.
 DRAM – RAMBUS: Desarrollada por Rambus, fue adoptada por Intel
para sus procesadores Pentium e Itanium. Tienen encapsulados
verticales con todos los terminales en un lateral. El chip intercambia
datos con el procesador por medio de 28 hilos de menos de 12 cm de
longitud. El bus puede intercambiar hasta 320 chips de RDRAM y a razón
de 1.6 GBps.
Las RDRAM obtienen las peticiones de memoria a través de un bus de
alta velocidad, cada petición contiene la dirección deseada, el tipo de
operación y el numero de bytes en dicha operación.
 DDR SDRAM: La SDRAM esta limitada por el hecho de que puede enviar
datos al procesador solo una vez por ciclo de reloj del bus. Una versión
SDRAM, denominada SDRAM de doble velocidad de datos (DDR
SDRAM) puede enviar datos dos veces cada ciclo del reloj, una
coincidiendo con el flanco de subida del pulso del reloj y otra
coincidiendo con el flanco de bajada.
 DRAM CACHÈS: Desarrollada por Mitsubishi, integra una pequeña
caché, SRAM (16 kb) en un chip normal DRAM.
Se usa de dos formas, en primer lugar puede utilizarse como una
verdadera caché formada por líneas de 64 bits, y en segundo lugar
puede usarse como buffer para soportar el acceso serie a un bloque de
datos.
D. Corrección de errores en la RAM
Las memorias semiconductoras están sujetas a errores, estos pueden
clasificarse en fallos permanentes y errores transitorios.
Un fallo permanente corresponde a un defecto físico de tal modo que la celda
o celdas de memoria afectadas no pueden almacenar datos de manera segura.
Los errores permanentes pueden estar causados por funcionamiento en
condiciones adversas, defectos de fabricación y desgaste.
Un error transitorio es un evento aleatorio no destructivo que altera el
contenido de una o mas celdas de almacenamiento, din dañar la memoria, estos
errores se deben a la fuente de alimentación o partículas alfa.
Estos errores tanto permanentes como transitorios no son nada deseables y la
mayoría de los sistemas de memoria modernos incluyen lógica para detectar y
corregir errores.
1.2 Memoria ROM
A. Organización y Estructura
Es una memoria solo de lectura, contiene un patrón permanente de datos que
no puede alterarse. Una ROM es no volátil, es decir no se requiere fuente de
alimentación para mantener memorizados los valores de los bits. Aunque es
posible leer los datos de una ROM no es posibles escribir datos en ella.
Una aplicación importante de las ROM es la microprogramación.
Otras aplicaciones potenciales en la ROM son: Subrutinas de biblioteca para
funciones de uso frecuente, programas del sistema y tablas de funciones.
Cuando se requiere un tamaño modesto, la ventaja de una ROM es que el
programa o los datos estarían permanentemente en memoria principal y nunca
seria necesario cargarlos desde un dispositivo de memoria secundaria.
Una ROM se construye como cualquier otro chip de circuito integrado, con los
datos cableados en el chip durante el proceso de fabricación.
B. Tipos de ROM
 ROM programadas por máscara, cuya información se escribe en el
proceso de fabricación y no se puede modificar.
 PROM, o ROM programable una sola vez. Utilizan una matriz de diodos
cuya unión se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión.
 EPROM (Erasable PROM) o RPROM (Reprogramable ROM), cuyo
contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para volverlas a
escribir.
 EAROM (Electrically Alterable ROM) o EEROM (Electrically Erasable
ROM), son memorias que están entre las RAM y las ROM ya que su
contenido se puede volver a escribir por medios eléctricos. Se
diferencian de las RAM en que no son volátiles.
 Memoria FLASH. Utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las
EEPROM, pero pueden ser borradas y reprogramadas en bloques, y no
palabra por palabra como ocurre con las tradicionales EEPROM.
Ofrecen un bajo consumo y una alta velocidad de acceso, alcanzando
un tiempo de vida de unos 100.000 ciclos de escritura.
2. Memoria Caché

A. Jerarquías de Memoria
B. Principios Básicos de la Memoria Caché
C. Características de la memoria Caché
3. Referencias Bibliográficas
 http://www.fdi.ucm.es/profesor/jjruz/WEB2/Temas/EC5.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Celda_de_memoria
 https://es.wikipedia.org/wiki/Biestable

4. Anexos

Anda mungkin juga menyukai