Percobaan II

Karakteristik BJT
Irvan Prada Saragi (14S16057)
Tanggal Percobaan : 16/03/2018
ELS2203 - Praktikum Elektronika 1
Laboratorium Dasar Teknik Elektro – Teknik Elektro
Institut Teknologi Del

bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis,

Abstrak—Telah dilakukan praktikum Karakteristik Transistor bergantungsusunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN
Bipolar dengan tujuan untuk mengetahui metode pemberian bias dan PNP.
tegangan dan arus pada transistor bipolar, menentukan dan
membedakan karakteristik output, dan karakteristik dari transfer Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis
arus konstan dari transistor bipolar, menginterpretasikan kurva (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu
karakteristik transistor bipolar. Data didapat dari percobaan ini terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur
arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis,
terdiri atas dua jenis, pertama data untuk karaktristik output
yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
dengan pengukuran pada IC dimana arus basis dengan VCE., Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor
dimanipulasi, kedua bentuk karakteristik transfer arus konstan ditujukkan oleh gambar berikut ini.
IB yang dimanipulasi dan sedangkan yang menjadi variabel
respon adalah IB. Berdasarkan hasil percobaan dan analisis
perhitungan dapat di simPulkan bahwa kurva karakteristik output
dari transistor dibagi menjadi tiga daerah yaitu daerah saturasi , cut
off ,daerah Aktif Sedangkan kurva karaktersitik dari transfer arus
akan menunjukan sebuah grafik kesebandigan antara IC terhadap
IB sedangkan factor penguat yang merupakan perbandingan antara
IC dengan IB yang diperoleh untuk kegiatan pertama. Transistor BJT NPN

Keywords: Current, BJT, Early Effect, Voltage, Transistor.

I. PENDAHULUAN

D alam dunia teknik elektro, tidak asing lagi dengan

melakukan percobaan dan pengamatan secara langsung
mengenai perangkat-perangkat elektrik. Praktikum modul 2
ini, akan melakukan percobaan mengenai transistor dan jenis
Transistor BJT PNP
transistor yang digunakan adalah transistor BJT . karakteristik
yang diukur praktikum ini adalah 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 , dan 𝑉𝐶𝐸 dari Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya
transistor. Dari data-data pecobaan praktikan akan mencoba
arus kolektor (𝐼𝐶 ), arus Basis (𝐼𝐵 ), dan arus emitor (𝐼𝐸 ), yaitu
memamahami keterkaitan antara kondisi karakteristik arus-
beta () = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha
tegangan tersebut.
Tujuan dari praktikum ini adalah : ()= penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan
matematis sebagai berikut.
 Memahami karakteristik transistor BJT.
 Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit. 𝐼𝐶 𝐼𝐶
 Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan. 𝛽= dan 𝛼 =
𝐼𝐵 𝐼𝐸
Sehingga,
II. LANDASAN TEORETIS
𝛼 𝛽
𝛽= dan 𝛼 =
1− 𝛼 𝛽+1
2.1 Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu komponen Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
elektronika paling penting. Terdapat dua jenis transistor dengan pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan
berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
dan unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari transistor ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari
rangkaian diatas, yaitu:
III. HASIL DAN ANALISIS
 Karakteristik 𝐼𝐶 - 𝑉𝐵𝐸
 Karakterinstik 𝐼𝐶 - 𝑉𝐶𝐸 A. Percobaan 1 : Karakteristik Input Transistor 𝐼𝐶 - 𝑉𝐵𝐸
Pada percobaan 1 ini, kami menggunakan rangkaian
2.2 Kurva Karakteristik 𝐼𝐶 – 𝑉𝐵𝐸 seperti gambar berikut.
Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari
tegangan 𝑉𝐵𝐸 , sesuai dengan persamaan:

𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸/𝜂𝑘𝑇

Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva seperti

ditunjukkan pada gambar berikut ini.

𝑅𝐶 minimum yang kami pakai sebesar 82.3 𝛺.

Berdasarkan rangkaian di atas diperoleh hasil pada osiloskop
dengan mode X-Y sebagai berikut:

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari

transistor, yang merupakan kemiringan dari kurva di atas,
yaitu:
𝛥𝐼𝐶
𝑔𝑚 =
𝛥𝑉𝐵𝐸

2.3 Kurva Karakteristik 𝐼𝐶 - 𝑉𝐶𝐸

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan
menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off.
Grafik 𝐼𝐶 - 𝑉𝐵𝐸
Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum
dalam tabel berikut ini.

Dalam kurva 𝐼𝐶 - 𝑉𝐶𝐸 mode kerja transistor ini ditunjukkan

pada area-area dalam gambar berikut ini.
Analisis: daerah kerja transistor terlihat jelas yaitu saturation region
Dari grafik di atas, dapat di lihat bahwa nilai arus 𝐼𝐶 akan sampai pada VCE = 0,2V dan daerah cut-off seperti pada
semakin besar apabila nilai 𝑉𝐵𝐸 diperbesar juga. Arus 𝐼𝐶 kurva IC untuk IB = 0mA yang nilainya nol / sejajar
meningkat dengan cepat ketika 𝑉𝐵𝐸 diantara 0.6 – 0.7 Volt. Halaman 4
Peningkatan ini terbukti secara eksponensial sesuai dengan sumbu datar kurva tersebut
perhitungan matematis yang menyatakan hubungan antara
𝐼𝐶 dan 𝑉𝐵𝐸 , yaitu:
C. Percobaan 3 : Pengaruh Bias pada Penguat Transistor
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸/𝜂𝑘𝑇
yang mana sifat ini menyerupai dioda. Dan VBE antara 0V- Pada percobaan 3 ini, kami menggunakan rangkaian
0,45V merupakan tegangan cut-off yang ditunjukan dengan seperti gambar berikut.
nilai IB nol. Dan besar trankonduktansi transistor tersebut
sesuai perhitungan pada [4] diperoleh Gm sebesar 8,75 mA/V.
Pada gambar juga ditampilkan grafik IC untuk
membandingkan antara kedua karakteristik arus ini. Dapat
dilhat bahwa IC hanya merupakan fungsi lemah dari VBE.
B. Percobaan 2 : Karakteristik Output Transistor 𝐼𝐶 - 𝑉𝐶𝐸
Rangkaian yang digunakan seperti pada raangkaian
dibawah ini.

Berdasarkan rangkaian di atas diperoleh hasil sinyal output

pada osiloskop sebagai berikut:

Berdasarkan percobaan ini diperoleh grafik output

yang dihasilkan pada komputer sebagai berikut:

Grafik 𝐼𝐶 - 𝑉𝐶𝐸

Pengaruh bias pada daerah saturasi diperoleh ketika VBE

~ 0,7 V,RC besar. Pada daerah ini transisitor dapat di
implementasikan sebagai sakelar karena dengan memberikan
tegangan junction pada base-emmiter sebesar cut-innya beban
dapat langsung di drive oleh tegangan yang hanya dikurangi
oleh VCE. Nilai VCE cenderung kecil. Namun arus yang
masuk di kaki base juga harus besar, karena IC diset dengan
menentukan IB pada rangkaian base-emmiter. Pada rangkaian,
input berupa tegangan sinusoidal yang berpengaruh pada
tegangan VBE, dan juga berpengaruh pada pergeseran nilai
Analisis:
IB. Dari gambar sinyal pada osiloskop, terlihat bahwa sinyal
Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus IC meningkat
output lebih cembung, dikarenakan penguatan penguatan
sangat cepat sampai ketika VCE disekitar 0.2V. Namun ketika
melebihi batas (dekat daerah saturasi), sehingga kenaikan
VCE bernilai lebih besar dari 0.2V kurva IC meningkat
sinyal input tidak berbanding lurus pada kenaikan sinyal
dengan lambat dengan suatu kemiringan / slope yang lebih
output. Telihat pada grafik, penguatan terbesar adalah pada
kecil. Namun yang paling dapat diamati perbedaannya adalah
daerah aktif. Sedang pada daerah saturasi, kenaikan arus base
untuk suatu nilai IB menghasilkan suatu kurva IC tersendiri
tidak memberikan pengaruh banyak pada kenaikan arus
yang mana semakin besar nilai IB maka nilai IC beserta
collector
slopenya juga semakin besar. Dari sifat ini dapat disimpulkan
Pengaruh bias pada daerah aktif diperoleh ketika VBE ~
bahwa IC bergantung / merupakan fungsi dari nilai IB. Ini
0,7 V, RC kecil. Pada daerah ini transistor diimplementasikan
adalah sifat dari transistor pada keadaan active. Untuk itu
sebagai penguat. Pada daerah kerja ini arus IC mengalami REFERENSI
penguatan sebesar β dari IB sehingga apabila pada input diberi [1] Siagian , Pandapotan. “Petunjuk Praktikum Elektronika 1,
tegangan sinusoidal, maka secara penguatan linear, didapat Laboratorium Dasar Teknik Elektro”, Sitoluama 2015
tegangan output yang sinusoidal pula, namun dengan [2] Charles K. Alexander, Matthew N.O. Sadiku.
amplitudo yang jauh lebih tinggi. Fundamental of Electric Circuits. 5 t h Edition. New York:
Pengaruh bias pada daerah cut-off diperoleh ketika VBE Mc Graw Hill, 2013
< 0,7 V. Pada daerah ini tidak ada arus IC yang mengalir
sehingga pada bentuk sinyal output ada bagian yang terpotong.
Sebagian sinyal tegangan input membuat transisitor junction
menjadi keadaan cut-off, sehingga tegangan output (VCE)
menjadi tetap (maksimum atau VCC) karena IC = 0, maka
VRC = 0.

IV. SIMPULAN
Berdasarkan percobaan II ini, didapatkan kesimpulan :
Transistor memiliki karakteristik yang unik yatiu arus
IB yang merupakan fungsi dari VBE dan arus IC yang
merupakan fungsi penguatan dari IB sebesar β. Transistor
memiliki 3 wilayah kerja yaitu saturation region, active region
dan cut-off region yang dapat diperoleh dari sifat karakteristik
IC terhadap VCE. Tegangan early dapat diperoleh dengan
ektrapolasi dari suatu kurva IC untuk nilai IB tertentu pada
transistor keadaan aktif. Pengaruh bias kerja dapat
mengaplikasikan transistor sebagai penguat, switch, atau cut-
off (opencircuit).
Lampiran

a.Percobaan 1 b.Percobaan 2

c.Percobaan 3