Nama : Riffatul Fatma

NPM : P23138117042

M.K : Teori Mikrokontroler

THE PN JUNCTION

Sambungan PN semikonduktor dapat ditemukan di tempat yang merupakan bagian

dari perangkat elektronik dan optoelektronik seperti sel surya yang mengubah energi
matahari menjadi energi listrik, dioda, transistor, dll. Untuk mengetahui bagaimana
semikonduktor junction dibuat, kita harus memasuki dunia atom yaitu silikon.

Pada silikon, kristal masing-masing akan terikat, dan elektron akan membentuk 4
ikatan kovalen. Pada suhu rendah ini elektron akan tetap dalam ikatan kovalen.

Ada dua cara pembentukan mekanisme listrik AC :

1. Mekanisme Difusi

Adalah mekanisme yang memberi kenaikkan untuk membebaskan partikel agar

mencapai kemungkinan volume yang maksimum.

2. Mekanisme Drift

Adalah gaya yang disebabkan oleh medan listrik yang membuat pembawa tegangan
positif masuk ke dalam satu jalur dan pembawa tegangan negatif di sisi lain jika
sebuah medan listrikk berada di wilayah yang akan ada energi potensial yang terkait.

Semikonduktor adalah suatu benda yang tidak bisa menghantarkan arus listrik pada
suhu yang rendah, semikonduktor hanya bisa menghantarkan listrik pada suhu lebih tinggi.
Sedangkan definisi semikonduktor adalah suatu bahan yang mempunyai sifat hantaran listrik
diantara isolator dan konduktor. Semikonduktor dikelompokkan menjadi dua, yaitu :
 Semikonduktor intrinsik

Semikonduktor intrinsik adalah semikonduktor murni yang tidak diberi doping atau
campuran atom lainnya (Contoh Silikon murni dan Germanium murni).

 Semikonduktor ekstrinsik

Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit

ketidakmurnian (doping) atau pengotoran dari luar (ekstraneous inqurities). Akibat doping ini
maka hambatan jenis semikonduktor mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri
dari dua macam, yaitu tipe-N dan semikonduktor tipe-P.

1. TIPE – N

Semikonduktor ini dibuat dengan menambahkan material phosporus (P) , arsen (As),
antimony (Sb), memiliki 5 lapisan luar elektron dalam intrinsik semikonduktor. Bila lima
valensi elemen ini ditambahkan untuk mengikat dengan silikon, maka satu elektron tetap
bertahan sebagai kelebihan di dalam oktet, sehingga daya hantar elektron tersebut bisa baik
melalui gerak bebas elektron yang tertinggal. Semikonduktor ini disebut dengan tipe N
(negatif) karena arus listriknya diasumsikan adalah negatif. Arus listrik ini mengalir melalui
semikonduktor tipe N (penghantar : elektron).

2. TIPE – P

Semikonduktor ini dibuat dengan penambahan bahan Gallium (Ga) , phosporus (P) ,dan
Boron (Br), memiliki tiga valence electron intrinsik semikonduktor. Melalui empat lapisan
luar elektron yang dimilikinya, bila kedua jenis material ini dengan bertemu satu lainnya,
maka atom silikon dari kedua jenis atom ini tidak bisa berbagi elektron, sehingga arus listrik
dapat mengalir dengan mudah dimana lowongan ini disebut hole. Tipe semikonduktor ini
biasa disebut dengan P (positive) karena diasumsikan muatan listriknya adalah positif karena
elektronnya lebih sedikit. Saat mendapat tegangan, elektron mengisi sisi hole kemudian hole
tersebut secara terus menerus bergerak menurun. Arus listriknya mengalir melalui hole yang
ada di dalam semikonduktor tipe P ini.
 P-N Junction adalah batas pertemuan antara kedua bahan semikonduktor tipe P dan
tipe N yang ada didalam sebuah kristal semikonduktor yang merupakan cikal bakal
komponen dioda, transistor, dan IC. Pada dasarnya P-N Junction merupakan sebuah blok
yang ada didalam komponen tersebut, misalnya sebuah dioda disusun oleh P-N tunggal
sedangkan transistor ada dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N.

P-N Junction terjadi karena elektron bebas pada semikonduktor tipe N mengisi “hole”
pada semikonduktor tipe P. Area pertemuan ini disebut dengan depletion region atau Area
penipisan. Ketika persimpangan P-N terbentuk, beberapa elektron bebas dari area tipe N yang
berhasil mencapai pita konduksi bebas akan menyebar dan mengisi lubang (hole) pada area
tipe P.

Gambar Prinsip kerja p-n junction semikonduktor

Hal ini meninggalkan ion positif pada sisi semikonduktor tipe N. Kemudian sebuah
ruang pengisian muatan terbangun, menciptakan daerah penipisan yang kemudian
menghambat transfer elektron lanjut kecuali dibantu dengan meletakkan bias maju di
persimpangan yang disebut dengan Forward Biased. Pemberian bias terbalik (Reverse
Biased) tidak akan memicu pergerakan elektron didalam semikonduktor sehingga membuat
komponen semikonduktor hanya bisa dialiri arus satu arah saja.
 Prinsip dasar P-N Junction ini kemudian diterapkan pada komponen elektronika
seperti dioda yang bisa berfungsi sebagai penyearah tegangan maupun penahan tegangan arah
tertentu. Selain itu penerapan P-N junction juga bisa lebih kompleks lagi pada komponen
transistor. Disini dipasang kombinasi tiga bahan semikonduktor, yaitu P-N-P dan N-P-N.
Dengan kombinasi ini dapat diperoleh berbagai fungsi seperti penguatan sinyal, pensaklaran
elektronis dan sebagainya.

- Karakteristik dari PN junction dapat dilihat pada saat pengaplikasian tegangan luar (atau
biasa disebut bias) yang dapat dilakukan melalui dua cara, yaitu:

1. Forward bias (Bias Maju)

Pada p-n junction bias maju (yang mana tipe-p terhubung dengan tegangan positif dan
tipe-n terhubung dengan tegangan negatif), terminal anoda berperan sebagai terminal positif
dan terminal katoda berperan sebagai terminal negatif.

Potensial luar dari sumber tegangan memberikan gaya tarik terhadap elektron dan hole,
sehingga elektron dan hole pada dipole bergerak mengarah ke sumber tegangan.
Akibatnya depletion region menyusut. Hal ini membuka kembali kemungkinan
bagi carrier untuk menyeberangi junction, dan bergerak mengelilingi rangkaian. Pada
rangkaian timbul arus listrik. Hal di atas hanya bisa terjadi jika tegangan luar lebih besar
dari potential barrier.

2. Reverse bias (Bias Mundur)

Jika tegangan negatif diaplikasikan ke sisi positif dan tegangan positif ke sisi negatif,
dengan tidak ada arus/arus yang mengalir sangat kecil, konfigurasi ini disebut
dengan reverse bias atau bias mundur.

Potensial luar dari sumber tegangan memberikan gaya tolak terhadap elektron dan hole,
sehingga elektron dan hole pada dipole bergerak menjauhi sumber tegangan.
Akibatnya depletion region melebar dan potential barrier meningkat. Disini yang menarik
untuk diperhatikan adalah bahwa dioda tidak menghasilkan tegangan dengan perubahan
tegangan yang diaplikasikan. Arus tetap konstan pada nilai kecil yang dapat diabaikan (dalam
kisaran ampli mikro). Bila voltase dinaikkan di atas titik tertentu, maka arus tiba-tiba
meningkat secara mendadak, dan hal ini disebut sebagai “arus balik” dan nilai voltase yang
diterapkan tersebut, dimana arus balik melalui dioda meningkat tiba-tiba dikenal sebagai
“break down voltage“.Jika arus balik ini melebihi nilai maksimumnya, maka dioda akan
rusak.

Dari analisa karakteristik p-n junction bias maju dan bias mundur, dapat disimpulkan bahwa
sebuah dioda p-n junction menghasilkan arus hanya dalam satu arah yaitu selama bias maju.
Selama bias maju terjadi, dioda menhasilkan arus seiring dengan kenaikan voltase.
Kebalikannya, selama bias mundur, dioda tidak menghasilkan arus seiring dengan kenaikan
tegangan (break down biasanya mengakibatkan kerusakan dioda).