Anda di halaman 1dari 12

MOSFET

Loncat ke navigasiLoncat ke pencarian

MOSFET

MOSFET daya

dalam kemasan D2PAK

Simbol

Pengayaan kanal-P

Pemiskinan kanal-

P Pengayaan kanal-N

Pemiskinan kanal-N

Tipe Komponen aktif

Kategori Transistor FET

Penemu Julius Edgar Lilienfeld ( 1925 )


Komponen JFET, MESFET, ISFET

sejenis

Kemasan 3 kaki (sumber, cerat, gerbang)

 l

 b

 s

Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu


jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar
Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P,
dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling
umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan dwikutub pada satu waktu
lebih umum.

Daftar isi

 1Etimologi
 2Komposisi
 3Simbol sirkuit
 4Operasi MOSFET
o 4.1Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida
o 4.2Struktur MOSFET dan formasi kanal
o 4.3Moda operasi
 4.3.1Moda Inversi Lemah
 4.3.2Moda trioda
o 4.4Moda penjenuhan
 5Tipe MOSFET lainnya
o 5.1MOSFET gerbang ganda
 5.1.1FinFET
o 5.2MOSFET moda pemiskinan
o 5.3Logika NMOS
o 5.4MOSFET daya
o 5.5DMOS
 6Referensi
 7Pranala luar

Etimologi[sunting | sunting sumber]


Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan nama yang salah karena
bahan gerbang yang dahulunya lapisan logam-oksida sekarang telah sering digantikan dengan
lapisan polisilikon (polikristalin silikon). Sebelumnya aluminium digunakan sebagai bahan gerbang
sampai pada tahun 1980 -an ketika polisilikon mulai dominan dengan kemampuannya untuk
membentuk gerbang menyesuai-sendiri. Walaupun demikian, gerbang logam sekarang digunakan
kembali karena sulit untuk meningkatkan kecepatan operasi transistor tanpa pintu logam.
IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor efek-medan gerbang-
terisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET, meskipun dapat merujuk ke semua FET dengan
isolator gerbang yang bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk pada perangkat
dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih menyebutnya MOSFET.

Komposisi[sunting | sunting sumber]

Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, tetapi beberapa produsen IC, terutama IBM,
mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal MOSFET. Sayangnya,
banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik daripada silikon,
seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik
sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat isolator
yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik κ tinggi
menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam kembali digunakan
untuk menggantikan polisilikon[1].
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional adalah silicon
dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride. Beberapa perusahaan
telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik κ tinggi + gerbang logam di teknologi 45
nanometer.

Simbol sirkuit[sunting | sunting sumber]


Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk saluran dengan
kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali sejajar dengan
kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis
digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan.
Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal dengan panah
yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N, sehingga NMOS (kanal-
N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk kedalam (dari badan ke kanal).
Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya dilakukan) kadang-kadang saluran badan
dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan meninggalkan transistor. Jika badan tidak
ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada desain IC desain karena umumnya badan bersama)
simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber
dapat digunakan dengan cara yang sama seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk
untuk PMOS).
Kanal-P

Kanal-N

JFET MOSFET pengayaan MOSFET pemiskinan

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan internal ke sumber. Ini
adalah konfigurasi umum, tetapi tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi. Pada dasarnya,
MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi
sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber semua transistor.

Operasi MOSFET[sunting | sunting sumber]


Untuk informasi lebih lanjut, lihat referensi berikut[2].
Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida[sunting | sunting sumber]

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan menumbuhkan selapis oksida


silikon di atas substrat silikon dan mengendapkan selapis logam atau silikon polikristalin. Karena
oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan kondensator planar dengan
salah satu elektrodenya digantikan dengan semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah penyebaran
muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p (dengan NA merupakan
kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan netral), sebuah tegangan

positif dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan memaksa lubang
bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka gerbang-isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah

bebas pembawa. Jika cukup tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk
lapisan inversi dibawah antarmuka antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang
dimana kepadatan elektron pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan
disebut tegangan ambang.
Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana membutuhkan
penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.
Struktur MOSFET dan formasi kanal[sunting | sunting sumber]
Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)

Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah berdasarkan pada


modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan elektrode
gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti dengan sebuah
lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika
dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–
logam–terisolasi (MISFET) atau FET gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua
saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri
yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi
keduanya harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber
dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah
yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah 'n+' dan
badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan gerbang yang
cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan inversi atau salur-
n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar ini merentang di antara
sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara
sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit arus
bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.
Moda operasi[sunting | sunting sumber]
Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang berbeda, bergantung pada
tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk mempermudah, perhitungan dibawah merupakan
perhitungan yang telah disederhanakan[3][4].
Untuk sebuah MOSFET salur-n moda pengayaan, ketiga moda operasi adalah:
Moda Inversi Lemah[sunting | sunting sumber]
Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika VGS < Vth
dimata V_th adalah tegangan ambang peranti.
Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak ada hantaran antara
sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya, distribusi Boltzmann dari energi elektron
memungkinkan beberapa elektron berenergi tinggi pada sumber untuk memasuki kanal dan
mengalir ke cerat, menghasilan arus praambang yang merupakan fungsi eksponensial
terhadap tegangan gerbang–sumber. Walaupun arus antara cerat dan sumber harusnya nol
ketika transistor dimatikan, sebenarnya ada arus inversi-lemah yang sering disebut sebagai
bocoran praambang.
Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar gerbang-ke-sumber VGS[5][6]

dimana ID0 = arus pada dan faktor landaian n didapat dari

dengan = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan = kapasitansi dari lapisan


oksida.
Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari bocoran
praambang.[7][8][9] Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit tersebut

memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi ( ), hampir


seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah dikarenakan arus penggerak yang
rendah.[10][11]

arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa

harga , perbatasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan (aktif)


diperlihatkan sebagai lengkung parabola di atas
Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat bahkan
didekat cerat

Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat

Moda trioda[sunting | sunting sumber]


Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik[12][13]) yaitu
ketika VGS > Vth dan VDS < ( VGS - Vth ).
Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan arus untuk mengalir
di antara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti sebuah resistor, dikendalikan oleh
tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan sumber dan cerat. Arus dari cerat ke
sumber ditentukan oleh:

dimana adalah pergerakan efektif pembawa muatan, adalah lebar

gerbana, adalah panjang gerbang dan adalah kapasitansi oksida gerbang tiap
unit luas. Transisi dari daerah eksponensial praambang ke daerah trioda tidak setajam
seperti yang diperlihatkan perhitungan.
Moda penjenuhan[sunting | sunting sumber]
Juga disebut dengan Moda Aktif[14][15]
Ketika VGS > Vth dan VDS > ( VGS - Vth )
Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus untuk mengalir di antara
sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih tinggi dari tegangan gerbang, elektron
menyebar dan penghantaran tidak melalui kanal sempit tetapi melalui kanal yang jauh lebih
lebar. Awal dari daerah kanal disebut penyempitan untuk menunjukkan kurangnya daerah
kanal didekat cerat. Arus cerat sekarang hanya sedikit bergantung pada tegangan cerat dan
dikendalikan terutama oleh tegangan gerbang–sumber.

Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang kanal, membuat


tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh adanya efek Early.

,
dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive.[16] Parameter penting desain

MOSFET adalah resistansi keluaran :

Tipe MOSFET
lainnya[sunting | sunting
sumber]
MOSFET gerbang
ganda[sunting | sunting sumber]
MOSFET gerbang ganda mempunyai
konfigurasi tetroda, dimana semua
gerbang mengendalikan arus dalam
peranti. Ini biasanya digunakan untuk
peranti isyarat kecil pada penggunaan
frekuensi radio dimana gerbang kedua
gerang keduanya digunakan sebagai
pengendali penguatan atau
pencampuran dan pengubahan
frekuensi.
FinFET[sunting | sunting sumber]

Peranti FinFET gerbang ganda.

FinFET adalah sebuah peranti


gerbang ganda yang diperkenalkan
untuk memprakirakan flek kanal
pendek dan mengurangi perendahan
sawar diinduksikan-cerat.
MOSFET moda
pemiskinan[sunting | sunting
sumber]
Peranti MOSFET moda pemiskinan
adalah MOSFET yang dikotori
sedemikian rupa sehingga sebuah
kanal terbentuk walaupun tidak ada
tegangan dari gerbang ke sumber.
Untuk mengendalikan kanal, tegangan
negatif dikenakan pada gerbang untuk
peranti salur-n
sehingga "memiskinkan" kanal, yang
mana mengurangi arus yang mengalir
melalui kanal. Pada dasarnya, peranti
ini ekivalen dengan sakelar normal-
hidup, sedangkan MOSFET moda
pengayaan ekivalen dengan sakelar
normal-mati.[17]
Karena peranti ini kurang berdesah
pada daerah RF dan penguatan yang
lebih baik, peranti ini sering digunakan
pada peralatan elektronik RF.
Logika NMOS[sunting | sunting
sumber]
MOSFET salur-n lebih kecil daripada
MOSFET salur-p untuk performa yang
sama, dan membuat hanya satu tipe
MOSFET pada kepingan silikon lebih
murah dan lebih sederhana secara
teknis. Ini adalah prinsip dasar dalam
desain logika NMOS yang hanya
menggunakan MOSFET salur-n.
Walaupun begitu, tidak seperti logika
CMOS, logika NMOS menggunakan
daya bahkan ketika tidak ada
pensakelaran. Dengan peningkatan
teknologi, logika CMOS menggantikan
logika NMOS pada tahun 1980-an.
MOSFET daya[sunting | sunting
sumber]

Irisan sebuah MOSFET daya dengan


sel persegi. Sebuah transistor
biasanya terdiri dari beberapa ribu sel.

MOSFET daya memiliki struktur yang


berbeda dengan MOSFET
biasa.[18] Seperti peranti semikonduktor
daya lainnya. strukturnya adalah
vertikal, bukannya planar.
Menggunakan struktur vertikal
memungkinkan transistor untuk
bertahan dari tegangan tahan dan
arus yang tinggi. Rating tegangan dari
transistor adalah fungsi dari
pengotoran dan ketebalan dari lapisan
epitaksial-n, sedangkan rating arus
adalah fungsi dari lebar kanal. Pada
struktur planar, rating arus dan
tegangan tembus ditentukan oleh
fungsi dari dimensi kanal,
menghasilkan penggunaan yang tidak
efisien untuk daya tinggi. Dengan
struktur vertikal, besarnya komponen
hampir sebanding dengan rating arus
dan ketebalan komponen sebanding
dengan rating tegangan.
MOSFET daya dengan struktur lateral
banyak digunakan pada penguat
audio hi-fi. Kelebihannya adalah
karakteristik yang lebih baik pada
daerah penjenuhan daripada
MOSFET vertikal. MOSFET vertikal
didesain untuk penggunaan
pensakelaran.
DMOS[sunting | sunting sumber]
DMOS atau semikonduktor–logam–
oksida terdifusi–ganda adalah
teknologi penyempurnaan dari
MOSFET vertikal. Hampir semua
MOSFET daya dikonstruksi dengan
teknologi ini.

Referensi[sunting | sunting
sumber]

1. ^ "Intel 45nm Hi-k Technology".


2. ^ Yannis Tsividis
(1999). Operation and Modeling
of the MOS Transistor (edisi ke-
Edisi kedua). New York:
McGraw-Hill. ISBN 0-07-065523-
5.
3. ^ William Liu (2001). MOSFET
Models for SPICE Simulation.
New York: Wiley-
Interscience. ISBN 0-471-39697-
4.
4. ^ http://www.designers-
guide.org/links.html
5. ^ P R Gray, P J Hurst, S H
Lewis, and R G Meyer
(2001). Analysis and Design of
Analog Integrated Circuits (edisi
ke-Edisi Keempat). New York:
Wiley. hlm. 66-67. ISBN 0-471-
32168-0.
6. ^ P. R. van der Meer, A. van
Staveren, A. H. M. van
Roermund (2004). Low-Power
Deep Sub-Micron CMOS Logic:
Subthreshold Current Reduction.
Dordrecht: Springer.
hlm. 78. ISBN 1402028482.
7. ^ Leslie S. Smith, Alister
Hamilton (1998). Neuromorphic
Systems: Engineering Silicon
from Neurobiology. World
Scientific. hlm. 52-
56. ISBN 9810233779.
8. ^ Satish Kumar (2004). Neural
Networks: A Classroom
Approach. Tata McGraw-Hill.
hlm. 688. ISBN 0070482926.
9. ^ Manfred Glesner, Peter Zipf,
Michel Renovell (2002). Field-
programmable Logic and
Applications: 12th International
Conference. Dordrecht: Springer.
hlm. 425. ISBN 3540441085.
10. ^ Sandeep K. Shukla, R. Iris
Bahar (2004). Nano, Quantum
and Molecular Computing.
Springer. hlm. 10 and Fig. 1.4, p.
11. ISBN 1402080670.
11. ^ Ashish Srivastava, Dennis
Sylvester, David Blaauw
(2005). Statistical Analysis and
Optimization For VLSI: Timing
and Power. Springer.
hlm. 135. ISBN 0387257381.
12. ^ C Galup-Montoro & Schneider
MC (2007). MOSFET modeling
for circuit analysis and design.
London/Singapore: World
Scientific. hlm. 83. ISBN 981-
256-810-7.
13. ^ Norbert R Malik
(1995). Electronic circuits:
analysis, simulation, and design.
Englewood Cliffs, NJ: Prentice
Hall. hlm. 315–316. ISBN 0-02-
374910-5.
14. ^ PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis &
RG Meyer. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-
471-32168-0.
15. ^ A. S. Sedra and K.C. Smith
(2004). Microelectronic
circuits (edisi ke-Fifth Edition).
New York: Oxford.
hlm. 552. ISBN 0-19-514251-9.
16. ^ A. S. Sedra and K.C. Smith. p.
250, Eq. 4.14. ISBN 0-19-
514251-9.
17. ^ [1]
18. ^ Power Semiconductor Devices,
B. Jayant Baliga, PWS publishing
Company, Boston. ISBN 0-534-
94098-6

Pranala luar[sunting | sunting


sumber]

Wikimedia Commons
memiliki media
mengenai MOS(FET).

 ;?articleID= 191900470
Pengenalan MOSFET moda
pemiskinan
 Langkah-langkah proses
MOSFET
 Kalkulator MOSFET
 Tentang MOSFET
 MOSFET applet
 MIT Open Courseware 6.002
 MIT Open Courseware 6.012
 Georgia Tech BJT and FET Slides
 MOS Diffusion Parasitics