PARAMETER H DAN PEMODELAN TRANSISTOR

1. Pengenalan Parameter h
Transistor dapat digambarkan sebagai komponen dengan 2 port (input-output), dan
dapat diwakili oleh empat parameter h, seperti berikut ini:
v1 = h11i1 + h12v2 i1 i2
i2 = h21i1 + h22v2 + Komponen +
Port v v2 Port
2
Input - 1 Output
Port -

Definisi untuk setiap parameter h:

v1
h 11  = resistansi input dengan output hubung pendek (Ohm/)
i1 v 2  0

v1
h 12  = penguatan tegangan terbalik dengan input hubung buka (tanpa
v 2 i1  0

satuan)
i2
h 21  = penguatan arus dengan output hubung pendek (tanpa satuan)
i1 v 2  0

i2
h 22  = konduktansi output 1dengan input hubung buka (Mho/ 2
)
v 2 i1  0

Selanjutnya untuk mempermudah penyebutan keempat parameter h tersebut,

dipergunakan notasi subskrip seperti berikut ini:
i = 11 = input o = 22 = output
f = 21 = forward transfer r = 12 = reverse transfer
Karena transistor dapat dioperasikan dengan 3 macam konfigurasi (CE, CC, CB) maka
perlu ditambahkan subskrip tunggal, yaitu e untuk CE, b untuk CB, dan c untuk CC.
Contoh:
hib = h11b = resistansi input pada konfigurasi CB.
hfe= h21e = penguatan arus hubung pendek pada konfigurasi CE.
Dengan menggunakan keempat parameter hybrid, maka transistor dapat dimodelkan3:

1
Konduktansi (G) didefinisikan sebagai kebalikan dari resistansi. G  1  I
R V
2
Satuan Konduktansi selain Mho adalah Siemens (S)
 i1 i2
hi
+ +

h r  v2 +
h f  i1 ho
v1 - v2

- -

Pemodelan Transistor sesuai dengan konfigurasi:

a. CE (Common Emitter)
i1 i2 vbe = hieib + hrevce
ic
ic = hfeib + hoevce
+ +
ib C
B +v
v1 - ce v2
+
vbe - E
- ie -

i1 ib ic i2
B hie C v be
+ + h ie 
i b VCEQ
+
vbe h re  v ce h fe  i b hoe vce ic
- h fe 
i b VCEQ

- - v be
E E h re 
v ce I BQ

ic
h oe 
v ce I BQ

b. CB (Common Base)

3
Pemodelan ini belum melibatkan tegangan AC sumber (Vs) dan hambatan sumber tegangan (Rs) pada bagian
input transistor dan hambatan beban (RL) pada bagian output transistor.
 veb = -hibie + hrbvcb
i1 ie ic i2
E C ic = -hfbie + hobvcb

+ + + +
B
v1 veb - - v cb v2

- ib -

ie ic v eb
i1
hib
i2 h ib 
E C i e VCBQ
+ +
ic
+ h fb  
h rb  v cb h fb  i e vcb i e VCBQ
veb - hob

v eb
h rb 
- - v cb I EQ
B B
ic
h ob 
v cb I EQ

c. CC (Common Collector)
i1 i2 vbc = hicib + hrcvec
ie
-ie = hfcib + hocvec
+ +
ib E
B +v
v1 - ec v2
+
vbc - C

- ic -
 ib ie v bc
i1
hic
i2 h ic 
B E i b VECQ
+ +
ie
+ h fc  
vbc h rc  v ec h fc  i b hoc vec i b VECQ
-
v bc
h rc 
- - v ec I BQ
C C
ie
h oc  
v ec I BQ

2. Konversi parameter h antar konfigurasi transistor4:

a. Konversi Parameter h antara CB dan CE
h ie h ie  h oe
h ib  h rb   h re
h fe  1 h fe  1

h fe h oe
h fb   h ob  
h fe  1 h fe  1

h ib h ib  h ob
h ie  h re 
h fb  1 h fb  1

h fb h ob
h fe   h oe 
h fb  1 h fb  1

b. Konversi Parameter h antara CC dan CE

h ic  h ie h rc  1  h re

h fc  (h fe  1) h oc  h oe

h ie  h ic h re  1  h rc

h fe  (h fc  1) h oe  h oc

4
Beberapa konversi menggunakan rumus pendekatan
 c. Konversi Parameter h antara CB dan CC
h ib h ib  h ob
h ic  h rc  h rb  1 
h fb  1 h fb  1
1 h ob
h fc   h oc 
h fb  1 h fb  1

h ic h ic  h oc
h ib   h rb  h rc  1 
h fc h fc

h fc  1 h oc
h fb   h ob 
h fc h fc

Contoh Soal:
Berikut ini adalah parameter h dari 2n2222a BJT:
hie = 250 ; hfe = 75; hoe = 25 ; hre = 410-4
a. Tentukan parameter h untuk rangkaian ekuivalen CC.
b. Tentukan parameter h untuk rangkaian ekuivalen CB.

Penyelesaian:
a. hic = hie = 250  ; hoc = hoe = 25  .
hfc = -(hfe + 1) = -76; hrc = 1 – hre  1.
h ie 250
b. h ib    3,3 
h fe  1 76

h fe 75
h fb     0,987
h fe  1 76

h rb 
h ie  h oe
 h re 

250  25  10 6 
 4  10 4  3,2  10 4
h fe  1 76

h oe 25  10 6
h ob    0,33 
h fe  1 76

3. Penentuan nilai parameter h untuk transistor bipolar

Analisa AC yang melibatkan penggunaan parameter h membutuhkan seluruh nilainya
diketahui terlebih dahulu dengan salah satu dari beberapa cara berikut ini:
a. Penggunaan nilai umum (typical h-parameter values)
Jika rangkaian menggunakan transistor yang belum diketahui jenisnya atau tidak
terdapat lembar datanya, maka nilai dari parameter h dapat ditentukan dengan
menggunakan tabel berikut ini:

Parameter CE CC CB
hi 1100  1100  21,6 
hr 2,5·10-4 1 2,9·10-4
hf 50 -51 -0,98
ho 24 A/V 25 A/V 0,49 A/V
1/ho 40 K 40 K 2,04 M

b. Penggunaan lembar data (Datasheet)

Nilai parameter h dapat diketahui dengan menggunakan grafik hie, hfe, hoe dan hre
secara terpisah. Biasanya untuk mengetahui nilai-nilai tersebut diperlukan data
arus kolektor (ICQ) atau tegangan kolektor-emitter (VCEQ) yang diperoleh dari
pembiasan DC.
Sebagai contoh jika rangkaian menggunakan transistor 2N3904 dan menghasilkan
ICQ = 4 mA maka dengan membaca grafik seperti di bawah ini diperoleh:
hie = 1 K, hre = 0,45·10-4, hfe = 160, hoe = 29 A/V, sehingga 1/hoe = 34,5 K.
Kadangkala lembar data juga memperlihatkan nilai parameter ternomalisasi,
yaitu pemilihan parameter standard yang kemudian menggunakan faktor pengali
untuk menyesuaikan dengan nilai penunjuknya.
Contohnya, bila suatu rangkaian menggunakan transistor 2N4401 dan
menghasilkan ICQ = 30 mA (nilai penunjuknya), maka dengan melihat lembar
data:
 Parameter Standard

Nilai
Parameter Satuan Kondisi Tes
Min Max
hie 1 15 K
hre 0,1 8  10-4 IC = 1.0 mA,
VCE = 10 V,
hfe 40 500 f = 1.0 kHz.
hoe 1 30 A/V
 Dipilih:
hie = 12 K , hre = 5·10-4, hfe = 100, hoe = 20 A/V

 Parameter Ternormalisasi
Berdasarkan grafik (), dengan menggunakan nilai penunjuk ICQ = 30 mA,
maka:
hie = 12  0,75 = 9 K
hre = 5·10-4  1,8 = 9·10-4
hfe = 100  1 = 100
hoe = 20  3 = 60 A/V
1/ hoe = 16,7 K
Nilai VCEQ juga dapat dipergunakan sebagai nilai penunjuk berdasarkan
grafik ().
Jika transistor dioperasikan di luar suhu kamar (25C), maka nilai parameter
standard dapat dikalikan juga dengan faktor pengali pada grafik () dengan
menggunakan suhu sebagai nilai penunjuknya.