Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880

Edisi Khusus, Agustus 2009

Distribusi Celah Pita Energi “Titania Kotor”

Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah(a), dan Khairurrijal

Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, ITB
Jalan Ganeca 10 Bandung 40132
(a)
E-mail: din@fi.itb.ac.id

Diterima Editor : 19 Mei 2009

Diputuskan Publikasi : 26 Mei 2009

Abstrak
Titanium dioksida(TiO 2 ) atau titania memiliki energi celah pita yang sangat lebar (3,2- 3,8 eV), TiO 2 murni hanya
memiliki efisiensi fotokatalitik sebesar 5% dari energi matahari. Untuk mengefektifkan penggunaan dari energi matahari,
maka memperlebar spectrum penyerapan matahari ke area cahaya tampak menjadi hal yang penting, dimana sekitar 45%
energi matahari akan digunakan dalam proses fotokatalisis. Sejauh ini usaha untuk memperkecil band gap dan
memperbesar spektrum serapan cahaya dari titania telah membuahkan hasil melalui proses doping oleh N, B, C, F.
Spektrum absorbsi TiO 2 yang lebar didapatkan tanpa dilakukan proses pendopingan. Dalam makalah ini akan dijelaskan
tentang kemungkinan terdapatnya berbagai keadaan energi celah pita dari kontribusi bahan lain dan probabilitas energi
tersebut serta pengaruhnya pada kemampuan serapan TiO 2 . Dari perhitungan sederhana diperoleh nilai E g dengan
probabilitas terbesar ada pada nilai 1,4067 eV dengan bobot 0,425 % , sedangkan nilai yang terkecil ada pada nilai
1,5485 eV dengan bobot 0,221147%.
Kata Kunci: TiO 2 , spektrum absorbsi, energi celah pita.

1. Pendahuluan
Titanium dioksida atau titania atau TiO 2
merupakan salah satu semikonduktor oksida yang telah
dipelajari secara ekstensif sebagai fotokatalis sejak
ditemukan efek sensitisasi cahaya oleh Honda dan
Fujishima pada tahun 1971. Karena TiO 2 memiliki
potensial tinggi sebagai foto-oksidasi, stabilitas kimia
yang tinggi, non toxic, dan biaya yang rendah, titanium
dioksida banyak dibuat dalam variasi bentuk seperti
serbuk nano, koloid, lapisan tipis, untuk aplikasi
lingkungan dari mulai deodorization hingga purifkasi
udara dan air.
Tetapi, karena titania dioksida memiliki energi
celah pita yang sangat lebar (3,2 eV-3,8 eV), TiO 2 murni
hanya memiliki efisiensi fotokatalitik sebesar 5% dari
energi matahari pada rentang ultraviolet yang mampu
mengaktivasi reaksi fotokatalitik. Untuk mengefektifkan
penggunaan dari energi matahari, maka memperlebar
spectrum penyerapan matahari ke area cahaya tampak
menjadi hal yang penting, dimana sekitar 45% energi
matahari akan digunakan dalam proses fotokatalisis.
Sejauh ini usaha untuk memperkecil band gap dan
memperbesar spektrum serapan cahaya dari titania telah
membuahkan hasil melalui proses doping oleh N, B, C, F.
Berdasarkan latar belakang yang telah
dikemukakan di awal,banyak usaha dilakukan untuk
memperoleh TiO 2 dengan spektrum absorbsi lebih lebar.
Tetapi apa yang terjadi jika bahan titania teknis yang
dimiliki, setelah dikarakterisasi dengan spectrometer UV-
Vis,ternyata memiliki rentang absorbsi yang sangat lebar
dibandingkan dengan titania murni. Hal ini menjadi
sebuah pertanyaan tentang apa yang sebenarnya
terkandung dalam titania tersebut. Mungkinkah sudah
terdapat pengotor dalam bahan tersebut? Jika ya,lalu
untuk apa kita melakukan doping untuk mendapatkan
spectrum absorpsi yang lebih luas jika tanpa dilakukan
pengotoran pun spektrum absorpsi energi sudah lebar?
Oleh karena itulah, dalam penelitian ini akan
dipelajari studi awal mengenai fenomena yang terjadi
terhadap bahan TiO 2 yang memiliki spektrum absorbsi
yang lebar dengan mencari probabilitas berbagai nilai
energy celah pita yang terdapat dalam material TiO 2 .
2. Beberapa Hasil dan Diskusi
Spektrum Absorpsi TiO 2
Bahan TiO 2 anatase diperoleh dari Bratachem.
Dari hasil spektroskopi UV-Vis didapatkan spectrum
absorbsi dan transmisi dari TiO 2 diberikan pada Gbr. 1.
Jika dibandingkan dengan spectrum absorbsi TiO 2
yang murni, Gbr. 2, rentang absorbsi pada TiO 2 di
gambar 1 terlihat lebih lebar. Spectrum absorbsi TiO 2
yang biasa hanya berada pada area 300-500 nm, kali ini
area absorbsi menjadi lebih lebar. Pada hampir
sepanjang rentang 190-820 nm, TiO 2 mampu menyerap
energi foton yang diberikan.
Pada material semikonduktor ekstrinsik, level
energy Fermi pada suatu material akan berubah dengan
adanya proses pengotoran (doping), dan tentunya energy
celah pita (E g ) akan berubah. Dari hasil kurva absorbsi
pada TiO 2 , peneliti mengambil asumsi bahwa terdapat
sesuatu dalam bahan TiO 2 ini yang menjadikan TiO 2
tersebut tidak murni, tanpa dilakukannya proses doping,
sehingga terciptanya sejumlah energy celah pita dari

38
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009
kontribusi pengotor dan menyebabkan spektrum absorbsi
semakin lebar.
Gambar 1. Spektrum absorbsi TiO 2 (Bratachem)
Gambar 2. Spektrum absorpsi TiO 2 [1]
Dalam kasus tersebut, diasumsikan bahwa range
absorpsi yang lebar merupakan hasil penjumlahan dari
sejumlah material yang masing-masing memiliki energy
celah pita, E g . Tiap material dengan E g tertentu akan
mampu menyerap energi foton yang bersesuaian dengan
Eg nya. Karena terdapat bermacam E g dalam TiO 2 , maka
berbagai rentang panjang gelombang mungkin diserap
oleh TiO 2 tersebut dan menyebabkan spectrum absorbsi
TiO 2 menjadi lebar.
Menentukan Celah Pita Energi
Untuk mencari nilai E g digunakan hubungan
koefisien absorbsi terhadap energy [2],
(1)
dengan α adalah keofisien absorbsi (cm-1), hf adalah
energi (eV), dan E g (eV) adalah energi gap pada material.
Dengan membuat kurva antara (αhf)(1/r) terhadap (hf),
39
maka E g didapatkan dari nilai perpotongan kurva dengan
garis mendatar.
Dari hasil kurva yang dibuat, didapatkan energi
celah pita TiO 2 sebesar 1,40667 eV (3,2 – 3,8 eV pada
bulk TiO 2 ). Karena telah disebutkan bahwa material TiO 2
ini terdiri dari berbagai energy celah pita, maka nilai E g
TiO 2 sebesar 1,40667 eV dianggap sebagai nilai E g
terkecil, dan untuk nilai tertingginya adalah 3,2 eV.
Gambar 3. Penentuan energi celah pita TiO 2
Penentuan Fungsi Probabilitas E g Dalam Material TiO 2
Untuk satu jenis material, kurva karakteristik
transmitansi memenuhi hubungan pada persamaan
(2)
Dengan I adalah intensitas cahaya pada ketebalan tertentu,
I o adalah intensitas awal cahaya ketika akan memasuki
lapisan, α adalah koefisien absorpsi yang bergantung
terhadap panjang gelombang, dan x adalah ketebalan
lapisan.
Hubungan antara transmitansi dan absorbansi
diberikan oleh T + A = 1. Jika asumsi yang telah
diungkapkan diatas diterapkan, bahwa kurva absorbansi
pada material TiO 2 ini merupakan penjumlahan dari
berbagai kontribusi E g , maka kita dapatkan
(3)
(4)
(5)
dengan A(λ j ) merupakan absorbansi dari fungsi panjang
gelombang foton yang diberikan, hf j adalah energi foton
yang diberikan, E g (λ i ) adalah energi celah pita yang
merupakan fungsi dari panjang gelombang yang terdapat
dalam material (E g minimum hingga E g maksimum), A
merupakan nilai konstanta absorpsi pada TiO 2 murni. f(λ)
merupakan suatu fungsi bobot (probabalitas) yang
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 40

menentukan sebaran dari panjang gelombang yang data hasil eksperimen karakterisasi UV-Vis yang telah
berkaitan dengan energi celah pita pada TiO 2 tersebut. diperoleh, nilai hf j (f j = hc/λ j ) diperoleh dari eksperimen,
Sebelum menentukan probabilitas energy celah nilai E g diperoleh dari hasil touch plot pada Gbr. 3 dan
pita, E g yang terdapat dalam TiO 2 , akan dicari terlebih didapatkan nilai energi celah pita minimum (E g,min =
dahulu besarnya nilai A yang merupakan sebuah 0,404237 eV, E g,maks = 3,2 eV ). α(λ ij ) didapat
konstanta koefisien absorpsi pada TiO 2 murni (dari menggunakan persamaan (2) dengan nilai A = 1,28 ×106
literatur). Nilai A dicari melalui Gbr. 4 cm-1.
Selanjutnya persamaan (4) dapat ditulis dalam
bentuk matriks sebagai berikut
 
A = GF (6)
 
Dengan A beranggotakan A(λ j ), G memiliki elemen
−α ( λ ) x

(1 − e ij )∆λ dan F memiliki elemen f (λi ) .
Yang ingin kita cari adalah f (λi ) yang dapat diperoleh
melalui persamaan
  
F = G −1 A (7)

Gambar 4. Energi celah pita (E g ) TiO 2 [3] 0.42 Probabalitas Eg

0.4

0.38

0.36
f(Eg) %

0.34

0.32

0.3

0.28

0.26
1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2
Eg (eV)

Gambar 6. Kurva f(E g ) vs E g

Dengan menggunakan MATLAB 7 untuk

Gambar 5. Energi celah pita langsung (direct band gap)
TiO 2 literatur.
Kurva pada Gbr. 4 diplot ulang menggunakan software
Engauge Digitizer 4.0 untuk mendapatkan nilai pada titik
kurva tersebut. Dari hasil digitalisasi didapatkan kurva
pada Gbr. 5.
Dengan menggunakan persamaan (1) untuk Gbr. 5,
didapatkan
(αhf)2 = 1.647e+012 (hf) - 5.74e+012
(αhf)2 = (1.647e+012)2 [(hf) – 3.485]
Nilai A yang didapat sebesar 1.28 × 10-6 cm-1.
Kembali pada pencarian fungsi probabilitas
dengan menggunakan persamaan (4), A(λ j ) didapat dari
menyelesaikan persamaan (7), maka diperoleh nilai F,
yang kemudian nilai F tersebut di plot terhadap Eg. Dari
hasil perhitungan dan didapat kurva pada Gbr. 6. Untuk
mendukung asumsi yang telah diberikan diawal mengenai
adanya suatu pengotor dalam material TiO 2 (tanpa proses
pengotoran), maka dilakukan juga karakterisasi EDX dan
XRD untuk mencari tahu tentang adanya unsur lain selain
TiO 2 .
Analisis Spektrum Absorbsi TiO 2 terhadap Probabilitas
Energi Celah Pita TiO 2
Pada Gbr. 6 diperoleh grafik probabilitas adanya
energi celah pita yang ada pada TiO 2 . Probabilitas f(E g )
untuk bermacam-macam E g yang diawal diasumsikan
ada pada material TiO 2 memenuhi persamaan (4). Untuk
setiap E g memiliki satu nilai probabilitas yang berarti
panjang gelombang yang diserap akan sesuai dengan E g
yang ada dengan intensitas yang berbeda-beda tergantung
besarnya probablitas E g dengan probabilitas terbesar ada
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 41

pada nilai 1,4067 eV dengan bobot 0,425 % , sedangkan Karakterisasi EDX

nilai yang terkecil ada pada nilai 1,5485 eV dengan bobot
0,221147%, dan pada puncak tengah kurva berada pada
E g = 2,5814 eV dengan bobot 0,347 %. Dari spectrum
absorbsi pada gambar 1, dapat dilihat bahwa intensitas
maksimum energi foton yang diserap ada pada panjang
gelombang 538 nm atau ada pada daerah E g = 2,304 eV,
sedangkan untuk nilai terendah Eg yang menyerap energi
foton ada pada panjang gelombang 218 nm atau pada
daerah 5,6 eV. Jika dibandingkan, nilai probabilitas ini
mengindikasikan bahwa semakin besar nilai probabilitas
nya maka semakin besar juga kemungkinan E g pada
material TiO 2 yang berkontribusi pada proses absorbsi
cahaya pada panjang gelombang yang bersesuaian dengan
E g . (Gambar 7 dan 8)
Berdasarkan hasil karaketrisasi EDX (Gbr. 8),
didapatkan bahwa ternyata unsur yang terkandung dalam
material TiO 2 tidak hanya atom Ti dan O saja, tetapi juga
terdapat atom C sebesar 7% (tanpa proses doping – Tabel
1). Studi yang dilakukan oleh Xu dkk mengenai doping
karbon pada titania dioksida, ternyata bisa mengeser
energi celah pita sebesar 0,03 eV [4]. Dalam studinya
tersebut tidak dijelaskan mengenai banyaknya konsentrasi
doping karbon yang diberikan pada TiO 2 dan seberapa
besar pengaruhnya terhadap pergesaran energi celah pita
Eg.

0.8

0.75
Absorbansi (a.u)

0.7
Gambar 9. Karakterisasi EDX sampel TiO 2 .

0.65 Tabel 1. Unsur yang terkandung dalam TiO 2 dari hasil

Absorbansi TiO2
karakterisasi EDX
Unsur keV Mass% At% Error
0.6
1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 C 0,277 7,13 15,55 0,21
E (eV)
O 0,525 30,84 50,51 1,98
Gambar 7. Absorbansi terhadap enregi foton pada TiO 2 Ti 4,508 62,4 33,94 0,53

0.42 Probabalitas Eg Karakterisasi XRD

0.4
Dari hasil karakterisasi XRD ternyata sampel TiO 2
ini tidaklah murni mengandung TiO 2 saja. Hasil
0.38 identifikasi yang terkandung dalam sampel adalah TiO 2
0.36 anatase sebesar 90,8%, Griceite 4,7 % dan, Epidote 4,5%.
Dalam studi lain yang dilakukan Shiang dkk [2],
f(Eg) %

0.34
dimana doping nitrogen diberikan pada TiO 2 . Hasil
0.32 eksperimen mereka menyebutkan bahwa konsentrasi
0.3
pengotor mempengaruhi pergesaran E g walaupun tidak
ada nilai konsentrasi efektif yang mampu memberikan E g
0.28 optimum. Dalam kasus pendopingan material TiO 2
0.26 dengan atom lain, diberikan penjelasan bahwa atom
1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 doping memiliki kulit terluar yang sama dengan O yaitu
Eg (eV)
pada energi 2p. Hal ini dimaksudkan agar salah satu atom
Gambar 8. Probabilitas E g terhadap E g yang terdapat O pada TiO 2 digantikan oleh atom doping. Sehingga
pada TiO 2 energi pita konduksi TiO 2 yang diberikan oleh keadaan
2p O akan berubah.
Walaupun sebenarnya E g bergantung dari
konsentrasi atom pengotor yang diberikan, dalam kasus 3. Kesimpulan
ini nilai bobot yang diperoleh bukan merepresentasikan Dari karakteristik-karakteristik yang telah
banyaknya konsentrasi pengotor sehingga didapatkan E g dilakukan dapat dikatakan bahwa TiO 2 yang dimiliki ini
tertentu. Tetapi nilai bobot ini hanya berkontribusi pada bukanlah TiO 2 murni dan mengandung beberapa jenis
kemungkinan adanya nilai E g yang telah didapatkan dan material lain (C, LiF, Ca 2 FeAl 2 Si 3 O 12 (OH)). Akibat
diasumsikan ada pada material TiO 2 . adanya bahan-bahan menyebabkan energy celah pita dari
TiO 2 murni (3.2 eV) menjadi berubah. Spektrum absorbsi
TiO 2 yang lebar mengindikasikan terdapatnya energi
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 42

celah pita dari berbagai bahan lain selain TiO 2 yang

berada dari rentang 1,40667 eV sampai 3,2 eV, dan
probabilitas energy celah pita yang terkandung dalam
TiO 2 telah didapatkan.
Semakin tinggi probabilitas (bobot) dari energy
celah pita maka kemungkinan penyerapan serta
intensitasnya pada panjang gelombang yang bersangkutan
menjadi besar. Besarnya probabiliatas atau bobot yang
telah didapat tidak berkontribusi pada konsentrasi
pengotor yang terdapat dalam TiO 2 .

Referensi
[1] R. Asahi, T. Morikawa, T.Ohwaki, K. Aoki, and
Y.Taga, Science 293, 269 (2001).
[2] J.K Shiang et al, Appl. Phys. A 81,1411 (2005).
[3] K. Byung-Hoon et al, Ceram. Int. 32, 223 (2006).
[4] T.-H. Xu et al, J. Zheijang Univ. Sci. B.