LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

TRANSISTOR

Disusun Oleh :

Nama : RIFQI AZIZ MUHAMMAD

NIM : 021800023
Prodi : TEKNOFISIKA NUKLIR
Jurusan : ELEKTRONIKA INSTRUMENTASI

SEKOLAH TINGGI TEKNOLOGI NUKLIR

BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL
2018
 PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG

Keilmuan elektonika selalu berkembang dan menglami kemajuan-kemajuan pesat

seiring perkembangan zaman. Ilmu elektronika diperlukan dalam berbagai bidang secara
langsung maupun secara tak langsung pada perkembangan teknologi saat ini. Dengan
pemahaman ilmu elektronika yang sesuai memungkinkan manusia untuk bisa menjadi
inovator-inovator teknologi bermanfaat kedepannya.

Penemuan komponen-komponen elektronika sangatlah penting bagi perkembangan

teknologi di masa modern ini. Salah satu penemuan paling berpengaruh adalah penemuan
transistor. Transistor merupakan komponen dasar elektronika yang banyak gunanya. Salah
satu yang paling penting adalah mampu untuk mengatur sinyal listrik. Sehingga dapat
menggantikan sistem lama dalam komputer yang memerlukan ruang banyak sehingga
sekarang komputer bisa berwujud seminimalis mungkin. Dan banyak lagi kegunaan
transistor yang bisa dimanfaatkan untuk teknologi sekarang ini.

Dengan dilaksanaknnya Praktikum Elektronika Dasar tentang Transistor ini diharapkan

dapat menambah keterampilan bagi para praktikan sebagai penunjang ilmu elektronika.
Selain itu, diharapkan bisa menambah pengetahuan dan pengalaman secara langsung
masing-masing praktikan sebagai bekal belajar pada matul selanjutnya.

B. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi

seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya.
Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan
dalam rangkaian-rangkaian elektronika. Boleh dikatakan bahwa hampir semua perangkat
elektronik menggunakan Transistor untuk berbagai kebutuhan dalam rangkaiannya.
Perangkat-perangkat elektronik yang dimaksud tersebut seperti Televisi, Komputer, Ponsel,
Audio Amplifier, Audio Player, Video Player, konsol Game, Power Supply dan lain-lainnya.

Transistor pertama kali ditemukan oleh tiga orang fisikawan yang berasal Amerika
Serikat pada akhir tahun 1947 adalah Transistor jenis Bipolar. Mereka adalah John Bardeen,
Walter Brattain, dan William Shockley. Dengan penemuan tersebut, perangkat-perangkat
elektronik yang pada saat itu berukuran besar dapat dirancang dalam kemasan yang lebih
kecil dan portabel (dapat dibawa kemana-mana). Ketiga fisikawan tersebut mendapatkan
Hadiah Nobel Fisika pada tahun 1956 atas penemuan Transistor ini. Namun sebelum ketiga
fisikawan Amerika Serikat tersebut menemukan Transistor Bipolar, seorang fisikawan
Jerman yang bernama Julius Edgar Lilienfeld sudah mempatenkan Transistor jenis Field
Effect Transistor di Kanada pada tahun 1925 tetapi Julius Edgar Lilienfeld tidak pernah
mempublikasikan hasil penelitiannya baik dalam bentuk tulisan maupun perangkat
prototype-nya. Pada tahun 1932, seorang inventor Jerman yang bernama Oskar Heil juga
mendaftarkan paten yang hampir sama di Eropa.

Seiring dengan perkembangannya, Transistor pada saat ini telah dirancang telah berbagai
jenis desain dengan fitur aliran arus dan pengendali yang unik. Ada jenis Transistor yang
berada dalam kondisi OFF hingga terminal Basis diberikan arus listrik untuk dapat berubah
menjadi ON sedangkan ada jenis lain yang berada dalam kondisi ON hingga harus diberikan
arus listrik pada terminal Basis untuk merubahnya menjadi kondisi OFF. Ada juga Transistor
yang membutuhkan arus kecil dan tegangan kecil untuk mengaktifkannya namun ada yang
hanya memerlukan tegangan untuk mengoperasikannya. Ada lagi Transistor yang
memerlukan tegangan positif untuk memicu pengendalinya di terminal Basis sedangkan ada
Transistor yang memerlukan tegangan negatif sebagai pemicunya.

 Jenis-jenis Transistor

Secara umum, Transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor
Bipolar dan Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor). Perbedaan yang paling utama
diantara dua pengelompokkan tersebut adalah terletak pada bias Input (atau Output) yang
digunakannya. Transistor Bipolar memerlukan arus (current) untuk mengendalikan terminal
lainnya sedangkan Field Effect Transistor (FET) hanya menggunakan tegangan saja (tidak
memerlukan arus). Pada pengoperasiannya, Transistor Bipolar memerlukan muatan
pembawa (carrier) hole dan electron sedangkan FET hanya memerlukan salah satunya.
  Pengertian Transistor dan Jenis-jenis Transistor

Berikut ini adalah jenis-jenis Transistor beserta penjelasan singkatnya.

1. Transistor Bipolar (BJT)

Transistor Bipolar adalah Transistor yang struktur dan prinsip kerjanya memerlukan
perpindahan muatan pembawanya yaitu electron di kutup negatif untuk mengisi kekurangan
electon atau hole di kutub positif. Bipolar berasal dari kata “bi” yang artinya adalah “dua”
dan kata “polar” yang artinya adalah “kutub”. Transistor Bipolar juga sering disebut juga
dengan singkatan BJT yang kepanjangannya adalah Bipolar Junction Transistor.

 Jenis-jenis Transistor Bipolar

Transistor Bipolar terdiri dari dua jenis yaitu Transistor NPN dan Transistor PNP. Tiga
Terminal Transistor ini diantaranya adalah terminal Basis, Kolektor dan Emitor.

Transistor NPN adalah transistor bipolar yang menggunakan arus listrik kecil dan
tegangan positif pada terminal Basis untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan yang
lebih besar dari Kolektor ke Emitor. Transistor PNP adalah transistor bipolar yang
menggunakan arus listrik kecil dan tegangan negatif pada terminal Basis untuk
mengendalikan aliran arus dan tegangan yang lebih besar dari Emitor ke Kolektor.

2. Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor)

 Transistor Efek Medan atau Field Effect Transistor yang disingkat menjadi FET ini
adalah jenis Transistor yang menggunakan listrik untuk mengendalikan konduktifitasnya.
Yang dimaksud dengan Medan listrik disini adalah Tegangan listrik yang diberikan pada
terminal Gate (G) untuk mengendalikan aliran arus dan tegangan pada terminal Drain (D)
ke terminal Source (S). Transistor Efek Medan (FET) ini sering juga disebut sebagai
Transistor Unipolar karena pengoperasiannya hanya tergantung pada salah satu muatan
pembawa saja, apakah muatan pembawa tersebut merupakan Electron maupun Hole.

 Jenis-jenis Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor)

Transistor jenis FET ini terdiri dari tiga jenis yaitu Junction Field Effect Transistor (JFET),
Metal Oxide Semikonductor Field Effect Transistor (MOSFET) dan Uni Junction Transistor
(UJT). JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medanyang
menggunakan persimpangan (junction) p-n bias terbalik sebagai isolator antara Gerbang
(Gate) dan Kanalnya. JFET terdiri dari dua jenis yaitu JFET Kanal P (p-channel) dan JFET
Kanal N (n-channel). JFET terdiri dari tiga kaki terminal yang masing-masing terminal
tersebut diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S). MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) adalah Transistor Efek Medan yang menggunakan
Isolator (biasanya menggunakan Silicon Dioksida atau SiO2) diantara Gerbang (Gate) dan
Kanalnya. MOSFET ini juga terdiri dua jenis konfigurasi yaitu MOSFET Depletion dan
MOSFET Enhancement yang masing-masing jenis MOSFET ini juga terbagi menjadi
MOSFET Kanal-P (P-channel) dan MOSFET Kanal-N (N-channel). MOSFET terdiri dari
tiga kaki terminal yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

UJT (Uni Junction Transistor) adalah jenis Transistor yang digolongkan sebagai Field
Effect Transistor (FET) karena pengoperasiannya juga menggunakan medan listrik atau
tegangan sebagai pengendalinya. Berbeda dengan jenis FET lainnya, UJT mememiliki dua
terminal Basis (B1 dan B2) dan 1 terminal Emitor. UJT digunakan khusus sebagai
pengendali (switch) dan tidak dapat dipergunakan sebagai penguat seperti jenis transistor
lainnya.
 PELAKSANAAN PRAKTIKUM

A. Alat dan Bahan

1. Percobaan 1

a. Power supply

b. Transistor BC 108

c. Resistor 480Ω

d. Amperemeter

e. Voltmeter

f. Kabel jumper

g. Penjepit buaya

h. Breadboard

2. Percobaan 2

a. Power supply

b. Transistor BD 135

c. Resistor 2kΩ

d. Amperemeter

e. Kabel jumper

f. Penjepit buaya

g. Breadboard

3. Percobaan 3

a. Power supply

b. Transistor BD 135

c. Transistor Amplifire

d. Resistor 100Ω

e. Resistor 6,8kΩ

f. Amperemeter
 g. Voltmeter

h. Kabel jumper

i. Penjepit buaya

j. Breadboard

B. Langkah Kerja

1. Percobaan 1

a. Bangun rangkaian sesuai gambar.

b. Pilih arus basis IB sesuai harga yang diberikan dalam tabel modul dan ukur
tegangan basis emitor VBE.

c. Cata hasil pengamatan

d. Gambar grafik basis IB sebagai fungsi tegangan basik emitor VBE sedangkan
tegangan kolektor emitor VCE tetap 0 Volt.

e. Semikonduktor lain yang mana mempunyai kurva karakteristik sama dengan

karakteristik masukan transistor.

2. Percobaan 2

a. Bangun rangkaian sesuai pada gambar.

b. Pilih arus basis IB sesuai dengan harga yang diberikan dalam tabel modul dan
ukur arus kolektor IC. Hitung penguatan arus β dan catat hasilnya.

c. Gambar grafik arus kolektor IC sebagai fungsi arus basis IB sedangkan

tegangan kolektor emitor tetap pada 12 Volt.

d. Tentukan β (current transistor ratio) oleh slope pada karakteristik kontrol

arus.

3. Percobaan 3

a. Bangun rangkaian sesuai pada gambar.

b. Atur arus basis IB 0,3 mA dengan memutar R2. Pilih tegangan kolektor-
emitor VCE sesuai dengan harga yang diberikan pada tabel modul dan ukur
 arus kolektor IC. Ulangi pengukuran arus basis dengan IB = 0,6mA, 0,9mA,
1,2mA. Catat hasilnya.

c. Gambar grafik arus kolektor IC sebagai fungsi tegangan kolektor-emitor VCE

pada arus basis tetap IB=0 mA, IB=0,3 mA, IB=0,6 mA, IB=0,9 mA dan IB =
1,2 mA.

d. Buatlah garis beban dc pada grafik yang dibuat.

HASIL PRAKTIKUM

A. Tabel

1. Percobaan 1 Karakteristik Masukan Transistor

IB 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 15 20

(mA)
VBE 10,6 0,625 0,675 0,7 0,75 0,775 0,9 0,975 1,025
(V)
Tabel 1 Data Karakteristik Masukan Transistor

Grafik 1. Kurva Basis Masukan Resistor

25

20

15
IB(mA)

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
VBE (V)
 2. Percobaan 2 Karakteristik Kontrol Arus Resistor

 VCE = 12 Volt

IB(mA) 0 0,2 0,4 0,6 0,8

IC(mA) 0 40 80 130 225
𝑰𝑪 0 200 200 216,67 281,25
𝜷=
𝑰𝑩
Tabel 2 Data Karakteristik Kontrol Arus Transistor

Grafik 2. Karakteristik Kontrol Arus Transistor

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5
IB(mA)

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 50 100 150 200 250
IB(mA)

3. Percobaan 3 Karakteristik Keluaran Transistor

IB tetap VCE 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 2 3

(Volt)
IB = 0 IC 0 15 x 30 x 50 x 70 x 95 x 98 x 145 x
(mA) 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4
IB = 3 IC 0 15 x 35 x 55 x 75 x 95 x 100 x 150 x
mA (mA) 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4
IB = 6 IC 0 10 x 30 x 60 x 80 x 100 x 100 x 150 x
mA (mA) 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4
 IB = 9 IC 0 15 x 40 x 55 x 75 x 98 x 100 x 155 x
mA (mA) 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4
IB = 12 IC 0 20 x 40 x 60 x 80 x 100 x 110 x 150 x
mA (mA) 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4 10-4
Tabel 3 Data Karakteristik Keluaran Transistor

Gravik 3. Kurva Kolektor

180
160
140
120 Ib = 12 mA
Ic (10-4 mA)

100 Ib = 9 mA
80 Ib = 6 mA
60 Ib = 3 mA
40 Ib = 0 mA
20
Garis Beban DC
0
0 1 2 3 4
Vce (Volt)

B. Pembahasan

Transistor adalah komponen semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong

(switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor dapat
berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.

1. Percobaan 1 Karakteristik Arus Masukan Transistor

Pada percobaan ini dilakukan pengukuran Ib dan juga Vbe. Data tabel 1 menunjukkan
bahwa Ib akan naik pada nilai tegangan ±0,7 V. Hal ini karena transistor juga memiliki sifat
dioda semi konduktor yang aktif setelah melewati tegangan tertentu. Di percobaan ini
tegangan kolektor dibuat nol, maka transistor akan berfungsi sama sebagai dioda. Jika
tegangan kolektor diaktifkan maka transistor akan bisa berfungsi sebagaimana mestinya.
Oleh karena itu, transistor bisa berfungsi sebagai pengatur arus, amplifire(arus
dilipatgandakan), dll.

2. Percobaan 2 Karakteristik Kontrol Arus Transistor

Dalam percobaan ini tegangan kolektor diberi arus dan tegangan tetap 12V, maka
transistor akan bisa berfungsi normal. Arus pada kolektor sebanding dengan arus pada basis.
Namun sejatinya arus kolektor berfungsi sebagai pematik supaya arus dari basis bisa
mengalir. Hal ini terlihat pada data tabel 2 dan grafik 2. Dengan sifat yang seperti itu maka
transistor dapat digunakan juga sebagai pengatur arus rangkaian.

Sedangkan nilai βDC pada transistor tersebut sekitar 200-300. Β merupakan nilai
penguatan arus pada transistor yang dihitung dari IB/IC. Nilai β bisa bermanfaat saat transistor
digunakan sebagai amplifire dan penguat arus listrik.

Pada data di atas, percobaan hanya dapat diamati sampai Ib 0,8 mA, hal ini tersebut
dikarenakan pada alat percobaan yang digunakan sudah mencapai skala yang maksimal
untuk mengukurnya atau bagi alat nilai sebesar itu sudah maksimal dan tidak bisa lagi
merespon nilai yang lebih besar lagi. Jika dipaksakan alat akan rusak nantinya.

3. Percobaan 3 Karakteristik Keluaran Transistor

Pada percobaan ini kita menghitung IC dan VCE saat IB tetap nilainya. Pada tabel 3 dapat
dilihat hasilnya. Kemudia dari data tersebut dibuat grafik kurva karakteristiknya. Dari grafik
tersebut kita dapat melihat sifat-sifat transistor, daerah cutoff, daerah saturasi, dan daerah
aktifnya. Dapat juga ditarik garis beban, garis beban dapat memberikan padangan lebih
banyak bagaimana transistor beroperasi. Garis beban ditarik dari titik saat IC = IB saturasinya
sampai saat VCE = VCC.

Data di atas kurang bisa menunjukkan daerah-daerah tersebut dengan tepat dikarenakan
banyak sekali pengaruh luar rangkaian bahkan kebocoran arus. Sehingga grafik yang
ditunjukkan dari percobaan tidak sama dengan yang ada di teori.
 KESIMPULAN

1. Transistor akan aktif apabila pada IC dialiri arus.

2. Transistor dapat digunakan sebagai pengatur arus pada rangkaian dengan kombinasi
arus IB dan IC.

3. Dalam kurva karakteristik transistor terdapat daerah cutoff, daerah aktif, dan daerah
saturasi.

4. Garis beban dapat ditarik untuk memperjelas bagaimana karakteristik kerja

transistor.

5. Harga β transistor BD135 sekitar 200-300.

 DAFTAR PUSTAKA

Kho, Dickson. 2017. Pengertian Transistor dan Jenis-Jenis Transistor. Dikutip dari
https://teknikelektronika.com/pengertian-transistor-jenis-jenis-transistor/. Diakses pada 20
Oktober 2018.
LAMPIRAN