TUGAS DASAR ELEKTRONIKA

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

( BJT )

OLEH :
ARIZAL YUSRA
180111171

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO S1

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS RIAU
2019
 BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
1. Design Requirment
2. Dedign Specification
3. Methodology
1. Rumus
2. Kurva
3. Simulasi LTspice
4. Rangkaian
5. Hasil dan Analisa

1. Design Requirment
Transistor BJT sering digunakan untuk pengauatan sinyal listrik serta pada saklar
digital, Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah komponen semikonduktor yang dibuat
dengan tiga terminal/kaki semikonduktor (Basis, Kolektordanemitor), biasanya kaki/ terminal
basis dan emitor memiliki tegangan penghalang sekitar 0.5-0.7V, artinya bahwa dibutuhkan
tegangan listrik minimal 0.5-0.7 V untuk bias membuat arus listrik mengalir melalui kaki
emitor ke basis (basis ke emitor) dan atau kolektor ke basis (basis ke kolektor). Pada rangkaian
ini inputan yang digunakan pada battery adalah sebesar 3 V dan 10 V.

2. Design specification
Pada rangkaian Bipolar Junction Transistor yang akan dibuat ini rangkaian haruslah
memenuhi semua design requirment yang digunakan. Untuk itu rangkaian yang digunakan
adalah dua buah battery dengan nilai 3 V dan 10 V, kemudian 2 buah resistor dengan nilai
10KΩ dan 1KΩ, dan sebuah 1 buah NPN dengan type 2N2222.

3. Methodology
a. Rumus
Adapun rumus yang digunakan dalam materi Bipolar Junction Transistor ini adalah
sebagai berikut :
 V𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐶
A. IB =
𝑅𝐵

B. IC = βDc . IB

C. IE = Ic + IB

D. VCE = VCC – IcRc

E. VCB = VCE – VBE

b. Kurva

Berikut adalah kurva acuan dari rangkaian Bipolar Junction Transistor :

a. Simulasi Rangkaian pada Ltspices
4. Datasheet NPN 2N2222
 5. Hasil dan Analisa
Dari percobaan yang dilakukan didapat analisa bahwa arah baterai akan
mempengaruhi gerafik pada rangkaian npn, apabila arah dari baterai searah maka
akan terjadi kenaikan pada grafik, pada baterai nilai nya juga akan berpengaruh
apabila nilai baterai besar maka akan semakin lambat proses gelombangnya dan
apabila nilai baterai kecil maka proses gelombangnya akan cepat. Dan apabila nilai
pada resistor pada rangkaian semakin kecil maka akan semakin lambat proses
gelombangnya dan sebaliknya apabila nilai resitor pada rangkaian semakin besar
maka akan semakin cepat juga proses gelombang nya.

V𝑐𝑐 −𝑉𝑐𝑒 10v−0,2v 9.8

Ic = = = 1𝑘 = 9.8 mA
𝑅𝑐 1𝐾

V𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝑒 3v−0,7v 2,3

IB = = = 10𝑘 = 0.23 mA
𝑅𝐵 10𝐾

IC = βDc . IB = 50v . 0.23mA = 11.5 Ma

• IC lebih besar dari IC(sat), transistor kondisi saturasi.

• Arus collector tidak akan pernah mencapai 11,5 mA. Bila IB dinaikkan,
arus collector tetap pada nilai saturasi-nya.