Práctica 5

Caracterización de un diodo LED

OBJETIVOS
Observar el funcionamiento y conocer algunas propiedades del LED, como una de las fuentes
utilizadas en sistemas de comunicaciones vía fibra óptica.
Obtener la curva característica del LED.
Observar el efecto que tiene la temperatura sobre este dispositivo

INTRODUCCION
Como se dijo en la introducción de la practica 1, un sistema de comunicaciones consta de 3
elementos principales: Transmisor, Vía o medio y Receptor, ver figura 1.1.
En el caso específico en el que se utiliza una fibra como vía o canal, el transmisor está compuesto
por: un convertidor de voltaje a corriente, una fuente luminosa y una interfaz de fuente a fibra, ver
figura 5.1.
Señal óptica viajando en FIBRA
Señal eléctrica, analógica o digital
Convertidor de Voltaje a corriente
Interconexión eléctrica
Fuente luminosa
Interfaz fuente - fibra
Acoplador
Fig. 5.1 Diagrama a bloques de un transmisor para un sistema de comunicaciones por fibra óptica.
La fuente óptica debe tener las siguientes características generales:
La intensidad de luz (potencia óptica) debe ser grande para alcanzar distancias grandes de
propagación.
Su estructura debe permitir un acoplamiento de luz efectivo fuente-fibra.
La longitud de onda de la luz que emana de la fuente debe ser compatible con la longitud de
onda más conveniente de la fibra óptica.
El ancho de línea debe ser lo más delgado posible para permitir una alta razón de datos.
El tiempo de respuesta debe ser corto para soportar una alta razón de datos.

La potencia luminosa de una fuente tiene un comportamiento parecido al de una gaussiana, entonces, el ancho
de línea se define como el ancho en longitudes de onda entre dos puntos, donde la energía luminosa de la fuente
atraviesa un medio del valor de su potencia máxima.
 Debe producir una potencia óptica estable, que no varíe con la temperatura u otras condiciones
ambientales, además de ser confiable.

Hay dos clases de fuentes utilizadas comúnmente en sistemas de fibra óptica, estas son el diodo de
inyección láser (ILD) y el diodo emisor de luz (LED). Ambos se basan en dispositivos
semiconductores1, específicamente, en el principio de funcionamiento de los diodos
semiconductores de unión p-n.
1 Dispositivo fabricado de uno o más materiales sólidos que tiene un valor de resistividad entre un conductor y un
aislante. El material más utilizado es el silicio que al ser dopado con materiales con 5 electrones en su capa de
valencia, forma el material “tipo p” (exceso de electrones), y si es dopado con materiales con 3 elementos en su
capa de valencia forma el material “tipo n”(exceso de huecos).
2 La luz se emite como resultado de la recombinación de electrones con huecos. Cuando se polariza directamente la unión p-n, los portadores minoritarios se recombinan con
portadores mayoritarios y desprenden energía en forma de luz.
Para algunos sistemas de comunicación, cualquiera de las dos fuentes (ILD ó LED) puede ser
utilizada, brindando una operación satisfactoria. Sin embargo para algunos sistemas de
comunicación específicos, uno es claramente mejor que el otro. En la figura 5.2 se puede observar
una gráfica de potencia óptica contra corriente, a través de una unión p-n, En ella podemos
observar la región en la que trabaja un LED, y después de un umbral, la región donde trabaja un
LASER.
Un LED (Light Emitting Diode), es un dispositivo semiconductor que emite radiación visible,
infrarroja o ultravioleta, por emisión espontánea2. Esencialmente es una unión p-n cuyas regiones
p y n pueden estar hechas del mismo o diferente material semiconductor altamente radiante. El
color de la luz emitida está determinado por la energía del fotón.
Fig. 5.2. Curva de emisión de potencia-corriente.
Principalmente hay dos clases de diodos emisores de luz, basados en la forma que es colectada la
luz de la región activa:
-LED de emisión superficial y pozo grabado de Burrus: emite luz en muchas direcciones, haciendo
toda su superficie, el área activa. El de pozo grabado es de emisión superficial, pero se graba un
hueco o pozo, permitiendo concentrar la luz en una área más pequeña.
-LED de emisión de borde: Emiten una distribución más direccional de luz, la luz se emite de una
banda activa, y forma un haz elíptico. Se emite menos luz que un uno de superficie, pero también
las pérdidas por acoplamiento son menores.
Parámetros importantes de un LED
Los parámetros que caracterizan el funcionamiento de un LED y que sirven de base para la
elección del modelo más adecuado para la aplicación concreta a que se le va a destinar, son los
siguientes:
Eficiencia
Es la relación entre la intensidad luminosa emitida, medida en milicandelas (mcd), y la corriente
eléctrica en mA que produce dicha radiación. Se representa por Iv. Los valores normales oscilan
entre los 0.5 y 2 mcd a 20 mA. Pero los de alta eficiencia alcanzan hasta las 20 mcd a 10 mA.
Directividad
Está definida por el máximo ángulo de observación de luz que permite un tipo concreto de LED,
respecto al eje geométrico del mismo. Este parámetro depende de la forma del encapsulado, así
como de la existencia o no de una lente amplificadora incluida en el mismo. En los modelos de
mayor directividad este ángulo es pequeño y tienen la apariencia de producir una intensidad
luminosa más elevada que los otros, en los que la luz se reparte sobre una superficie mucho mayor.
Cada modelo de LED dispone de una curva de directividad en la que se representa el nivel de
intensidad luminosa en función del ángulo de observación. Esta curva resulta de mucha utilidad
para la elección de un modelo determinado. En la siguiente figura 2 se muestran algunos ejemplos.
Fig. 5.3.- Curvas de directividad para distintos tipos de LED’s
Voltaje de polarización directa (VF)
Es el voltaje que se produce entre las terminales del LED cuando le atraviesa la corriente de
excitación. Esta comprendida entre 1,5 y 2,2 v. para la mayoría de los modelos.
Corriente Inversa (IR)
Es la máxima corriente que es capaz de circular por el LED cuando se le somete a una polarización
inversa. Valores típicos de este parámetro se encuentran alrededor de los 10 A.
Disipación de potencia
Es la fracción de la potencia que absorbe el LED y no transforma en radiación visible, teniéndola
que disipar al ambiente en forma de calor. En las aplicaciones clásicas de los LED’s se necesita
una resistencia en serie con él, para limitar la corriente.
Ancho de Línea
Los terminos utilizados para describir el rango de longitudes de onda emitida, varia de un
fabricante a otro. Algunos de los más usados son Respuesta espectral, Flujo radiante espectral o
espectro de emisión. Recuerde que el ancho de línea es el rango de longitudes de onda al 50% de
la potencia máxima radiada. Un ancho de línea grande produce una dispersión grande, que a su vez
limita el ancho de banda de modulación, que da lugar a una baja razón de datos.
Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta es la rapidez con la que se lleva al LED de encendido a apagado,
usualmente llamado tiempo de subida y tiempo de bajada. Es decir el tiempo que tarda en llegar
desde el 10% al 90% de la potencia máxima radiada, una vez que se hace fluir corriente a través de
sus terminales, como se puede observar en la figura 5.4.
Fig. 5.4 Tiempo de subida (Tr) y tiempo de bajada (Tf).
La razón de modulación (la máxima razón de datos a la que el LED puede operar) debe
contemplar a Tr y Tf, lo que significa que debe ser menor que 1/( Tr + Tf).
Ancho de banda
El ancho de banda óptico es aproximadamente:
Curva característica del diodo[editar]

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones
de la intensidad de corriente.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares

electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de
la tensión superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.
Su gráfica es de la siguiente forma:

Un diodo normal también tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en él, con el
Zener si se puede trabajar en esa zona.

La potencia máxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener", esto es, la corriente
aumenta bruscamente.

Para fabricar diodos con un valor determinado de tensión de ruptura (VZ) hay que ver la
impurificación porque VZ es función de la impurificación (NA ó ND), depende de las
impurezas.

La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinación debida a RZ:

En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los cálculos se aproxima
siempre.
Las aproximaciones para el zener son estas:

Modelo ideal (1ª aproximación)

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensión VZ.

Esto solo es válido entre IZmín y IZmáx.

2ª aproximación
Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente: