Kurva Karakt CE

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
Kurva Karateristik Common Emitter (CE)
KURVA KARAKTERISTIK COMMON EMITTER
TUJUAN
Untuk mengamati sifat-sifat transistor pada konfigurasi common emitter (CE)
dengan menggambarkan kurva karateristik input dan kurva karateristik output.
TEORI DASAR
Hal yang terpenting dari hubungan transistor CE adalah bagaimana menemukan
kurva karateristik dari input dan outputnya. Input karateristik dapat direncanakan dengan
perubahan arus basis IB dan tegangan basis-emitor VBE pada tegangan VCE yang konstan.
IB = f (VBE); VCE = konstan
Diagram input karakteristik dapat dilihat pada gambar 1.
Gambar 1. Kurva Karateristik Input Gambar 2. Kurva Karateristik Output
Pada daerah (kurva) linier dioda basis-emitor mendapat bias maju, input
karateristik pada daerah ini menyerupai dioda yang mendapat bias maju. Jadi untuk
mengoperasikan dioda basis-emitor pada konfigurasi CE hanya memerlukan arus yang
relatif kecil dan tahanan dinamis dioda tersebut jauh lebih besar dari tahanan dioda
kolektor-basis. Jadi basis-kolektor diberikan bias mundur (reverse bias) kurva karakteristik
inputnya akan bergeser ke kanan (gambar 1.)
Untuk mengoperasikan transistor pada daerah linier dioda kolektor-basis harus

mendapatkan bias mundur dan output karakteristiknya diperlihatkan pada gambar 2.
Setiap kurva karateristik output digambarkan dengan perubahan V CE dan IC untuk beberapa
nilai IB yang tetap.
IC = f (VCE); IB = konstan
Pada IB = 0 (basis terbuka) terjadi arus IC, hal ini disebabkan oleh adanya arus bocor pada
kolektor-emitor, arus bocor ini dituliskan sebagai ICEO. Bila IB bertambah, IC bertambah
pula dan perubahan arus IC jauh lebih besar dari IBnya.
βDC disebut penguatan DCnya, yaitu merupakan perbandingan dari arus kolektor (I C) dan
arus basis (IB) dengan transistor beroperasi.
Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
IC
DC 
IB
Contoh : Pada IB = 20 µA (pada titik Q), IC = 2 mA, maka
I 2 mA
 DC  C   100
IB 20 A
βDC sangat bergantung pada VCE.
Output karakteristik CE dapat dibagi menjadi 3 bagian :

1. Daerah jenuh dengan IC maksimum pada VCE yang kecil saja.
2. Meruapakan daerah linier yaitu daerah operasi normal dari transistor.
3. Daerah mati (cut off) dengan IC mendekati nol untuk berbagai nilai VCE.
Gambar 3. Kurva Daerah Operasi Transistor
Resistansi dinamik dari output dapat dicari dengan menggunakan gambar 1.

Resistansi dinamik pada suatu titik meruapakan perbandingan dari perubahan tegangan V EB
dengan perubahan arus IB disekitar titik tersebut.
Jadi resistansi dinamik, Rd
 VEB
Rd 
 IB
Penguatan arus didefinisikan sebagai perbandingan arus output dan arus input.
 IC
Ai   
 IB
Yang perlu diperhatikan bahwa β tergantung dari besar V CE. Penguatan arus pada CE ada
hubungannya dengan penguatan arus pada CB (α), dengan

 
 1
Resistansi output, Rout merupakan perbandingan dari tegangan output VCE dengan arus
output IC.
V
R out  CEB
I EB

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
TUGAS PENDAHULUAN
1. Pada kurva karakteristik input, tegangan basis-emitor diubah dari 240 mA menjadi 260
mA dan tegangan emitor-kolektor pada saat 10 Volt. Perubahan arus besarnya dari 1,2
mA menjadi 3 mA. Berapakah resistansi input dinamik pada saat itu ?
2. Tunjukkan hubungan antara CB dan CE dengan menggunakan penguatan arusnya.
3. Dari gambar berikut, tentukan Rout pada IB = 40 A
ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN

1. Modul percobaan : 1 buah
2. Multimeter analog : 3 buah
3. Osiloskop 20 MHz : 1 buah
4. Power supply : 2 buah
5. Kabel penghubung : Secukupnya
PROSEDUR PERCOBAAN
A. Karakteristik Input
1. Hubungan rangkaian seperti gambar di bawah ini :
2. Atur potensiometer dalam keadaan minimum, sehingga tegangan VCE maupun VBE = 0.
3. Input karakteristik
a. VCE = 0, putar pelan-pelan potensiometer 500 k sambil mengamati VBE.
Atur kenaikkanVBE dengan kenaikkan tertentu dan catat arus IB pada tabel di bawah.
b. Dengan VCE = 2, 4, 6, 8, dan 9 Volt, lakukan seperti pada langkah a.
VCE (V) 0 2 4 6 8 9
VEB (mV) IB (mA)
0
50
100
150
200
250

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
300
4. Output karakteristik
a. Semua pengatur tegangan dalam kondisi minimum.
b. Atur IB = 0.
c. Naikkan VCE langkah demi langkah dan catat arus IC pada setiap langkah tersebut.
d. Ubah IB = 10 A, 20 A, 30 A, dan 40 A lakukan seperti pada langkah c.
IB (A) 0 10 20 30 40
VEB (mV) IC (mA)
0
2
4
6
8
10

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
TUGAS PERTANYAAN
1. Gambar hasil pengukuran pada karateristik input dengan VBE sebagai fungsi dari IE dan
VCB sebagai parameternya.
2. Gambar hasil pengukuran pada karateristik output dengan V IC sebagai fungsi dari VCB
dan IE sebagai parameternya.
3. Hitung faktor penguatan arus (α) pada titik-titik yang tertulis di bawah ini, dengan
menggunakan kedua tabel dari hasil percobaan :
a. IE = 1 mA ; VCB = 1 Volt
b. IE = 10 mA ; VCB = 1 Volt
c. IE = 1 mA ; VCB = 6 Volt
c. IE = 10 mA ; VCB = 6 Volt
4. Hitung pula nilai dari Rin pada titik-titik yang tertulis pada nomor 3 di atas.
5. Hitung pula nilai dari Rout pada titik-titik yang tertulis pada nomor 3 di atas.
6. Dari percobaan ini, apakah kesimpulan saudara ?

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG
Analisis Hasil Simulasi
Analisa Hasil Pengukuran
Analisa Hasil Simulasi

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

K N EG E RI
NI M
K
A
IT
LA
P OL
NG

Kurva Karakt CE

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Kurva Karakt CE

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

K N EG E RI

KURVA KARAKTERISTIK COMMON EMITTER

Gambar 1. Kurva Karateristik Input Gambar 2. Kurva Karateristik Output

Untuk mengoperasikan transistor pada daerah linier dioda kolektor-basis harus

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Output karakteristik CE dapat dibagi menjadi 3 bagian :

Gambar 3. Kurva Daerah Operasi Transistor

Resistansi dinamik dari output dapat dicari dengan menggunakan gambar 1.

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN

VEB (mV) IB (mA)

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

VEB (mV) IC (mA)

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

6. Dari percobaan ini, apakah kesimpulan saudara ?

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Analisa Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran

Praktikum Elektronika Dasar (YUSTIKA AYU SALSABILA)

Analisis Hasil Simulasi

Analisa Hasil Pengukuran