Capítulo 4

MOSFET
Seções 4.6 a 4.7

1
 4.6- OPERAÇÃO EM PEQUENOS SINAIS E MODELOS
Tendo aprendido como polarizar o MOSFET para operar como amplificador, vamos
olhar agora a operação em pequenos sinais. Considere o circuito conceitual mostrado
na Figura 4.34. O sinal de entrada a ser amplificado, vgs, que é sobreposto a tensão de
polarização VGS. A tensão de saída instantânea total é tomada no dreno, vD.

iD  I D  id
iD

vD vD  VDD  RDiD

sinal puro + tensão de saída instantânea total, vD (cc + sinal)

vGS
cc - cc → polarização

tensão instantânea total porta-fonte, vGS (cc + sinal)

Figura 4.34 – Circuito conceitual.

2
 4.6.1- O ponto de polarização cc

Consideraremos primeiro as condições de polarização cc fazendo o sinal vgs = 0. O

circuito fica reduzido ao da Figura- 4aa.

1 ,W
ID pode ser obtida : ID  kn VOV 2 VOV  VGS  Vt
2 L

cc

VDD

RD
ID
VD

fazendo o sinal vgs = 0 vgs = 0 cc

VGS

cc
Figura- 4aa – análise cc
Figura 4.34 – Circuito conceitual.
3
 4.6.2- O sinal de corrente no terminal de dreno
Se um sinal vgs for aplicado conforme mostrado na Figura 4.34. A tensão instantânea
total porta-fonte será :
vGS  VGS  vgs
o que resulta em uma corrente de dreno instantânea total iD,

vGS  VGS  vgs

1 ,W 1 ,W
iD  kn (vGS  Vt )2 iD  kn (VGS  vgs  Vt )2
2 L 2 L Figura 4.34

1 ,W
iD  kn [(VGS  Vt )  v gs ]2 1 W
iD  kn, [(VGS  Vt )2  2(VGS  Vt )vgs  vgs2 ]
2 L 2 L

1 ,W 1 W 1 W 2
iD  kn (VGS  Vt )2  2 kn, (VGS  Vt )vgs  kn, vgs Eq. 4.57
2 L 2 L 2 L

4
 1 , W W 1 W
iD  kn (VGS  Vt )2  kn, (VGS  Vt )v gs  kn, v gs 2 Eq. 4.57
2 L L 2 L

corrente cc um componente de sinal um componente de sinal

id que é diretamente id que é proporcional ao
proporcional a vgs quadrado de vgs
vgs → sinal de entrada

Este ultimo componente é indesejável, porque representa uma distorção não-linear.

Para reduzir a distorção não-linear introduzida pelo MOSFET, o sinal de entrada deve
ser mantido pequeno , tal que:

1 ,W W
kn vgs2  kn, (VGS  Vt )vgs
2 L L

resultando em: vgs  2(VGS  Vt ) Eq. 4.58

vgs  2VOV Eq. 4.59

VOV é a sobretensão de condução em que o transistor está operando.

5
Se essa condição para pequenos sinais for satisfeita , podemos desprezar o último termo
da Equação 4.57 e expressar iD por despreza
vgs  2VOV
1 , W W 1 W
iD  kn (VGS  Vt )2  kn, (VGS  Vt )v gs  kn, v gs 2 Eq. 4.57
2 L L 2 L

corrente cc um componente de sinal um componente de sinal

id que é diretamente id que é proporcional ao
proporcional a vgs quadrado de vgs
vgs → sinal de entrada

1 , W , W
iD  kn (VGS  Vt )  kn
2
(VGS  Vt )v gs
2 L L
ID iD

iD I D  id Eq. 4.60

O parâmetro que relaciona id com vgs é a transcondutância gm dada por :

W id W
id  kn, (VGS  Vt )vgs gm   kn, (VGS  Vt ) Eq. 4.61
L vgs L
6
 ou em termos da sobretensão de condução VOV , id W
gm   kn, (VGS  Vt ) Eq. 4.61
vgs L
id W
gm   kn, VOV Eq. 4.62
vgs L
A Figura 4.35 apresenta uma interpretação gráfica da operação para pequenos sinais
do amplificador com MOSFET tipo enriquecimento. Observe que gm é igual à
inclinação da característica iD - vGS no ponto de operação.

iD
gm  Eq. 4.63
vGS vGS VGS

A equação 4.63 representa a

definição formal de gm e pode ser
facilmente visto que, por meio dela,
chega-se às equações 4.61 e 4.62.

Figura 4.35 – Operação para pequenos sinais do amplificador com MOSFET tipo
enriquecimento. 7
4.6.3 - O ganho de tensão
No circuito da Figura 4.34, podemos expressar a tensão de dreno instantânea total
vD como v V  R i
D DD D D onde: i  I  i
D D d

Na condição de pequenos sinais, temos:

vD  VDD  RD ( I D  id ) vD  VDD  RD I D  RDid )

Que pode ser reescrita como: VD vd

cc sinal
vD  VD  RDid
Logo, o componente do sinal da tensão de dreno será dado por:
id
vd  id RD   gmvgs RD onde: gm  Eq. 4.61
vgs

Que indica que o ganho de tensão é dado por:

vd
vd   gmvgs RD Av    gm RD Eq. 4.65
vgs

O sinal menos indica que o sinal de saída vd está 1800

defasado em relação ao sinal de entrada vgs . Isso é
Figura 4.34 ilustrado na Figura 4.36, que mostra vGS e vD .
8
Ver Figura 4.36 (próxima página) :

Supõe-se que o sinal de entrada tenha uma forma de onda triangular com uma
amplitude muito menor que 2(VGS - Vt ) ou 2VOV , que é a condição para
pequenos sinais na Eq. 4.58, a fim de garantir uma operação linear. Para uma
operação na região de saturação o tempo todo, o valor mínimo de vDS não deve
ser menor que o valor correspondente de vGS - Vt , e o valor máximo de vDS não
deve ser maior que VDD; caso contrário, o FET entrará no corte e os picos da forma
de onda do sinal de saída serão ceifados.

vgs  2(VGS  Vt ) Eq. 4.58

condição para pequenos sinais
para garantir uma operação linear
vgs  2VOV Eq. 4.59

vDS min  vGS max  Vt

condição para operação
na região de saturação
vDS max  VDD
Fig. 4.34
9
 tensão de pico Vˆ 2VOV
Vˆ
0 tensão de pico a pico
0V

vDS max  VDD

vd
Av    gm RD
condição mínima de vgs
vDS para manter a
operação na região de
saturação

vDS min  vGS max  Vt cc

Figura 4.36 - As tensões instantâneas vGS e vDS para o circuito da Fig. 4.34
10
 4.6.4 – Separando a análise cc e a análise de sinal.

Da análise anterior, vimos que, com a aproximação para pequenos sinais, os

valores de sinal são sobrepostos aos valores cc. Isso significa que a análise e o
projeto podem ser muito simplificados, separando–se os cálculos da polarização
cc dos cálculos para pequenos sinais. Isto é, uma vez que o ponto de operação
estável cc tenha sido estabelecido e todos os valores cc calculados, podemos
estão executar a análise de sinal ignorando os valores cc.

11
4.6.5- Modelos equivalentes de circuitos para pequenos sinais
Do ponto de vista de sinal, o FET se comporta como uma fonte de corrente controlada
por tensão. Recebe vgs entre porta e fonte e proporciona uma corrente gmvgs no terminal
de dreno. Com Ri muito alta, idealmente infinita. A Figura 4.37(b) representa a operação
do FET para pequenos sinais e é, portanto, o modelo para pequenos sinais ou modelo
equivalente de circuito para pequenos sinais .
Modelo -híbrido Parâmetros do modelo - gm
(transcondutância) e ro
ig=0 id
G D gm  kn, (W / L)VOV
+
vgs ro
gmvgs g m  2k n ´(W / L) I D
-
is 2I D
S
gm 
Figura 4.37- Modelo para pequenos sinais para
VOV
o MOSFET, incluindo o efeito da modulação do VA
comprimento do canal, modelado pela ro  VOV  VGS  Vt
ID
resistência de saída ro = VA / ID .

Os parâmetros gm e ro dependem do valor da corrente de

polarização ID (dependem do ponto de polarização).
12
4.6.7- O modelo equivalente T - pag. 180
Por meio de uma simples transformação de circuito, é possível desenvolver um modelo
equivalente alternativo para o MOSFET. O desenvolvimento de tal modelo, é conhecido
como modelo T.
Parâmetros do modelo
Modelo T do MOSFET
gm (transcondutância) e ro
id
D gm  kn, (W / L)VOV
i
g m  2k n ´(W / L) I D
ig=0 ro
G
+ 2I D
i gm 
vgs VOV
1/gm VOV  VGS  Vt
-
VA
S is ro 
ID

 v gs  i
1
0 → i  g mv gs Os parâmetros gm e ro dependem do
gm valor da corrente de polarização ID
(dependem do ponto de polarização) .
Figura 4.40- (a) O modelo T do MOSFET
com a resistência entre fonte e dreno ro .
13
 Modelos id
D
ig=0 id
G D i
+ ig=0 ro
vgs gmvgs ro G
+ i
- vgs
1/gm
S is -
S is
Modelo  é mais apropriado para Modelo T é mais apropriado para usar
usar quando não existe nenhuma quando existe uma resistência (RS ou
resistência ligada em série com o Rsig ou RL) ligada em série com o
terminal fonte (S) do MOSFET, na terminal fonte do MOSFET , na
análise de sinal. análise de sinal.

Parâmetros
2I D
gm  kn (W / L)VOV
,
ou g m  2k n ´(W / L) I D ou gm 
VOV
VA
ro  VOV  VGS  Vt
ID
14
Exemplo 4.10 – pag. 179 - estudar
Modelo  é mais apropriado para usar
quando não existe nenhuma resistência
ligada em série com o terminal fonte (S)
do MOSFET, na análise de sinal.
ii
↘
0
ii

nenhuma resistência

↘ Considere ii << gmvgs i + ii = gmvgs

ii i
i = gmvgs - ii
gmvgs
como ii << gmvgs i ≈ gmvgs

vo  i(ro / / RD / / RL )

ro // RD // RL vo   gmvgs (ro / / RD / / RL )

Figura 4.38 – Exemplo 4.10: (a) circuito do amplificador; (b) modelo equivalente de circuito.
15
4.7.2- Caracterizando amplificadores – MOSFET - pag. 185
Apresentaremos um conjunto de parâmetros e circuitos equivalentes que
empregaremos na caracterização e comparação de amplificadores transistorizados.
Algumas considerações :
Amplificadores unilaterais → o sinal é unidirecional, isto é , o sinal só circula
da entrada para a saída. Não existe dependência para o amplificador
unilateral, ou seja Rin não depende de RL e Rout não depende de Rsig ;
desta forma temos que: Rin = Ri e Rout = Ro

Amplificadores não unilaterais → são amplificadores que apresentam uma

estrutura de realimentação interna que faz que Rin dependa de RL . Por outro
lado, a realimentação interna também faz que a Rout dependa de Rsig ;
desta forma temos que: Rin ≠ Ri e Rout ≠ Ro.

Os parâmetros Ri , Ro , Avo, Ais e Gm são inerentes (pertinentes; próprio) ao

amplificador, isto é, eles não dependem de Rsig e RL. Em contraste, Rin , Rout ,
Av , Ai , Gvo e Gv podem depender tanto de Rsig como de RL .
Se: RL =  → Rin = Ri e Rsig = 0 → Rout = Ro

16
 Tabela 4.3- Parâmetros característicos dos amplificadores

Resistência de entrada
ii
v vi
→ Rin  i e Ri 
vi ii ii R  
vsig L

Rin

Resistência de saída

vsig = 0
vi = 0

Rout aplica-se uma Ro

aplica-se uma
fonte ix ou vx
vx v fonte ix ou vx
Rout  Ro  x
ix v sig  0
ix v 0
i 17
 4.7.2- Caracterizando amplificadores – MOSFET - cont...
Tabela 4.3- Parâmetros característicos dos amplificadores

vo vo
Ganho de tensão Avo  e Av 
vi R   vi
L

vo vo
Ganho total (global) de tensão Gvo  e Gv 
v sig v sig
RL  

i
Ais  o io
Ganho de corrente
ii R  0 e Ai 
L ii

i
Transcondutância de curto circuito Gm  o
vi R  0
L
18
 4.7- AMPLIFICADORES MOS DE ESTÁGIO SIMPLES - pag. 184
Nesta seção, analisaremos as diversas configurações empregadas no projeto para
amplificadores com MOS discreto. O efeito de corpo não será considerado em
circuitos discretos, porque a fonte do MOSFET está normalmente ligada ao substrato.

4.7.1 - A estrutura básica

A Figura 4.42 mostra o circuito básico que será utilizado para implementar as diversas
configurações de amplificadores MOS na forma de circuito discreto nos exercícios das
próximas seções.

Exercício 4.30 Região de saturação RD = 15 k

(a) Obtenha VOV, VGS, VG, VS e VD. vGD  Vt
↓ ID = I = 0,5 mA
1 ,W 2 2I D
ID  kn VOV → VOV   IG = 0
W
2 L k,
VOV  0 n
L
k’(W/L) = 1 mA/V2 
Vt = 1,5 V
VOV  VGS  Vt → VGS  VOV  Vt
RG = 4,7 M
Como IG = 0 → VG = 0 V I = 0,5 mA
VGS  VG  VS  0  VS → VS  VGS

VDD  RD I D  VD  0 → VD  VDD  RD I D Figura 4.42 19

(b) Calcule os valores de gm e ro, suponha que VA = 75V.

gm 
2I D VOV  VGS  Vt VA
ro 
VOV ID
gm = 1 mA/V ro = 150 kΩ

Modelo  Figura E4.30

G D
+
vgs gm = 1 mA/V
ro
gmvgs ro = 150 kΩ D
-
ro = 150 kΩ i
S
1/gm = 1 kΩ ro
G
Modelo  é mais i
apropriado para ser 1/gm
usado quando não Modelo T é mais apropriado para ser
existe nenhuma usado quando existe uma resistência S
resistência ligada em (RS ou Rsig ou RL) ligada em série com o Modelo T
série com o terminal terminal fonte (S) do MOSFET , na
fonte (S) do MOSFET, análise de sinal.
na análise de sinal.
20
 4.7.3- O amplificador fonte comum (FC) - pag. 189
Amplificador FC baseado no circuito básico da Figura 4.42.
Capacitor de acoplamento Atua como um curto circuito para sinal em
Atua como um curto circuito todas as frequências de interesse ao mesmo
para sinal em todas as tempo que bloqueia cc.
frequências de interesse ao ↙ Capacitor de acoplamento
mesmo tempo que bloqueia cc.
↘ 1
XC 
jC

↖ Capacitor de passagem
Atua como um curto circuito para sinal
em todas as frequências de interesse.
Figura 4.43(a) (estabelece um terra para sinal).

Na análise de sinal de um circuito amplificador com MOSFET na faixa de frequências

médias ou frequências de interesse:
•o transistor é substituído por seu modelo de circuito equivalente mais apropriado ( ou T)
•as fontes de tensão cc ( VDD e VSS ) são substituídas por curtos-circuitos
•a fonte de corrente cc constante ( I ) é substituída por um circuito aberto.
•os capacitores são substituídos por curtos-circuitos
21
Exercício 4.32 – pag. 191

Considere o amplificador FC baseado no circuito analisado no Exercício 4.30.

(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado
(b) Calcule Rin , Avo e Rout considerando ou não a presença de ro . Para calcular Rout
desenhe o circuito completo para demonstrar o método.
(c) Calcule G v com ro.
D
(d) Se vsig for uma senóide de 0,4 V pico a pico, qual o sinal de saída vo?
i
curto circuito ro
G D G
+ i
curto circuito vgs ro
gmvgs 1/gm
-
S
S
Modelo T é mais
apropriado quando
S Modelo  é mais existe uma
apropriado quando resistência (RS ou
não existe nenhuma Rsig ou RL) ligada em
resistência ligada em série com o
série com o terminal terminal fonte (S)
curto aberto fonte (S) do MOSFET, do MOSFET, na
curto circuito na análise de sinal. análise de sinal.

Figura 4.43(a)
22
 Exercício 4.32 – pag. 191
(a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.

Solução: frequências médias (de interesse)

G D
+
vgs ro
gmvgs
-
S

Modelo  é o mais
apropriado para este
caso, porque não
existe nenhuma
resistência ligada em
série com o terminal
fonte (S) do MOSFET.

Figura 4.43
23
(b) Cálculo de Rin , Avo e Rout considerando ou não a presença de ro . Para calcular Rout
desenhe o circuito para demonstrar o método.
gm vgs
←
↓ii
+
vo
-
Rin
↖
Cálculo de Rin

Rsig
+ Rin é a resistência vista na entrada do circuito.
vsig ii
vi Rin
-

vi vi
(b) Rin  → Com e sem ro → vi  ii RG  0 → Rin   RG
ii ii
Rin = RG = 4,7 M

24
 gm vgs

+
vo
-

ro / / RD RL = ∞
v gs  vi

Cálculo de Avo vo  gmvgs (ro / / RD )  0 vgs  vi

vo
Avo  → Com ro → vo   gmvgs (ro // RD )   gmvi (ro // RD )
vi RL  
v
Av o  o   g m (ro // RD )
vi R  
L

v v
Avo  o → Sem ro → Av o  o   g m RD
vi vi R  
RL   L
25
 Para calcular Rout desenhe o circuito para demonstrar o método.

Cálculo de Rout circuito completo para demonstrar o método R  v x

out
ix vsig 0
Faz vsig = 0
vx
Rout  Rsig ig = 0 ix
ix vsig 0
G D
+ +
vsig= 0 ii=0 ro RD
vi RG vgs gmvgs vx
↗
- -
S
Tire RL ↗
Aplique vx
vsig  0 → vi  vgs  0 → gmvgs  0 fonte de corrente aberta Encontre ix

Com ro → vx  ix (ro // RD )  0 Rout é a resistência vista na

saída do circuito.
vx
Rout   ro // RD
ix vx
v sig  0 Rout 
ix vsig 0
v
Sem ro → Rout  x  RD
ix v 0
sig 26
(c) Cálculo de G v com ro.
Rsig= 100 k + +
Rin vi vo
vo
Gv  - -
vsig
v gs  vi ro / / RD / / RL

vo  gmvgs (ro / / RD / / RL )  0 vo   gmvgs (ro // RD // RL )

Rsig vgs  vi R = R = 4,7 M

determinando vgs in G

Rin + vi
Divisor de tensão → v gs  vi  vsig vsig ii
vi Rin Rin   RG
Rin  Rsig ii
-
ro / / RD / / RL
(150 / /15 / /15)k  7,143k
v Rin
Gv  o   gm (ro // RD // RL ) → Gv  7V / V ro = 150 k
vsig Rin  Rsig
RD= 15 k
RL= 15 k
27
 +
vi
-
Rin
v gs  vi ro / / RD / / RL

Ex. 4.32 (d)- Se vsig for uma senóide de 0,4 V pico a pico, qual o sinal de saída vo?

Vopp → tensão de saída pico a pico

Vopp
Gv  Vsigpp→ tensão da fonte de sinal pico a pico
Vsigpp Vsigpp = 0,4 V

Vopp  Gv Vsigpp → Vopp  7 x0,4  2,8V

28
4.7.4- O amplificador fonte comum com resistência de fonte

Normalmente, é benéfico inserir uma resistência RS no terminal de fonte (S) do

amplificador fonte comum. Podemos utilizar RS para controlar a amplitude do sinal vgs
e, portanto, assegurar que vgs não se torne grande demais (vgs << 2VOV ) a ponto de
originar uma distorção não linear.

Exercício 4.33 - pag. 193

No Ex. 4.32 aplicar um sinal de entrada de
Vsigpp = 3 x 0,4 V = 1,2 V
Vopp = 2,8 V D
G
Vopp
Gv  + +
Vsigpp vgs - S
← Rs entra em serie com
vi
terminal de fonte

Figura 4.44 29
4.33- (a) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.
Modelo T é o mais
apropriado para este caso,
Solução: porque existe uma
D
Modelo  resistência RS ligada em
i série com o terminal fonte
G D
+ ro (S) do MOSFET
G
vgs ro
gmvgs i
- Não inclua ro para D
1/gm
não complicar a G
S
S análise. S
ro = ∞

D
+
i vo
0 G
-
+ + i +
vi vgs
- - vi
S vgs é apenas uma fração de vi
- 1 / gm
vgs  vi
1 / g m  Rs
30
4.33- (b) Determine RS

+
i
i
vo vo  i( RD // RL )
ii ig = 0 -

ii + i +
vsig vgs
-
vi
vi  i(1 gm  RS )  0
-

Vsigpp = 1,2 V
Vopp = 2,8 V (do problema 4.32)

Vopp 2,8 Vopp

Gv    2,33V / V Gv   2,33V / V
Vsigpp 1,2 Vsigpp

Calcular a expressão de Gv = vo / vsig

31
Cálculo da expressão de Gv = vo / vsig i
→
vo  i( RD // RL ) (1) +
i vo
ig = 0 -
Cálculo de i :
+ ii + +
vi  i(1 gm  RS )  0 ii vi i vgs
- - v
vi
i
i
(2)
1 g m  RS Rin
-

Cálculo de vi :
Rin
Div. Tensão: vi  vsig (3)
Rin  Rsig Rsig
Rin  1  +
(3) em (2) i  vsig   (4)
vsig ii
Rin  Rsig vi Rin
 1 gm  RS 
-
Cálculo de Rin
vi
vi  ii RG  0 → Rin   RG Rin = RG = 4,7 M
ii
32
 Rin  1  vi
(4) i vsig   Onde Rin   RG e
Rin  Rsig  1 gm  RS  ii
Vopp ↓
(1) vo  i( RD // RL ) Gv   2 ,33V / V
Vsigpp

(4) em (1)

Rin = RG = 4,7 M
RG  1 
vo   vsig  ( RD // RL ) RD= 15 k
RG  Rsig  1 gm  RS  RL= 15 k

vo RG  1  RD / / RL
Gv    ( RD // RL )
vsig RG  Rsig  1 gm  RS  (15 / /15)k  7,5k

Vopp ↓ RG  1  ↓
  ( RD // RL )  2 ,33 → RS = 2,15 kΩ
Vsigpp RG  Rsig  1 gm  RS 
33
4.33- (c) Determine Rout . Para calcular Rout desenhe o circuito completo para demonstrar o
método.
Solução:
vx
Método→ Rout 
ix Tire RL
v sig  0
Aplique vx
Encontre ix
Faz vsig = 0

circuito completo para demonstrar o método

D
00
ix i 0
i RD vx (1 / gm)  RS
0V ig = 0
Rsig ↓ G 0V
↙ i = 0 → fonte de corrente aberta
+ + i
vsig = 0 ii=0 v =0 vgs Rout
i RG 1/gm

- - S vx
Rout   RD
RS ix vsig 0
34
 4.7.5 - O amplificador porta comum (PC)

Exercício 4.34 – pag. 195

(a) Desenhe o circuito equivalente para
pequenos sinais mais apropriado.
Rsig entra em
serie com
terminal de VDD = 0 i D
I=0 ←
fonte (S) , na
análise de i
sinal . D ig= 0
G G

S ii ↑
ii S↓i
→ Modelo T é o mais
+→ ii = - i apropriado para este
D
vi caso, porque existe
i - uma resistência Rsig
ligada em série com
ro
G Não inclua ro para o terminal fonte (S)
i não complicar a do MOSFET.
Figura 4.45(a)
1/gm análise. ro = ∞ vi
Rin 
S
ii
35
(b) Obtenha : Rin , Rout , Avo , Av e Gv .
vi vo vo vo
Rin  v
Rout  x Avo  Av  Gv 
ii ix vi RL  vi vsig
vsig 0
↗
Respostas: Rin = 1k ; Rout = 15k ; Avo = +15 V/V ; Av = +7,5 V/V ;
Gv = +7,14 V/V (50) ; Gv = +3,15 V/V (1k) ; Gv = +0,68 V/V (10k) ; Gv = + 0,07 V/V(100k)
corrigir no livro
v
Como calcular Rout → circuito completo para demonstrar o método Rout  x
↓ ix vsig 0
i
Para calcular Rout : ← D

ix
Faz vsig = 0 → ii = 0 → i = 0 RD vx Tire RL
ig = 0 i Aplique vx
00
i 0 G Encontre ix
(1 / gm)  Rsig +
1/gm Rout
vgs
i = 0 → fonte de corrente aberta Rsig vx
S ii = - ii = 0 Rout 
+ ix vsig 0
vsig = 0 ii=0 v =0 i = - ii = 0
i

-
36
4.7.6 - O amplificador dreno comum (DC) ou seguidor de fonte
Exercício 4.35 – pag. 196 Modelo T é o
D mais
G
apropriado
S para este caso,
porque existe
D
uma resistência
Figura 4.46(a) i RL ligada em
ro série com o
G
(a) Desenhe o circuito equivalente para i
terminal fonte
pequenos sinais mais apropriado. 1/gm
(S) do MOSFET.

↖ ↖
ro // RL
↗
→
↗

↖ Como r // R redesenhe o circuito para facilitar a análise. 37

o L
 (b) Obter : Rin , Avo , Av , Rout com e sem ro . Obtenha Gv considerando o efeito de ro.

vi vo vx vo
Rin  v
Avo  o Av  Rout  Gv 
ii vi vi ix vsig 0 vsig
RL 

Cálculo de Rin

vi  ii RG  0
vi
Rin   RG
ii
Rin não depende de RL  Rin = Ri
a razão para isso é a corrente nula de porta

ii +
+
Cálculo de Av
vi
vo
Divisor de tensão - -

RL // ro
vo  vi RL // ro
( RL // ro )  1/ g m
38
 v RL // ro
Av  o 
vi ( RL // ro )  1/ g m
Rin
vo ro
Avo  
vi RL 
ro  1 g m

Cálculo de Gv
vo
Gv  Rsig Divisor de tensão
vsig
+ Rin
vsig ii
vi Rin vi  vsig
v v v v v Rin  Rsig
Gv  o i  o i  Av i
v sig vi vi v sig vsig -
vi Rin

Gv 
vo v
 Av i 
RL // ro Rin vsig Rin  Rsig
vsig vsig ( RL // ro )  1 / g m Rin  Rsig
vi
Rin   RG
ii
39
 D
circuito completo para demonstrar o método
**Cálculo de Rout
v ↓ ig = 0 i
Rout  x Rsig
G
ix vsig 0 vsig = 0 + + i
ii=0 v =0 RG vgs 1/gm
i
Como ro está em paralelo com o - - S i
circuito no terminal S, podemos ix ix
iro vx
tirar ro para calcular R’out e ro
depois determinar Rout . Tire RL
Rout
Onde : Rout = ro // R’out ro está em paralelo Rout Aplique vx
com resto do circuito ↖ Encontre ix
Para facilitar o cálculo de Rout : D

1º) Tira ro e calcula R’out

0 V ig = 0 i
Rsig ↘G
vx
'
Rout  vsig = 0
+ + i
i ,x vsig 0 ii=0 v =0
i RG vgs 1/gm i = -i’x
i’x
- - S
i’x
i’x
vx
2º) Depois calcula Rout ↗
Tira ro
Rout  Rout
'
// ro ↗
R’out
40
 Cont... Rout : D

ig = 0 i
Rsig
 v x  i x, 1 gm  0 G
+ + i
vsig = 0 ii=0 v =0 RG vgs 1/gm i = -i’x
i

↘ - - S
i’x i’ x
vx 1 i’x
'
Rout   vx
↗ i x, vsig  0
gm
R’out
↘
1
Rout  '
Rout // ro  // ro vx
gm R'out 
↗ i x, v sig  0
Rout não depende de Rsig  Rout = Ro
a razão para isso é a corrente nula de porta
41
Esses são os exercícios mínimos recomendados das seções do Capítulo 4
parte sinal (seção 4.6)

Lista de Exercícios das seções do Capítulo 4_sinal

SEÇÃO EXEMPLOS EXERCÍCIOS PROBLEMAS
4.6 a 4.6.5
4.6.6 4.10
4.6.7 e 4.6.9 4.24, 4.25 4.37, 4.39, 4.40, 4.42
4.7 e 4.7.1 4.30
4.7.2 4.11
4.7.3 4.32 4.43
4.7.4 4.33
4.7.5 4.34 4.44
4.7.6 4.35 4.45, 4.46, 4.47

---------------------------------------------------------------------------------------

42
Problemas 4.37 – pag. 230

Figura 4.34

Problemas 4.39 – pag. 230

43
Problemas 4.40 – pag. 231

Figura P4.40

44
Problemas 4.42 – pag. 231

1
XC 
jC

C=∞ Figura P4.42

45
 Problemas 4.42 – pag. 231
A Figura P4.42 mostra um amplificador FC discreto empregando o esquema de
polarização clássico.
(a) Se o transistor te Vt = 1 V , k’n (W/L) = 2 mA/V2 , determine ID , VGS e VD.
(b) Encontre gm e ro se VA = 100V.
(c) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado.
(d) Deduza as expressões literais de Rin , Av , Gv e Rout. Para determinar a expressão de
Rout aplique a definição e desenhe o circuito completo para demonstrar o método.
calcule os valores de Rin , Av , Gv e Rout .

VDD
Rsig = 100 k
RG1 = 10 M RD
RG2 = 5 M RG1
C2
RD = 7,5 k vo
RS = 3 k Rsig C1
RL
RL = 10 k CS
VDD = 15 V vsig Rout
RG2 RS
Rin

46
Problemas 4.43 – pag. 231

Figura 4.43(a)

47
Problemas 4.44 – pag. 231

Figura 4.45(a)

48
Problemas 4.45 – pag. 232

Figura 4.46(a)

49
Problemas 4.46 – pag. 232

Figura P4.46

50
Problemas 4.47 – pag. 232

Figura P4.47

--------------------------------------------------------------
51