MAKALAH DASAR ELEKTRONIKA

“ BIAS PEMBAGI TEGANGAN D-MOSFET KANAL P ”

Dosen Pembimbing
ZAINI, SST,M.T.

DISUSUN OLEH:

KELOMPOK 6:

ANDINI AULIA PUTRI (32218031)

HALIMA (32218038)

NATALIA MILENIA BAUSSA (32218045)

TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI UJUNG PANDANG

TAHUN PELAJARAN 2018/2019

 KATA PENGANTAR

Dengan memanjatkan puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas karunia dan
rahmat-Nya, kami dapat menyusun makalah yang berjudul “Bias Pembagi Tegangan D-Mosfet
Kanal P.

Adapun maksud penyusunan makalah ini untuk memenuhi tugas Dasar Elektronika. Rasa
terima kasih kami tidak terkirakan kepada yang terhormat Zaini,SST, M.T. selaku pembimbing
materi dalam pembuatan makalah ini, serta semua pihak yang telah mendukung dalam
penyusunan makalah ini yang tidak bisa kami sebutkan satu persatu.

Harapan kami bahwa makalah ini dapat bermanfaat bagi para pembaca untuk menambah
wawasan dan pengetahuan tentang pentingnya “Bias Pembagi Tegangan D-Mosfet Kanal P”.

Kami menyadari bahwa makalah ini masih jauh dari sempurna dengan keterbatasan yang
kami miliki. Tegur sapa dari pembaca akan kami terima dengan tangan terbuka demi perbaikan
dan penyempurnaan makalah ini.

Makassar, 18 Desember 2018

Penulis

Kelompok 6
 BAB I

PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG

Metal Oxide Semiconductor FET (Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida)

atau yang lebih dikenal dengan singkatan MOSFET merupakan salah satu jenis Field Effect
Transistor (transistor efek medan) yang pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada
tahun 1925. MOSFET adalah salah satu jenis transistor yang memiliki impedansi masukan (gate)
yang sangat tinggi sehingga dengan menggunakan MOSFET sebagai saklar elektronik, dapat
memungkinkan untuk menghubungkannya dengan semua jenis gerbang logika. Dengan
menjadikan MOSFET sebagai saklar, maka dapat digunakan untuk mengendalikan beban dengan
arus yang tinggi dan biaya yang lebih murah daripada menggunakan transistor bipolar. Untuk
membuat MOSFET sebgai saklar maka hanya menggunakan MOSFET pada kondisi saturasi
(ON) dan kondisi cut-off (OFF).

Metal-oxide semiconductor FET (disingkat MOSFET) adalah peranti semikonduktor yang dapat
dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) lebar kanal. Artinya MOSFET tidak
dibatasi untuk bekerja dengan gate berbias balik (Thomas, 2002: 81), namun MOSFET juga
dapat bekerja dengan gate berbias maju. Karakter tersebut di atas adalah yang menjadikan
MOSFET berbeda dengan JFET. Dimana supaya dapat bekerja dengan baik, maka kaki terminal
gate (G) JFET harus berbias balik

Kemudian secara struktur, MOSFET dan JFET berbeda. Pada MOSFET, bagian gate diisolasi
dari saluran (kanal), sehingga MOSFET juga terkadang disebut dengan IGFET kepanjangan dari
insulated-gate FET. Bahan yang digunakan untuk mengisolasi terminal gate dengan bagian kanal
MOSFET adalah silikon dioksida (SiO2).

Seperti halnya JFET, MOSFET juga memiliki dua jenis yaitu MOSFET Depletion-Mode (D-
MOSFET) dan MOSFET Enhancement-Mode (E-MOSFET) yang masing-masing juga memiliki
tipe kanal-n dan tipe kanal-p.

D-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘ON’ dan beroperasi seperti suatu JFET,
sedang E-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘OFF’ artinya arus drain-source
(IDS) seperti penaikan tegangan pada terminal gate. Tidak ada aliran arus ketika terminal gate
mendapat tegangan.
 B. RUMUSAN MASALAH

Adapun Tujuan dari pembahasan ini adalah agar mahasiswa mengetahui lebih dalam tentang
MOSFET, seperti:

1.Apakah yang dimaksud dengan MOSFET?

2.Apakah yang dimaksud Bias Pembagi Tegangan pada MOSFET ?

3. Apakah yang dimaksud D-MOSFET Kanal P?

4. Bagaimana cara kerja Bias Pembagi Tegangan D-MOSFET Kanal p?

5. Bagaimana karakteristik Bias Pembagi Tegangan D-MOSFET Kanal p?

C. TUJUAN

Berdasar dari latar belakang, kami bertujuan :

1.Untuk mengetahui dan memahami pengertian daripada MOSFET

2. Untuk mengetahui dan memahami pengertian Bias Pembagi Tegangan

3. Untuk mengetahui dan memahami Pengertian D-MOSFET Kanal P

4.Untuk memahami prinsip kerja karakteristik Bias Pembagi Tegangan D-MOSFET Kanal P?

5. Untuk Mengetahui karakteristik Bias Pembagi Tegangan D-MOSFET Kanal P?

 BAB II

PEMBAHASAN

A. MOSFET (Depletion-metal-oxide semiconductor FET)

Metal-oxide semiconductor FET (disingkat MOSFET) adalah peranti semikonduktor yang
dapat dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) lebar kanal. Artinya MOSFET tidak
dibatasi untuk bekerja dengan gate berbias balik (Thomas, 2002: 81), namun MOSFET juga
dapat bekerja dengan gate berbias maju. Karakter tersebut di atas adalah yang menjadikan
MOSFET berbeda dengan JFET. Dimana supaya dapat bekerja dengan baik, maka kaki terminal
gate (G) JFET harus berbias balik

Kemudian secara struktur, MOSFET dan JFET berbeda. Pada MOSFET, bagian gate diisolasi
dari saluran (kanal), sehingga MOSFET juga terkadang disebut dengan IGFET kepanjangan dari
insulated-gate FET. Bahan yang digunakan untuk mengisolasi terminal gate dengan bagian kanal
MOSFET adalah silikon dioksida (SiO2).

Seperti halnya JFET, MOSFET juga memiliki dua jenis yaitu MOSFET Depletion-Mode (D-
MOSFET) dan MOSFET Enhancement-Mode (E-MOSFET) yang masing-masing juga memiliki
tipe kanal-n dan tipe kanal-p.

D-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘ON’ dan beroperasi seperti suatu JFET,
sedang E-MOSFET pada kondisi normal adalah dalam kondisi ‘OFF’ artinya arus drain-source
(IDS) seperti penaikan tegangan pada terminal gate. Tidak ada aliran arus ketika terminal gate
mendapat tegangan.
 B. BIAS PEMBAGI TEGANGAN

Bias pembagi tegangan seperti yang diterapkan pada transistor bipolar juga bisa diterapkan
pada FET. Penerapan rangkaian pada kedua komponen tersebut tidak berbeda, namun analisis
dc-nya berbeda sekali. Rangkaian penguat FET dengan bias pembagi tegangan tampak pada
gambar 2.6.

Oleh karena IG = 0, maka rangkaian pembagi tegangan yang diwujudkan oleh R1 dan R2 tidak
akan terbebani oleh FET. Dengan demikian tegangan pada G (gate) adalah sama dengan turun
tegangan pada R2, yaitu:

Dengan menerapkan hukum Kirchhoff pada ikal input diperoleh:

VG = VGS + VS

VG = VGS + ID.RS
Harga VGS disamping ditentukan oleh ID dan RS juga dipengaruhi oleh VG yakni besaran yang
terdiri atas R1, R2, dan VDD. Pada bias tetap tegangan VGS hanya ditentukan oleh ID dan RS.

Pada persamaan 2.9 tersebut terdapat dua besaran yang belum diketahui yaitu ID dan VGS. Oleh
karena itu perlu sebuah persamaan yang juga mengandung dua besaran yang belum diketahui
tersebut, yakni persamaan Shockley:

Apabila harga ID pada persamaan Shockley ini dimasukkan ke persamaan 2.9, maka diperoleh:

VGS = VG - ID.RS

diselesaikan dengan formula matematis

(a - b)2= (a2+ b2- 2ab)

sehingga diperoleh:

VGS = VG - IDSS RS {1+(VGS2/Vp2) - 2(VGS/Vp)}

VGS = VG - IDSS RS - IDSS RS(VGS2/Vp2) + 2IDSS RS(VGS/Vp)

akhirnya diperoleh persamaan kuadrat:

Persamaan 2.10 ini dapat diselesaikan dengan rumus ABC (istilah dalam matematis untuk
menyelesaikan persamaan kuadrat), yaitu:

Dengan menggunakan rumus ABC ini akan diperoleh dua buah harga VGS, namun diantara dua
tersebut hanya satu VGS yang memenuhi syarat.
Syarat VGS adalah:

Harga VGS harus bernilai antara 0 sampai Vp.

Disamping itu harga (B2 - 4AC) dalam rumus ABC tersebut harus bernilai positip. Apabila
bernilai negatip berarti tidak ada penyelesaian.

Setelah harga VGS diperoleh maka dengan menasukkan VGS ke persamaan 2.9 akan dapat
ditentukan nilai arus ID, yaitu:

Tegangan VDS dapat diperoleh dengan menerapkan hukum Kirchhoff pada ikal output, yaitu:

VDD = VDS + ID RD + ID RS

VDD = VDS + ID (RD + RS)

Dengan demikian dapat ditentukan titik kerja penguat FET, yaitu: VGSQ, IDQ, dan VDSQ.
C. D-MOSFET KANAL P

DE MOSFET adalah semacam MOSFET yang dapat beroperasi dengan depletion

action (aksi pengosongan) dan enhanchement action (aksi peningkatan). E MOSFET
adalah semacam MOSFET yang hanya beroperasi dengan enhanchement action (aksi
peningkatan) saja. Sesuai dengan kanalnya DE MOSFET dapat dibedakan menjadi DE
MOSFET kanal P dan kanal N, begitu juga dengan E MOSFET kanal P dan kanal N.
Susunan dan simbol dari macam-macam MOSFET ini dapat dilihat pada gambar berikut
ini:

Drain (D)

Drain (D) Drain (D)

N
Gate(G)
Substrate(St)

N Gate(G) Gate(G)

Source (S) Source (S) Source (S)

Susunan lapisan Kanal P Kanal N

Simbol D-MOSFET

Simbol D-MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut pada gambar
dibawah. Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka D-MOSFET menjadi komponen
empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk gate D-
MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-N junction.

Simbol D-MOSFET

Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada hubungan. Hal ini membuat
impedansi dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari impedansi input JFET. Dengan
demikian dalam pembiasan dc, arus gate IG dianggap sama dengan nol (IG = 0). Istilah
MOSFET (metal-oxide semiconductor FET) ini timbul karena dalam konstruksinya terdapat
metal dan oksida silikon. Dalam literatur lama MOSFET ini disebut dengan IGFET (insulated-
gate FET) karena memang terminal gatenya terisolasi dengan kanal-N. Penjelasan cara kerja dan
karakteristik D-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan VGS = 0 dan VDS positip
seperti pada gambar dibawah. Pemberian VGS = 0 dilakukan dengan cara menghubungkan
terminal G dengan S. Biasanya terminal SS dihubungkan ke terminal S. Tegangan positip VDS
akan menarik elektron bebas pada kanal-N dari source menuju drain, sehingga mengalir arus ID.
Hal ini sama seperti pada JFET. Bila VDS diperbesar hingga mencapai Vp, maka arus ID akan
jenuh (tidak naik lagi) yang disebut dengan IDSS.

Apabila VGS dibuat negatip, maka muatan negatip pada terminal gate akan menolak elektron
bebas pada kanal-N menjauhi daerah kanal-N dan menuju daerah substrat-P. Hal ini akan
mengosongkan kanal-N dari elektron bebas, sehingga arus ID semakin kecil. Apabila tegangan
negatip VGS dinaikkan terus hingga kanal-N kosong dari semua elektron bebas, maka arus ID
sudah tidak bisa dinaikkan lagi meskipun dengan memperbesar VDS
 D. CARA KERJA BIAS PEMBAGI TEGANGAN D- MOSFET KANAL P

a. Tipe Peningkatan (Enhancement Type)

Bila kanal dapat konduksi hanya bila gate diberi tegangan, maka MOSFET itu termasuk tipe
peningkatan (Enhancement type atau Enhancement mode). Hal ini berarti bahwa tegangan gate
harus meningkatkan pembawa muatan dalam kanal untuk memungkinkan arus drain mengalir.
Untuk MOSFET kanal P tipe Enhancement, dalam keadaan VGS = 0 V, hubungan antara Source
dengan Drain terputus. Pemberian VGS (-) akan membuat Source dengan Drain terhubung.
Makin besar tegangan negatip pada gate, arus drain akan semakin besar.

Untuk MOSFET kanal N tipe peningkatan (Enhancement), dalam keadaan VGS = 0 V, hubungan
antara Source – Drain terputus. Pemberian VGS(+) akan menyebabkan terbentuknya kanal yang
menghubungkan Source dengan Drain.

b. Depletion Type

Bila kanal konduksi tanpa tegangan gate, atau tegangan gate sama dengan nol, MOSFET tersebut
termasuk tipe pengosongan atau depletion type atau depletion mode. Artinya pemberian tegangan
pada gate meyebabkan konduktivitas kanal akan berkurang atau arus drain yang mengalir akan
semakin kecil.

Untuk MOSFET kanal P tipe Depletion, dalam keadaan VGS = 0 V, Source-Drain terhubung,
pemberian tegangan VGS (+) akan menurunkan konduktivitas kanal dan pada level VGS(+)
tertentu kanal akan terputus (MOSFET = Off).

Untuk MOSFET kanal N tipe Depletion, jika VGS = 0 V, Source – Drain terhubung. Pemberian
VGS(-) akan membuat konduktivitas kanal menurun dan pada level V tertentu, kanal akan
terputus (MOSFET = OFF).
Catatan : untuk MOSFET kanal P pembiasan dalam mode/Tipe Enhancement dan mode/Tipe
Depletion, dilakukan dengan membalik polaritas VDS dan VGS sesuai kebutuhan.
E. KARAKTERISRIK BIAS PEMBAGI TEGANGAN D-MOSFET KANAL P

Semakin diperbesar harga VGS ke arah positip, semakin banyak jumlah pembawa muatan
elektron bebas pada kanal N, sehingga semakin besar arus ID. D-MOSFET yang bekerja dengan
VGS positip ini disebut dengan mode peningkatan, karena jumlah pembawa muatan elektron
bebas pada daerah kanal-N ditingkatkan dibanding saat VGS = 0. Pada saat memperbesar VGS
positip ini perlu diperhatikan kemampuan arus ID maksimum agar tidak terlampaui. Besarnya
arus maksimum dari setiap D-MOSFET dapat dilihat pada buku data.

Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat bekerja baik pada mode pengosongan (saat VGS negatip)
maupun pada mode peningkatan (VGS positip). Oleh karena itu DMOSFET ini sering juga
disebut dengan DE-MOSFET (depletion-enhancement MOSFET). Persamaan Shockley
(persamaan dibawah) juga masih berlaku pada D-MOSFET ini baik pada mode pengosongan
maupun pada mode peningkatan.
Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari D-MOSFET kanal-N
yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan arus ID juga
berlawanan dengan yang ada pada D-MOSFET kanal-N.
 BAB III

KESIMPULAN

1. Metal-oxide semiconductor FET (disingkat MOSFET) adalah peranti semikonduktor

yang dapat dioperasikan dalam mode peningkatan (enhancement) lebar kanal. Artinya
MOSFET tidak dibatasi untuk bekerja dengan gate berbias balik (Thomas, 2002: 81),
namun MOSFET juga dapat bekerja dengan gate berbias maju. Karakter tersebut di
atas adalah yang menjadikan MOSFET berbeda dengan JFET. Dimana supaya dapat
bekerja dengan baik, maka kaki terminal gate (G) JFET harus berbias balik.

2. Semakin diperbesar harga VGS ke arah positip, semakin banyak jumlah pembawa
muatan elektron bebas pada kanal N, sehingga semakin besar arus ID. D-MOSFET
yang bekerja dengan VGS positip ini disebut dengan mode peningkatan, karena
jumlah pembawa muatan elektron bebas pada daerah kanal-N ditingkatkan dibanding
saat VGS = 0. Pada saat memperbesar VGS positip ini perlu diperhatikan kemampuan
arus ID maksimum agar tidak terlampaui. Besarnya arus maksimum dari setiap D-
MOSFET dapat dilihat pada buku data. Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat bekerja
baik pada mode pengosongan (saat VGS negatip) maupun pada mode peningkatan
(VGS positip). Oleh karena itu DMOSFET ini sering juga disebut dengan DE-
MOSFET (depletion-enhancement MOSFET). Persamaan Shockley (persamaan
dibawah) juga masih berlaku pada D-MOSFET ini baik pada mode pengosongan
maupun pada mode peningkatan.

3. Simbol D-MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut

pada gambar dibawah. Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka D-MOSFET
menjadi komponen empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda
panahnya pada gate, untuk gate D-MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan
kanal bukanlah P-N junction.