LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

14
GARIS BEBAN DC TRANSISTOR

NAMA PRAKTIKAN : Keumala Rizky (1803332070)

NAMA REKAN KERJA : 1. Muhammad Rizha Alfawaz (1803332006)
2. Wening Tyas Utami (1803332059)

KELAS/KELOMPOK : TELEKOMUNIKASI – 3A / 07
TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 15 November 2019
TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 21 November 2019

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

1
 DAFTAR ISI

1. TUJUAN .................................................................................................................... 3
2. DASAR TEORI ......................................................................................................... 3
3. ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN ................................................ 8
4. LANGKAH PERCOBAAN ...................................................................................... 8
5. DATA PERCOBAAN ............................................................................................... 9
6. PERHITUNGAN..................................................................................................... 10
7. ANALISA DAN PEMBAHASAN.......................................................................... 13
SIMPULAN ..................................................................................................................... 14
DAFTAR PUSTAKA ...................................................................................................... 15
LAMPIRAN..................................................................................................................... 16

2
1. TUJUAN
 Membuat garis beban DC dan menentukan titik operasi suatu transistor.
 Mempelajari hubungan operasi transistor dengan garis beban DC.

2. DASAR TEORI
Level DC dari suatu rangkaian menentukan titik kerja transistor yang
dipakai. Garis beban dapat dibangun apabila kita mengetahui arus beban
pada rangkaian dan tegangan operasinya. Sekarang coba anda bayangkan
mendisain transistor yang digunakan untuk mensaklar beban sebesar
20mA, tegangan supply-nya 5V DC. Titik "A" pada diagram dibawah
adalah kondisi saat Saat transistor OFF, IC (arus kolektor) akan menjadi
nol sedangkan VCE (tegangan kolektor-emitor) akan menjadi hampir sama
dengan tegangan supply (5V DC).

Titik "B" pada diagram diatas adalah kondisi saat transistor ON dimana IC
akan menjadi 20mA (sama dengan arus beban) dan VCE nilainya sangat
kecil hampir mendekati nol. Garis yang ditarik dari titik A ke titik B ini
yang dinamakan garis beban.

Sebagaimana telah disinggung sebelumnya bahwa titik kerja suatu

transistor dalam rangkaian penguat selalu terletak pada garis beban. Garis
beban DC dibuat berdasarkan tanggapan rangkaian terhadap tegangan DC

3
(tegangan catu daya), dan garis beban AC diperoleh karena tanggapan
rangkaian terhadap sinyal AC. Dengan adanya garis beban DC dan AC
pada kurva karakteristik, maka kondisi kerja transistor dapat diketahui dan
penerapan sinyal AC pada penguat dapat dianalisis dengan mudah.
Untuk mendapatkan garis beban DC, beban yang digunakan adalah beban
DC (RDC). Garis beban DC dapat diperoleh dengan:

Dalam rangkaian yang diberikan, Vcc dan Rc adalah konstan, Vce dan Ic
adalah variabel. Perpotongan vertikal adalah pada Vcc/Rc. Perpotongan
horizontal adalah pada Vcc, kemiringannya adalah -1/Rc. Garis ini disebut
garis beban DC seperti terlihat dalam Gambar 2.11, karena garis ini
menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis
beban DC dengan arus basis adalah titik operasi dari transistor.

Titik perpotongan antara garis beban dan kurva Ib-0 disebut titik sumbat.
Pada titik ini arus basis adalah 0 dan arus kolektor kecil sehingga dapat
diabaikan. Pada titik sumbat, diode kehilangan bias maju (forward), dan

4
kerja transistor normal terhenti. Untuk perkiraan aproksimasi Vce (cutt
off)=Vcc.

Perpotongan garis beban dan kurva Ib=Ib(sat) disebut penjenuhan

(saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan Ib(sat) dan arus
kolektor adalah maksimum. Saat ini diode kolektor kehilangan bias balik
(reverse) dan kerja transistor yang normal terhenti. Arus kolektor
penjenuhan adalah:

Tegangan kolektor emitor pada penjenuhan adalah Vce=Vce(sat), dimana

Vce(sat) diberikan pada lembar data, secara khusus beberapa persepuluh
volt. Jika arus basis lebih besar daripada Ib(sat), arus kolektor tak dapat
bertambah karena diode kolektor tidak lagi dibias balik (reverse). Dengan
perkataan lain perpotongan dari garis beban dan kurva basis yang lebih
tinggi masih menghasilkan titik penjenuhan yang sama.

Pada penjelasan diatas untuk rangkaian emiter, untuk basis VCE diganti
dengan VCB.
Pada rangkaian percobaan terlihat bagian input dan output dengan rumus
masing-masing :
Input VEE = IE × RE + VEB
Output Vcc = IC × RC + VCB

Untuk membuat garis beban DC diperlukan hal berikut :

Pada sumbu VCB IC = 0 (jika dimasukkan dalam rumus pada output Vcc =
VCB)
Pada sumbu IC VCB = 0 (jika dimasukkan dalam rumus pada output Vcc =
𝑉𝑐𝑐
IC × RC atau 𝐼C = )
𝑅𝑐

5
 Jadi dari percobaan sebelumnya pada konfigurasi common basis, dapat
𝑉𝑐𝑐
digambarkan garis beban DC dengan VCB = Vcc = 8 volt dan 𝐼𝐶= 𝑅𝑐 =
8
=8
1𝑘

Pada resistansi input RB ≈ RE

a) Parameter-h
Parameter-h untuk rangkaian ekivalen (model) transistor sinyal kecil
dalam konfigurasi emitor bersama (CE) yakni hib, hrb, hfb, hob,.
Dalam setiap persamaan tersebut simbol ∆ berarti perubahan kecil
disekitar titik-Q, sehingga parameter-h diperoleh dari daerah kerja
transistor.
Parameter h untuk transistor common base:
o Untuk karakteristik input:
∆𝑉𝑒𝑒 ∆𝑉𝑒𝑒
hib = hrb = ∆𝑉𝑐𝑏
∆𝐼𝑒

o Untuk karakteristik output:

∆𝑖𝑐 ∆𝑖𝑐
hfb = ∆𝑖𝑒 hob = ∆𝑉𝑐𝑏

6
7
3. ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN
1. DC Power Supply : 2 buah
2. Resistor 1 kΩ : 2 buah
3. Transistor BC 107 : 1 buah
4. Multimeter : 1 buah
5. Kabel-kabel penghubung

4. LANGKAH PERCOBAAN
1. Buatlah garis beban DC transistor pada kurva karakteristik output
transistor dengan konfigurasi common base dari percobaan IX pada
Vcc= 8V, Rc= 1 kΩ.
2. Carilah titik Q, lalu tentukan nilai VCB(Q), IE(Q), dan IC(Q) dari grafik.
3. Tentukan dari grafik nilai IC(1) dan IE(1) pada saat VCB = 6V dan
tentukan pula nilai IC(2) dan IE(2) pada saat VCB = 2V.
4. Buatlah rangkaian seperti gambar 1.

8
 Gambar 1.

5. Aturlah Vcc= 8V lalu atur pula VEE = VEB + RE × IE(Q). Ukur VCB, IC,
dan IE.
6. Aturlah Vcc= 8V lalu atur pula VEE = VEB + RE × IE(1). Ukur VCB, IC, dan
IE.
7. Aturlah Vcc= 8V lalu atur pula VEE = VEB + RE × IE(2). Ukur VCB, IC, dan
IE.
8. Ulangi langkah 1) sampai dengan langkah 6) untuk RC = 5 kΩ.

5. DATA PERCOBAAN
Tabel 1. Rangkaian garis beban DC dengan RC = 1 kΩ

VCB (Volt) IC (mA) IE (mA)

VCC VEE
(Volt) (Volt) Grafik Ukur Grafik Ukur Grafik Ukur

8 4,408 4 4,36 4 3,63 3,708 3,42

8 2,53 6 6,18 2 1,93 1,83 1,79

8 6,7 2 1,86 6 6,24 6 5,96

Tabel 2. Rangkaian garis beban DC dengan RC = 5 kΩ

VCB (Volt) IC (mA) IE (mA)

VCC VEE
(Volt) (Volt) Grafik Ukur Grafik Ukur Grafik Ukur

9
 8 1,5 4 3,57 0,8 0,85 0,8 0,82

8 1,1 6 6,19 0,4 0,321 0,4 0,31

8 1,9 2 1,83 1,2 1,24 1,2 1,06

6. PERHITUNGAN
6.1.Untuk menentukan nilai IC pada tabel 1, jika RC = RE = 1kΩ dan VEB =
0,7V
 VCB = 4V
VCC = IC × RC + VCB
8V = IC × 1k + 4V
4V = IC × 1k
4𝑉
IC = 1𝑘𝛺 = 4 𝑚𝐴

 VCB = 6V
VCC = IC × RC + VCB
8V = IC × 1k + 6V
2V = IC × 1k
2𝑉
IC = 1𝑘𝛺 = 2 𝑚𝐴

 VCB = 2V
VCC = IC × RC + VCB
8V = IC × 1k + 2V
6V = IC × 1k
6𝑉
IC = 1𝑘𝛺 = 6 𝑚𝐴

Untuk menentukan nilai IE, dapat dilihat dari grafik. Titik potong
saat 2V atau 4V, maupun 6V pada garis beban kemudian ditarik
kearah samping sehingga dapat dilihat nilai IE(1), IE(2), IE(3) yang

10
 ditentukan dari jarak antara IE tersebut dengan IE pada karakteristik
output common base.
Sehingga jika sudah menentukan nilai IE, maka nilai VEE:
 VCB = 4V
VEE = IE × RE + VEB
= 3,708 × 1k + 0,7V
= 4,408 V

 VCB = 6V
VEE = IE × RE + VEB
= 1,83 × 1k + 0,7V
= 2,53 V

 VCB = 2V
VEE = IE × RE + VEB
= 6 × 1k + 0,7V
= 6,7 V

6.2.Untuk menentukan nilai IC pada tabel 2, jika RC = 5kΩ, RE = 1kΩ, dan

VEB = 0,7V
 Pada garis beban
𝑉𝑐𝑐 8𝑉
IC = = 5𝑘𝛺 = 1,6 𝑚𝐴
𝑅𝑐

 VCB = 4V
VCC = IC × RC + VCB
8V = IC × 5k + 4V
4V = IC × 1k
4𝑉
IC = 5𝑘𝛺 = 0,8 𝑚𝐴

 VCB = 6V
VCC = IC × RC + VCB

11
 8V = IC × 1k + 6V
2V = IC × 1k
2𝑉
IC = 5𝑘𝛺 = 0,4 𝑚𝐴

 VCB = 2V
VCC = IC × RC + VCB
8V = IC × 1k + 2V
6V = IC × 1k
6𝑉
IC = 5𝑘𝛺 = 1,2 𝑚𝐴

Untuk menentukan nilai IE, dapat dilihat dari grafik. Titik potong
saat 2V atau 4V, maupun 6V pada garis beban kemudian ditarik
kearah samping sehingga dapat dilihat nilai IE(1), IE(2), IE(3) yang
ditentukan dari jarak antara IE tersebut dengan IE pada karakteristik
output common base.
Sehingga jika sudah menentukan nilai IE, maka nilai VEE:
 VCB = 4V
VEE = IE × RE + VEB
= 0,8 × 1k + 0,7V
= 1,5 V

 VCB = 6V
VEE = IE × RE + VEB
= 0,4 × 1k + 0,7V
= 1,1 V

 VCB = 2V
VEE = IE × RE + VEB
= 1,2 × 1k + 0,7V
= 1,9 V

12
7. ANALISA DAN PEMBAHASAN
1. Bandingkan hasil penentuan nilai VCB, IC, dan IE dari grafik dan dari
pengukuran! Jelaskan bila terjadi perbedaan!
Jawab: Tidak terjadi perbedaan yang signifikan, atau masih dalam
batas toleransi. Hal tersebut bias dijelaskan oleh banyak hal,
diantaranya range alat ukur yang tidak tepat atau ketidaktelitian dalam
membaca alat ukur.

2. Bagaimana hubungan antara resistor RC dengan besar arus IE?

Jawab: Hubungan antara tahanan dengan besar arus IE bahwa semakin
besar tahanan RC maka arus yang mengalir pada IE akan semakin kecil,
karena arus IE berbanding terbalik dengan tahanan RC, dimana arus IE
dapat diperoleh dari perbandingan Vcc dengan RC ditambah RE.

3. Apa gunanya menggambarkan garis beban DC suatu transistor?

Jawab: Kegunaannya adalah agar kita dapat mencari dengan mudah
tegangan yang ada pada beban tersebut dengan cara mencari titik
potong antara garis beban dan karakteristik yang diinginkan.

13
SIMPULAN
1. Garis beban diperoleh dengan cara membuat arah arus yang
berlawanan sehingga diperoleh suatu garis yang berlawanan
dengan kemiringan -1/R.
2. Garis beban transistor digunakan untuk mencari dengan mudah
tegangan yang ada pada beban tersebut dengan cara mencari titik
potong antara garis beban dan karakteristik yang diinginkan.
3. Garis beban dibentuk oleh 2 titik nilai, yaitu IC dan VCB.
Perpotongan garis beban dengan kurva karakteristik disebut titik
operasi (QPOINT).

14
DAFTAR PUSTAKA
Susanti, Ana. 2006. Laboratorium Elektronika Semester III. Depok:
Politeknik Negeri Jakarta.

15
LAMPIRAN

16
17